「DAMASCENE」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

A wiring 15 is formed in a first insulating film 11 through damascene method.例文帳に追加

ダマシン法により配線１５を第１の絶縁膜１１中に形成する。 - 特許庁

The semiconductor device includes the multilayer wiring of a dual damascene structure.例文帳に追加

デュアルダマシン構造を有する多層配線を有する半導体装置である。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, which can reduce defects in damascene wiring by decreasing the concentration of impurities contained in the damascene wiring.例文帳に追加

ダマシン配線に含まれる不純物の濃度を低下させて、配線中の欠陥を低減させる事が可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

COPPER DIFFUSION-PREVENTING BARRIER FILM, FORMATION METHOD OF THE SAME, FORMATION METHOD OF SEED LAYER FOR DAMASCENE COPPER WIRING, AND SEMICONDUCTOR WAFER HAVING THE DAMASCENE COPPER WIRING例文帳に追加

銅拡散防止用バリア膜、同バリア膜の形成方法、ダマシン銅配線用シード層の形成方法及びダマシン銅配線を備えた半導体ウェハー - 特許庁

DUAL DAMASCENE MISALIGNMENT TOLERANT TECHNIQUE FOR VIA AND SACRIFICIAL ETCHING SEGMENT例文帳に追加

バイアと犠牲的エッチングセグメントのための二重ダマシーン不整列許容技術 - 特許庁

A wiring layer wherein a damascene wiring structure having high-level wirings 14 and 15 and a damascene wiring structure having low-level wirings 9 and 10 is formed, and a distance L between the two adjacent damascene wirings structures is set to be long.例文帳に追加

高い配線１４，１５を有するダマシン配線構造と低い配線９，１０を有するダマシン配線構造とが交互に配列されてなる配線層を形成し、隣り合う２つのダマシン配線構造の配線間距離Ｌを長くする。 - 特許庁

To form a plated film preferential for a groove or a hole suitable for damascene processes.例文帳に追加

ダマシンプロセスに適した溝や孔への優先的なメッキ膜形成を実現する。 - 特許庁

METHOD OF FORMING DUAL-DAMASCENE INTERCONNECTION AND STRUCTURE USING THE METHOD例文帳に追加

デュアル・ダマシン相互接続の製作方法およびそれによって製作される構造 - 特許庁

A bottom metal plate of a Cu capacitor is formed by the duplicate damascene method.例文帳に追加

二重ダマシン法を使用してＣｕコンデンサの底部金属プレートを形成する。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING DAMASCENE BIT LINE PROCESS, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ダマシンビットライン工程を利用した半導体メモリー装置及びその製造方法 - 特許庁

Dual damascene processing is used to fabricate the horn antenna device within the IC chip.例文帳に追加

ＩＣチップ内にホーンアンテナ装置を作製するのに、デュアルダマシン処理を用いる。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING CONDUCTIVE CONTACT IN SEMICONDUCTOR DEVICE BY DUAL DAMASCENE METHOD例文帳に追加

デュアルダマシン法により半導体デバイスに導電性コンタクトを形成する方法 - 特許庁

METAL WIRING FORMING METHOD THROUGH DUAL DAMASCENE PROCESS USING PHOTOSENSITIVE POLYMER例文帳に追加

感光性ポリマーを使用するデュアルダマシン工程による金属配線の形成方法 - 特許庁

After that, damascene type gate electrode 19 consisting of the polycrystal silicon is formed.例文帳に追加

その後、多結晶シリコンからなるダマシンタイプのゲート電極１９を形成する。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING COPPER DUAL DAMASCENE STRUCTURE BODY ON SEMICONDUCTOR BASE LAYER SURFACE例文帳に追加

半導体基層の表面上に銅デュアルダマシン構造体を形成する方法 - 特許庁

To improve the reliability of wirings by preventing grain boundary etching in the surface of damascene wiring and thus eliminating deterioration such as side slits or pits, when forming damascene wiring.例文帳に追加

