「FWD」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To improve a power cycle resistance and reliability by improving a heat generating loss increased in connection with the increased capacity of a semiconductor chip, by efficiently radiating heat to the outside of a device for an object such as a multi-chip module in which an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) and an FWD are combined.例文帳に追加

ＩＧＢＴとＦＷＤを組合せたマルチチップモジュールなどを対象に、半導体チップの大容量化に伴って増加する発熱損失を効率よく外部に放熱してパワーサイクル耐量，信頼性の向上化が図れるように改良する。 - 特許庁

A semiconductor substrate includes, as an element configuration region, in a first principal plane side, a main region constituting of a RC-IGBT element, and a sense region having an area smaller than the main region and constituting of a sense element serving also as a IGBT and a FWD elements.例文帳に追加

半導体基板は、素子の構成領域として、第１主面側に、ＲＣ−ＩＧＢＴ素子の構成されたメイン領域と、該メイン領域よりも小さい面積を有し、ＩＧＢＴ及びＦＷＤ兼用のセンス素子の構成されたセンス領域を有している。 - 特許庁

A changeover switch 4 is switched on the basis of signals <SW> input from an input part 2, the points of a pointer 7 are counted and a frame number is switched on the basis of signals <FWD> and <BCK>, and words of a desired language are added to comic images and displayed.例文帳に追加

入力部２から入力する信号＜ＳＷ＞に基づいて切替スイッチ４の切り替え処理を行い、信号＜ＦＷＤ＞及び＜ＢＣＫ＞に基づいてポインタ７のポイントを計数してコマ番号の切り替えを行い、漫画画像に希望する言語の文言を付加して表示する構成である。 - 特許庁

At a position spaced from the sense region in the direction perpendicular to the thickness direction of the semiconductor substrate, a cathode region (n+) is provided where current proportional to current which flows through the FWD element flows between the cathode region and a base contact region (p+) provided in the first principal plane side.例文帳に追加

また、半導体基板の厚さ方向に垂直な方向においてセンス領域とは離れた位置に、第１主面側に設けたベースコンタクト領域（ｐ＋）との間で、ＦＷＤ素子に流れる電流に比例した電流が流れるカソード領域（ｎ＋）が設けられている。 - 特許庁

Since a gate wiring region does not exist on the surface of a substrate around an IGBT cell region and an FWD cell region, and holes resulting from freewheel current are not stored in the gate wiring region, the semiconductor device has no risk of being destroyed by the recovery current.例文帳に追加

ＩＧＢＴセル領域およびＦＷＤセル領域の周囲の基板面上には、ゲート配線領域が存在しないため、フリー・ホイール電流に起因するホールがゲート配線領域に蓄積されることがないので、そのホールに起因するリカバリ電流によって破壊されるおそれがない。 - 特許庁

Then, dicing is performed for separation into individual semiconductor chips 10, thereby obtaining the semiconductor device wherein the cathode region 32 passes through the chip from its surface to rear at its side face, with an anode region 31 integrating an FWD portion 12, with an edge 14 being interposed therebetween, into an IGBT portion 11.例文帳に追加

そして、ダイシングによって個々の半導体チップ１０に切り離すことによって、カソード領域３２がチップ側面に表裏に貫通し、かつアノード領域３１がエッジ部１４を挟んで設けられたＦＷＤ部１２を、ＩＧＢＴ部１１と一体化させた構成の半導体装置が得られる。 - 特許庁

The corresponding relationship of the both is derived from a load and the displacement measured by the FWD test, and the shift processing of the relationship between the load and the displacement is performed by a load displacement relationship shift part 240 so as to remove an influential part such as an end surface error from the corresponding relationship.例文帳に追加

そして、ＦＷＤ試験で計測された荷重と変位から、両者の対応関係が導出され、当該対応関係から端面誤差等の影響のある部分を排除するよう荷重と変位との関係のシフト処理が荷重変位関係シフト部２４０によってなされる。 - 特許庁

The FWD element 31b and the IGBT element 30b are disposed in this order in the direction from the base portion of the external connection terminal 52b to its tip, the opening of the terminal block 61b is disposed while facing the base portion, and the opening of the terminal block 60b is disposed while facing oppositely to the base portion.例文帳に追加

