「C-in-C」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

Furthermore, the node moved in this way is moved to the orthogonal direction of each link connected to the node (C).例文帳に追加

更に、このように移動されたノードを、該ノードに結ばれる各リンクの直交方向へ移動させる（C）。 - 特許庁

The ingredient (C) selected from each of the ingredients (A), (B) and (C) is preferably contained only in the second agent.例文帳に追加

（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）の各成分から選ばれる（Ｃ）成分は第２剤のみに含有されることが好ましい。 - 特許庁

The extension part 13 is positioned in an upper side than a top face of the cup C, and it is exposed from the cup C.例文帳に追加

延長部１３はカップＣの上面よりも上側に位置し、カップＣから露出している。 - 特許庁

It is desirable that the rapid heating treatment in a nitrogen atmosphere be carried out at 250°C to 600°C.例文帳に追加

前記窒素雰囲気内の急速加熱処理は、２５０℃〜６００℃に加熱することが望ましい。 - 特許庁

In the formula, R_1 and R_2 are each H or C_nH_2n+1 and R_3 is C_nH_2nCOOC_nH_2n+1 or SO_2NHC_nH_2mH_2m+1.例文帳に追加

（式中Ｒ_1、Ｒ_2はＨ又はＣ_nＨ_2n+1、Ｒ_3はＣ_nＨ_2nＣＯＯＣ_nＨ_2n+1又はＳＯ_2ＮＨＣ_nＨ_2mＨ_2m+1である） - 特許庁

The perfluorocarbon used in the dyeing has preferably ≥100°C, more preferably 100-270°C boiling point.例文帳に追加

本発明において使用するパーフルオロカーボンの沸点は好ましくは100℃以上、より好ましくは100〜270℃である。 - 特許庁

As shown by (C), the branch destination node is converted into a leaf (displayed with a black dot which is smaller than a node R in (C)).例文帳に追加

（Ｃ）に示すように、リーフ（（Ｃ）中、ノードＲより小さい●で表示）に変換する。 - 特許庁

Return processing from F/C is performed at time t4 when the actual VVT value passes a misfire limit value ((B) in the drawing 3).例文帳に追加

実VVT値が失火限界値を通過した時点t4で、F/Cからの復帰処理を実行する（図３（Ｂ））。 - 特許庁

An air-conditioner (10) is arranged in an underfloor chamber (9) immediately below a cold aisle (C).例文帳に追加

空調機(10)がコールドアイル(C)の直下において床下チャンバ(9)内に配置される。 - 特許庁

The retained austenite preferably has an average concentration of C in a solid solution state of 1% or higher.例文帳に追加

さらに、好ましくは、前記残留オーステナイト中の平均固溶C濃度が1%以上である。 - 特許庁

Desirable heating temperature in heat treatment is 450 to 550°C and desirable temperature falling velocity is at most about 5°C/min.例文帳に追加

熱処理での加熱温度は４５０〜５５０℃、降温速度は約５℃／ｍｉｎ以下であることが好ましい。 - 特許庁

For example, the iron and steel is heated in a recrystallization temperature range from (about 750°C to 950°C).例文帳に追加

例えば、再結晶温度（７５０℃程度）〜９５０℃以下の範囲内で加熱を行ったものとする。 - 特許庁

To provide a method for melting ultra-low carbon steel in a class having a C content of 50 ppm.例文帳に追加

C含有量50ppmクラスの極低炭素鋼を安定して溶製することができる方法を提案する。 - 特許庁

To provide a compound useful in the treatment of a C-C chemokine mediated condition.例文帳に追加

Ｃ−Ｃケモカイン仲介状態の処置に有用な化合物を提供することが本発明の課題である。 - 特許庁

(d) After the step (c), the step (b) and the step (c) are at least once repeated in this order.例文帳に追加

（ｄ）前記工程（ｃ）の後、前記工程（ｂ）と工程（ｃ）とを、この順番に少なくとも１回繰り返す。 - 特許庁

A weakened portion 2 extends in the longitudinal direction of the cable while coinciding with the folded zones A, B, C.例文帳に追加