ダマシン配線の形成の際、ダマシン配線表面における粒界エッチングを防止し、サイドスリットやピット等の損傷をなくし、配線の信頼性を向上させる。 - 特許庁

To provide a process for forming an interconnect line by damascene method in which the interconnect line has mechanical strength suitable for damascene method and a fabricated integrated circuit exhibits excellent dielectric characteristics.例文帳に追加

ダマシン法に適合した機械的強度を有し、かつ製造された集積回路として誘電特性にも優れたダマシン法による配線形成方法を提供する。 - 特許庁

To enable a connection hole bored in a semiconductor device having a damascene structure to be improved in reliability.例文帳に追加

ダマシン構造を有する半導体装置の接続孔の信頼性を改善する。 - 特許庁

CHEMICAL MECHANICAL POLISHING DEVICE, DAMASCENE WIRING FORMING DEVICE AND METHOD THEREFOR例文帳に追加

化学機械的研磨装置、ダマシン配線形成装置及びダマシン配線形成方法 - 特許庁

Pad via holes 17 are formed in the silicon oxide film 15 by a damascene method, and copper damascene wiring 16 is formed in the low dielectric constant film 11 of the circuit part B.例文帳に追加

ダマシン法を用いて、シリコン酸化膜１５内にパッド・ビア１７を形成するとともに、回路部Ｂの低誘電率膜１１内にＣｕダマシン配線１６を形成する。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING MOS TRANSISTOR USING DAMASCENE AND CHEMICAL MECHANICAL POLISHING PROCESS例文帳に追加

ダマシン及び化学的機械的研磨工程を用いたＭＯＳトランジスタの形成方法 - 特許庁

To provide a method of forming a satisfactory embedded wiring by a dual damascene method.例文帳に追加

デュアルダマシン法により、良好な埋め込み配線を形成する方法を提供する。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a semiconductor device using a damascene metal gate for preventing an electrical short-circuiting phenomenon in a damascene gate electrode due to mismatching.例文帳に追加

不整合によるダマシーンゲート電極の電気的ショート現象を防止することができるダマシーン金属ゲートを用いた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

PROCESS FOR MANUFACTURING INTEGRATED CIRCUIT HAVING DUAL DAMASCENE STRUCTURE AND CAPACITOR例文帳に追加

二重ダマシーン構造およびコンデンサを有する集積回路を製造するためのプロセス - 特許庁

WASHING LIQUID USED FOR DUAL DAMASCENE STRUCTURE FORMATION PROCESS, AND PROCESSING METHOD OF SUBSTRATE例文帳に追加

デュアルダマシン構造形成プロセスに用いられる洗浄液および基板の処理方法 - 特許庁

Instead of a normal subtractive etching method, a multi-mesa FET structure forming method using a Damascene method gate process or a Damascene method alternate gate process is included.例文帳に追加

通常の減法エッチング法の代わりに、ダマシン法ゲート・プロセスもしくはダマシン法代替ゲート・プロセスを用いるマルチ・メサ型ＦＥＴ構造を形成する方法を含む。 - 特許庁

To form metal wiring in a semiconductor device by a dual damascene process.例文帳に追加

デュアルダマシン工程による半導体素子の金属配線形成方法を提供する。 - 特許庁

The air gap 10 is formed by removing a first interlayer insulation film 4 from an area between pieces of copper damascene lower wiring 8A, 8B and pieces of copper damascene lower wiring 8B, 8C.例文帳に追加

銅ダマシン下配線８Ａ，８Ｂおよび銅ダマシン下配線８Ｂ，８Ｃ間から第１層間絶縁膜４を除去することにより、エアギャップ１０が形成される。 - 特許庁

In this way, a wiring of a semiconductor device 30 is formed by a damascene method.例文帳に追加

このようにして、ダマシン法により、半導体装置３０の配線が形成される。 - 特許庁

In this manner, the capacitor is simultaneously formed in a wiring step using the dual damascene process.例文帳に追加