そして、外部接続用端子５２ｂの根本部分から先端の方向に、ＦＷＤ素子３１ｂ、ＩＧＢＴ素子３０ｂの順で配置され、端子台６１ｂの開口部分が根本部分に向いて配置され、端子台６０ｂの開口部分が根本部分とは逆方向に向いて配置される。 - 特許庁

More specifically, by detecting that the voltage between the collector and the emitter of a switching element (IGBT) is moderately raised at the time of a low current compared with a normal time, and by increasing a gate-on resistant value at the time of succeeding switching, a switching operation is moderately performed, thus suppressing the surge voltage at FWD reverse restoration and the vibration of the high frequency.例文帳に追加

即ち、低電流時はスイッチング素子（ＩＧＢＴ）のコレクタ・エミッタ間電圧が通常時に比べ緩やかに上昇することを検出して、次のスイッチングではゲートオン抵抗値を大きくすることにより、スイッチング動作を緩やかにして、ＦＷＤ逆回復時のサージ電圧と高周波の振動を抑制する。 - 特許庁

Then, on the rear face (second principal surface) side of an arrangement region Xf of the FWD element 20, an absorption region 22 is partially provided such that a ratio of the absorption region 22 to the cathode region 21 is larger on the side adjacent to the IGBT element 100 than on the side distant from the IGBT element 100.例文帳に追加

そして、ＦＷＤ素子２０の配置領域Ｘｆにおける裏面（第２主面）側には、Ｐ導電型の吸収領域２２が部分的に設けられており、ＩＧＢＴ素子１００に隣接する側の方が、ＩＧＢＴ素子１００から離れた側よりも、カソード領域２１に対する吸収領域２２の比率が大きくなっている。 - 特許庁

Capacitors Cds1, Cds2 are connected in parallel to resistances Rs1, Rs2 of a tail period balance circuit provided to attain voltage balance among the plurality of voltage drive type semi-conductor devices Q1, Q2, thus restraining (reducing) the voltage imbalance in such a range that transient operation of the FWD connected with the devices Q1, Q2 in the inverse parallel is fast.例文帳に追加

複数の電圧駆動型半導体素子Ｑ１，Ｑ２の電圧バランスを図るために設けられるテイル期間バランス回路の抵抗Ｒｓ１，Ｒｓ２と並列に、コンデンサＣｄｓ１，Ｃｄｓ２を接続することにより、素子Ｑ１，Ｑ２と逆並列に接続されているＦＷＤの過渡動作が速い領域での電圧アンバランスも抑制（低減）できるようにする。 - 特許庁

The FWD-integrated IGBT has a p^+ heavily-doped collector layer 12 which determines the hole injection quantity, a p^- light-doped collector layer 11 serving for absorbing the variations in the wafer backside polishing quantity, and an n^+ collector short-circuited region 13 piercing the p^+ heavily-doped collector layer 12 and the p^- lightly-doped collector layer 11.例文帳に追加

本発明のＦＷＤ一体型ＩＧＢＴは、正孔の注入量を決めるｐ^＋高濃度コレクタ層１２と、ウェハ裏面研削量のばらつきを吸収するｐ^−低濃度コレクタ層１１と、ｐ^＋高濃度コレクタ層１２及びｐ^−低濃度コレクタ層１１を貫通しているｎ^＋コレクタ短絡領域１３とを有している。 - 特許庁

To provide a semiconductor power converter having a highly reliable lifetime monitor circuit of a semiconductor switching element which can predict the thermal cycle lifetime resulting from a thermal stress due to temperature ripple at the soldering portion of an IGBT chip and an FWD chip of the semiconductor switching element, and the power cycle lifetime resulting from a thermal stress due to temperature ripple at the bonding portion of the IGBT chip.例文帳に追加

半導体スイッチング素子のＩＧＢＴチップおよびＦＷＤチップのはんだ部に温度リップルによる熱応力に起因するサーマルサイクル寿命とＩＧＢＴチップのボンディング部の温度リップルによる熱応力に起因するパワーサイクル寿命を予測できる信頼性の高い半導体スイッチング素子の寿命監視回路を有する半導体電力変換装置を提供する。 - 特許庁