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CMOS sensorの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 766件
To provide a CMOS image sensor especially capable of increasing the number of electrons stored at a floating diffusion region.例文帳に追加
シーモスイメージセンサに関し、特に、フローティング拡散領域で電子保存容量を高めることができるシーモスイメージセンサ及びその製造方法に関する。 - 特許庁
To optimize afterimage prevention or white point prevention without increasing any stress on a gate oxide film in an imaging device such as a CMOS image sensor or the like.例文帳に追加
CMOSイメージセンサ等の撮像装置においてゲート酸化膜へのストレスを増やすことなく、残像防止や白点防止の最適化を行う。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a CMOS image sensor, which is capable of reducing the distance between a microlens and a photodiode and simplifying the manufacturing process.例文帳に追加
マイクロレンズとフォトダイオードとの間の距離を減らし、工程を簡単にすることができるCMOSイメージセンサの製造方法を提供する。 - 特許庁
To obtain an addition image without resolution deterioration in a CMOS image sensor using a single-slope integration AD conversion system.例文帳に追加
シングルスロープ積分型のAD変換方式を採用したCMOSイメージセンサにおいて、解像度劣化のない加算画像が得られるようにする。 - 特許庁
A signal processing section 4 applies signal processing to a first image signal obtained from an output of a sensor section 1 acting as a three-CCD imaging means including three CMOS sensors to output a second image signal with high image quality.例文帳に追加
信号処理部4は、3つのCMOSセンサなどを有する3板式のセンサ手段としてのセンサ部1の出力から得られる第1の画像信号に対して、信号処理を施し、高画質の第2の画像信号を出力する。 - 特許庁
When a change from an accumulation time T_11 to an accumulation time T_12 is determined as decrease of the accumulation time equal to or more than a threshold TH, the CMOS image sensor generates a ramp signal increased from a current clamp amount D_11 relatively by a clamp amount Df.例文帳に追加
蓄積時間T_11から蓄積時間T_12への変更が、閾値TH以上の蓄積時間の減少であると判定された場合、CMOSイメージセンサは、現在のクランプ量D_11から相対的にクランプ量Dfだけ上昇させたランプ信号を生成させる。 - 特許庁
The sensor comprises a CMOS image sensor 30, a transparent electrode layer 32 installed on the top of the CMOS image sensor, a luminescent layer 34 installed on the top of the transparent electrode layer and having phosphor particles 42 and a binder 44, a dielectric layer 36 installed on the top of the luminescent layer, and a contamination resistant film 38 installed on the top of the dielectric layer.例文帳に追加
CMOSイメージセンサー30と、CMOSイメージセンサーの上部に設置される透明電極層32と、透明電極層の上部に設置され、蛍光体粒子42とバインダー44を備える発光層34と、発光層の上部に設置される誘電層36と、誘電層の上部に設置される耐汚染性膜38と、から構成される。 - 特許庁
The pixel sensor of a compact CMOS including three or four transistors and four or five control lines provides a sensor area in a high ratio with respect to a photo diode for measuring the intensity of light.例文帳に追加
3または4つのトランジスタ、および4または5つの制御ラインを含むコンパクトなCMOSのピクセルセンサが、光の強度を計測するフォトダイオードについて高い割合のセンサエリアを提供する。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a CMOS image sensor, which substantially reduces the vertical height up to a microlens in a light-receiving section so as to improve the sensitivity of the image sensor, and to reduce optical crosstalks.例文帳に追加
受光部のマイクロレンズまでの垂直高さを大幅に減少させてイメージセンサの感度を向上させ、光クロストークを減少させようとするCMOSイメージセンサの製造方法を提供する。 - 特許庁
To prevent the deterioration of an output image resulting from variation of characteristics among individual ADC circuits in a CMOS image sensor of column ADC system.例文帳に追加
コラムADC方式のCMOSイメージセンサにおいて、個々のコラムADC回路間の特性のばらつきに起因する出力画像の劣化を防止する。 - 特許庁
To provide a CMOS image sensor where the influence of noise electric charges on an OB cell which determines the level at a dark time is reduced and deterioration of quality of image can be prevented.例文帳に追加
暗時レベルを決定するOBセルへのノイズ電荷の影響を低減し、画質劣化を防ぐことができるCMOSイメージセンサを提供する。 - 特許庁
According to the aforesaid step, the light transmissivity of the CMOS image sensor is improved by removing the non-transparent film at the part where light passes through the photodiode.例文帳に追加
