| 例文 |
CMOS sensorの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 766件
At the same time, the distance to the image pickup object within the image pickup range is measured at a plurality of points by a CMOS area sensor or the like so that distance information expressing a distance distribution corresponding to the picked-up image can be provided.例文帳に追加
同時に、CMOSエリアセンサ等により撮像範囲の中での撮像対象までの距離を複数点にわたって測定することにより、撮像画像に対応した距離分布を表現する距離情報を得る。 - 特許庁
To provide a CMOS operational amplifier which can reduce both thermal noise and flicker noise simultaneously while attaining a sufficient gain when the signal level of a signal is amplified, and to provide a sensor device.例文帳に追加
信号の信号レベルを増幅するに際し、十分な利得を得ながら、サーマルノイズとフリッカノイズとの両者を同時に低減することができるCMOSオペアンプ、及びセンサ装置を提供することを目的とする。 - 特許庁
The system comprises a multifunctional integrated visual sensor using a CMOS or CCD technology matrix having a sensitive area divided into subareas dedicated to a series of specific functions.例文帳に追加
本発明は、一連の特定の機能専用のサブ領域に分割された高感度領域を有するCMOS又はCCD技術マトリックスを使用している多機能一体化された視覚センサを備えるシステムを開示する。 - 特許庁
To provide a CMOS image sensor in which the dead zone and the dark current characteristics can be enhanced simultaneously by forming a trench in the surface of an epitaxial layer and forming a transfer transistor in the trench.例文帳に追加
エピタキシャル層の表面にトレンチを形成し、トレンチ内にトランスファトランジスタを形成して、デッドゾーンと暗電流の特性を同時に向上させることのできるCMOSイメージセンサとその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a CMOS image sensor which can getter metallic ion contamination having high concentration by implanting a p-type impurity ion into a dummy moat region, thereby reducing leakage current, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加
ダミーモート領域に高濃度のp型不純物イオンを注入することによって金属イオン汚染をゲッタリングし、漏れ電流を低減できるようにしたCMOSイメージセンサとその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a technology whereby a circuit configuration of a receiver side can be simplified by contriving the arrangement of pixel data outputted from columns of a CMOS image sensor in an addition read mode to be a data arrangement processable by the receiver side circuit.例文帳に追加
CMOSイメージセンサにおいて、加算読み出しモードにおける列からの出力される画素データの並びを、受け側の回路で処理し易いデータ配列にして、受け側の回路構成の単純化を図る。 - 特許庁
An image transmission apparatus disclosed herein uses a global shutter CMOS sensor 201 to image an object, resulting in that when a moving object is imaged, no image distortion which makes the image of the object different from the original will be caused in a picked-up image.例文帳に追加
画像伝送装置は、グローバルシャッタ型CMOSセンサ201により撮像するため、移動する被写体を撮像した場合でも、撮像画像は被写体の画像と異なる画像歪みは発生しない。 - 特許庁
The discriminating part 42 acquires the CMOS temperature while increasing the temperature of the distal end portion 20 by emitting illuminating light for discrimination of a prescribed condition from the light source device 14 at the activation of the electronic endoscope system 11 and discriminates whether the temperature sensor 30 normally functions or not based on the change in the CMOS temperature.例文帳に追加
判別部42は、電子内視鏡システム11が起動されたときに、光源装置14から所定条件の判別用照明光を照射させることにより、先端部20の温度を上昇させながら、CMOS温度を取得し、CMOS温度の変化に基づいて温度センサ30が正常に機能するか否かを判別する。 - 特許庁
The light source comprises a CCFL lighting tube, or a xenon lighting tube, or a direct under type light emitting diode, a light beam 311 emitted by the light source is guided to the focus lens group by securing a sufficient optical path through reflection mirror groups 321, 322, 323 and focused on the linear CMOS image sensor by correcting aberration by the focus lens group comprising a plurality of lenses.例文帳に追加