折り畳み区域(A,B,C) と一致して、弱めた部分(2,2a)がケーブル(1) の長手方向に延在する。 - 特許庁

A control unit 12 sets the number of revolutions (above target value) optimal for a zone C in a servo circuit 5.例文帳に追加

制御部１２は、ゾーンCに最適な回転数（上述の目標値）をサーボ回路５に設定する。 - 特許庁

In the system (b), the signal S1 is amplified by an amplifier 33 and added to a signal from the system (c).例文帳に追加

(b)系統ではアンプ33により増幅され(c)系統からの信号と加算される。 - 特許庁

In the case of the PPS resin substrate 8, the annealing is performed at temperatures ≥250°C and ≤275°C.例文帳に追加

ＰＰＳ樹脂基板８の場合、アニール処理は、２５０℃より高くかつ２７５℃以下の温度で行なわれる。 - 特許庁

In the transition treatment, an iPS set containing Oct3/4, Sox2, Klf4, and c-Myc is transferred to the target cell.例文帳に追加

遷移化処理は、目的細胞に、Oct3/4、Sox2、Klf4及びc-Mycを含むiPSセットを導入する。 - 特許庁

In the expressions, C, N, Ni, Cu, Mn, Cr, Si, Al, Mo, and Ti each denote the content (mass%) of each element.例文帳に追加

γmax=420C+470N+23Ni+9Cu+7Mn-11.5Cr-11.5Si-52Al+189…式１γpot =700C+800N+10(Mn+Cu)+20Ni-9.3Si-6.2Cr-9.3Mo-74.4Ti-37.2Al+63.2…式２ここで、C、N、Ni、Cu、Mn、Cr、Si、Al、Mo、Tiは、それぞれの元素の含有量(質量%)を示す。 - 特許庁

To solve a matter that even the same C-M color mixture presents quite different chromaticness in going stroke scanning and returning stroke scanning.例文帳に追加

同一のC-M混色であっても、往路走査と復路走査とでは全く別の色味になってしまう。 - 特許庁

In preferable conditions, the drying temperature is 150-300°C, and the baking temperature is 350-500°C.例文帳に追加

乾燥温度を１５０〜３００℃とし、焼成温度を３５０〜５００℃とすることが好適な条件となる。 - 特許庁

The pulse light, in which the peak intensity is controlled into convex shape, is amplified by an optical amplifier (C).例文帳に追加

ピーク強度を凸型状に制御されたパルス光を光増幅手段(C)で増幅する。 - 特許庁

Shield reinforcing means 15, 16, 17, 18, 19 are provided in cross points of lateral joints C and vertical joints D.例文帳に追加

横目地(C) 及び縦目地(D) の交差部にシールド補強手段(15;16;17;18;19)が更に設けられる。 - 特許庁

A random number generating section for verification in the verifying apparatus generates a random number c and transmits c to the certifying apparatus.例文帳に追加

検証装置の検証用乱数生成部は、乱数ｃを生成し、ｃを証明装置に送信する。 - 特許庁

A calculation part in a display control part 104 sets, for a target pixel 302, a driving signal Out(C)=V.例文帳に追加

表示制御部１０４の算出部は、対象画素３０２については、その駆動信号をOut(C)=Vとする。 - 特許庁

Consequently, the consumable replacement demand is output at the appropriate timing shown in (C).例文帳に追加

これにより、(C)にも示すように適正なタイミングで消耗品の交換要請を出力させることができる。 - 特許庁

The shock absorbing member 4 has an impact resilience rate of 25% or less in a temperature range of -5°C to 35°C.例文帳に追加

衝撃吸収部材４は、−５℃〜３５℃の温度範囲で２５％以下の反撥弾性率を有する。 - 特許庁

A primarily processed surface C is formed in the forming die and the primarily processed surface C is measured with a displacement sensor 8.例文帳に追加

