「CMOS sensor」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

A solid-state imaging device such as a CCD image sensor or a CMOS image sensor has a filter layer provided on a sensor chip constituted of a non-filter part for transmitting light from visible to near-infrared regions without dispersion and a color filter part for dispersing in a visible light region.例文帳に追加

ＣＣＤイメージセンサやＣＭＯＳイメージセンサ等の固体撮像装置において、センサチップ上に設けるフィルタ層を、可視光から近赤外領域の光を分光せずに透過する無フィルタ部と、可視光領域で分光を行うカラーフィルタ部とで構成する。 - 特許庁

To solve the following problem; on a cellular phone mounted with a CCD sensor or a CMOS sensor and provided with a camera function and a cellular phone with a built-in fingerprint sensor for personal identification, these sensors are not integral with an image display part, therefore, the equipment has to be increased in packaging density.例文帳に追加

ＣＣＤセンサあるいはＣＭＯＳセンサを搭載しカメラ機能を備えた携帯電話や、個人認証用に指紋センサを内蔵する携帯電話などでは、これらセンサが画像表示部とは一体となっていないため、機器の実装密度の増加を招く。 - 特許庁

In the image sensor 1 which includes a CMOS type solid imaging element 12 having an electronic shutter function, a lens 10 and a flash, an electronic shutter pulse, an optical system moving pulse and a flash pulse are generated by a pulse generating circuit in the CMOS type solid imaging element 12.例文帳に追加

電子シャッタ機能を有するＣＭＯＳ型固体撮像素子１２、レンズ１０、フラッシュを備えるイメージセンサ１において、ＣＭＯＳ型固体撮像素子１２内のパルス生成回路によって電子シャッタパルス、光学系移動パルス及びフラッシュパルスを生成する。 - 特許庁

In the CMOS image sensor, drive of the unit pixel is controlled such that the reset transistor 64 resets the charge in the floating diffusion regions 63 in every plurality of rows not neighboring to one another in the pixel array part before transfer of charge by the transfer gate 62.例文帳に追加

そして、CMOSイメージセンサにおいては、転送ゲート６２による電荷転送前に、画素アレイ部において互いに隣接しない複数の行毎に、リセットトランジスタ６４による浮遊拡散領域６３の電荷をリセットするように単位画素の駆動が制御される。 - 特許庁

In the image sensor 1 with a CMOS type solid-state image pickup device 12 having an electronic shutter function, a lens 10, and a flash, an electronic shutter pulse, an optical system moving pulse and a flash pulse are generated by a pulse generation circuit in the CMOS type solid-state image pickup device 12.例文帳に追加

電子シャッタ機能を有するＣＭＯＳ型固体撮像素子１２、レンズ１０、フラッシュを備えるイメージセンサ１において、ＣＭＯＳ型固体撮像素子１２内のパルス生成回路によって電子シャッタパルス、光学系移動パルス及びフラッシュパルスを生成する - 特許庁

To simplify a manufacturing process by employing a CMOS image sensor with a new structure using the reflective concept of light, and to ensure a light-receiving area to a maximum extent.例文帳に追加

光の反射概念を用いた新しい構造のＣＭＯＳイメージセンサを通して製造工程を単純化するとともに、光の受光面積を最大限に確保する。 - 特許庁

To set an intermediate voltage for intermediate transfer to be an appropriate value for avoiding occurrence of noise, relating to a CMOS sensor which expands dynamic range by performing intermediate transfer.例文帳に追加

中間転送を行なうことでダイナミックレンジを拡大するＣＭＯＳセンサにおいて、ノイズを発生させないように中間転送用の中間電圧を適正に設定する。 - 特許庁

A CMOS image sensor 14 for photographing a coin 2 which has reached the read part 4a is arranged at a lower position of the light sources 11 inside the case body 3.例文帳に追加