該光源は、CCFL灯管或いはキセノン灯管或いは直下式発光ダイオードからなり、光源が発射した光線311は、反射ミラーグループ321、322、323を経て十分な光路を確保されてフォーカスレンズグループに導かれ、複数のレンズからなるフォーカスレンズグループにより収差を補正されてリニアCMOSイメージセンサーに焦点を結ぶ。 - 特許庁
The information acquisition device includes a laser source 111 emitting the laser beam of a predetermined wavelength band; a collimator lens 112 converting the laser beam emitted from the laser source into parallel light; a CMOS image sensor 125 receiving light reflected from a target area and outputting a signal; and an CPU acquiring three-dimensional information of an object existing in the target area based on the signal to be output from the CMOS image sensor 125.例文帳に追加
情報取得装置は、所定波長帯域のレーザ光を出射するレーザ光源111と、レーザ光源から出射されたレーザ光を平行光に変換するコリメータレンズ112と、目標領域から反射された反射光を受光して信号を出力するCMOSイメージセンサ125と、CMOSイメージセンサ125から出力される信号に基づいて目標領域に存在する物体の3次元情報を取得するCPUとを備える。 - 特許庁
In a packaging device, an image sensor 10 has a light-receiving section 12b of CCD system or CMOS system which is formed on the first major surface of a semiconductor substrate 12, and an interconnect for leading out a signal is provided on the same surface.例文帳に追加
本発明に係るイメージセンサ10は半導体基板12の第1主面にはCCD方式あるいはCMOS方式の受光部12bが形成され、同一面上に信号引き出しのための配線が設けられる。 - 特許庁
To solve the problem that clamping level is set higher than necessary and the input range of an effective signal of a tailing circuit such as an AD converter is narrowed in a CMOS image sensor or the like for performing parallel processing by a column processing circuit and converting to a serial signal.例文帳に追加
カラム処理回路により並列処理し、シリアル信号に変換するCMOSイメージセンサなどで、クランプレベルが必要以上に高く設定され、ADコンバータなどの後段回路の有効な信号の入力レンジが狭くなる。 - 特許庁
To improve noise characteristic in a photoelectric conversion device and improve an image quality, by effectively utilizing a semiconductor metal compound for field effect transistor, in an amplification type solid-state image sensing element (CMOS image sensor) of a so-called backside illumination type.例文帳に追加
いわゆる裏面照射型の増幅型固体撮像素子(CMOSイメージセンサ)において、電界効果トランジスタ用の半導体金属化合物を有効利用し、光電変換素子におけるノイズ特性の改善、画質の向上を図る。 - 特許庁
The CMOS image sensor 11 has an image-forming area 22 that generates a pixel signal, corresponding to an image formed on a light receiving face and a control signal storage area 23 that is placed at the outside of the image forming area 22.例文帳に追加
CMOSイメージセンサ11は、受光面に結像された画像に対応した画素信号が発生する画像形成領域22と、画像形成領域22の外側に配列された制御信号格納領域23とを有する。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a solid-state imaging element and a solid-state imaging element capable of achieving pixel miniaturization and a higher aperture ratio by applying a rear-surface light receiving structure to a solid-state imaging element represented by a CMOS image sensor.例文帳に追加
CMOSイメージセンサに代表される固体撮像素子において、裏面受光構造を採ることにより、画素の微細化および高開口率化を可能とした固体撮像素子の製造方法および固体撮像素子を提供する。 - 特許庁
To provide a CMOS image sensor, of which the operating range is reduced only for a threshold voltage of an NMOS transistor, even if the NMOS transistor is arranged rather than a MOS transistor arranged for each unit pixel.例文帳に追加
CMOSイメージセンサに、各単位画素に備えられるMOSトランジスタの代わりにNMOSトランジスタが備えられるとしても、NMOSトランジスタのしきい電圧だけ動作範囲が低減されないCMOSイメージセンサを提供すること。 - 特許庁
A rotating body 310 including a cleaning member 31, a white reference plane 32, and an exposed plane 33 in this order on the surface is provided at a position facing a reading position 306 in a CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) sensor 303 with a reading glass 302 interposed between the positions.例文帳に追加
