「CMOS sensor」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

An image pickup part 11 is internally provided with the CMOS sensor in the image pickup device 1 so as to image a subject through a lens 10.例文帳に追加

撮像装置１において撮像部１１は、ＣＭＯＳセンサを内部に備えており、レンズ１０を通じて被写体を撮像する。 - 特許庁

The CMOS sensor 51, a circuit 210 of a signal processing system to process signals outputted form the CMOS sensor 51, and a circuit 230 of a control system to control timing for extracting signals from the CMOS sensor 51 are placed on the imaging element 5 so that the center 591 of a housing 50 on a light intercepting face 52 almost agrees with the center 592 of an available imaging area 522.例文帳に追加

この撮像素子５においては、受光面５２上におけるハウジング５０の中心５９１と、有効撮像領域５２２の中心５９２とが略一致するように、ＣＭＯＳセンサ５１と、ＣＭＯＳセンサ５１から出力された信号の信号処理を行う信号処理系の回路２１０と、ＣＭＯＳセンサ５１から信号を抽出するためのタイミング制御を行う制御系の回路２３０とが配置されている。 - 特許庁

To provide a CMOS sensor which allows parasitic capacitance of a photoelectric transfer section to be reduced, and output conversion efficiency to be enhanced.例文帳に追加

光電変換部の寄生容量を低減し、出力変換効率を向上させることができるＣＭＯＳセンサを提供する。 - 特許庁

A lower surface 286b of a transparent protective layer 286 is inclined against the detection surface 282a of the CMOS sensor 282 by an inclination angle θ.例文帳に追加

透明保護層２８６の下面２８６ｂがＣＯＭＳセンサ２８２の検出面２８２ａに対し傾斜角θだけ傾斜している。 - 特許庁

A CMOS image sensor includes a plurality of pixels, and the plurality of pixels include active pixels and optical black pixels.例文帳に追加

本発明のＣＭＯＳイメージセンサは、複数の画素を含み、複数の画素は、活性画素及び光の流入が遮断された画素を含む。 - 特許庁

To improve the sensitivity of a photo diode in a CMOS image sensor and reduce the crosstalk (leakage) of charges to adjacent pixels.例文帳に追加

ＣＭＯＳイメージセンサのフォトダイオード部において、感度向上を図るとともに、隣接画素への電荷のクロストーク（漏れ込み）を低減する。 - 特許庁

The CMOS image sensor can be manufactured without requiring a special manufacturing process and can maintain a high performance level.例文帳に追加

ＣＭＯＳ画像センサは特別な製造工程を必要とすることなく生産することができ、高性能レベルを維持することができる。 - 特許庁

Then, the mask is formed by using the reverse mask data (E) and the back-illuminated CMOS image sensor is formed by using the formed mask.例文帳に追加

そして、この反転マスクデータ（Ｅ）を用いてマスクを作成し、当該作成したマスクを用いて裏面入射型ＣＭＯＳイメージセンサを作る。 - 特許庁

To provide a CMOS image sensor capable of reducing partition noise generated by the short fall time of a transfer transistor.例文帳に追加

トランスファートランジスタの短い立ち下がり時間により発生するパーティションノイズを減らすことができるＣＭＯＳイメージセンサを提供すること。 - 特許庁

Moreover, the parallel I/F 112 outputs to the DSP 120 a group of register values stored by a register group 13 for storing information about processing of a CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) sensor 110 when the image data are not output to the outside.例文帳に追加

さらに、パラレルI/F１１２は、CMOSセンサ１１０の処理に関する情報を記憶するレジスタ群１３が記憶しているレジスタ値群を、画像データを外部に出力していないタイミングで、DSP１２０に出力する。 - 特許庁

A signal processing section 4 applies image conversion processing to a first image signal obtained from an output of a sensor section 1 acting as a three-CCD imaging means including three CMOS sensors to output a second image signal.例文帳に追加

信号処理部４は、３つのCMOSセンサなどを有する３板式の撮像手段としてのセンサ部１の出力から得られる第１の画像信号に対して、画像変換処理を施し、第２の画像信号を出力する。 - 特許庁

To provide a highly integrated CMOS image sensor, by minimizing the area of a contact-forming region of a CMOS logic circuit portion, which processes the light sensed by a photodiode into an electrical signal and converts it into data.例文帳に追加

