「CRUCIBLE」に関連した英語例文の一覧と使い方(49ページ目) - Weblio英語例文検索

In the apparatus for manufacturing the compound semiconductor single crystal by pulling the single crystal from a GaAs melt 6 in a PBN crucible 7 arranged in a pressure-resistant container 9 with a pulling shaft 1, the structure capable of efficiently cooling the upper part of the furnace is formed by attaching a graphite umbrella 10 to the pulling shaft 1, so as to shield radiation from the GaAs melt 6.例文帳に追加

耐圧容器９内に配置したＰＢＮルツボ７内のＧａＡｓ融液６から、引上軸１により単結晶を引き上げる化合物半導体単結晶の製造装置において、上記引上軸１にグラファイト製傘１０を取り付け、ＧａＡｓ融液６からの輻射を遮断し、炉体上部を効率よく冷やす構造とする。 - 特許庁

The production method employs a crystal production apparatus provided with a fluid circulation path for changing temperature near a seed crystal to define temperature control in the vicinity of the seed crystal, and a temperature sensor for observation is provided on the periphery of the fluid circulation path in a crucible descending method, where the length of the seed crystal is elongated, or the joint part between the seed crystal and a crystallization part is processed.例文帳に追加

坩堝降下法において、種結晶近傍の温度制御を規定するために、種結晶近傍の温度を変化させるための流体循環路を設け、その周辺に観測用の温度センサーを設置した結晶製造装置を用い、種結晶の長さを長くし、又は種結晶と結晶部の接続部を加工する構成とした。 - 特許庁

A silicon single crystal is manufactured by a CZ method under the conditions that the rotation speed of the crucible is controlled to ≤4 min^-1 and that the single crystal is pulled while an inert gas introduced into a growing apparatus to pass over the silicon melt surface is blown to the melt surface to produce a rotating flow along the surface of the single crystal.例文帳に追加

（１）ＣＺ法によるシリコン単結晶の製造において、るつぼの回転速度を４ｍｉｎ^-1以下とし、かつ育成装置内に導入しシリコン融液表面を通過する不活性ガスが単結晶の表面に沿った旋回流となるよう融液表面に吹きつけつつ引き上げることを特徴とするシリコン単結晶の製造方法である。 - 特許庁

The crucible 40 for vapor deposition, which heats the vapor deposition material and effuses a vapor flow, comprises: a heating vessel 41 for charging the vapor deposition material therein; a vapor flow exhaust nozzle 43a for spouting the vapor flow; and a cylindrical guide member 42 which surrounds an effusion course of the vapor flow and is opened toward a direction of effusing the vapor flow.例文帳に追加

蒸着材料を加熱して蒸気流を放出する蒸着用坩堝４０は、蒸着材料が装填される加熱容器４１と、蒸気流を噴出する蒸気流噴出口４３ａと、蒸気流の放出経路を囲むとともに蒸気流の放出方向に向けて開口する筒状ガイド部材４２とを備えている。 - 特許庁

In the coating agent for the inside wall of the crucible used for the solid cathode treatment in the reprocessing of metal fuel, which contains stabilized zirconia beads and impalpable powder of stabilized zirconia as main constituents; an organic binder is used as a binder, the stabilized zirconia beads have insinterable particle diameters and the impalpable powder of the stabilized zirconia has sinterable particle diameter.例文帳に追加

金属燃料再処理の固体陰極処理に使用されるるつぼ内壁用のコーティング剤であって、安定化ジルコニアビーズと安定化ジルコニア微粉末とを主成分として含み、バインダとして有機物バインダが使用され、安定化ジルコニアビーズは焼結不能な粒径を有するものであり、安定化ジルコニア微粉末は焼結可能な粒径を有するものとした。 - 特許庁

The crucible 20 used for pulling a sapphire ingot and accommodating an alumina melt serving as a raw material includes a bottom part 21 having a circular shape and a cylindrical wall part 22 rising from the periphery of the bottom part 21, wherein the bottom part thickness Tb being the thickness of the bottom part 21 is made thicker than the wall part thickness Tw being the thickness of the wall part 22.例文帳に追加

