「Ald」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a semiconductor manufacturing apparatus capable of achieving homogeneous filming over the entire surface of a wafer or the whole cylinder by controlling flows of gas by steps and improving coating property of a high-aspect structure in an atom layer deposition (ALD) method.例文帳に追加

原子層成長（ＡＬＤ）法において、各ステップ毎にガスの流れを制御し高アスペクト構造での被覆性を向上させ、均質な成膜をウエハ全面及びシリンダー全体で得ることができる半導体製造装置を提供する。 - 特許庁

To provide a new niobium or tantalum complex having good vapor pressure, which becomes a raw material for producing a niobium- or tantalum-containing thin film by CVD, ALD or the like, and to provide a method for producing the complex, and to provide a metal-containing thin film using the complex and to provide a method for producing such a metal-containing thin film.例文帳に追加

良好な蒸気圧を持ち、ＣＶＤ法又はＡＬＤ法等によってニオブ又はタンタル含有薄膜を製造するための原料となる新規なニオブあるいはタンタル錯体、その製造方法、それを用いた金属含有薄膜及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

An aluminum oxide film 150 is formed by ALD method to cover a ferroelectric capacitor 100 formed above a semiconductor substrate, and then it is annealed in an oxidative gas atmosphere containing ozone (O_3) having strong oxidizing function, thereby refining the aluminum oxide film 150.例文帳に追加

半導体基板の上方に形成された強誘電体キャパシタ１００を覆うように、アルミニウム酸化物膜１５０をＡＬＤ法により形成し、当該アルミニウム酸化物膜１５０を形成した後、強酸化作用のあるオゾン（Ｏ_3）を含む酸化性ガス雰囲気中においてアニール処理を行うようにして、アルミニウム酸化物膜１５０を緻密化した膜とする。 - 特許庁

In the atomic layer deposition method(ALD), a first reaction product is utilized, which contains at least one alkoxide group and is adsorbed on a substrate chemically and reacts with an activated oxidizing agent without a hydroxide and forms a dielectric substance showing an excellent coverage and improved leakage current characteristics.例文帳に追加

原子層蒸着法（ＡＬＤ）は最少限一つのアルコキシド基を含み、基板表面上に化学的に吸着されて水酸化基を含まない活性化された酸化剤と反応して優れているステップカバーレージおよび向上された漏洩電流特性を示す誘電物質を形成する第１反応物を利用する。 - 特許庁

By CVD or ALD of the metal coordination complex, a metal film and a metal compound film, e.g. a metal nitride film or a metal oxide film, are deposited on an electronic material substrate.例文帳に追加

例えばＥｔ（Ｎ）Ｃ（ｔＢｕ）ＣＨ_2ＳｉＭｅ_3（式中、Ｅｔ＝エチル、ｔＢｕ＝ｔｅｒｔ−ブチル、そしてＭｅ＝メチルである）のような代表的化合物の金属配位錯体であり、また、当該化合物の金属配位錯体のＣＶＤまたはＡＬＤを使用して電子材料基材上に金属膜と例えば金属窒化物膜および金属酸化物膜等の金属化合物膜を堆積させるための方法である。 - 特許庁

In the hydrogen generation material generating hydrogen by contact with water and generating water by contact with hydrogen, a hydrogen storage metal storing-releasing hydrogen by oxidation-reduction is used as a matrix, and at least one of substances selected from metals and metal oxides is added to the surface of the hydrogen storage metal by an ALD (Atomic Layer Deposition) process or an LPD (Liquid Phase Deposition) process.例文帳に追加

水の接触により水素を発生し、水素の接触により水を発生する水素発生材において、酸化還元によって水素を吸蔵・放出できる水素吸蔵金属を母材とし、前記水素吸蔵金属の表面に、金属又は金属酸化物の少なくとも一方の物質がＡＬＤ法又はＬＰＤ法を用いて添加されている。 - 特許庁

To solve a problem that when an apparatus for forming an HfO_2 (hafnium oxide) film by an ALD (Atomic Layer Deposition) method supplies TEMAH and O_3 alternately to a reaction chamber to form the HfO_2 film, the TEMAH receives heat in the reaction chamber to be decomposed and then an Hf film is formed in a TEMAH supply nozzle and peels to become particles.例文帳に追加

ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法によりＨｆＯ_2（ハフニウムオキサイド）膜を形成する装置にてＴＥＭＡＨとＯ_3を交互に反応室へ供給することにより、ＨｆＯ_2膜が形成される場合にＴＥＭＡＨが反応室内の熱を受け加熱分解し、ＴＥＭＡＨ供給ノズル内でＨｆ膜が形成され、前記Ｈｆ膜が剥がれパーティクルという課題を解決する。 - 特許庁

The method includes steps of forming a lower electrode 15, of forming a Zr_xAl_yO_z dielectric film 16, which zirconium, aluminum, and oxygen are mixed, having predetermined molar fractions x, y, z respectively, on the lower electrode by an ALD method, and of forming an upper electrode 17 on the dielectric film.例文帳に追加

