「CRUCIBLE」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

GRAPHITE CRUCIBLE WITH RID AND APPARATUS FOR GROWING SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL例文帳に追加

蓋付き黒鉛坩堝及び炭化珪素単結晶成長装置 - 特許庁

PREPARATION OF INORGANIC MATRIX WITH LOW TEMPERATURE CRUCIBLE TYPE INDUCTION MELTING例文帳に追加

低温るつぼ形誘導溶融による無機マトリックスの調製 - 特許庁

CRUCIBLE FOR SINGLE CRYSTAL PULLING APPARATUS, AND SINGLE CRYSTAL PULLING APPARATUS例文帳に追加

単結晶引上装置用坩堝及び単結晶引上装置 - 特許庁

VAPOR DEPOSITION CRUCIBLE HAVING MEANS FOR SUPPLYING VAPOR DEPOSITION MATERIAL例文帳に追加

蒸着材料供給手段を備えた蒸着用坩堝 - 特許庁

The quartz crucible 1 is constructed so that its upper edge 1a may become higher than the upper edge 2a of a C/C crucible 2 and an upper ring 3 is arranged on the upper edge 2a of the C/C crucible 2 so that the outer periphery near the upper edge of the quartz crucible 1 may not be exposed.例文帳に追加

石英ルツボ１は上端１ａがＣ／Ｃルツボ２の上端２ａより高くなるように構成され、また、石英ルツボ１の上端近傍の外周部が露出しないようにＣ／Ｃルツボ２の上端には上部リング３が配置されている。 - 特許庁

When the semiconductor single crystal 3 is pulled, the crucible 12 is driven upward by a crucible lifting mechanism 40 and the heat insulating plate 20 driven downward in contrast to the raising of the crucible 12 is arranged at the lower part of the crucible 12 in the growing furnace main body 1.例文帳に追加

そして、半導体単結晶３の引上げ時においてルツボ１２がルツボ昇降機構４０により上昇駆動され、育成炉本体１内においてルツボ１２の下方に、ルツボ１２の上昇と反対に下降駆動される断熱板２０が配置される。 - 特許庁

The supply crucible 4 and the delivery crucible 1 are pressurized with N2-8%H2 mixture reducing gas atmosphere from a linked pressure unit 11 to push out a specified quantity of molten to the bottom part of the delivery crucible 1 through an orifice 5.例文帳に追加

供給ルツボ４と出湯ルツボ／加圧装置１１連係されたＮ_２−８％Ｈ_２混合還元性ガス雰囲気で加圧し、出湯ルツボ１の底部にオリフィス５を通して一定量の溶湯を押し出す。 - 特許庁

To provide a quartz glass crucible and a crucible structure which control fall into a radial direction inside of a crucible upper part, and generating of buckling distortion of a straight body part, and can improve adhesion with a susceptor.例文帳に追加

ルツボ上部の径方向内側への倒れ込み、及び直胴部の座屈変形の発生を抑制し、サセプタとの密着性を向上することのできる石英ガラスルツボ及びルツボ構造を提供する。 - 特許庁

To provide a fresh crucible furnace to have comparatively simple structure suited for a batch type crucible furnace, improve the working efficiency of the crucible, and further, be effectively to saving of energy and improvement of work environment.例文帳に追加

バッチ式坩堝炉に適した比較的簡易な構造であって、坩堝炉の作業効率を向上でき、更に、省エネルギー・作業環境の改善等に有効な新規な坩堝炉を提供する。 - 特許庁

A graphite crucible 3 packed with Si crystal lumps 2 is closed with a cap 4 and after the crucible is covered with graphite felt 7, the crucible is placed on a graphite supporting rod 6 and is installed within a double pipe quartz tube 5.例文帳に追加

Ｓｉ結晶塊２を充填した黒鉛製柑橘３を、蓋４で閉じ、黒鉛製フェルト７で被覆した後、黒鉛製支持棒６の上に乗せ、二重石英管５の内部に設地した。 - 特許庁

To provide a silicon melting crucible extremely little in the dissolving quantity of impurity to a silicon melt and excellent in the releasing property of the crucible and silicon crystal obtained by solidifying the silicon melt in the crucible.例文帳に追加

シリコン融液への不純物溶解量が極めて少なく、しかもシリコン融液をルツボ内で固化させて得られるシリコン結晶との離型性に優れたシリコン溶融ルツボを提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a silica glass crucible, which controls a melt state in manufacture of a silica glass crucible to prevent brown ring generation on the crucible inner surface in manufacture of a silicon single crystal and suppress bath level vibration.例文帳に追加

シリカガラスルツボ製造時の熔融状態を制御して、シリコン単結晶製造時のルツボ内表面のブラウンリング発生を防止し、湯面振動を抑制するシリカガラスルツボの製造方法を提供する。 - 特許庁