サファイアインゴットの引き上げに用いられ、その原料となるアルミナ融液を収容するるつぼ２０は、円形状を有する底部２１と底部２１の周縁から立ち上がる円筒状の壁部２２とを備えており、底部２１の厚さである底部厚さＴｂが、壁部２２の厚さである壁部厚さＴｗよりも厚くなるように構成される。 - 特許庁

To provide a method which can remove impurity elements at least containing carbon and Ca from an alloy in an oxidizing refining technique utilizing a cold crucible type induction melting process, and to provide a method which can develop the oxidizing refining technique to a refining technique of the practical scale being ≥10 kg in product ingot weight, for example.例文帳に追加

コールドクルーシブル式誘導溶解法を利用した酸化精錬技術において、少なくとも炭素およびＣａを含む不純物元素を合金中から除去できる方法を明示すること、および、この酸化精錬技術を、製品鋳塊重量が例えば１０ｋｇ以上となる実用規模の精錬技術にまで発展させるための方法を明示すること。 - 特許庁

The method for producing a red phosphor includes a firing step of charging a refractory crucible with a phosphor raw mixture containing an alkaline earth metal carbonate, silicon nitride, aluminum nitride and europium oxide, firing the mixture at 1,400 to 2,000°C in a N_2-containing gas atmosphere, and pulverizing the fired material to obtain a red phosphor powder.例文帳に追加

本発明に係る赤色蛍光体の製造方法は、アルカリ土類金属炭酸塩と窒化珪素と窒化アルミニウムと酸化ユーロピウムとを含む蛍光体原料混合物を耐火るつぼに充填し、Ｎ_２含有ガス雰囲気下、１４００℃〜２０００℃で焼成し、焼成体を解砕して赤色蛍光体粉末を得る焼成工程を有する。 - 特許庁

In a method for producing the highly doped silicon single crystal by pulling the single crystal from a molten material which contains dopant and is held in a rotating crucible, growth fluctuations during the pulling of the single crystal are limited to an amount of -0.3 to 0.3 mm/min.例文帳に追加

回転する坩堝内に存在する、ドーパントを含有する溶融液から単結晶を引き上げることにより、高濃度にドーピングされたシリコン単結晶を製造する方法において、単結晶引上時の成長変動が−０．３ｍｍ／ｍｉｎ〜０．３ｍｍ／ｍｉｎとなるように制限することを特徴とする、高濃度にドーピングされたシリコン単結晶の製造方法。 - 特許庁

The evaporation crucible includes: an electrically conductive chamber tube 120 having a wall such that an enclosure is formed and a tube axis; a first electrical connection 162; a second electrical connection 182; at least one feeding opening 134; and at least one distributor orifice 170 of the chamber tube, wherein the enclosure includes a melting-evaporation area.例文帳に追加

気化るつぼは、囲いを形成するための壁を有する電気伝導性で管軸を具備したチャンバ管１２０と、第１電気接続部１６２、１８２と、第２電気接続部と、少なくとも１個の供給開口１３４と、上記チャンバ管の少なくとも１個のディストリビュータ口１７０とを備えており、上記囲いは溶解／気化範囲を含んでいる。 - 特許庁

The invented silica glass crucible includes: an inner layer comprising silica whose OH group is 0.1 ppm or more and 30 ppm or less: an intermediate layer formed outside the inner layer, comprising silica whose OH group is 200 ppm or more and 500 ppm or less: and an outer layer formed outside the intermediate layer, comprising silica glass or inorganic material.例文帳に追加

本発明に係るシリカガラスルツボは、ＯＨ基が０．１ｐｐｍ以上３０ｐｐｍ以下のシリカからなる内層と、前記内層の外側に形成されＯＨ基が２００ｐｐｍ以上５００ｐｐｍ以下のシリカからなる中間層と、前記中間層の外側に形成されシリカガラスまたは無機材料からなる外層と、から構成されている。 - 特許庁