成形型に一次加工面Ｃを形成し、変位センサ８で一次加工面Ｃを測定する。 - 特許庁

Here, in the above-mentioned, the following holds: (A)+(B)+(C)=100 wt.% and the component (C) is 3-60 wt.%.例文帳に追加

但し、（Ａ）＋（Ｂ）＋（Ｃ）＝１００重量％、でかつ成分（Ｃ）３〜６０重量％。 - 特許庁

Then bits which have been read out are rearranged by pixels as shown in the figure (c).例文帳に追加

次に、同図(c)に示すように、読み出されたビットが各画素毎にまとまるように並べ替えられる。 - 特許庁

Then, second heat treatment is performed in which the temperature of the semiconductor substrate 100 is 700°C or higher and 900°C or lower.例文帳に追加

ついで、半導体基板１００に７００℃以上９００℃以下の第２の熱処理を行う。 - 特許庁

The screw 3 has a screw flight 9 at a large pitch in the zone D as compared with the zone C.例文帳に追加

スクリュー3 はゾーンC に比べゾーンD にて大きなピッチでスクリューフライト9 を有する。 - 特許庁

A connection means for connecting the main capacitor C_main to the subcapacitor C_sub in parallel is provided.例文帳に追加

メインのコンデンサＣ_mainとサブのコンデンサＣ_subを並列接続させるための接続手段を設ける。 - 特許庁

In the case of the LCP resin substrate 8, the annealing is performed at temperatures ≥260°C, and ≤340°C.例文帳に追加

ＬＣＰ樹脂基板８の場合、アニール処理は、２６０℃以上３４０℃以下の温度で行なわれる。 - 特許庁

Driving Duty is made 0% at the time t1 when the satisfaction of the forced return conditions from F/C is determined ((E) in the drawing 3).例文帳に追加

F/Cからの強制復帰条件の成立が判定された時点t1で駆動Dutyを0％とする（図３（Ｅ））。 - 特許庁

The water glass as a solid component (S) is mixed with the alumina cement (C) in a ratio S/C of 10-80%.例文帳に追加

水ガラスは、固形分としてアルミナセメントに対して、Ｓ／Ｃが１０〜８０％混合する。 - 特許庁

In the midst of rotating, the set temperature of a heat roller 3 is switched from 170°C to 180°C.例文帳に追加

この回転中、加熱ローラ３の設定温度は１７０℃から１８０℃に切り替えられる。 - 特許庁

A resist pattern 43 shown in (c) is formed by a photolithographic process.例文帳に追加

フォトリソグラフィ工程により(c)に示すレジスト膜パターン４３を形成する。 - 特許庁

The thermally expansible graphite is characterized in that the thermal expansion starting temperature is ≥300°C and the expansion degree at 1,000 °C is 50-150 cc/g.例文帳に追加

膨張開始温度が300℃以上、1000℃の膨張度が50〜150cc/gである熱膨張性黒鉛。 - 特許庁

The cooling temperature of the substrate during deposition is preferably set in the range from -120°C to -20°C.例文帳に追加

また、成膜時の基板冷却温度は、−１２０℃〜−２０℃の範囲であることが好ましい。 - 特許庁

When the lid 102 is closed after the message is uttered, the light-emitting button 104 emits light as shown in (C).例文帳に追加

声を入れて蓋１０２を閉じると、(C)のように発光ボタン１０４が発光する。 - 特許庁

Further, the glass frit is cooled at a cooling speed of 2 °C/sec or over and not in excess of 150 °C/sec according to circumstances.例文帳に追加

また、場合によっては、２℃／sec以上で、かつ、１５０℃／secを超えない冷却速度で冷却を行う。 - 特許庁

In the case of T2≤42°C, whether or not T2 is below 38°C is then determined (S103).例文帳に追加

Ｔ２≦４２℃の場合は、次にＴ２が３８℃未満であるか否かが判断される（Ｓ１０３）。 - 特許庁