筐体３の内部における光源１１の下方位置には、読取部位４ａに到達した硬貨２を撮像するＣＭＯＳイメージセンサ１４が配置されている。 - 特許庁

To provide a device for a CMOS optical sensor with a high efficiency and high sensitivity while maintaining a small element size for a support circuit.例文帳に追加

本発明の目的は、支持回路に関して小さな素子サイズを維持しながら、高効率と高感度を有するＣＭＯＳ光センサを有する装置を提供することである。 - 特許庁

To provide a pinned photodiode for a solid CMOS image sensor having a small size, high charge accumulation capacity and a low dark current and allowed to be driven by a low operation voltage.例文帳に追加

小さな大きさ、高い電荷蓄積容量、低い暗電流を有し、低い動作電圧で動作できる固体ＣＭＯＳイメージセンサのピンドフォトダイオードを提供すること。 - 特許庁

An electronic camera controls emission and accumulation of auxiliary light so as to obtain different exposure for a plurality of focus detection lines within a range-finding area of a CMOS sensor.例文帳に追加

電子カメラは、ＣＭＯＳセンサの測距領域内にある複数の焦点検出ラインに対し、異なる露光量となるように補助光の発光および蓄積制御を行う。 - 特許庁

The head unit 1 consists of a writing head 11, LEDs 12 emitting light beams having three primary colors R, G and B, a pickup element 13 consisting of a CMOS sensor and an optical system 14.例文帳に追加

ヘッドユニット１は、書込みヘッド１１と、ＲＧＢ三原色を発光するＬＥＤ１２と、ＣＭＯＳセンサからなる撮像素子１３と、光学系１４とからなる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a CMOS image sensor capable of improving surface properties of a photodiode by reducing surface damage of the photodiode caused by subsequent various manufacturing processes.例文帳に追加

各種の後続する工程によるフォトダイオードの表面のダメージを減らして、フォトダイオードの表面特性を向上させるＣＭＯＳイメージセンサの製造方法を提供する。 - 特許庁

The rolling shutter type imaging apparatus firstly conducts exposure and reading of odd lines of a CMOS sensor, and after that, conducts exposure and reading of even lines (steps S12 to S20).例文帳に追加

ローリングシャッタ方式の撮像装置において、まず、ＣＭＯＳセンサの奇数ラインから露光／読出しを行い、その後、偶数ラインの露光／読出しを行う（ステップＳ１２〜Ｓ２０）。 - 特許庁

The heat transfer member 160 is connected to the frame bottom surface 154a, and at least a part of it is arranged between the CMOS image sensor 110 and the support mounting part 155.例文帳に追加

伝熱部材１６０は、フレーム底面部１５４ａに接続され、少なくとも一部がＣＭＯＳイメージセンサー１１０と支持具取付部１５５との間に配置されている。 - 特許庁

It also includes line memories 120, 121 and a selector 122 as a means to rearrange the order of lines of the signal read from the CMOS image sensor 102.例文帳に追加

またＣＭＯＳイメージセンサ１０２から読み出された信号のラインの順序を並べ替える並べ替え手段としてのラインメモリ１２０、１２１及びセレクタ１２２を備える。 - 特許庁

To provide an active pixel CMOS image sensor employing a pixel exhibiting excellent sensitivity to low level light capable of reading reading repetitively without generating kTC noise.例文帳に追加

ｋＴＣノイズを伴うことなく反復読み出しが可能で、低レベル光に対する感度が優れたピクセルを用いたアクティブ型ピクセルＣＭＯＳ画像センサを提供する。 - 特許庁

To improve shading characteristics even if using a camera lens whose lens characteristics deviate from paraxial ray approximation in a CMOS type image sensor.例文帳に追加

本発明は、ＣＭＯＳ型イメージセンサにおいて、レンズ特性が近軸光線近似から逸脱したカメラレンズの使用に対しても、シェーディング特性を改善できるようにする。 - 特許庁

The CMOS image sensor 110 is disposed on a side opposite to a side where a lens unit 200 of the body mount 150 is mounted; and converts an optical image of an object into image data.例文帳に追加