フォトダイオードで感知された光を電気信号に処理してデータ化するＣＭＯＳロジック回路部分のコンタクト形成領域の面積を最小化することにより、高集積化されたＣＭＯＳイメージセンサを提供する。 - 特許庁

To provide a solid state image sensor, represented by a CMOS image sensor, which allows for microfabrication of pixels and a high aperture ratio by employing a backside light-receiving structure.例文帳に追加

ＣＭＯＳイメージセンサに代表される固体撮像素子において、裏面受光構造を採ることにより、画素の微細化および高開口率化を可能とした固体撮像素子を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a CMOS image sensor that has been improved in characteristics and the yield of the image sensor by preventing an alkaline developing solution from coming into contact with a metal pad.例文帳に追加

アルカリ現像液が金属パッドと接触することを防止して、イメージセンサの特性と歩留まりを向上させるようにしたＣＭＯＳイメージセンサの製造方法を提供する。 - 特許庁

A liquid crystal color filter is used as a color filter 20 capable of varying transmission wavelength of light by varying an applied voltage, and a CMOS image sensor is used as an image sensor 40.例文帳に追加

印加電圧を可変することにより光の透過波長を可変することができるカラーフィルタ２０として液晶カラーフィルタを用い、また、イメージセンサ４０としてＣＭＯＳイメージセンサを用いる。 - 特許庁

The CMOS image sensor cells are designed to allow for back side illumination in global shutter mode by providing light shielding from back side illumination of at least one transistor within each pixel sensor cell.例文帳に追加

画素センサ・セル内の少なくとも１つのトランジスタの裏面照射からの遮光を提供することによって、グローバルシャッタ方式における裏面照射を可能にするように設計される。 - 特許庁

To obtain a uniform image sensor by absorbing dispersion of active elements in terms of manufacture and operation used for each pixel of a CMOS image sensor mainly.例文帳に追加

主にＣＭＯＳ型イメージセンサの各画素毎に能動素子を用いた場合の能動素子の製造上及び動作上のバラツキを吸収し、均一なイメージセンサを得ることを課題とする。 - 特許庁

THERMOSETTING RESIN COMPOSITION FOR COLOR FILTER OF CMOS IMAGE SENSOR, COLOR FILTER COMPRISING TRANSPARENT FILM FORMED USING THE COMPOSITION, AND IMAGE SENSOR MANUFACTURED USING THE COLOR FILTER例文帳に追加

ＣＭＯＳイメージセンサーのカラーフィルター用熱硬化性樹脂組成物、該組成物を利用して製造された透明膜を含むカラーフィルター、及び該カラーフィルターを使用して製造されたイメージセンサー - 特許庁

To feed a power of a prescribed operating voltage to a CMOS image sensor despite the length of an inserting section (a voltage drop in a power supply line) in an endoscope apparatus having the CMOS image sensor for capturing an endoscopic image, at the distal end of the endoscope inserting section.例文帳に追加

内視鏡挿入部の先端に内視鏡画像を撮影するためのＣＭＯＳ撮像素子を備えた内視鏡装置において、挿入部の長さ（電源供給線での電圧降下）にかかわらずＣＭＯＳ撮像素子に規定の動作電圧の電源を供給することができるようにする。 - 特許庁

The vertical scanning circuit 51 of the CMOS sensor 23 is structured so as to enable it to read an imaging signal every other horizontal line and to discharge the signal electric charge of all pixels 56 of the CMOS sensor 23 to a drain (collective resetting of all pixels) through a resetting transistor M3.例文帳に追加

ＣＭＯＳセンサ２３の垂直走査回路５１は、１水平ラインおきに撮像信号を読み出し得るよう構成され、ＣＭＯＳセンサ２３の全画素５６の信号電荷をリセット用トランジスタＭ３経由でドレインに排出（全画素一括リセット）し得るよう構成されている。 - 特許庁

The solid-state imaging apparatus has an electronic shutter function that excludes signal charges generated from a CMOS area sensor 1 for each horizontal period by a control signal from a signal generating section 8 and outputs the signal charges from the CMOS area sensor 1 for two different storage times within one horizontal period.例文帳に追加

