BL areの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 262件
In the respective drive lines VL for supplying the drive current from the drive power source to the organic EL elements 20 formed in display pixel regions having display pixels, the respective drive lines VL arranged at the respective display pixels adjacent to each other are connected to bypass lines BL within the display pixel regions, by which the lowering of the power source current by the resistance of the drive lines VL is suppressed.例文帳に追加
表示画素を備えた表示画素領域に形成された有機ＥＬ素子２０に駆動電源からの駆動電流を供給するための各駆動ラインＶＬに於いて、隣接する各表示画素に配置された各駆動ラインＶＬは、表示画素領域内においてバイパスラインＢＬに接続されており、それによって駆動ラインＶＬの抵抗による電源電流の低下を抑制しする。 - 特許庁
A plurality of reference cells (RMC1-RMC5) are connected to the same bit line (/BL), and the capacitance of each ferroelectric capacitor (RCF1-RCF5) in the plurality of reference cells is set so as to be 2^n (wherein n is an integral multiple) times the capacitance of the ferroelectric capacitor (CF1) of the main body memory cell (MC1).例文帳に追加
リファレンスセル（ＲＭＣ１〜ＲＭＣ５）は同一のビット線（／ＢＬ）に複数個接続され、複数個のリファレンスセルの各強誘電体キャパシタ（ＲＣＦ１〜ＲＣＦ５）の容量は本体メモリセル（ＭＣ１）の強誘電体キャパシタ（ＣＦ１）の容量の２^n倍（ｎは整数倍）の値を有するように設定される。 - 特許庁
A black nozzle line BT and a black nozzle line BL are overlapped on each other in a range H2 and thereafter arranged separately from each other in a transport direction YJ1, and the separation distance D1 between the nozzle lines is set at a distance corresponding to a transport amount of a recording medium 11 when a transport roller 10 is turned an integral number of times.例文帳に追加
ブラックノズル列ＢＴと、ブラックノズル列ＢＬを範囲Ｈ２においてオーバーラップさせた上で、搬送方向ＹＪ１に離間して配置し、これらノズル列の離間距離Ｄ１を、搬送ローラー１０を、整数回、回転した場合における記録媒体１１の搬送量に対応する距離とした。 - 特許庁
When exposure areas EA1, EA2 each move in an Nth and a first scanning bands, the flyeye lenses are shifted along a direction of the sub-scanning direction (Y direction) so that a light amount may be relatively reduced in a boundary line vicinity region AT near a boundary line BL between the scanning bands.例文帳に追加
そして、露光エリアＥＡ１、ＥＡ２がそれぞれ第Ｎ番目、第１番目の走査バンドを移動する場合、走査バンド間の境界ラインＢＬ付近の境界ライン付近領域ＡＴにおいて光量が相対的に減少するように、フライアイレンズを副走査方向（Ｙ方向）に応じた方向に沿ってシフトさせる。 - 特許庁
The operation plan of the required number of transfer cranes TC in a container yard CY constituted of the required number of lanes L which are respectively constituted of the required number of cargo blocks BL is made based on inference like retrieval under a prescribed constraint condition, and the most efficient operation plan fulfilling the constraint condition is selected so that the transfer cranes TC can be operated.例文帳に追加
所要数の貨物ブロックＢＬからなるレーンＬを所要数備えるコンテナヤードＣＹにおけるトランスファクレーンＴＣの運用計画であって、所要数のトランスファクレーンＴＣの運用計画を所定の制約条件の下に探索的推論により行い、前記制約条件を満足する運用計画中で最も効率的なものを選択してトランスファクレーンＴＣを運用するものである。 - 特許庁
A capacitor 54 grounding the other end to a node Q, a source area and a gate electrode are mutually connected to one another for an n-type MOS transistor 50 connecting the source area/a drain area to BL and the node Q and connecting the gate electrode to WL, and the n-type MOS transistor 52 connecting the drain area to a power source line is connected.例文帳に追加
ソース領域／ドレイン領域がＢＬとノードＱとに接続されゲート電極がＷＬに接続されたｎ型ＭＯＳトランジスタ５０に対し、ノードＱに他端が接地されたキャパシタ５４とソース領域及びゲート電極が互いに接続されドレイン領域が電源線に接続されるｎ型ＭＯＳトランジスタ５２を接続する。 - 特許庁