This dentifrice 1 containing an ionized salt formulated therein is produced by charging sodium chloride into a negatively ionized quartz crucible for a prescribed time and baking the sodium chloride in a place where ionic rods in which a negatively ionized granular or powdery Si or SiOx (0<x≤2) is sealed in each glass tube are embedded in the ground for a prescribed time and formulating the resultant ionized salt.例文帳に追加

塩化ナトリウムを、マイナスイオン化された石英坩堝５に所定時間投入し、ガラス管に、マイナスイオン化された粒状又は粉末状のＳｉ又はＳｉＯｘ（０＜ｘ≦２）が封入されたイオン棒９を地中に埋設した場所で、所定時間焼成し、これを配合してイオン化塩配合歯磨き剤１を製造した。 - 特許庁

This manufacturing method of a fluoride single crystal has a melt process in which a fluoride filled in a crucible is heated in a vacuum furnace to make a fluoride melt, a carbon monoxide removing process in which carbon monoxide is removed from the fluoride melt, and a crystallization process in which the fluoride melt after carbon monoxide removing process is cooled and crystallized.例文帳に追加

ルツボに充填したフッ化物を真空炉内で加熱してフッ化物融液とする融解工程と、フッ化物融液から一酸化炭素(ＣＯ)を除去する一酸化炭素除去工程と、一酸化炭素除去工程を経たフッ化物融液を冷却して結晶化する結晶化工程と、を有する製造方法によりフッ化物単結晶を製造する。 - 特許庁

In the epitaxial growth of the semiconductor layer on the surface of a semiconductor wafer W, after a molten semiconductor material M produced inside a crucible 2 is fed onto the semiconductor wafer W, a heater 3 for temperature difference formation separated above a treatment vessel 1 is moved down and contacted to the upper surface of the molten semiconductor material M.例文帳に追加

半導体基板Ｗの表面に半導体層をエピタキシャル成長させる際には、るつぼ２内で作製された溶融半導体材料Ｍが半導体ウエハＷ上に供給された後、処理容器１の上方に離間していた温度差形成用ヒータ３が下降されて、溶融半導体材料Ｍの上面に接触させられる。 - 特許庁

The method for producing the crystalline silicon particles 101 comprises producing crystalline silicon particles 101 each having a protruded part 105 where impurities are segregated by discharging a silicon melt in the form of droplet from a nozzle part of a crucible and cooling the silicon melt in the form of droplet to solidify, and removing the protruded parts 105 of the crystalline silicon particles 101 by polishing.例文帳に追加

結晶シリコン粒子１０１の製造方法は、坩堝のノズル部からシリコン融液を粒状に排出し、この粒状のシリコン融液を冷却して凝固させることによって、不純物が偏析した突起部１０５を有する結晶シリコン粒子１０１を製造し、次に結晶シリコン粒子１０１の突起部１０５を研磨加工によって除去する。 - 特許庁

To provide a method by which in a process for producing a silver ingot by heating and melting chlorine-containing silver powder in a crucible made of graphite, deoxidizing the obtained molten silver then casting the deoxidized molten silver into a mold, the generation of white smoke caused by the volatilization of silver chloride is prevented to improve a working environment, and further, a silver ingot having a low chlorine content is produced.例文帳に追加

塩素を含む銀粉を黒鉛製坩堝中で加熱熔融し、得られた熔融銀を脱酸素処理に付し、その後、鋳型に鋳造する銀インゴットの製造工程において、塩化銀の揮発による白煙の発生を防止し作業環境を向上するとともに、塩素含有量が低い銀インゴットを製造する方法を提供する。 - 特許庁

The apparatus 1 for producing the amorphous alloy foil strip S includes a cooling roll provided with a pair of cooling zones 13a and 13b via a forbidden zone 18, a drive means 11 for rotating the cooling roll, and a crucible 14 for alternately supplying molten alloy A to the outer circumferential surface of the cooling zones 13a, 13b.例文帳に追加

非晶質合金箔帯Ｓの製造装置１において、禁制帯１８を介して一対の冷却帯１３ａおよび１３ｂを備えた冷却ロールと、この冷却ロールを回転させる駆動手段１１と、冷却帯１３ａ、１３ｂの外周面に対して交互に合金溶湯Ａを供給するための坩堝１４と、を設ける。 - 特許庁

