「Gate structure」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

To facilitate process for a gate electrode of a CMIS circuit, including a dual-gate electrode structure.例文帳に追加

デュアルゲート電極構造を有するＣＭＩＳ回路のゲート電極の加工を容易にする。 - 特許庁

The gate discharge structure body includes an integrated type pipe having a gate discharge opening therein.例文帳に追加

ゲート排出構造物はその中にゲート排出開口部をもつ一体式の管を含む。 - 特許庁

MANUFACTURE OF MULTI-LAYERED RESIST STRUCTURE SUBSTRATE AND T TYPE DUMMY GATE STRUCTURE SUBSTRATE例文帳に追加

多層レジスト構造基板およびＴ型ダミーゲート構造基板の製造方法 - 特許庁

REINFORCING STRUCTURE OF BACK DOOR FOR VEHICLE, AND REINFORCING STRUCTURE OF TAIL GATE FOR VEHICLE例文帳に追加

車両用バックドアの補強構造及び車両用テールゲートの補強構造 - 特許庁

To simply and inexpensively structure a gate valve, to simplify the operation of the gate valve, and to improve the reliability of the gate valve.例文帳に追加

ゲートバルブを簡単かつ安価に構成し、作動を簡素化するとともに、信頼性の向上を図ることを可能にする。 - 特許庁

To assure connection between a gate contact and a gate electrode without processing a gate electrode in three-dimensional structure by photolithography.例文帳に追加

立体構造のゲート電極をフォトリソグラフィで加工することなく、ゲートコンタクトとゲート電極との接続を確保する。 - 特許庁

Next, a silicide gate structure is formed by using the silicon, and the silicide gate structure is separated from the dielectric material around the gate with the internal spacer layer.例文帳に追加

次いで、このシリコンからシリサイド・ゲート構造を形成し、内部スペーサ層によって、ゲートの周囲の誘電体材料からシリサイド・ゲート構造を分離する。 - 特許庁

To provide an advanced gate structure that includes a silicided metal gate and silicided source and drain regions, and methods for forming the advanced gate structure.例文帳に追加

シリサイド化金属ゲートと、シリサイド化ソース領域およびドレイン領域とを備える進歩したゲート構造物と、同ゲート構造物を製造する方法と、を提供する。 - 特許庁

After a gate structure 5 composed of a gate insulating film 3 and a gate electrode 4 is formed on a substrate 1, an offset spacer 7 composed of SiO_2 is formed at the side of the gate structure 5.例文帳に追加

基板１上に、ゲート絶縁膜３及びゲート電極４からなるゲート構造５を形成した後に、ＳｉＯ_２からなるオフセットスペーサ７をゲート構造５の側部に形成する。 - 特許庁

The transistor TR1 has a top gate structure where a gate G1 is positioned above a semiconductor layer 14A, and the transistor TR2 has a bottom gate structure where a gate G2 is positioned below a semiconductor layer 14B.例文帳に追加

トランジスタＴR1は、ゲートＧ1が半導体層１４Aの上方に位置するトップゲート構造であり、トランジスタＴR2は、ゲートＧ2が半導体層１４Bの下方に位置するボトムゲート構造である。 - 特許庁

A gate structure 110 is formed on a substrate 100.例文帳に追加

基板１００上にゲート構造物１１０が形成される。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING GATE ELECTRODE STRUCTURE AND FLAT DISPLAY例文帳に追加

ゲート電極構造体の製造方法および平面ディスプレイ - 特許庁

STRUCTURE OF VALVE GATE OF MOLD FOR INJECTION MOLDING AND MOLDING例文帳に追加

射出成形用金型のバルブゲート構造及び成形品 - 特許庁

FLOATING GATE MEMORY DEVICE WITH INTERPOLY CHARGE TRAPPING STRUCTURE例文帳に追加

ポリ間電荷トラップ構造体を有する浮遊ゲートメモリ素子 - 特許庁

INSTALLING STRUCTURE OF OVERTURNING PREVENTIVE METAL FITTING IN EXTENSIBLE/CONTRACTIBLE GATE DOOR例文帳に追加

伸縮門扉における転倒防止金具の取付構造 - 特許庁

HIGHLY INTEGRATED MEMORY CIRCUIT BY DOUBLE GATE MOS TRANSISTOR STRUCTURE例文帳に追加

ダブルゲートＭＯＳトランジスタ構造による高集積メモリ回路 - 特許庁

SPACER AND GATE DOOR COMPONENTS ATTACHMENT STRUCTURE USING THE SAME例文帳に追加

スペーサー及びそれを用いた門扉用部品の取付構造 - 特許庁

MOSFET STRUCTURE HAVING CONDUCTIVE NIOBIUM MONOXIDE GATE例文帳に追加

導電性一酸化ニオブゲートを有するＭＯＳＦＥＴ構造 - 特許庁

ORGANIC TFT INCLUDING GATE INSULATING FILM OF MULTILAYER STRUCTURE例文帳に追加

多層構造のゲート絶縁膜を含んだ有機薄膜トランジスタ - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF DUAL GATE SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS STRUCTURE例文帳に追加

デュアルゲート半導体装置の製造方法およびその構造 - 特許庁

METHOD OF PROGRAMMING EEPROM HAVING SINGLE GATE STRUCTURE例文帳に追加

単一ゲート構造を有するＥＥＰＲＯＭのプログラミング方法 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING GATE STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

ゲート構造を有する半導体デバイス及びその製造方法 - 特許庁

the action of begging for money by reciting ballad dramas at the front of a gate from which people enter and exit the structure 例文帳に追加