下部電極１５を形成するステップと、該下部電極上にＡＬＤ法でジルコニウム、アルミニウム及び酸素がそれぞれ所定のモル分率ｘ、ｙ、ｚを有して混合されたＺｒ_ｘＡｌ_ｙＯ_ｚ誘電膜１６を形成するステップと、該誘電膜上に上部電極１７を形成するステップとを含む。 - 特許庁

The process for fabricating a semiconductor device comprises a step for forming a SiO_2 layer 13 on a silicon substrate 11, a step for forming a SiN layer 14 containing nitrogen less than the stoichiometric composition of an SiN film on the SiO_2 layer 13 by using an ALD method, and a step for performing plasma nitriding treatment of the SiN layer 14 at the substrate temperature of lower than 500°C.例文帳に追加

シリコン基板１１上にＳｉＯ_２層１３を形成する工程と、ＳｉＯ_２層１３上にＡＬＤ法を用いてＳｉＮ膜の化学量論的組成よりも窒素が少ないＳｉＮ層１４を形成する工程と、ＳｉＮ層１４を５００℃未満の基板温度でプラズマ窒化処理する工程とを有する。 - 特許庁

In the method of growing an oxide thin film according to the principle of the ALD method where an oxide thin film is deposited onto a substrate by an alternating surface reaction of metallic raw material and oxygen raw material, the oxygen raw material to be used is composed of a compound of boron, silicon or metal having at least one organic ligand, and the oxygen is combines with at least one atom of boron, silicon or metal.例文帳に追加

金属原料と酸素原料の交互表面反応で基板上に酸化物薄膜を堆積させるＡＬＤ法の原理に従った酸化物薄膜の成長方法において、使用する該酸素原料が少なくとも１つの有機リガンドを有するホウ素、シリコンまたは金属の化合物であって、その酸素が少なくとも１つのホウ素、シリコンまたは金属原子に結合しているものである。 - 特許庁

This ALD thin film vapor deposition apparatus includes a reaction vessel 100 in which a wafer is incorporated and is vapor-deposited, a first reaction gas feeding line 220 connecting a first reaction gas feeding part 210 and the reaction vessel 100 and a cleaning gas feeding line 340 connected with the first gas feeding line 220 and feeding cleaning gas for cleaning the reaction vessel 100.例文帳に追加

ＡＬＤ薄膜蒸着装置は、ウェーハが内蔵されて蒸着される反応容器１００と、第１反応ガス供給部２１０と反応容器１００とを連結する第１反応ガス供給ライン２２０と、第１反応ガス供給ライン２２０と連結されて反応容器１００をクリーニングするためのクリーニングガスを供給するクリーニングガス供給ライン３４０とを含む。 - 特許庁

Further, the method of manufacturing the dielectric multilayer film mirror is characterized in that the dielectric multilayer film structures 10 are manufactured by film-depositing the pair of dielectric multilayer films 2 having both the surfaces-symmetric structure on both surfaces of the substrate 1 according to the atomic layer deposition (ALD) method and the dielectric multilayer film mirror is made by joining at least two obtained sheets of dielectric multilayer film structures.例文帳に追加

また、このミラーの製造方法は、原子層堆積（ＡＬＤ）法により基板１の両面に両面対称構造を有する一対の誘電体多層膜２を同時に成膜して誘電体多層膜構造体10を製造し、得られた２枚以上の誘電体多層膜構造体を接合して誘電体多層膜ミラーを製造することを特徴とする。 - 特許庁

The method includes (a) a step of providing the template formed with CNT or CNT sequence, (b) a step of forming the inorganic nanotubes on the external side of the CNT by performing vapor deposition of inorganic materials on the template by an atomic layer deposition (ALD) method and (c) a step of obtaining the inorganic nanotubes or an inorganic nanotube sequence by the interrelated inorganic nanotubes by removing the CNT.例文帳に追加

イ）ＣＮＴまたはＣＮＴ配列が形成されたテンプレートを設ける段階と、ロ）原子層蒸着（ＡＬＤ）法により前記テンプレート上に無機物の蒸着を行い、前記ＣＮＴの外側面に無機物ナノチューブを形成する段階と、ハ）前記ＣＮＴを除去して相互関連した無機物ナノチューブによる無機物ナノチューブまたは無機物ナノチューブ配列を得る段階とを含む。 - 特許庁

In formation of the gate insulation film formed of high dielectric metal silicate, ALD deposition is carried out by using a time for saturating a film formation rate owing to a surface adsorption reaction for an exposure time of a precursor containing a metal and the like, and using a time for setting the composition of the metal oxide film 97% or more of a stoichiometric value for an exposure time of an oxidizer.例文帳に追加

高誘電体金属シリケートからなるゲート絶縁膜の形成において、金属等を含む前駆体の暴露時間には、表面吸着反応により成膜レートが飽和する時間を用い、酸化剤の暴露時間には、金属酸化膜の組成が化学量論値の９７％以上となる時間を用いてＡＬＤ堆積を行う。 - 特許庁