CMOSセンサ303での読取位置306に、読取ガラス302を挟んで対向する位置に、清掃部材31、白基準面32および露出面33を表面にこの順で備えた回転体310を設ける。 - 特許庁
To provide a CMOS image sensor preventing sharing of charge which may take place when data stored in a memory is read and signal distortion which may be caused by signal-dependent charge injection, and preventing also fixed pattern noise from being generated.例文帳に追加
メモリに格納されたデータを読み出すときに発生する電荷共有、および信号依存電荷注入による信号歪みを防止し、固定パターンノイズの発生を防止することが可能なCMOSイメージセンサーを提供する - 特許庁
To provide an optical coupling detection device that recognizes a body to be detected as an image by preparing a CMOS image sensor as a light receiving element, and detects the position and other states of the body to be detected with high precision.例文帳に追加
受光素子としてCMOSイメージセンサを備えることにより、被検出物を画像として把握し、被検出物の位置その他の状態を高精度に検出できる光結合検出装置を提供することを目的とする。 - 特許庁
To prevent malfunction in focus detection in such a case that a diaphragm opening diameter changes to cause a change in an exposure condition during processing to calculate a defocus amount based on detection of an image blur amount by a rolling shutter operation of a CMOS image sensor.例文帳に追加
CMOSイメージセンサーのローリングシャッタ動作により、像ズレ量検出に基づくデフォーカス量算出処理中に、絞り開口径が変化して露光条件が変化するような場合において、焦点検出の誤動作を防止する。 - 特許庁
To suppress generation of a false color even if an R signal/B signal is read from a CMOS image sensor comprising G checkered and R/B line-sequential color filters while horizontally adding and averaging the R signal/B signal for two pixels.例文帳に追加
G市松R/B線順次の色フィルタが設けられたCMOSイメージセンサから、R信号/B信号を水平方向に2画素分の加算平均して読み出しを行った場合であっても、偽色の発生を抑制する。 - 特許庁
To provide a CMOS image sensor capable of preventing the deterioration in the matching characteristic of a drive transistor due to downsizing and of ensuring the reliability of a first metal contact with the gate of the drive transistor, and a method for manufacturing the same.例文帳に追加
ダウンサイジングによるドライブトランジスタのマッチング特性の劣化を防止し、ドライブトランジスタのゲートに対する第1のメタルコンタクトの信頼性を確保することができるCMOSイメージセンサー及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁
Thus, flicker in the vertical direction in one frame generated in a picture based on a video output from the CMOS sensor 11 under a fluorescent light is eliminated by apparently matching the level of the fluorescent light luminous quantity for each horizontal line the same.例文帳に追加
こうして、各水平ライン毎の蛍光灯光量を見掛け上同じレベルに合わせて、蛍光灯下においてCMOSセンサ11からの映像出力に基づく画像に生ずる1フレーム内の垂直方向のフリッカを除去する。 - 特許庁
A circuit is structured so as to detect a synchronization signal component by digitalizing signals of a CMOS linear image sensor capable of outputting the signals at high speed, so that modulation light can be detected and the extraneous light can be eliminated.例文帳に追加
高速に信号を出力できるCMOSリニアイメージセンサの信号をデジタル化して、同期信号成分を検出する回路構成とすることにより、変調光の検出が可能となり、外来光の除去が可能になった。 - 特許庁
Moreover, a gain correction unit 107 is included which corrects the signal level difference caused by the difference between the order of lines on which reset is performed and the order of lines on which the signal reading is performed in the CMOS image sensor 102.例文帳に追加
また、CMOSイメージセンサ102において、リセットが行われるラインの順序と信号読み出しが行われるラインの順序が異なることに起因して発生する信号レベルの差を補正するゲイン補正部107を備える。 - 特許庁
A CPU 31 controls the temperature regulation element 12 and the filter drive part 200 so that a light receiving amount of the CMOS image sensor 23 may be maximized within a temperature range of the laser light source 11, which can be set by the temperature regulation element 12.例文帳に追加