前記工程によると、フォトダイオードに光透過される部位に不透明膜が除去されることによってCMOSイメージセンサーの光透過度が向上する。 - 特許庁
It is thereby possible to photograph with high sensitivity the subjects, without optical attenuation by optical systems and shorten the exposure time of the organic CMOS image sensor 14.例文帳に追加
これにより、光学系による光の減衰などがない高感度な撮影が可能になり、有機CMOSイメージセンサ14の露出時間も短縮できる。 - 特許庁
Even when a global shutter CMOS sensor 103 images a moving object, the imaged image causes no image distortion different from the image of the object.例文帳に追加
グローバルシャッタ型CMOSセンサ103は、移動する被写体を撮像した場合でも、撮像画像は被写体の画像と異なる画像歪みは発生しない。 - 特許庁
By improving the planarization and homogeneity of the insulating layer, a method and a system which enhance the optical efficiency of a CCD and a CMOS image sensor device are provided.例文帳に追加
絶縁層の平坦化と均一性を改善して、CCDとCMOSイメージセンサーデバイスの光学効率を向上させる方法とシステムを提供する。 - 特許庁
To provide an imaging lens suitable for a compact high-performance camera using a solid-state imaging element such as a CCD or a CMOS sensor, having simple constitution and made inexpensive.例文帳に追加
CCDやCMOSセンサー等の固体撮像素子を用いた小型で高性能なカメラに好適であり、簡素な構成で且つ低コストな撮像レンズ。 - 特許庁
The signal line L3 of each row which is connected commonly to pixels of the vertical rows of the CMOS sensor 23 is provided with a column amplifier 52 amplifying an imaging signal.例文帳に追加
CMOSセンサ23の垂直列の画素に共通に接続された各列信号線L3には、撮像信号を増幅するカラムアンプ52が設けられている。 - 特許庁
The CMOS image sensor 110 includes a light receiving face 110a arranged to receive light passing through the lens unit, and converts the optical image of the subject into an electrical signal.例文帳に追加
CMOSイメージセンサー110はレンズユニットを通る光を受ける受光面110aを有しており、被写体の光学像を電気信号に変換する。 - 特許庁
To provide a CMOS image sensor having high resistance against a noise by increasing an electron hole pair generating rate of a photodiode, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加
フォトダイオードの電子ホール対生成率を増加させ、ノイズに対する抵抗性の高いCMOSイメージセンサ及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁
To provide a CMOS image sensor which can reduce the size of a unit pixel without decreasing a fill factor while maintaining the size of a photodiode.例文帳に追加
フォトダイオードの大きさを維持させて、フィルファクターを減少させずに単位画素の大きさを減少させることができるCMOSイメージセンサを提供すること。 - 特許庁
To provide a CMOS image sensor with improved charge transfer properties without deteriorating the capacity of charge storage of a photodiode, and provide its manufacturing method.例文帳に追加
フォトダイオードの電荷保存の能力を低下させることなく電荷伝達の特性が向上したCMOSイメージセンサー及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
A CMOS image sensor for performing exposure at a rolling shutter is used to refer to first and second reference images being frame images before and after a detection target image.例文帳に追加
ローリングシャッタにて露光を行うCMOSイメージセンサを用い、検出対象画像の前後のフレーム画像である第1及び第2参照画像を参照する。 - 特許庁
Optical signals from pixels 1a and 1b inside a CMOS sensor 11 are applied to a capacitor C5 and held during a period in which a switch SW8 is turned on.例文帳に追加
CMOSセンサ11内の画素1a、1bからの光信号は、スイッチSW8がオンとされる期間、コンデンサC5に印加されて保持される。 - 特許庁
To provide an image recording device which reduces the complexity of an A/D converter integrated together with a CMOS image sensor.例文帳に追加
本発明の目的は、CMOSイメージセンサと共に集積されるA/D変換器の複雑さを低減した画像記録装置を提供することである。 - 特許庁
To provide a CMOS image sensor which is almost kept free from noises by a method wherein amplifying transistors which serve as pixels are restrained from varying in threshold value due to a substrate bias effect.例文帳に追加
画素を構成するアンプ用トランジスタの基板バイアス効果によるしきい値の変動を抑え、雑音の少ないCMOSイメージセンサを提供する。 - 特許庁
To improve the light-receiving characteristic of a photodiode, by receiving the light on the side of a transparent substrate in a CMOS image sensor, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加