When growing silicon single crystal by the Czochralski method, the manufacturing method comprises mounting a heat shielding member that is composed of graphite and a heat insulating material into the chamber, and heating the inside of the chamber in a state where a graphite susceptor is removed, then carrying out a single crystal-pulling operation by charging the graphite susceptor and a quartz crucible filled with polycrystal silicon into the chamber.例文帳に追加

チョクラルスキー法によってシリコン単結晶を育成する際、チャンバに黒鉛及び断熱材からなる熱遮蔽部材を取り付け、かつ黒鉛質サセプタを取り除いた状態でチャンバ内を加熱し、その後に黒鉛質サセプタ及び多結晶シリコン充填石英るつぼをチャンバ内に装填して単結晶引上げ操作を行う。 - 特許庁

To solve the problem of occurrence of cracks in an ingot in manufacture of a polycrystalline silicon ingot obtained by direct solidification in a crucible and to easily manufacture a normal polycrystalline silicon ingot is prevented from cracking and crazing resulting from that internal stress is relieved after manufacture and having an outside diameter of ≥120 mm and a specific resistance of <1 mΩcm.例文帳に追加

ルツボで直接凝固させて得る多結晶シリコンインゴットの製造に際して、インゴットにクラックが発生する問題を解消し、また、内部応力が製造後に解放されて割れやひびなどを発生することがない、外径が１２０ｍｍ以上で比抵抗値が１ｍΩ・ｃｍ未満の健全な多結晶シリコンインゴットを容易に製造可能にする。 - 特許庁

The method for producing the large lithium niobate single crystal for optical applications comprises producing it in the atmosphere in which the temperature gradient from the top surface of the melt of the crystal raw material filled in the precious metal crucible to 10 mm above the top surface is 35°C/cm or less, using the apparatus for producing the single crystal.例文帳に追加

また、本発明に係る光学用大型ニオブ酸リチウム単結晶の製造方法は、本発明に係る該単結晶の製造装置を用い、前記貴金属製ルツボに満たされたニオブ酸リチウム結晶原料の融液の液面から上方向に１０ｍｍまでの温度勾配を３５℃／ｃｍ以下とした雰囲気下において製造することを特徴とする。 - 特許庁

Heating of the raw material (a) housed in the crucible 11 and heating for cracking the gaseous molecules generated by evaporation or sublimation of the raw material (a) to a monomolecular form are performed by a common heating member 12, by which the equipment is simplified and the molecules generated by the evaporation or sublimation of the raw material (a) are immediately cracked and released.例文帳に追加

るつぼ１１に収納された原料ａの加熱と、原料ａの蒸発または昇華により発生した気体分子を単分子状にクラッキングするため加熱とを共通の加熱部材１２により行い、装置の簡易化を図ると共に、原料ａの蒸発または昇華により発生する分子を直ちにクラッキングして放出する。 - 特許庁

To provide a production apparatus and production method for uniformizing the temperature distribution in a horizontal direction of a molten raw material in a square crucible or the like in a production method of a plate-like crystal, comprising dipping a substrate into a raw material melt controlled to a low temperature close to the solidification point and growing a thin plate-like crystal on the substrate.例文帳に追加

凝固点近傍の低い温度に制御した原料融液に基板を浸漬し、基板上に薄板状の結晶を成長させる板状結晶の製造方法において、角型ルツボなどにおける溶融原料の水平方向における温度分布を均一化するための製造方法及び製造装置を提供する。 - 特許庁

To provide a single crystal pulling device equipped with a temperature sensor capable of stably and accurately measuring the temperature of the surface of a melt while suppressing the effects of radiation heat from a single crystal and the wall of a crucible and to provide a single crystal pulling method by which the distance between a radiation screen and the surface of the melt is always controlled to be a constant value.例文帳に追加