CPU31は、温調素子12により設定可能な前記レーザ光源11の温度範囲内で、CMOSイメージセンサ23の受光量が最大となるよう温調素子12およびフィルタ駆動部200を制御する。 - 特許庁
To provide a CMOS image sensor using a practical pin photodiode and a charge transfer transistor, and to provide a gate structure of the charge transfer transistor having high charge transfer efficiency, excellent blooming control and low dark current.例文帳に追加
実用的なピンフォトダイオード及び電荷転送トランジスタを用いるCMOSイメージセンサを提供し、高い電荷転送効率、優れたブルーミング制御、及び低い暗電流を有する電荷転送トランジスタのゲート構造を提供すること。 - 特許庁
To read out signal charge accumulated in an embedded photodiode 13 as much as possible in a CMOS sensor including a photoelectric converter and a signal scanning circuit wherein a plurality of pixels are arranged in two dimensional manner.例文帳に追加
本発明は、光電変換部と信号走査回路とを含む複数の画素が二次元状に配置されてなるCMOSセンサにおいて、埋め込みフォトダイオード13に蓄積された信号電荷を最大限に読み出すことができるようにする。 - 特許庁
The imaging system 210 has a chamber 23 housing a CMOS sensor array 3 jointed through an FOP 2 with a rear step of chamber 22 having a beryllium window 21 and fitted with a capillary plate 1 made of lead-free soda-lime glass.例文帳に追加
撮像系210は、ベリリウム窓21を有し且つ鉛不含ソーダ石灰ガラスから成るキャピラリープレート1が設けられたチャンバ22の後段に、CMOSセンサアレイ3が収容されたチャンバ23がFOP2を介して接合されたものである。 - 特許庁
The CMOS image sensor includes a column processing circuit 17 for signal processing on the held read signal and a control section 18 for controlling a supply state of the read signal propagated to the signal line into the holding circuit section.例文帳に追加
CMOSイメージセンサは、ホールド後の読み出し信号に対して信号処理を行うカラム処理回路17と、信号線に伝搬された読み出し信号のホールド回路部への供給状態を制御する制御部18とを有する。 - 特許庁
A CMOS image sensor manufacturing method comprises a step for forming a first insulating film on the upside of a substrate and a step for removing a part of the first insulating film at the top of a photoactive area on the substrate and forming a concave on the first insulating film.例文帳に追加
基板上部に第1絶縁膜を形成する段階と、前記基板の光活性領域の上部の前記第1絶縁膜の一部分を除去して前記第1絶縁膜に凹部を形成する段階と、を有する。 - 特許庁
Consequently, only the one CMOS image sensor 85 is needed and then have no extra component, and also can exhibit both the advantage of the two-dimensional use (easier optical axis adjusting operation) and the advantage of the one-dimensional use (faster processing).例文帳に追加
従って、CMOSイメージセンサ85それ自体は1つで済むから部品増とならない上、二次元としてのメリット(光軸調整作業の容易化)、及び一次元としてのメリット(高速処理)の双方を共に発揮することが可能である。 - 特許庁
The picture signal read from the CMOS image sensor 10 is stored in a picture memory 24, and read by an eye position detecting part 26, and the area of eyes is detected, and position data POS are applied to a reading control part 22.例文帳に追加
CMOSイメージセンサ10から読み出された画像信号は、画像メモリ24に記憶された後、目位置検出部26によって読み出され、目の領域が検出されて位置データPOSが読出制御部22に与えられる。 - 特許庁
The electronic circuit manufacturing associated work machine is constituted, in that a component imaging apparatus 24 comprises a CMOS-type imaging sensor 104 and a reading out controlling portion 108, and that a location information acquisition apparatus 90 comprises an image area setting portion 92.例文帳に追加
電子回路製造関連作業機を、部品撮像装置24がCMOS型撮像センサ104および読出制御部108を備え、位置情報取得装置90が撮像範囲設定部92を備えるように構成する。 - 特許庁
The CMOS image sensor 11 has an image forming area 22, that generates a pixel signal corresponding to an image formed on a light receiving face and a control signal storage area 23 that is placed at the outside of the image forming area 22.例文帳に追加