Further, the coefficient of thermal expansion of graphite constituting the lower part of the crucible is set to be 4.1×10^-6 K^-1, and the coefficient of thermal expansion of graphite constituting the upper part of the crucible is set to be lower than that of the graphite constituting the lower part of the crucible.例文帳に追加

また、坩堝下部を構成する黒鉛の熱膨張係数は４．１×１０^-6 Ｋ^-1とし、坩堝上部を構成する黒鉛はこれより小さな熱膨張係数を有する材質ととした。 - 特許庁

A closure 3 for a crucible to be mounted on an opening portion 2 of a silica glass crucible 1 includes a peripheral edge mounting portion 4 to be closely adhered to an inner peripheral 2a end of the opening portion 2, and the closure 3 is mounted on the crucible 1.例文帳に追加

石英ガラスルツボ１の開口部２に装着する栓３であって、開口部２の内周端２ａに密着する周縁取付け部４を有する栓３を、ルツボ１に装着する。 - 特許庁

At this time, the position of the crucible or the side face heater 5 is adjusted so that the receiving heat quantity of the curved part on the lower side of the crucible side face 4a becomes larger than that at the initial relative position between the crucible and the side face hater 5.例文帳に追加

この際ルツボと側面ヒータ５の初期相対位置よりもルツボ側面４ａ下側湾曲部の被熱量が大きくなるように、ルツボ又は側面ヒータ５の位置を調整する。 - 特許庁

The device for producing a single crystal includes a conductive crucible 10 and a conductive core pipe 11 disposed close to the outer circumference of the crucible 10 and covering a side and an upper part of the crucible 10.例文帳に追加

単結晶の製造装置は、導電性の坩堝１０と、坩堝１０の外周に近接して配設され、当該坩堝１０の側方および上方を覆う導電性の炉芯管１１を備える。 - 特許庁

To provide a crucible capping wherein when a compound semiconductor single crystal is grown by a vertical boat method, the solidified crystal is easily separated from the crucible, and the crucible itself can be reutilized.例文帳に追加

本発明は縦型ボート法により化合物半導体単結晶を成長させた際に、固化した結晶とルツボとの分離が容易で、ルツボ本体は再利用することが可能なルツボキャップを提供する。 - 特許庁

To provide a quartz crucible conveying tool with which polycrystalline silicon as a raw material can be easily and quickly exchanged, to provide a quartz crucible conveying apparatus, and to provide a quartz crucible conveying method.例文帳に追加

原料となる多結晶シリコンを容易にかつ素早く交換することが可能な石英ルツボ搬送用治具および石英ルツボ搬送装置並びに石英ルツボの搬送方法を提供する。 - 特許庁

The method for casting the Mg molding comprises the step of first heating the crucible 55 by using an external heating means.例文帳に追加

先ず、るつぼ５５を外部加熱手段を用いて加熱する。 - 特許庁

Melt 13 is stored in a crucible 14 provided in a chamber 12 and a heated for heating the melt is installed so as to surround the outer peripheral surface of the crucible 14.例文帳に追加

チャンバ１２内のるつぼ１４に融液１３が貯留され、融液を加熱するヒータがるつぼの外周面を包囲する。 - 特許庁

To provide an apparatus for manufacturing a silica crucible comprising a carbon mold suitable for forming a sintered layer on an outer wall portion of the crucible.例文帳に追加

ルツボの外周部分を焼結層で構成するのに適するカーボン製モールドを有する石英ルツボの製造装置を提供する。 - 特許庁

METHOD FOR PREDICTING LIFE OF CRUCIBLE, DEVICE THEREFOR AND VAPOR DEPOSITION FACILITY例文帳に追加

坩堝の寿命予測方法および装置ならびに蒸着設備 - 特許庁

Preferably, the absolute rotating speeds of the crystal and the crucible satisfy the relation: |rotating speed of the crystal (rpm)|<|rotating speed of the crucible (rpm)|.例文帳に追加

さらに好ましくは結晶とルツボとの絶対回転数を｜結晶回転数（ｒｐｍ ）｜＜｜ルツボ回転数（ｒｐｍ ）｜の関係に定める。 - 特許庁

In this manner, the quartz glass crucible is automatically taken out from the mold.例文帳に追加

こうして、モールドから石英ガラスルツボが自動的に取り出される。 - 特許庁

When a vapor-depositing material is plugged in the opening of the crucible, the actuator moves a crucible down into the inner part of the evaporation source, and encloses it therein.例文帳に追加

坩堝の開口部で蒸着材料の詰まりが生じた場合、坩堝を下方へ移動させて蒸着源の内部に閉じこめる。 - 特許庁

Melt 13 is stored in a crucible 14 provided in a chamber 12 and a heater for heating the melt is installed so as to surround the outer peripheral surface of the crucible 14.例文帳に追加

チャンバ１２内のるつぼ１４に融液１３が貯留され、この融液を加熱するヒータがるつぼの外周面を包囲する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a quartz crucible, in which the yield of a silicon single crystal is improved and the deformation of the quartz crucible is suppressed.例文帳に追加