単結晶や坩堝壁からの輻射熱の影響をできるだけ小さくし、融液表面温度を安定的に、正確に測定し得る温度センサーを備えた単結晶引き上げ装置の提供と、輻射スクリーンと融液表面との間隔を常に一定値に制御可能な単結晶引き上げ方法の提供にある。 - 特許庁

A crystal raw material consisting of a composition containing a terminal component more than a stoichiometrical composition represented by chemical formula XB_2 (wherein X contains at least one kind selected from Zr, Hf, Ti, W, Mo, and Cr) is heat-melted in a sealed crucible made of a weldable metal having a melting point of ≥2,000°C, and cooled to be crystallized and grown.例文帳に追加

融点が２０００℃以上の溶接可能な金属製の密閉坩堝の中で化学式ＸＢ_２（但し、ＸはＺｒ、Ｈｆ、Ｔｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒの少なくとも一種を含む）で表わされる化学量論組成よりも端成分に富む組成からなる結晶原料を加熱融解し冷却することによって結晶化して育成する。 - 特許庁

The metal 8 in the vessel (crucible) 4 is melted with a high-frequency induction heating means 10, 13, 16, and a signal d showing the melting state of the metal and a standard signal f pre-set, are compared with a comparator 40, and when the above output signal exceeds the standard signal, a low-frequency amplitude modulation high-frequency induction heating is started.例文帳に追加

容器（坩堝）４中の金属８を高周波誘導加熱手段１０、１３、１６によって融解し、金属の融解状況を表わす信号ｄと予め設定された基準信号ｆとを比較器４０で比較し、前記出力信号が基準信号を超過したときに低周波振幅変調高周波誘導加熱を開始させる。 - 特許庁

According to the casting method for polycrystalline silicon, in addition to preventing rapid cooling of the ingot surface at the time of solidifying the molten silicon and producing the ingot, the stirring of the molten silicon inside the crucible is suppressed to thereby promote the growth of large diameter crystals, with the result that the conversion efficiency of the cast polycrystalline silicon used as solar cells is increased.例文帳に追加

本発明の多結晶シリコンの鋳造方法によれば、溶融シリコンを凝固させインゴットを製造する際に、インゴット表面の急冷を防止するとともに、ルツボ内の溶融シリコンの撹拌を抑制して、粒径の大きな結晶の成長を促進することにより、鋳造される多結晶シリコンの太陽電池としての変換効率を高めることができる。 - 特許庁

In the method, mixing of CO into a sealant melt is accelerated by supplying CO gas into a high pressure pulling furnace 11, then rotating an accommodated liquid raw material and a liquid sealant by rotating a crucible 12 and agitating the sealant melt by an agitation tool 21 before pulling the GaAs single crystal after a crystal raw material has been melted.例文帳に追加

結晶原料が融解した後、ＧａＡｓ単結晶を引き上げる前に、高圧引上げ炉１１内にＣ０ガスを供給し、るつぼ１２を回転することにより収容された液体原料と液体封止剤とを回転させ、攪拌治具２１によって封止剤融液を攪拌することにより、封止剤融液に対するＣＯの混入を促進する。 - 特許庁

Solar light is reflected by a concave of the parabola type condenser 1, it is condensed at the focal point, it is guided to the rear side of the condenser 1 through the hole opened in the bottom top part of the condenser 1, the heat resistant crucible 5 holding a melting reception object is installed in a place in the course, and the melting reception object is melted by solar heat.例文帳に追加

太陽光をパラボラ型集光器１の凹面で反射させ、焦点に集光し、焦点近傍に設けた副鏡２で反射させ、集光器１の底頂部にあけた穴を通して集光器の裏側に導き、その進路にあたる所に被溶融物を入れた耐熱ルツボ５を設置し、太陽熱により被溶融物を加熱溶融させる。 - 特許庁

To easily adjust an electron beam spot substantially at a center of a surface of a material to be irradiated in a crucible, to dispose a coil in a vicinity of a permanent magnet with axes thereof aligned to each other, and to minimize the displacement of the electron beam spot in an electron source apparatus to irradiate the material with electron beams, and a method for adjusting the electron beam apparatus.例文帳に追加

