「CMOS sensor」に関連した英語例文の一覧と使い方(16ページ目) - Weblio英語例文検索

In the CMOS image sensor provided with photodiodes PD and a plurality of transistors for transferring electric charges stored in the photodiodes to one column line, a gate electrode of at least one of the transistors is provided with a voltage drop means for dropping a gate voltage received by the gate electrode of the transistor to extend the saturation region of the transistor.例文帳に追加

フォトダイオードと、該フォトダイオードに蓄積された電荷を１つのカラムラインに転送する複数のトランジスタを備えるＣＭＯＳイメージセンサにおいて、前記トランジスタのゲート電極に入力されるゲート電圧を降下させ、前記トランジスタの飽和領域を拡張させるため、前記複数のトランジスタの少なくともいずれか１つのトランジスタのゲート電極に電圧降下手段を備えるＣＭＯＳイメージセンサを提供する。 - 特許庁

The method of fabricating the CMOS image sensor includes the steps of providing a substrate in which a predetermined process has completed; forming a patterned block layer on top of a region of the substrate where the photodiode is to be formed; using mask to implant ions into a remaining region except the region where the photodiode is to be formed, leaving the patterned block layer; and removing the mask.例文帳に追加

本発明のＣＭＯＳイメージセンサの製造方法は、所定の工程が完了した基板を用意するステップと、該基板のフォトダイオードの形成される領域の上部にパターニングされたブロック層を形成するステップと、該パターニングされたブロック層を残した状態で、前記フォトダイオードの形成される領域を除く残りの領域に対して、マスクを用いたイオン注入を行うステップと、前記マスクを除去するステップとを含む。 - 特許庁

A CMOS image sensor is composed of pixels which are each equipped with a photodiode and an amplifying MOSFET that amplifies charge generated by the photodiode through photoelectric conversion and arranged in lines or an array, where the well of the amplifying MOSFET is electrically isolated from that of the other device contained in the pixel, and the source and well of the amplifying MOSFET are kept at the same potential.例文帳に追加

フォトダイオードとこのフォトダイオードにおいて光電変換により生成された電荷を増幅するアンプ用ＭＯＳＦＥＴとを有する画素を複数個ライン状またはアレイ状に配列したＣＭＯＳイメージセンサにおいて、前記アンプ用ＭＯＳＦＥＴのウェルを前記画素に含まれる他の素子のウェルと電気的に分離し、かつ、前記アンプ用ＭＯＳＦＥＴのソースと前記アンプ用のＭＯＳＦＥＴの前記ウェルとを同電位とした。 - 特許庁

The main features of the CMOS image sensor comprise: multiple light-sensing elements formed on a semiconductor substrate; multiple internal microlenses formed on the multiple light-sensing elements; multiple internal micro lenses formed on multiple light-sensing elements; an interlayer insulation film formed on the internal microlens, multiple interconnections formed inside the interlayer insulation film; and multiple microlenses formed on the element protecting film.例文帳に追加

本発明に係るＣＭＯＳイメージセンサーは、半導体基板に形成された複数の光感知素子と、複数の光感知素子上に形成された複数の内部のマイクロレンズと、内部のマイクロレンズ上に形成された層間絶縁膜と、層間絶縁膜内に形成された複数の金属配線と、層間絶縁膜上に形成された素子保護膜と、素子保護膜上に形成された複数のマイクロレンズとを含むことを特徴とする。 - 特許庁

When controlling an autofocus part to continuously perform autofocus operation using contrast, a control part (microcomputer 110) controls the movable mirrors 121a and 121b, when shifting to imaging operation of an image for recording by an imaging device (CMOS sensor 130), to enter an optical path and perform the autofocus operation using measurement results of a range-finding part before shifting to the imaging operation.例文帳に追加

制御部（マイコン１１０）は、コントラストを利用してオートフォーカス動作を継続的に行うようオートフォーカス部を制御している場合において、撮像素子（ＣＭＯＳセンサ１３０）での記録用画像の撮像動作に移行する際には、その撮像動作に移行する前に、可動ミラー１２１ａ、１２１ｂを光路内に進入させ、測距部による測定結果を利用してオートフォーカス動作を行うよう制御する。 - 特許庁

This CMOS image sensor is provided with a silicon substrate 21; a silicon germanium epitaxial layer grown on the silicon substrate via an epitaxial process and doped with a predetermined concentration of impurities; an undoped silicon epitaxial layer grown on the silicon germanium epitaxial layer via the epitaxial process; and a photodiode region formed in a predetermined depth from the surface of the undoped silicon epitaxial layer 25 to one part of the silicon germanium epitaxial layer 100.例文帳に追加