ＣＭＯＳイメージセンサー１１０は、ボディマウント１５０のレンズユニット２００が装着される側とは反対側に配置され、被写体の光学像を画像データに変換する。 - 特許庁

To provide an image pickup device using a CMOS image sensor wherein a dynamic range is widened with a satisfactory S/N maintained, and adaptability to the still-image photographing of a moving object is ensured.例文帳に追加

ＣＭＯＳイメージセンサを用いた撮像装置において、良好なＳ／Ｎを保ちつつ、ダイナミックレンジを広くし、且つ動体の静止画撮影に対する適応性も確保する。 - 特許庁

To entirely improve an image sharpness by raising a dynamic range in such a way that a noise is decreased by reducing a dark current generated at the region of a transfer gate of a CMOS image sensor.例文帳に追加

ＣＭＯＳイメージセンサの転送ゲートの領域で生成された暗電流を低減することでノイズを低減し、ダイナミックレンジを高め、画質を全体的に改良する。 - 特許庁

To provide an CMOS image sensor capable of further reducing a dark current and realizing both low current consumption and high sensitivity, and a manufacturing method thereof.例文帳に追加

暗電流のさらなる低減が可能であり、低消費電力化と高感度化の両方を実現可能としたＣＭＯＳイメージセンサおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To suppress deterioration of characteristics of CMOS sensors due to X-ray radiation, and prevent an image sensor from being damaged because of weight added in imaging.例文帳に追加

ＣＭＯＳセンサの特性がX線の照射によって劣化するのを抑制するととともに、撮影時にかかる重量によってイメージセンサが破損するのを防止する。 - 特許庁

An interval between the bands (d) of the interference band can be controlled by the inclination angle θ, and the interval between the bands (d) is made equal to a pixel size of the CMOS sensor 282 or less.例文帳に追加

この干渉縞の縞間隔ｄは、傾斜角θにより、調節することができ、縞間隔ｄがＣＯＭＳセンサ２８２のピクセルサイズ以下になるようにされている。 - 特許庁

To provide a backside irradiation type CMOS image sensor that can reduce lateral diffusion of impurities from an accumulation layer and suppress a rise in readout voltage.例文帳に追加

アキューミュレーション層からの不純物の横方向拡散を軽減でき、読み出し電圧の上昇を抑制できる裏面照射型のＣＭＯＳイメージセンサを提供する。 - 特許庁

To improve image characteristic by a method wherein isolation between picture elements is facilitated color mixing is reduced and dark time noise and white scar are reduced in a CMOS image sensor using trench isolation.例文帳に追加

トレンチ分離を用いたＣＭＯＳイメージセンサにおいて、画素間分離を容易にし、混色を低減し、暗時ノイズや白傷を低減し、画像特性を向上する。 - 特許庁

To provide a CMOS image sensor in which the dead zone and the dark current characteristics can be enhanced simultaneously using a selective epitaxial growth process, and to provide its fabrication process.例文帳に追加

選択的なエピタキシャル成長工程を用いてデッドゾーンと暗電流の特性を同時に向上させることのできるＣＭＯＳイメージセンサとその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a CMOS image sensor and its manufacturing method, in which a shallow surface diffusion region is formed on the surface of a HAD region on an N-type photodiode.例文帳に追加

Ｎ型のフォトダイオード上にあるＨＡＤ領域の表面に浅い表面拡散領域が形成されているＣＭＯＳイメージセンサー及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a CMOS image sensor where an inner lens consisting of part of an intermetallic insulation film is formed between a photodiode and micro lens, and its manufacturing method.例文帳に追加

フォトダイオードとマイクロレンズとの間に、金属層間絶縁膜の一部から構成されるインナーレンズが形成されているＣＭＯＳイメージセンサ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

At this time, the feedback clamp circuit 102 controls the variation of the clamp parameter PC on the basis of the black level read from the OB pixels of the CMOS sensor 101.例文帳に追加