CMOSイメージセンサー及びその製造方法において、透明基板側に光が受光されるようにしてフォトダイオードの受光特性を向上させる。 - 特許庁
A reading object image area by the CMOS sensor 34 is determined based on the rotational speed 512 of a drive motor and the cycle 511 of sampling.例文帳に追加
ここでCMOSセンサ34による読取り対象画像領域は、駆動モータの回転速度512及びサンプリングの周期511に基づいて決定される。 - 特許庁
To provide a CMOS image sensor for improving an image quality by removing an offset noise produced in a path difference that the same pixel data include.例文帳に追加
同じピクセルデータが有する経路の差によって発生するオフセットノイズを除去し、イメージ品質を向上させることができるCMOSイメージセンサを提供すること。 - 特許庁
Each of a forward camera 101, an in-vehicle camera 102, and a backward camera 103 employs a global shutter CMOS sensor as a solid-state imaging element in use.例文帳に追加
前方用カメラ101、車内用カメラ102、後方用カメラ103は、使用する固体撮像素子としてグローバルシャッタ型CMOSセンサが用いられる。 - 特許庁
A CMOS sensor 34 outputs a video signal by receiving the light reflected by the feeding path or the recording paper 32 by the irradiation of the LED 33.例文帳に追加
LED33による照射によって搬送路または記録紙32から反射された光を受けてCMOSセンサ34が映像信号を出力する。 - 特許庁
Between the transparent plate 4 and the CMOS image sensor 14, a phosphorescent glass 15 for emitting phosphorescence P when irradiated by the light sources 11 is arranged.例文帳に追加
透明板4とCMOSイメージセンサ14との間には、光源11からの照射光を受けたときに燐光Pを発する燐光ガラス15が配置されている。 - 特許庁
To provide an imaging apparatus such as a CMOS image sensor in which the generation of a flicker and a ripple, etc. are suppressed in photography under illumination accompanied by a frequency variation.例文帳に追加
CMOSイメージセンサ等の撮像装置について、周波数変動を伴う照明下の撮影時におけるフリッカ、リップルの発生を抑制する。 - 特許庁
A feedback clamp circuit 102 increases or decreases a clamp parameter PC so that the black level read from the OB pixels of a CMOS sensor 101 becomes close to a target value.例文帳に追加
フィードバッククランプ回路102は、CMOSセンサ101のOB画素から読み出された黒レベルが目標値に近づくようにクランプパラメータPCを増減させる。 - 特許庁
To provide a CMOS image sensor that has improved the integration effect of light, by installing an internal micro lens between an optical sensing element and microlens.例文帳に追加
光感知素子とマイクロレンズの間に内部マイクロレンズを設置して、光の集積効果を改善したCMOSイメージセンサーとその製造方法を提供する。 - 特許庁
In the CMOS image sensor, transfer transistors are formed on a photodiode, and remaining reset transistors, source follower transistors, and selection transistors are formed on another layer.例文帳に追加
フォトダイオード上にトランスファトランジスタが形成され、残りのリセットトランジスタ、ソースフォロワートランジスタ及び選択トランジスタは、他の層に形成されるCMOSイメージセンサーである。 - 特許庁
To provide an electronic endoscope system capable of simultaneously observing observation images by different illumination lights even while using a CMOS type image sensor.例文帳に追加
CMOS型のイメージセンサを用いながらも、異なる照明光による観察画像を同時に観察することができる電子内視鏡システムを提供する。 - 特許庁
Since the interlace driving circuit Vi and the progressive driving circuit Vp are built in a CMOS sensor, scanning system switching is made easy.例文帳に追加
CMOSセンサ内にインターレース駆動回路Viとプログレッシブ駆動回路Vpとが組み込まれているため、走査方式の切り替えが容易となっている。 - 特許庁
The camera body 1 includes a body mount 150, a CMOS image sensor 110, a shutter unit 190, a shutter drive device 191, and an electronic viewfinder 180.例文帳に追加
カメラ本体1は、ボディマウント150と、CMOSイメージセンサー110と、シャッターユニット190と、シャッター駆動装置191と、電子ビューファインダー180と、を有する。 - 特許庁
To provide a circuit for remarkably reducing a low frequency noise in a complementary metal oxide semiconductor (CMOS) active pixel sensor (APS) imaging system.例文帳に追加
相補型金属酸化膜半導体(CMOS)型アクティブ画素センサ(APS)撮像方式において低周波数ノイズを著しく低減する回路を提供する。 - 特許庁
Thus, the CMOS image sensor generates a video signal without distortion and improves the accuracy of the reset level by the reset voltage read in every column.例文帳に追加
これにより、CMOSイメージセンサは、歪曲のないビデオ信号を発生させ、カラムごとに読み取られるリセット電圧でリセットレベルの正確性を向上させる。 - 特許庁
To reduce the influence of characteristic variation of an external amplifier transistor in a CMOS sensor that suppresses vertical stripe noise using the external amplifier transistor.例文帳に追加