本発明のＣＭＯＳイメージセンサは、シリコン基板と、該シリコン基板上にエピタキシャル工程を介して成長し、所定濃度の不純物がドーピングされたシリコンゲルマニウムエピタキシャル層と、該シリコンゲルマニウムエピタキシャル層上に、エピタキシャル工程を介して成長させたアンドープのシリコンエピタキシャル層と、該アンドープのシリコンエピタキシャル層の表面から前記シリコンゲルマニウムエピタキシャル層の一部に至るまでの所定の深さに形成されたフォトダイオード領域とを備える。 - 特許庁

This image sensor comprises: a semiconductor substrate in which a CMOS circuit is formed; an interlayer insulating film containing a trench formed on the semiconductor substrate; metal wiring and a first conductive-type conductive layer which are formed in the trench of the interlayer insulating film; an intrinsic layer formed on the substrate containing the first conductive-type conductive layer and the interlayer insulating film; and a second conductive-type conductive layer.例文帳に追加

実施例のイメージセンサーは、シーモス回路が形成された半導体基板と、該半導体基板上に形成されたトレンチを含む層間絶縁膜と、該層間絶縁膜のトレンチ内部に形成された金属配線及び第１導電型伝導層と、該第１導電型伝導層及び層間絶縁膜を含む半導体基板上に形成された真性層と、及び前記真性層上に形成された第２導電型伝導層を含む。 - 特許庁

The CMOS image sensor includes: a first conduction-type semiconductor substrate defined in an active region and an element isolation region; an element isolation film formed in the element isolation region of the semiconductor substrate; a second conduction-type diffusion region formed in the active region of the semiconductor substrate; and a first conduction-type doping region and insulation film formed between the element isolation film and the second conduction-type diffusion region.例文帳に追加

本発明に係るＣＭＯＳイメージセンサーは、アクティブ領域と素子分離領域とで定義された第１導電型の半導体基板と、前記半導体基板の素子分離領域に形成される素子分離膜と、前記半導体基板のアクティブ領域に形成される第２導電型の拡散領域と、前記素子分離膜と第２導電型の拡散領域との間に形成される第１導電型のドーピング領域及び絶縁膜とを含む。 - 特許庁

The CMOS image sensor (imaging device) includes a photodiode unit 4 which generates electrons, a transfer gate electrode 8 which is adjacent to the photodiode unit 4 and generates an electric field for transferring electrons generated by the photodiode unit 4, and a multiplication gate electrode 9 which is provided on the opposite side from the photodiode unit 4 so as to straddle the transfer gate electrode 8 and generates an electric field for transferring electrons.例文帳に追加

このＣＭＯＳイメージセンサ（撮像装置）は、電子を生成するフォトダイオード部４と、フォトダイオード部４に隣接するとともに、フォトダイオード部４により生成された電子を転送させる電界を発生させるための転送ゲート電極８と、転送ゲート電極８に対しフォトダイオード部４とは反対側に設けられるとともに、転送ゲート電極８上に乗り上げるように形成され、電子を転送する電界を発生させるための増倍ゲート電極９とを備える。 - 特許庁

In the backside incident CMOS image sensor; a wiring layer 720 is disposed on a first face (surface) of an epitaxial substrate 710 where a photodiode, reading circuits (n-type region 750 and n+region 760) and the like are arranged; and a light receiving face is disposed at a second face (backside).例文帳に追加

フォトダイオードや読み出し回路（ｎ型領域７５０、ｎ＋型領域７６０）等を設けたエピタキシャル基板７１０の第１面（表面）に配線層７２０を設け、第２面（裏面）に受光面を設けた裏面入射型のＣＭＯＳイメージセンサにおいて、フォトダイオード及びその周囲のＰ型ウェル領域７４０を基板裏面（受光面）に到達しない層構造で配置し、かつ、基板７１０中に電場を形成して基板裏面（受光面）から入射した電子をフォトダイオードに適正に誘導するようにした。 - 特許庁

A pixel of the CMOS image sensor includes a first conductive substrate, a second conductive photo diode region formed on the first conductive substrate, a transfer gate formed on the first conductive substrate, a floating diffusion layer formed between the second conductive photo diode region and the transfer gate on the first conductive substrate, a dielectric film laminated on the second conductive photo diode region and a capacitor electrode.例文帳に追加

ＣＭＯＳイメージセンサーのピクセルは、第１導電性の基板と、前記第１導電性の基板上に形成された第２導電性のフォトダイオード領域と、前記第１導電性の基板上に形成されたトランスファーゲートと、前記第１導電性の基板上の前記第２導電性のフォトダイオード領域と前記トランスファーゲートとの間に形成された浮遊拡散層と、前記第２導電性のフォトダイオード領域上に積層された誘電膜及びキャパシター電極を含む。 - 特許庁