このように、デュアルダマシンプロセスを用いた配線工程で、キャパシタを同時形成する。 - 特許庁

To provide a method for forming an interconnect line by damascene method in which the interconnect line has mechanical strength suitable for damascene method and a fabricated integrated circuit exhibits excellent dielectric characteristics.例文帳に追加

ダマシン法に適合した機械的強度を有し、かつ製造された集積回路として誘電特性にも優れたダマシン法による配線形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a sidewall capacitor in an integrated circuit containing double-damascene structure.例文帳に追加

二重ダマシーン構造を含む集積回路内に側壁コンデンサを提供すること。 - 特許庁

To provide a dual damascene process by which a micro wiring structure can be formed.例文帳に追加

微細な配線構造を形成することができるデュアルダマシンプロセスを提供する。 - 特許庁

To prevent corrosion of a Cu wire caused in a Damascene Cu wire forming process.例文帳に追加

ダマシンＣｕ配線の形成工程で生じるＣｕ配線の腐蝕を防止する。 - 特許庁

A plurality of support films 20 for supporting the diffusion prevention film 9 are formed between the pieces of copper damascene lower wiring 8A, 8B and pieces of copper damascene lower wiring 8B, 8C.例文帳に追加

銅ダマシン下配線８Ａ，８Ｂおよび銅ダマシン下配線８Ｂ，８Ｃ間には、拡散防止膜９を支持するための支持膜２０が複数形成されている。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING DUAL DAMASCENE WIRING OF SEMICONDUCTOR ELEMENT USING VIA CAPPING PROTECTION FILM例文帳に追加

ビアキャッピング保護膜を使用する半導体素子のデュアルダマシン配線の製造方法 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE POSSESSED OF DUAL DAMASCENE-TYPE VIA CONTACT STRUCTURE AND ITS MANUFACTURE例文帳に追加

二重ダマシン型ビア・コンタクト構造を有する半導体装置およびその製造方法 - 特許庁

To improve insulation breakdown resistance (reliability) of a copper wiring formed, using the Damascene method.例文帳に追加

ダマシン法を用いて形成された銅配線の絶縁破壊耐性（信頼性）を向上する。 - 特許庁

To certainly form a seed film on a side wall of a wiring groove in forming a damascene interconnect.例文帳に追加

ダマシン配線形成時に、シード膜を配線用溝の側壁に確実に形成する。 - 特許庁

DOUBLE DAMASCENE CONTACT PART OF SEMICONDUCTOR INTERCONNECTING STRUCTURE AND ITS MANUFACTURE例文帳に追加

半導体相互接続構造の二重ダマスク象眼風接触部及びその製造方法 - 特許庁

METHOD OF FORMING CONTACT STRUCTURE IN LOW DIELECTRIC CONSTANT MATERIAL LAYER USING DUAL DAMASCENE PROCESS例文帳に追加

デュアルダマシン工程を利用した低誘電率物質層内のコンタクト構造形成方法 - 特許庁

METHOD FOR FORMING WIRING BY DAMASCENE PROCESS USING HARD MASK FORMED WITH CONTACT例文帳に追加

コンタクトから形成されたハードマスクを使用するダマシン工程による配線形成方法 - 特許庁

An amorphous carbon mask is formed on a substrate such as a damascene layer.例文帳に追加

実施形態において、基板、例えば、ダマシン層の上にアモルファス炭素マスクを形成する。 - 特許庁

COMPOSITION FOR RESIST LOWER-LAYER FILM FORMATION, AND METHOD OF FORMING DUAL-DAMASCENE STRUCTURE USING THE SAME例文帳に追加

レジスト下層膜形成用組成物及びそれを用いたデュアルダマシン構造の形成方法 - 特許庁

As a result, the connection reliability of fine wiring formed by a damascene method is increased.例文帳に追加

その結果、ダマシン法で形成する微細配線の接続信頼性を高めることができる。 - 特許庁