本発明は、電子ビームを被照射材料に照射する電子源装置および電子源装置調整方法に関し、電子ビームスポットをルツボ内の被照射材料面のほぼ中央に簡易に調整かつ永久磁石の近傍に軸を一致させたコイルを配置し電子ビームスポットの変位を最小限にすることを目的とする。 - 特許庁

Since such a coated film 5 is stable even at high temperatures of ≥2,000°C and also chemically stable to sublimation gases (Al, N_2), the aluminum nitride single crystal grown by using the gas generated from the graphite crucible can be prevented from occurrence of defects, thus efficiently producing the single crystal with good quality and large diameter.例文帳に追加

このような被覆膜５は、２０００℃以上の高温下でも安定で、昇華ガス（Ａｌ，Ｎ_２）に対しても化学的に安定であるため、この黒鉛るつぼから発生させたガスを用いて結晶成長させた窒化アルミニウム単結晶に欠陥が発生することを抑制でき、良質で大口径の単結晶を効率よく製造できる。 - 特許庁

The evaporation apparatus for coating a plurality of substrates with at least one substance is equipped with at least one crucible having a melting zone, an evaporation zone, a heating zone provided between the melting and evaporation zones and connecting them, and heating equipment for individually heating the melting and evaporation zones to different temperatures.例文帳に追加

少なくとも１つの物質で複数の基板をコーティングするための蒸発装置であって、溶融区域と、蒸発区域と、溶融区域および蒸発区域の間に設けられ、両者を連結する加熱区域と、溶融区域および蒸発区域の各々を異なる温度に加熱する加熱装置とを有する少なくとも１つの坩堝を具備する蒸発装置である。 - 特許庁

A respective amount of the raw material powder is temporarily transferred to a raw material powder supplying tray member form a raw material storage section in a position apart from a crucible for manufacturing the single crystal and the raw material powder supplying tray member is moved to a dissolving vessel and is tilted and rotated, by which the raw material powder transferred to the raw material powder supplying tray member is supplied to the dissolving vessel.例文帳に追加

単結晶製造用るつぼと離間した位置で、所定の量の原料粉末を原料貯留部から原料粉末供給皿部材に一時的に移載し、原料粉末供給皿部材を、溶解槽まで移動して傾動回転することによって、原料粉末供給皿部材に移載した原料粉末を溶解槽に供給する。 - 特許庁

The thin film vapor deposition apparatus includes a substrate transfer unit configured to transfer a substrate 10 that is a vapor deposition object; the mask unit 200 configured to selectively pass vapor of a vapor deposition source toward the substrate; and the crucible unit 100 including a plurality of crucibles 110 storing the vapor deposition source and advancing along a circulation path extending through the mask unit.例文帳に追加

蒸着対象体である基板１０を移送するように備わった基板移送ユニットと、基板に向けて蒸着源の蒸気を選択的に通過させるように備わったマスク・ユニット２００と、蒸着源を収容し、マスク・ユニットを貫通する循環経路に沿って進む複数のクルーシブル１１０を含むクルーシブル・ユニット１００と、を具備する薄膜蒸着装置である。 - 特許庁

A vapor deposition material 12 contg. gallium (II) or gallium (III) arranged together with metal gallium 13 in an evaporation crucible having a vapor current outlet 15 and with the entire side face closed is evaporated, the vapor is brought into contact with the metal gallium 13 to reduce the gallium (II) or gallium (III) to gallium (I), and the vapor is successively discharged toward a substrate through the outlet 15.例文帳に追加

蒸気流出口１５を有する全側面を閉鎖された蒸発坩堝内に金属ガリウム１３と共に配置された、ガリウムを二価又は三価の形で含む蒸着物質１２を蒸発させ、この蒸気を金属ガリウム１３と接触させ、二価又は三価のガリウムを一価のガリウムに還元し、引続き蒸気流出口１５を通して基板３の方向に流出させる。 - 特許庁

