「Gate structure」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

A second impurity region is formed on the opposite sides of the gate structure.例文帳に追加

第２不純物領域がゲート構造物の両側に形成される。 - 特許庁

To provide a structure and a manufacturing method which are suitable for microstructure of a nonvolatile semiconductor storage device of a floating gate type which has a split gate structure.例文帳に追加

スプリットゲート構造を有するフローティングゲート型不揮発性半導体記憶装置の微細化に適した構造及び製造方法を提供する。 - 特許庁

In addition, a structure is constructed to remove the gate electrode existing under a contact alignment mark.例文帳に追加

また、コンタクトアラインメントマーク下のゲート電極を取り除く構造にする。 - 特許庁

To improve a breakdown voltage of an IGBT (IEGT) (Insulated Gate Bipolar Transistor) (Injection Enhanced Gate Transistor) structure, and to improve a diode characteristic in an inversely conducted structure.例文帳に追加

ＩＧＢＴ（ＩＥＧＴ）構造における破壊耐圧の向上とともに逆導通構造にした場合のダイオード特性の向上を図る。 - 特許庁

NONVOLATILE SEMICONDUCTOR DEVICE OF TWO LAYER GATE STRUCTURE AND ITS FABRICATING METHOD例文帳に追加

２層ゲート構造の不揮発性半導体装置及びその製造方法 - 特許庁

To provide a semiconductor device in a trench gate structure using a super junction structure maintaining an avalanche resistance and reliability in a gate insulating film.例文帳に追加

アバランシェ耐量やゲート絶縁膜の信頼性を維持したスーパージャンクション構造を用いたトレンチゲート構造の半導体装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a structure for a rewritable gate array with space saving possible.例文帳に追加

省スペース化が可能な書き換え可能ゲートアレイの構造を提供する。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING TRANSISTOR OF GATE ALL AROUND STRUCTURE例文帳に追加

ゲートオールアラウンド構造トランジスタを有する半導体装置形成方法 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a junction field effect transistor (JFET) with a structure capable of further minimizing a contact structure between a buried gate layer and gate wiring.例文帳に追加

埋込ゲート層とゲート配線とのコンタクト構造をより微細化できる構造としたＪＦＥＴを有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

NONVOLATILE MEMORY ELEMENT HAVING MONOS GATE STRUCTURE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

モノスゲート構造を有する不揮発性メモリ素子及びその製造方法 - 特許庁

FINFET STRUCTURE WITH MULTIPLY STRESSED GATE ELECTRODE例文帳に追加

多層に応力が加えられたゲート電極を有するｆｉｎＦＥＴ構造体 - 特許庁

A gate structure is formed on the first surface of the semiconductor substrate.例文帳に追加

ゲート構造物が半導体基板の第１表面上に形成される。 - 特許庁

FIELD EMISSION ELEMENT HAVING DOUBLE GATE STRUCTURE, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

二重ゲート構造を有する電界放出素子及びその製造方法 - 特許庁

A semiconductor integrated circuit 1 comprises a field effect transistor having a gate electrode structure 21, a field effect transistor having a gate electrode structure 22 and a field effect transistor having a gate electrode structure 31.例文帳に追加

半導体集積回路１は、ゲート電極構造２１を有する電界効果トランジスタと、ゲート電極構造２２を有する電界効果トランジスタと、ゲート電極構造３１を有する電界効果トランジスタとを含む。 - 特許庁

FITTING METAL FITTING, FITTING METAL FITTING STRUCTURE AND FLEXIBLE-MEMBRANE DERRICKING GATE例文帳に追加

取り付け金具、取り付け金具構造体及び可撓性膜起伏ゲート - 特許庁

METAL OXIDE FILM SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR AND ITS GATE STRUCTURE例文帳に追加

金属酸化膜半導体電界効果トランジスタおよびそのゲート構造 - 特許庁

To provide a multilayer spacer close to the gate of FET structure.例文帳に追加

ＦＥＴ構造のゲートに近接した多層スペーサーを提供すること。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND GATE ELECTRODE STRUCTURE例文帳に追加

半導体装置及びその製造方法並びにゲート電極構造体 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING MULTILAYER GATE STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