門前で浄瑠璃を語り金銭を乞うこと - EDR日英対訳辞書

LOWER PART STRUCTURE OF GATE PLATE OF WING VEHICLE HAVING HEAT INSULATING PANEL例文帳に追加

断熱パネルを備えたウイング車の煽り板の下部構造 - 特許庁

The gate body structure includes a gate insulating film comprised of an oxide that does not contain nitrogen, and a gate conducting film formed on the gate insulating film.例文帳に追加

前記ゲート構造物は、窒素を含まない酸化物で構成されるゲート絶縁膜と前記ゲート絶縁膜上に形成されるゲート導電膜を有する。 - 特許庁

To provide a protection gate structure required for lifting operation of a gate panel when the gate panel is to be opened and eliminating the lifting operation when the gate panel is to be brought into a closing state.例文帳に追加

ゲートパネルを開く際にはゲートパネルの持上げ動作を必要とし、ゲートパネルを閉鎖状態にもたらす際には持上げ動作を不要とする。 - 特許庁

QUANTUM BIT ELEMENT STRUCTURE IN QUANTUM COMPUTER AND QUANTUM CORRELATION GATE ELEMENT STRUCTURE例文帳に追加

量子コンピュータにおける量子ビット素子構造および量子相関ゲート素子構造 - 特許庁

To prevent a short circuit of wiring due to electrode elimination residue when a replacement gate structure is formed, in a semiconductor device provided with the replacement gate structure and a gate structure of an ordinary transistor.例文帳に追加

リプレースメントゲート構造と通常のトランジスタのゲート構造とを備えた半導体装置において、リプレースメントゲート構造形成時の電極除去残りによる配線短絡を防止する。 - 特許庁

To provide a T-gate forming method for a high electron mobility transistor and a gate structure thereof.例文帳に追加

高電子移動度トランジスタのＴ−ゲート形成方法及びそのゲート構造を提供する。 - 特許庁

To provide an insulating gate type semiconductor having a trench gate structure with a high breakdown voltage and low ON-resistance.例文帳に追加

高耐圧かつ低オン抵抗なトレンチゲート構造の絶縁ゲート型半導体を提供する。 - 特許庁

To reduce gate-drain capacitance of a vertical power MOS transistor having trench gate structure.例文帳に追加

トレンチゲート構造を有する縦型パワーＭＯＳトランジスタのゲート・ドレイン間容量の低減を図る。 - 特許庁

The gate insulating layer is arranged between the gate electrode structure 40 and the body region 23.例文帳に追加

上記ゲート絶縁層は、ゲート電極構造４０とボディ領域２３との間に配置されている。 - 特許庁

METHOD FOR FORMATION OF GATE OXIDE LAYER WITH VARITIES OF THICKNESSES IN GATE-DIELECTRIC STACK STRUCTURE例文帳に追加

ゲート誘電体積層構造体に複数種類の厚さのゲート酸化物層を形成する方法 - 特許庁

To prevent a short circuit between a contact and a gate electrode connected to a source-drain region in a gate structure formed by a gate last process.例文帳に追加

ゲートラストプロセスで形成されたゲート構造において、ソース・ドレイン領域に接続するコンタクトとゲート電極とのショートを防ぐ。 - 特許庁

To avoid concentrating electric field at gate leaders of a semiconductor device having a trench gate structure, thereby improving the gate breakdown voltage.例文帳に追加

トレンチゲート構造を有する半導体装置のゲート引出し部での電界集中を防止し、ゲート破壊耐圧の向上を図る。 - 特許庁

To improve a gate-source withstand voltage in a gate lead wiring region, in a trench gate type semiconductor device of a mesh structure.例文帳に追加

メッシュ構造のトレンチゲート型半導体装置において、ゲート引き出し配線領域におけるゲート・ソース間耐圧を向上させる。 - 特許庁

GATE OPENING AND CLOSING OPERATION METHOD AND ITS DEVICE OF RIVER STRUCTURE例文帳に追加

河川構造物のゲート開閉操作方法およびその装置 - 特許庁

Here, the sectional structure of the gate electrode is provided in a T-shape.例文帳に追加

ここで、ゲート電極の断面構造はＴ字形状である。 - 特許庁

Therefore, the first wiring has a GOLD structure, with applying gate voltage on it, and the first wiring has an LDD structure, without applying the gate voltage on it.例文帳に追加

このため、第１配線にゲート電圧を印加すればＧＯＬＤ構造となり、印加しなければＬＤＤ構造となる。 - 特許庁

GATE STRUCTURE OF NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND ITS FORMING METHOD例文帳に追加

不揮発性メモリ素子のゲート構造体及びその形成方法 - 特許庁

The conductive structure may be a part of the gate electrode.例文帳に追加

前記導電構造はゲート電極の一部とすることができる。 - 特許庁

To reduce a resistance in the vertical direction of a gate electrode structure.例文帳に追加

ゲート電極構造の垂直方向の抵抗を低減する。 - 特許庁

To simplify a structure of a locking and unlocking operation mechanism of a gate door lock.例文帳に追加

門扉錠の施解錠操作機構の構造を簡単にする。 - 特許庁

WATERTIGHT STRUCTURE FOR TRUCK GATE AND APPROXIMATELY L-SHAPED WEATHER STRIP例文帳に追加

トラックあおりの水密構造および略Ｌ字型ウエザーストリップ - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING FLASH MEMORY CELL HAVING SPLIT-GATE STRUCTURE例文帳に追加

分離ゲートの構造を有するフラッシュメモリセルを製造する方法 - 特許庁