To provide a method of charging coke for coke dry quenching equipment (CDQ), which adequately satisfies the distribution function of a distributive charging bell and adequately prevents thermal damage of CDQ and provides heat exchange capability as CDQ even for a large bucket from a furnace having a large crucible capacity, without increase in the size of a charging device or increase in the cost due to expensive countermeasures for heat resistance.例文帳に追加

分配装入用ベルによる分配機能を十分に満足させるとともに、一釜容量が大きな炉からくる大型のバケットに対しても装入装置の大型化や高価な耐熱対策などのコスト増を伴うことなく、ＣＤＱの熱損傷防止とＣＤＱとしての熱交換能力を十分に発揮できるＣＤＱのコークス装入方法を提供する。 - 特許庁

The graphite crucible 10 includes: a body 1 which heats a block of stored aluminum in a melting furnace to melt the block and reserves the molten aluminum; and a lid 2, wherein an opening 4 for pouring the molten aluminum, positioned at the external periphery of a flange 2a arranged at the lid 2 and a filter 3 is arranged at the opening 4 to remove inclusions such as oxides by the filter 3.例文帳に追加

収容したアルミ塊を溶解炉で加熱、溶解するとともに、溶解したアルミ溶湯を貯える本体１と、蓋２とが設けられた黒鉛るつぼ１０であって蓋２に設けられたフランジ２ａの外周部にアルミ溶湯注湯用の開口部４が設けられ、この開口部４にフィルタ３が設けられてこのフィルタ３によって酸化物等の介在物を除去する。 - 特許庁

To provide a castable molded article such as a low cost crucible for a high frequency induction furnace which is suitably used particularly in melting low level radioactive waste from an atomic power plant in a high frequency induction furnace and solidifying to reduce the volume and dispose, capable of melting the waste and having corrosion resistance and oxidation resistance sufficiently durable to the melting and method of manufacturing the same.例文帳に追加

特に、原子力発電所からの低レベル放射性廃棄物を高周波誘導炉で溶融固化して減容して廃棄する際に好適に使用できる、上記廃棄物の溶融が可能で、該溶融に充分に耐え得る耐食性及び耐酸化を有し、且つ安価な高周波誘導炉用るつぼ等のキャスタブル成形品、該キャスタブル成形品の製造方法の提供。 - 特許庁

In the method for producing the crystal silicon particle 101, a silicon molten liquid is discharged in a granular state from a nozzle part at a crucible, the crystal silicon particle 101 having the steeple head part 105 segregated with impurities and being a quasi-single crystal is produced by cooling and solidifying the granular silicon molten liquid and then the steeple head part 105 on the crystal silicon particle 101 is removed.例文帳に追加

結晶シリコン粒子１０１の製造方法は、坩堝のノズル部からシリコン融液を粒状に排出し、この粒状のシリコン融液を冷却して固化させることによって、不純物が偏析した尖頭部１０５を有する擬似単結晶化された結晶シリコン粒子１０１を製造し、次に結晶シリコン粒子１０１の尖頭部１０５を除去する。 - 特許庁

A crystal growth device is provided to grow a crystal while dipping a seed crystal 7 into a source material solution 8 in a crucible 1 placed in a furnace 5 and pulling it therefrom, wherein gas is refluxed inside a pulling stem 11 with the seed crystal 7 mounted on the distal end to thereby radiate the heat generated during the crystal growth through the seed crystal 7.例文帳に追加

炉５内に設置されたるつぼ１内の原料溶液８に、種子結晶７を浸して引き上げながら結晶を育成する結晶成長装置において、種子結晶７が先端に取り付けられた引き上げ軸１１の内部にガスを還流させて、種子結晶７を通じて、結晶成長で発生する生成熱を脱熱するように構成されている。 - 特許庁

In the process for manufacturing the doped semiconductor single crystal, a dopant 7 used to adjust a desired electrical conductivity in a semiconductor single crystal 11 is added into the semiconductor melt 9 after the beginning of the growth of the semiconductor single crystal 11 formed on the seed crystal 5, or after at least partial solidification of the semiconductor single crystal 11 in a conical or a tapered portion 3 of the crucible 1.例文帳に追加