CMOSイメージセンサ11は、受光面に結像された画像に対応した画素信号が発生する画像形成領域22と、画像形成領域の外側に配列された制御信号格納領域23とを有する。 - 特許庁
To attain synchronizing image pickup in daytime synchronizing operation and to improve an image quality in nighttime image pickup at the time of stroboscopic light emission in a camera system used for electronic image pickup and silver halide image pickup using a CMOS sensor.例文帳に追加
本発明は、CMOSセンサを用いた電子撮像及び銀塩撮像兼用カメラシステムにおいて、ストロボ発光の際、日中シンクロ動作では、同期撮像を可能とし、夜間撮像では、画質を向上させることを可能とする。 - 特許庁
A microcomputer 140 discriminates the presence/absence of vertical inversion or horizontal inversion in the CMOS image sensor 200 by its function and converts an address of the defective information in the defective information storage RAM 120 depending on the result of discrimination.例文帳に追加
マイクロコンピュータ140の機能により、CMOSイメージセンサ200における上下反転や左右反転の有無を判定し、この判定結果に応じて欠陥情報格納RAM120の欠陥情報のアドレス変換を行う。 - 特許庁
The imaging device having a black correction circuit capable of varying a clamping time constant by a CMOS sensor imaging element and an HD unit, controls the clamping time constant to be small when the high luminance object is detected.例文帳に追加
CMOSセンサ撮像素子及びHD単位でクランプ時定数を可変可能な黒補正回路を有した撮像装置において、高輝度被写体検出時にクランプ時定数を小さくする制御を行うことを特徴とした撮像装置。 - 特許庁
The camera controller 140 controls a shutter motor 46 when the position detection sensor 195 detects the first state of the shutter mechanism 191 before completing the readout of image data from the CMOS image sensor 110, so that a timing of the shutter mechanism 191 getting free of the closed state is delayed.例文帳に追加
カメラコントローラー140は、CMOSイメージセンサー110からの画像データの読み出しが完了する前にシャッタ機構191が第1状態であることが位置検出センサ195により検出されると、シャッタ機構191が閉状態を脱するタイミングが遅れるようにシャッタモータ46を制御する。 - 特許庁
In a CMOS image sensor composed by arranging a plurality of pixels having a waveguide structure, the waveguide structure is such that the center O of the waveguide 40 is shifted from a main light beam (optical axis R) passing through the center Q of the microlens 42 in a direction in which an area where the waveguide 40 and the area of a light receiving sensor part 32 overlap is increased.例文帳に追加
導波路構造を有する画素が複数配置されてなるCMOSイメージセンサにおいて、導波路40の中心Oがマイクロレンズ42の中心Qを通る主光線(光軸R)に対して導波路40と受光センサ部32の領域とが重なる面積が大きくなる方向にずれた導波路構造とする。 - 特許庁
In this image pickup device 11, a filter housing 34 (optical function filter member) forming nearly cup shape is installed around an image sensor 31 having an imaging device such as a CCD or a CMOS where a plurality of pixels are arranged, for instance, in an array state, and a lens 35 is arranged between the sensor 31 and the housing 34.例文帳に追加
撮像装置11は、複数の画素が例えばアレイ状に配置されたCCD、CMOS等の撮像素子を有するイメージセンサ31の周囲に、略カップ状を成すフィルター筐体34(光学的機能フィルター部材)が設置され、これらのイメージセンサ31とフィルター筐体34との間にレンズ35が配置されたものである。 - 特許庁
To solve a problem that it is difficult to perform optical communication in a period in which exposure is not performed in none of lines because not only exposure start timing but also exposure finish timing are difference in each line in light control using preliminary light emission in a digital camera including a CMOS sensor as an image sensor when controlling an external stroboscope through the optical communication.例文帳に追加
光通信により外部ストロボ制御を行う場合、イメージセンサとしてCMOSセンサを備えるデジタルカメラでは、プリ発光調光時、ライン毎に露光開始タイミングも露光終了タイミングも異なるため、全ラインとも露光を行っていない期間で光通信を行うことが困難である。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of preventing the circuit surface of a semiconductor chip from being contaminated by an adhesive layer and improving the adhesion force between a semiconductor chip and a glass substrate via the adhesive layer in the manufacture of the semiconductor device for mounting an image sensor, such as a CMOS sensor.例文帳に追加