ＣＭＯＳエリアセンサー１で発生した信号電荷を、信号発生部８からの制御信号により水平期間毎に排除する電子シャッター機能を有し、１水平期間内に２つの異なる蓄積時間でＣＭＯＳエリアセンサー１から信号電荷が出力させる。 - 特許庁

The image forming device includes a processor that controls a high resolution CMOS image sensor and an image sensor to process image data from the image sensor and also includes an interface to give a command to the processor and to view an indication generated by the processor.例文帳に追加

画像形成装置は、高解像度ＣＭＯＳイメージセンサ、イメージセンサを制御しイメージセンサからの画像データを処理するプロセッサ、及びコマンドをプロセッサへ与えプロセッサによって生成された表示を見るためのインタフェースを含む。 - 特許庁

Then, the sensor substrate 22 is positioned on the end surface of a sensor housing 38 to be fixed thereto and connected to the LED lighting portion 30 to arrange the LED substrate 23 producing much heat at a position separated from the CMOS sensor 21.例文帳に追加

そして、センサ基板２２をセンサ筐体３８の端面に位置決め固定して、ＬＥＤ照明部３０に接続されて多くの熱を発生するＬＥＤ基板２３をＣＭＯＳセンサ２１から離れた位置に配置させている。 - 特許庁

To provide an image sensor from which any attached particles can be easily removed, and a manufacturing method therefor, which prevents a microlens from being damaged or deformed when a bump is formed on the image sensor (a CMOS sensor or a CCD) having the microlens.例文帳に追加

マイクロレンズを有するイメージセンサ（ＣＭＯＳイメージセンサまたはＣＣＤ）にバンプを形成するときに、マイクロレンズの損傷や変形を防止し、パーティクルが吸着しても除去が容易なイメージセンサ及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

The spatial light modulator and the image light receiving element are constituted by an SLM/CMOS sensor integrated element 41 formed on the same substrate.例文帳に追加

空間光変調素子と画像受光素子とは、同一基板上に形成されたＳＬＭ／ＣＭＯＳセンサ一体素子４１で構成される。 - 特許庁

The main circuit board 142 is disposed on a side opposite to the body mount 150 of the CMOS image sensor 110; and includes a camera controller 140.例文帳に追加

メイン回路基板１４２は、ＣＭＯＳイメージセンサー１１０のボディマウント１５０とは反対側に配置され、カメラコントローラー１４０を含んでいる。 - 特許庁

To obtain an addition image without resolution deterioration in a CMOS image sensor adopting an AD conversion system of a single-slope integration type.例文帳に追加

シングルスロープ積分型のＡＤ変換方式を採用したＣＭＯＳイメージセンサにおいて、解像度劣化のない加算画像が得られるようにする。 - 特許庁

The optical system integrated imaging module disclosed herein employs a global shutter CMOS sensor 201 as an imaging device integrated with the optical system.例文帳に追加

光学系一体型撮像モジュールにおいて、光学系と一体化構成する撮像素子としてグローバルシャッタ型ＣＭＯＳセンサ２０１を用いる。 - 特許庁

An imaging device corrects FP distortions of an input image obtained, by using a CMOS image sensor and camera shake and generate an output image.例文帳に追加

撮像装置は、ＣＭＯＳイメージセンサを用いて得られた入力画像のＦＰ歪み及び手ぶれを補正して出力画像を生成する。 - 特許庁

To achieve satisfactory image quality by reducing any mixed color which is generated due to the diffraction of the rays of light in a plurality of wiring layers in a CMOS image sensor.例文帳に追加

ＣＭＯＳイメージセンサにおいて、複数層の配線層での光の回折により発生する混色を減少させ、良好な画質化を図る。 - 特許庁

To provide an image pixel of a CMOS image sensor in which a signal-to-noise ratio, a dynamic range, low illuminance property and elevated temperature operation characteristic are improved.例文帳に追加

信号対雑音比、ダイナミックレンジ、低照度特性及び高温動作特性を改善したＣＭＯＳイメージセンサーのイメージ画素を提供する。 - 特許庁

A CMOS sensor 16 is made to output a clock signal and a composite synchronous signal the same is frequency as a quartz oscillator 35 to a CPU 33.例文帳に追加