半導体単結晶１１における所望の導電率を調整するために使用されるドーパント７は、種結晶５上に形成される半導体単結晶１１の成長が開始した後、又は坩堝１の一部又は完全に坩堝の円錐な部分３又は先細部において半導体単結晶１１の凝固が終了した後、半導体溶融体９に添加される。 - 特許庁

The molten salt electrolytic refiner having an electrolytic cell installed in an electric furnace and housed with a molten salt, an anode container charged with a used nuclear fuel, and a liquid metal crucible housed with liquid metal cathode is equipped with a compressive apparatus which compresses the solid precipitated object generated at the interface of the liquid metal cathode to a liquid metal cathode bottom.例文帳に追加

電気炉内に設置され溶融塩が収容された電解槽と、使用済み核燃料が装荷された陽極容器と、液体金属陰極が収容された液体金属ルツボと、を有する溶融塩電解精製装置において、前記液体金属陰極の界面に発生する固体析出物を液体金属陰極底部に圧縮する昇降可能な圧縮装置を備える。 - 特許庁

The protecting film 33 is formed by electron beam deposition, and as a deposition source, a pellet obtained by pressurizing the mixture powder of the basic magnesium carbonate pentahydrate powder and the cerium oxide powder mixed at the predetermined ratio in a mold for molding, and putting it in a crucible of aluminum, and burning it at about 1400° C in the atmosphere for about 30 minutes is used.例文帳に追加

保護膜３３は電子ビーム蒸着法により形成され、このとき、塩基性炭酸マグネシウム五水和物の粉末と酸化セリウム粉末とが所定の割合で混合された混合粉末を金型に入れて加圧成型した後に、それをアルミナルツボに入れ、大気中で１４００°Ｃ程度の温度で以て約３０分間の焼成して得られるペレットを蒸着源とする。 - 特許庁

The manufacturing apparatus for SiC single crystals by sublimation recrystallization method is provided with a graphite crucible 1 constituted of a bottomed cylindrical container body 10, a circular lid 20 and a skirt part 30 having a hollow truncated pyramidal shape; and to the inner wall surface of the skirt part 30, a TaC member 31 having truncated pyramidal shape the same as that of the skirt part 30 is fixed.例文帳に追加

昇華再結晶法によるＳｉＣ単結晶製造装置は、有底円筒状の容器本体１０と、円形状の蓋体２０と、中空の円錐台形状をなしたスカート部３０とで構成された黒鉛製の坩堝１を備え、スカート部３０の内壁面には、スカート部３０と同様の円錐台形状をなしたＴａＣ部材３１が固定されている。 - 特許庁

The manufacturing method for an organic EL display uses a crucible, which has a surface roughness (Sm) of 50 μm or more on its inner front surface, a shield lid with 0.2 or more holes per unit square mm, carbon content and oxygen content of 50 ppm or less respectively, and is made of molybdenum or molybdenum alloy with a blackening film formed on the external surface.例文帳に追加

るつぼ内側表面の表面粗さ（Ｓｍ）が５０μｍ以上であり、単位平方ｍｍあたり、０．２個以上の穴を設けた遮蔽蓋を有し、炭素含有量、酸素含有量がそれぞれ５０ｐｐｍ以下であり、るつぼ外表面に黒化膜が形成されたモリブデンまたはモリブデン合金からなるるつぼおよびそれを用いた有機ＥＬディスプレイの製造方法。 - 特許庁

To provide a solid raw material-recharging method which includes filling a quartz crucible storing a crystal melt with a solid raw material in a production apparatus of a silicon single crystal, controls the dislocation-developing probability of a crown by controlling the time required for solidifying the melt, and which enables to suppress the concentration of carbon impurities in the single crystal.例文帳に追加

シリコン単結晶製造装置において、結晶融液を貯留する石英ルツボに固形状原料を充填する固形状原料のリチャージ方法であって、融液固化に要する時間を制御することにより、クラウンの有転位化率を抑制し、かつ、単結晶中のカーボン不純物濃度を抑制することを可能にする固形状原料のリチャージ方法を提供する。 - 特許庁