石英ルツボの製造方法であって、シリコン単結晶の単結晶歩留まりを向上させ、かつ石英ルツボの変形を抑える。 - 特許庁

To provide a silica glass crucible which hardly deforms even when it is used for pulling a large diameter single crystal without increasing the thickness of a constant diameter part of the crucible.例文帳に追加

直胴部の厚さを増加させることなく、大口径の単結晶を引き上げても変形が少ないシリカガラスルツボを提供する。 - 特許庁

To provide a quartz crucible for pulling a silicon single crystal, which is free from the deterioration at the inner surface of the crucible even when it is used for a long period of time.例文帳に追加

シリコン単結晶引き上げ用の、とくに長時間使用中の内表面劣化を抑制した石英るつぼの提供。 - 特許庁

PROCESS FOR STRENGTHENING QUARTZ GLASS MEMBER AND STRENGTHENING-TREATED QUARTZ GLASS CRUCIBLE例文帳に追加

石英ガラス部材の強化方法と強化処理した石英ガラスルツボ - 特許庁

Before a silicon raw material for crystal 13 is charged in a quartz crucible 5, a reinforcing member 15 is placed on the bottom part inside the quartz crucible 5.例文帳に追加

石英ルツボ５内に結晶用シリコン原料１３を充填する前に、石英ルツボ５の内底部に補強部材１５を載置する。 - 特許庁

TAPPING ELECTROMAGNETIC NOZZLE DEVICE FOR COLD CRUCIBLE MELTING FURNACE AND TAPPING METHOD例文帳に追加

コールドクルーシブル溶解炉の出湯用電磁ノズル装置及び出湯方法 - 特許庁

CRUCIBLE FOR PRODUCING INORGANIC PARTICLE, AND METHOD OF PRODUCING INORGANIC PARTICLE例文帳に追加

無機物粒子作製用坩堝および無機物粒子の作製方法 - 特許庁

CRUCIBLE FOR PULLING SEMICONDUCTOR SILICON SINGLE CRYSTAL AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR SILICON SINGLE CRYSTAL例文帳に追加

半導体シリコン単結晶引上げ用ルツボおよび製造方法 - 特許庁

GRAPHITE CRUCIBLE FOR SINGLE CRYSTAL PULLING DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

単結晶引上げ装置用黒鉛ルツボ及びその製造方法 - 特許庁

Beforehand, the revolution number of the crucible which causes the rapid increasing phenomenon of the crystal diameter is obtained corresponding to the variation of a melt quantity in the crucible.例文帳に追加

予め、結晶径の急増現象が発生する坩堝回転数を、坩堝内の融液量の変化に対応させて求める。 - 特許庁

SILICA GLASS CRUCIBLE WITH BUBBLE-FREE AND REDUCED BUBBLE GROWTH WALL例文帳に追加

無気泡及び減少した気泡成長壁を備えたシリカガラスるつぼ - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR RECOVERING QUARTZ CRUCIBLE AND POLYCRYSTALLINE SILICON例文帳に追加

石英ルツボ及び多結晶シリコンの回収方法およびその装置 - 特許庁

SURFACE MODIFIED FUSED QUARTZ CRUCIBLE AND METHOD OF MODIFYING SURFACE OF THE SAME例文帳に追加

表面改質石英ガラスルツボとその表面改質方法 - 特許庁

The material of the upper ring 3 is made of the same one of the C/C crucible 2 so that its thermal conductivity may become lower than that of the C/C crucible.例文帳に追加

上部リング３の材料は、熱伝導率がＣ／Ｃルツボ２のそれ以下になるように同じ材料で構成されている。 - 特許庁

DEVICE FOR SUPPORTING CRUCIBLE, DEVICE FOR FILLING RAW MATERIAL AND FILLING METHOD例文帳に追加

ルツボ支持装置および原料充填装置並びに充填方法 - 特許庁

VITREOUS SILICA CRUCIBLE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON INGOT例文帳に追加

シリカガラスルツボ及びその製造方法、シリコンインゴットの製造方法 - 特許庁

QUARTZ GLASS CRUCIBLE FOR PULLING SILICON SINGLE CRYSTAL AND METHOD FOR PULLING SILICON SINGLE CRYSTAL例文帳に追加

シリコン単結晶引上用石英ガラスルツボとその引上方法 - 特許庁

METHOD FOR PREVENTING CORROSION OF FORCED COOLING TYPE INDUCTION-HEATING CRUCIBLE MADE FROM COPPER例文帳に追加

銅製強制冷却型誘導加熱坩堝の防食方法 - 特許庁

COVER ASSEMBLY FOR CRUCIBLE USED FOR EVAPORATION OF RAW MATERIAL例文帳に追加

原材料の蒸発のために使用されるるつぼのためのカバーアセンブリ - 特許庁