A word selecting signal input buffer 2, a block selecting signal input buffer 3, and a digit selecting signal input buffer 4 are provided on a semiconductor chip 1, the device has decoders 5-7 decoding each signal, drivers 8-10 of each output signal of decoders, a memory block BL storing information, and a gate circuit G selecting a column of a memory cell in a memory block.例文帳に追加
半導体チップ１上に、ワード選択信号入力バッファ２、ブロック選択信号入力バッファ３、デジット選択信号入力バッファ４があり、それらの各信号をデコードするデコーダ５〜７と、デコーダの各出力信号のドライバ８〜１０と、情報を記憶するメモリブロックＢＬと、メモリブロック内のメモリセルの列を選択するゲート回路Ｇが有る。 - 特許庁
In a slot machine performing a quiz of selecting one of three choices as a mini game, on both of the sides and on the upper side of reel display windows 4L, 4C and 4R formed within the screen of a reel part display 2 where the touch panel 5 is provided on the surface of the screen, button image display areas BL, BR and a question display area QA are respectively set.例文帳に追加
ミニゲームとして三択クイズを行うスロットマシンにおいて、画面の表面にタッチパネル５を設けたリール部ディスプレイ２の画面内に形成したリール表示窓４Ｌ，４Ｃ，４Ｒの両側と上側に、それぞれボタン画像表示領域ＢＬ，ＢＲと、問題表示領域ＱＡとを設定する。 - 特許庁
The semiconductor memory device comprises a semiconductor layer 13 formed on an insulating film 12, and a memory cell array having a plurality of memory cells 10 in which first and second transistors Tr1, Tr2 formed in the semiconductor layer are connected in series, formed and disposed in a matrix state connected to a bit line BL in which one side of the cell is connected and a reference potential is imparted to other side.例文帳に追加
絶縁膜１２上に形成された半導体層１３と、半導体層内に形成された第１および第２のトランジスタTr1，Tr2が直列接続されたメモリセル１０が複数個マトリックス状に配置形成され、前記メモリセルの一方側が接続されたビット線ＢＬに接続され、他方側に基準電位を与えられたメモリセルアレイとを備える。 - 特許庁
A titanium silicide film 22 is formed through a silicon film 21 on an impurity semiconductor region 11 of a memory cell selecting MISFETQs where a bit line BL is formed, and a plug 20 formed inside a connection hole 19 is made of a metal film, so that the bulk resistance and contact resistance of a plug 20 are reduce with no erosion of a semiconductor substrate 1 by the titanium silicide film 22.例文帳に追加
ビット線ＢＬが形成されるメモリセル選択用ＭＩＳＦＥＴＱｓの不純物半導体領域１１上にシリコン膜２１を介してチタンシリサイド膜２２を形成し、接続孔１９の内部に形成されるプラグ２０を金属膜で構成することによって、半導体基板１をチタンシリサイド膜２２で侵食することなく、プラグ２０のバルク抵抗およびコンタクト抵抗を低減する。 - 特許庁
In the peripheral circuit region, a laminate structure DMM in which a layer of the same material as the magnetization free layer, a layer of the same material as the tunnel insulation layer, and a layer of the same material as the magnetization fixed layer are stacked is arranged so as to overlap with second wiring BL2 comprising the same layer as the first wiring BL in top view.例文帳に追加
上記周辺回路領域には、第１の配線ＢＬと同一レイヤにより構成される第２の配線ＢＬ２と平面視において重なるように、磁化自由層と同一材質の層、トンネル絶縁層と同一材質の層および磁化固定層と同一材質の層が積層された積層構造ＤＭＭが配置されている。 - 特許庁
Displays W and BL of white reference and black reference are respectively provided in the direction of crossing band-shaped displays W, Y, Cy, G, Mg, R and B respectively adjacently to the band-shaped displays W, Y, Cy, G, Mg, R and B formed by sequentially starting an RGB signal entirely or partially to a predetermined signal level.例文帳に追加
本発明は、ＲＧＢ信号の全て及び一部を所定の信号レベルに順次立ち上げて形成される帯状の表示Ｗ、Ｙ、Ｃｙ、Ｇ、Ｍｇ、Ｒ、Ｂにそれぞれ隣接して、これら帯状の表示Ｗ、Ｙ、Ｃｙ、Ｇ、Ｍｇ、Ｒ、Ｂを横切る方向に、白基準及び黒基準の表示Ｗ、ＢＬをそれぞれ設ける。 - 特許庁
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