この時、フィードバッククランプ回路１０２は、ＣＭＯＳセンサ１０１のＯＢ画素から読み出された黒レベルに基づいてクランプパラメータＰＣの変化量を制御する。 - 特許庁

Image signals detected from such a CMOS image sensor, namely, R, G, B signals of different horizontal sampling rates are inputted to an interpolation circuit 14.例文帳に追加

補間回路１４には、このようなこのＣＭＯＳイメージセンサから検出された画像信号、すなわち、水平方向にサンプリングレートが異なったＲ，Ｇ，Ｂ信号が入力される。 - 特許庁

To improve light reception sensitivity of incident light to a pixel of a periphery even when the layout of pixels is not isotropic, in a CMOS type image sensor.例文帳に追加

本発明は、ＣＭＯＳ型イメージセンサにおいて、画素のレイアウトが等方的でない場合にも、周辺部の画素に対する入射光の受光感度を向上できるようにする。 - 特許庁

To provide a CMOS image sensor improving a focusing efficiency of light by constituting a multilayer micro lens using substances different from each other in refractive indices, and also provide its manufacturing method.例文帳に追加

屈折率が互いに異なる物質を用いた多層マイクロレンズを構成して、光の集束効率を高めるＣＭＯＳイメージセンサー及びその製造方法の提供。 - 特許庁

To solve the problem that a conventional CMOS image sensor does not have a frame shutter function and has loss since a signal output drops because of substrate effect of a transistor for amplification and a large threshold.例文帳に追加

従来のＣＭＯＳイメージセンサは、フレームシャッタができず、また、増幅用トランジスタの基板効果や大きなしきい値電圧により、信号出力が下がりロスを招いている。 - 特許庁

The chip 11 to be measured of a CMOS sensor is composed of two chips (A and B) arranged in the longitudinal and probes 14 for inspection are put on the chips A and B, respectively.例文帳に追加

ＣＭＯＳセンサーの被測定チップ１１が縦方向に２つ並んで配置され（チップＡ、Ｂ）、各チップＡ、Ｂに対してそれぞれ検査用プローブ１４が当てられている。 - 特許庁

The camera controller 140 is configured to calculate an evaluation value on the basis of image data produced by the CMOS image sensor 110, and is configured to perform video AF on the basis of the evaluation value.例文帳に追加

カメラコントローラー１４０は、ＣＭＯＳイメージセンサー１１０で生成される画像データに基づき評価値を算出し、評価値に基づいてビデオＡＦを行う。 - 特許庁

The vertical CMOS image sensor comprises a plurality of photodiodes formed vertically at a predetermined depth in a substrate, and a plurality of signal processing elements formed for the plurality of photodiodes to transmit signals generated from the photodiodes wherein the signal processing element is a vertical CMOS image sensor formed on the substantially same plane as that of the corresponding photodiode.例文帳に追加

基板内の所定の深さに垂直に形成された複数のフォトダイオードと、複数のフォトダイオードに対応して形成され、フォトダイオードから発生する信号を伝送する複数の信号処理素子と、を備え、信号処理素子は、対応するフォトダイオードと実質的に同じ平面に形成されたことを特徴とする垂直型ＣＭＯＳイメージセンサである。 - 特許庁

When the zoom magnification is changed, a maximum exposure time of the CMOS image sensor 13 is operated on the basis of the zoom magnification before and after the change so as to prevent a shutter signal after the change from interfering with a read signal before the change, and the exposure time of the CMOS image sensor 13 is set so as not to exceed the operated maximum exposure time.例文帳に追加

そして、ズーム倍率が変更されたとき、変更後のシャッタ信号が変更前の読み出し信号に干渉しないように変更前後のズーム倍率に基づいてＣＭＯＳイメージセンサ１３の最大露光時間を演算し、演算された最大露光時間を超えないようにＣＭＯＳイメージセンサ１３の露光時間を設定する。 - 特許庁