The magnetic head slider provided with a protective film on an ABS (air bearing surface) which is a side facing a rotationally driven disk recording medium is constituted in such a manner that the protective film has an Al_2O_3 film formed by an ALD (atomic layer deposition) method.例文帳に追加

本発明の磁気ヘッドスライダは、回転駆動される円盤状の記録媒体に対向する側であるＡＢＳ（Ａｉｒ Ｂｅａｒｉｎｇ Ｓｕｒｆａｃｅ）に保護膜を有する磁気ヘッドスライダであって、前記保護膜がＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法によって形成されたＡｌ_２Ｏ_３膜を有してなるように構成される。 - 特許庁

The method includes a preparing process 14 of preparing a silicon wafer, a patterning process 16 of patterning the wafer with a blocking agent in selected regions where deposition of ZnO is to be inhibited, a depositing process 20 of depositing a layer of ZnO on the wafer by ALD, and a removing process 24 of removing the blocking agent from the wafer.例文帳に追加

上記方法は、シリコンウェーハを用意する工程１４と、ＺｎＯの堆積を抑制させることを選択した領域のパターンを、阻害作用物を用いることにより該ウェーハにパターン形成する工程１６と、ＡＬＤにより該ウェーハ上にＺｎＯの層を堆積させる工程２０と、該ウェーハから該阻害作用物を除去する工程２４とを含む。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device includes: a step of forming a GaN-based semiconductor layer 15 on a substrate 10; a step of forming a gate insulating film 18 made of an aluminum oxide on the GaN-based semiconductor layer 15 by an ALD method by using TMA and O_2 or O_3; and a step of forming a gate electrode 24 on the gate insulating film 18.例文帳に追加

本半導体装置の製造方法は、基板上１０にＧａＮ系半導体層１５を形成する工程と、ＧａＮ系半導体層上１５に、ＴＭＡと、Ｏ_２またはＯ_３とを用い、酸化アルミニウムからなるゲート絶縁膜１８をＡＬＤ法により形成する工程と、ゲート絶縁膜１８の上にゲート電極２４を形成する工程と、を含む。 - 特許庁

To provide a semiconductor manufacturing apparatus for avoiding problems that particles emerge and uniformity within the plane of film thickness is deteriorated as a result that a raw material is left, because substitution of gas within a nozzle becomes insufficient during formation of an ALD film through supply of the raw material gas using the porous nozzle in a batch type film forming apparatus using a furnace body.例文帳に追加

炉体を用いたバッチ式成膜装置で、多孔ノズルを用いて原料ガスを供給するＡＬＤ成膜ではノズル内のガス置換が不十分となり原料が残留する結果、パーティクルの発生や膜厚の面内均一性が悪化する問題を回避する半導体製造装置を提供する。 - 特許庁

A base electrode 107 is formed from a polycrystalline silicon, a base electrode 112 is formed by connecting a true base layer 112a and a drawer base electrode 112b, an emitter region 115 is formed on the surface of an intrinsic base region 112a by ALD (atomic layer doping), and an emitter electrode 114 is formed on the emitter region 115.例文帳に追加

ベース電極１０７を多結晶シリコンにより形成し、真性ベース層１１２ａ及び引出ベース電極１１２ｂを連結することによりベース電極１１２を形成し、真性ベース領域１１２ａ表面にＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ ＬａｙｅｒＤｏｐｉｎｇ）法によりエミッタ領域１１５を形成し、エミッタ領域１１５上に金属によりエミッタ電極１１４を形成する。 - 特許庁

The ceramic porous plate has fine pore parts having 5 nm to 200 μm average pore diameter and ≥0.5 mm thickness and a thin film having film thickness controlled in a molecular layer or atomic layer level is formed on at least a part of the inside wall of the fine pore parts by an atomic layer deposition (ALD) method.例文帳に追加

平均細孔径が５ｎｍ〜２００μｍの細孔部を有し厚さが０．５ｍｍ以上のセラミック多孔質板であって、該細孔部内壁の少なくとも一部にＡＬＤ法によって分子層または原子層レベルで膜厚制御された薄膜が形成されていることを特徴とするセラミック多孔質板を提供する。 - 特許庁

This capacitor 10 has a lower electrode 1, an upper electrode 3, and a dielectric film 2 provided between the lower electrode 1 and the upper electrode 2, and at least a part of the dielectric film 2 is formed by laminating an aluminum oxide film 4 formed by an ALD method and a titanium oxide film 5 formed by the ADL method.例文帳に追加

本発明のキャパシタ１０は、下部電極１と、上部電極３と、下部電極１と上部電極３との間に設けられた誘電体膜２とを有し、誘電体膜２の少なくとも一部がＡＬＤ法よって形成された酸化アルミニウム膜４と、ＡＬＤ法によって形成された酸化チタン膜５とが積層されてなる。 - 特許庁