画素外アンプトランジスタを利用して縦筋ノイズを抑制する仕組みのCMOSセンサにおいて、画素外アンプトランジスタの特性ばらつきの影響を緩和する。 - 特許庁
The surface state of an intermediate transfer belt 31 is detected in predetermined sampling cycles by using a CMOS sensor 602A, and a sampling image is generated.例文帳に追加
CMOSセンサ602を用いて中間転写ベルト31の表面状態を所定のサンプリング周期で検出してサンプリング画像を作成する。 - 特許庁
To provide a CMOS image sensor together with its manufacturing method, where the yield of a device is improved by preventing corrosion, damage, and contamination of a metal line.例文帳に追加
金属ラインの腐蝕、損傷及び汚染を防止して、デバイスの収率を向上させることができるCMOSイメージセンサ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To improve either one or both of the resolution or a frame rate of a moving picture capable of being photographed in an imaging apparatus including a CMOS sensor.例文帳に追加
CMOSセンサを含む撮像装置において、撮影可能な動画像の解像度、フレームレートのいずれか一方又はその両方を向上させる。 - 特許庁
The pressure sensor is manufactured by jointing two wafers 1a, 1st wafer equipped with CMOS circuit 2, and 14, a 2nd wafer which is a SOI (Silicon-On-Insulator) wafer.例文帳に追加
圧力センサは、CMOS回路2を具備する第1ウェハとSOIウェハである第2ウェハの2つのウェハ1a、14を接合することによって製造される。 - 特許庁
To provide a CMOS image sensor having an image-sensor sensitivity enhanced by altering a position of a contact formed in a photodiode region to solve the problem of reduction of a capacitance caused by a high concentration implantation, and also to provide a method of manufacturing the image sensor.例文帳に追加
本発明は、フォトダイオード領域に形成されるコンタクトの位置を変更して高濃度注入によるキャパシタ減少問題を解決することにより、イメージセンサの感度を向上させたCMOSイメージセンサ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
The digital camera displays the video on the display apparatus 40 acting like a photographing viewfinder on the basis of a display video signal outputted from a CMOS image sensor 120 on one hand, and records image data on the basis of a recording video signal outputted from the CMOS image sensor 120 to a recording section 50 on the other hand.例文帳に追加
デジタルカメラは、CMOSイメージ・センサ120から出力される表示用映像信号に基づいて、撮影用のビューファインダーとして機能する表示装置40に映像を表示する一方で、CMOSイメージ・センサ120から出力される記録用映像信号に基づく画像データを記録部50に記録する。 - 特許庁
A method of operating, such as a CMOS image sensor, involves generating a varying reference signal that mirrors noise external to the APS array, outputting the varying reference signal to the noise canceler array, and using the varying reference signal in the noise canceler array for canceling the noise that is both internal to and external to the active pixel sensor array.例文帳に追加
CMOSイメージセンサアレイを作動させる方法は、外部ノイズをAPSアレイに複製する可変基準信号を発生させる段階と、可変基準信号をノイズ除去器アレイに出力する段階と、ノイズ除去器アレイで可変基準信号を使ってAPSアレイに対する内部ノイズと外部ノイズとを除去する段階と、を含む。 - 特許庁
A radiation-resistant imaging apparatus 1 comprises: a radiation-resistant CMOS image sensor 130; and a controller 190 in which the number of frames to be imaged within a unit time by the CMOS image sensor 130 is adjusted to the number equal to the specified number of frames or less to prolong an exposure time per frame equal to a specified time or longer.例文帳に追加
耐放射線撮像装置1は、耐放射線のCMOSイメージセンサー130と、前記CMOSイメージセンサー130が単位時間内に撮像するフレーム数を規定フレーム数以下に調節して、1枚のフレームあたりの露光時間を規定時間以上に延長する制御装置190とを備える。 - 特許庁
To solve the problem of the conventional optical system integrated imaging module with an integrated configuration of an optical system and a rolling shutter CMOS sensor and a conventional mobile terminal employing the module that a picked-up image is blurred, when photographing an imaging object with a fast motion since the imaging object moves by the time reading from the CMOS sensor is finished.例文帳に追加
光学系とローリングシャッタ型CMOSセンサとを一体化構成とした光学系一体型撮像モジュールやそれを組み込んだ携帯端末では、動きの速い撮像対象の撮影時には、CMOSセンサからの読み出しが終了するまでに撮像対象が動くので、撮像画像がぶれる。 - 特許庁
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