This invention relates to the method of manufacturing the vertical CMOS sensor, where the quality and reliability of the vertical CMOS image sensor are ensured by selectively applying a high-temperature double-annealing process and other additional passivation nitride films so that circular defects causing cracks in dielectric substance are reduced and dark leakage characteristics are improved.例文帳に追加

暗漏れ特性（ｄａｒｋ ｌｅａｋａｇｅ ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ）の他、誘電物質にひびが入るサーキュラ欠陥（ｃｉｒｃｕｌａｒ ｄｅｆｅｃｔ）も改善するために、高温ダブルアニール（ｄｏｕｂｌｅ−ａｎｎｅａｌ）工程と追加的な他の保護窒化膜（ｐａｓｓｉｖａｔｉｏｎ ｎｉｔｒｉｄｅ）を選択的に適用し、垂直型ＣＭＯＳイメージセンサーの品質と信頼性を保障する。 - 特許庁

The signal processing device for signal processing by receiving electric signals from the solid state image sensor including the CCD image sensors is deposited on a Peltier device, and further the solid state image sensors including a CCD image sensor and a CMOS imaging sensor are deposited in a laminated manner on the above signal processing device.例文帳に追加

ペルチェ素子上にＣＣＤイメージセンサーなどの固体撮像素子からの電気信号を受け信号処理を行う信号処理デバイス、さらにこの信号処理デバイスの上にＣＣＤイメージセンサーやＣＭＯＳイメージセンサーなどの固体撮像素子が積層配置されている。 - 特許庁

A light receiving element 1 such as a CCD image sensor or CMOS image sensor capable of sensing an infrared ray is formed at the surface of a semiconductor substrate 2 and multiple ball-like conductive terminals 11 are placed on the rear of the semiconductor substrate 2.例文帳に追加

半導体基板２の表面に、赤外線を検知可能なＣＣＤ型イメージセンサやＣＭＯＳ型イメージセンサなどの受光素子１が形成され、半導体基板２の裏面には、複数のボール状の導電端子１１が配置される。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an image sensor similar to an CMOS image sensor in which contact resistance of a metal pad is reduced and further yield is improved by protecting the metal pad in a subsequent process after forming an opening part of the metal pad.例文帳に追加

金属パッドの開放部を形成した後、後工程で金属パッドを保護して、金属パッドの接触抵抗を減少させ、更に収率を向上させることができるＣＭＯＳイメージセンサと同様なイメージセンサの製造方法。 - 特許庁

Under control of a control section 116, a memory 115 outputs correction signals A(m), B(m) corresponding to the output system of an image sensor from which an input (output signals of addresses (m, n) of a CMOS image sensor 101) is output.例文帳に追加

メモリ１１５は、コントロール部１１６の制御により、入力（ＣＭＯＳイメージセンサ１０１のアドレス（ｍ，ｎ）の出力信号）が出力されたイメージセンサの出力系統に対応した補正信号Ａ(m)、Ｂ(m)を出力する。 - 特許庁

A control unit (microcomputer 110) can control, in a live view mode, the opening size of a diaphragm so that the lightness of a subject image incident on an image sensor (CMOS sensor 130) may be equal to that in imaging of an image for recording.例文帳に追加

制御部（マイコン１１０）は、ライブビューモード時において、撮像素子（ＣＭＯＳセンサ１３０）に入射される被写体像の明るさが記録用画像の撮像時と同等の明るさになるように、絞りの開放サイズを制御可能である。 - 特許庁

To secure a sufficient exposure time by creating a quick action through reducing restrictions exerted on the exposure time before realizing an entire-screen simultaneous shutter function using a solid-state image sensor which has a device structure as a CMOS solid-state image sensor.例文帳に追加

ＣＭＯＳ型固体撮像素子のような素子構造を有する固体撮像素子を用いて全画面同時シャッタ機能を実現する場合に、露光時間が受ける制約を軽減し、迅速な動作で十分な露光時間を確保する。 - 特許庁