ＣＭＯＳセンサ１６は、水晶振動子３５の周波数と同じクロック信号と複合同期信号とがＣＰＵ３３に出力される。 - 特許庁

To improve noise characteristics and avoid worsening effect for a high speed operation by ESD (electrostatic discharge) protection resistors inserted to reference voltage terminals in a CMOS sensor.例文帳に追加

ＣＭＯＳセンサーにおける基準電圧端子に挿入されるＥＳＤ保護抵抗によるノイズ特性や、高速動作の悪化を避ける為 - 特許庁

To provide a solid state imaging device which increases a dynamic range for high-light-level image taking in a CMOS image sensor with W pixels.例文帳に追加

Ｗ画素を有するＣＭＯＳイメージセンサにおいて、高光量撮影時のダイナミックレンジを拡大可能な固体撮像装置を提供すること。 - 特許庁

To provide an endoscope system which can supply flickering light suitable for an endoscope equipped with a CMOS image sensor.例文帳に追加

ＣＭＯＳイメージセンサを備えた内視鏡に適した明滅光を供給することが可能な内視鏡システムを提供することを目的とする。 - 特許庁

The camera body 100 has: a CMOS image sensor 110; the support mounting part 155; a frame bottom surface 154a; and a heat transfer member 160.例文帳に追加

カメラ本体１００は、ＣＭＯＳイメージセンサー１１０と、支持具取付部１５５と、フレーム底面部１５４ａと、伝熱部材１６０と、を有している。 - 特許庁

To prevent a saturation shading phenomenon and dynamic range reduction in a CMOS sensor wherein a unit pixel is composed of a light receiving element and three transistors.例文帳に追加

受光素子と３つのトランジスタで単位画素が構成されたＣＭＯＳセンサにおいて、飽和シェーディング現象やダイナミックレンジ減少を防止する。 - 特許庁

In such a CMOS image sensor, the areas of the photodiodes can be increased in unit pixels, so that the size of the unit pixels can be reduced and sensitivity of the pixel can be improved.例文帳に追加

これにより、単位画素内でフォトダイオードの面積を広げたため、単位画素のサイズを減らすと同時に、画素の感度を向上させうる。 - 特許庁

To provide a CMOS image sensor which decreases a dark current by including a floating diffusion region containing a plurality of impurity doping region.例文帳に追加

複数の不純物ドーピング領域を含むフローティング拡散領域を備えて暗電流を低減し得るＣＭＯＳイメージセンサを提供する。 - 特許庁

Namely, the CMOS image sensor 85 is used in two dimensions in a preparation mode and in one dimension in a measurement mode.例文帳に追加

すなわち準備モードではＣＭＯＳイメージセンサ８５を二次元的に使用し、測定モードではＣＭＯＳイメージセンサ８５を一次元的に使用している。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a CMOS image sensor wherein the LTO film is prevented from delamination by pad etching performed two times for changing the pad layout.例文帳に追加

パッドエッチングを２回行い、パッドレイアウトを変更してＬＴＯ膜の剥離を防止したＣＭＯＳイメージセンサの製造方法を提供すること。 - 特許庁

To obtain the optimization of two technologies (CMOS and CCD) where pinned photodiodes are integrated into an image sensing element of an active pixel sensor.例文帳に追加

ピン止め光ダイオードがアクティブ画素センサーの画像検知要素内に集積される２つの技術（ＣＭＯＳ及びＣＣＤ）の最適化を達成する。 - 特許庁

The CMOS image sensor is driven for long time exposure and short time exposure to acquire two kinds of photographing images, and a memory once stores either of them.例文帳に追加

ＣＭＯＳイメージセンサを長時間露光と短時間露光駆動して、２種類の撮像画像を取得し、一方を一旦メモリに格納する。 - 特許庁

To provide a unit pixel of a CMOS image sensor which can increase the drive range by compensating for dark current generated in a photodiode.例文帳に追加

フォトダイオードで発生する暗電流を補償し駆動範囲を向上させることが可能なＣＭＯＳイメージセンサの単位画素を提供する。 - 特許庁

To provide a small solid state CMOS image sensor pixel having a large charge storage capacity, a high dynamic range, and high sensitivity.例文帳に追加

小型で、かつ、大きい電荷保存容量、高い動的範囲、及び高感度を有する固体状態のＣＭＯＳイメージセンサ画素を提供すること。 - 特許庁