CMOSセンサ等のイメージセンサを搭載する半導体装置の製造において、接着層による半導体チップの回路面の汚染を防止することが可能であると共に、接着層を介しての半導体チップとガラス基板との接着力を向上させることが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁
A part of a luminous flux directing to the CMOS light-receiving sensor 106 where an object image formed by the imaging optical system 102 is accepted is divided by the beam splitter 103, and the focus is detected by the focus detecting sensor 112, on the basis of the luminous flux split by the beam splitter 103.例文帳に追加
ビームスプリッタ103により、撮影光学系102で形成された被写体像が結像されるCMOS受光センサ106へ向かう光束の一部を偏光方向によって分割し、焦点検出用センサ112により、ビームスプリッタ103で分割された光束を基に焦点検出を行う。 - 特許庁
An important aspect of the invention relates to the fact that the control circuit can be rather easily and efficiently configured in CMOS with relatively few output pins which enable the control circuit to be rather easily and efficiently integrated with CMOS based on the image array sensor and even the microcontroller to reduce the part count and thus, the overall cost of the system.例文帳に追加
本発明の重要な特性は、制御回路が比較的少数の出力ピンを有するCMOSにかなり容易且つ有効に構成されることができ、マイクロコントローラと同様に画像アレイセンサに基いて制御回路にCMOSをかなり容易且つ有効に集積させ、部品数を減少させ、したがって、システムの全体コストを減少させるという事実に関連している。 - 特許庁
To solve a problem that when a fast-moving internal organ or the like is captured by a conventional capsule type endoscope device capturing an image using a rolling shutter type CMOS sensor, the capturing times of the captured image are different according to respective lines and the captured image is distorted.例文帳に追加
ローリングシャッタ型CMOSセンサを用いて撮影する従来のカプセル型内視鏡装置では、撮影した画像は各行で撮影時刻が異なるために、体内で動きの速い臓器等を撮影した場合、画像の歪が生じてしまう。 - 特許庁
Further, the image reading apparatus 3 has a housing 4, in the inside of which a CMOS image sensor 15 for imaging the electronic component 2 and a phosphorescence glass plate 18 for producing phosphorescence B when receiving the emission light from the light sources 9 are located.例文帳に追加
また、画像読取装置3は筐体4を有し、この筐体4の内部には、電子部品2を撮像するCMOSイメージセンサ15と、光源9からの照射光を受けたときに燐光Bを発する燐光ガラス18とを有している。 - 特許庁
An XY address type solid-state image pickup element such as a CMOS image sensor is used, and only one predetermined light receiving element among a plurality of light receiving elements arranged like a matrix in the solid-state image pickup element is made to output a light reception signal.例文帳に追加
CMOSイメージセンサなどのXYアドレス型の固体撮像素子を用い、その固体撮像素子において行列状に配置されている複数の受光素子のうち、所定の一の受光素子のみが受光信号を出力するようにしておく。 - 特許庁
To properly multiply a signal charge caused by feeble incident light in a pixel even in a low drive voltage which is equal to a power voltage used for a usual CMOS image sensor, and to obtain a superior S/N ratio compared to that in a conventional device.例文帳に追加
通常のCMOSイメージセンサに用いられる電源電圧と同等程度の低い駆動電圧でも、画素において微弱な入射光により発生する信号電荷を好適に増倍し、従来に比べて優れたS/Nを実現すること。 - 特許庁
In the photographing system 210, a chamber 23 having a CMOS sensor array is jointed through an FOP2 to the rear stage of a chamber 22 which has a beryllium aperture 21 and is provided with a porous plate 1 having a numerous number of hollow filaments 13 provided side by side.例文帳に追加
撮像系210は、ベリリウム窓21を有し且つ中空糸13が多数併設された多孔プレート1が設けられたチャンバ22の後段に、CMOSセンサアレイ3が収容されたチャンバ23がFOP2を介して接合されたものである。 - 特許庁
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