多層ゲート構造を備える半導体素子及びそれの製造方法 - 特許庁

SUPPORTING METHOD AND STRUCTURE OF SIDE GATE FOR BI-DRUM TYPE CONTINUOUS CASTING例文帳に追加

双ドラム式連続鋳造用サイド堰の支持方法および支持構造 - 特許庁

To provide a vehicle rear gate structure having simple construction for securing the stability of a rear gate when fully opened.例文帳に追加

簡単な構成によってリアゲート全開時の安定性を確保した車両用リアゲート構造を提供する。 - 特許庁

To provide a field effect transistor having a GAA (Gate All Around) structure, and to provide a method for manufacturing the field effect transistor.例文帳に追加

ゲートオールアラウンド（Gate All Around：GAA）構造を有する電界効果トランジスタ及びその製造方法を提供するにある。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a gate electrode structure improved in salicide resistance in a narrow width polycide gate.例文帳に追加

幅の狭いポリサイドゲートにおけるシリサイドの抵抗が改善されたゲート電極構造の製造方法を提供する。 - 特許庁

A split gate structure (84) including a first gate electrodes (48, 87) controls the first MOSFET device (41).例文帳に追加

第１ゲート電極（４８，８７）を含む分割ゲート構造（８４）は、第１ＭＯＳＦＥＴデバイス（４１）を制御する。 - 特許庁

The second gate structure 52 is formed so as to bridge the protrusions 51a of adjacent first gate structures 51.例文帳に追加

第２ゲート構造５２は、隣り合う第１ゲート構造５１の突出部５１ａ間をつなぐように形成される。 - 特許庁

To provide a manufacturing of a transistor gate structure and a method for decreasing roughness of a high dielectric constant gate dielectric.例文帳に追加

トランジスタゲート構造の製造及び高誘電率ゲート誘電体の粗さを減少する方法を提供すること。 - 特許庁

To form a mis-operation prevention mechanism of a shift lever by a simple structure in a gate device having staggered gate grooves.例文帳に追加

スタッガードゲート溝を有するゲート装置において、シフトレバーの誤操作防機構を簡単な構造にて形成させる。 - 特許庁

A second gate structure having a gate electrode derived from the first conductive film is provided in the logic circuit region.例文帳に追加

ロジック回路領域に、第１導電膜に由来するゲート電極を有する第２ゲート構造が配設される。 - 特許庁

Preferably, the pair of first gate structures are substantially transverse to the second gate structure.例文帳に追加

一対の第１のゲート構造体が、第２のゲート構造体に対して実質的に横断方向にあることが好ましい。 - 特許庁

As a result of this structure, a substrate float effect can be suppressed, even if it is a transistor having a short gate length and a large gate width.例文帳に追加

これにより、ゲート長が短く、ゲート幅が長いトランジスタであっても基板浮遊効果を抑制できる。 - 特許庁

In addition, since the region is reduced where the gate electrode is facing to the emitter structure, a gate-to-emitter capacitance can be reduced.例文帳に追加

加えて、ゲート電極がエミッタ構造に面している領域が減る為、ゲート・エミッタ間容量が低減できる。 - 特許庁

The polysilicon film 3 that becomes a conductive layer of the gate electrode of the dual-gate structure is formed on an isolation oxide film 2.例文帳に追加

デュアルゲート構造のゲート電極の導電層となるポリシリコン膜３を分離酸化膜２の上に形成する。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR STRUCTURE CONTAINING DOUBLE METAL GATE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME (SELF-ALIGNMENT INTEGRATION OF DOUBLE METAL GATE)例文帳に追加

二重金属ゲートを含む半導体構造及びその製造方法（二重金属ゲートの自己整合集積化） - 特許庁

Consequently, the insulating gate type semiconductor having the trench gate structure with the high breakdown voltage and low ON-resistance can be obtained.例文帳に追加

これによって、高耐圧かつ低オン抵抗なトレンチゲート構造の絶縁ゲート型半導体を得ることができる。 - 特許庁

To provide a mounting structure of a submerged pump on a water stop gate and a gate pump capable of easily attaching/detaching the submerged pump to/from the water stop gate without raising the water strop gate high for inspection and maintenance.例文帳に追加

点検整備のために止水ゲートを高く引上げる必要がなく、水中ポンプを止水ゲートから容易に着脱できる止水ゲートへの水中ポンプの装着方法及びゲートポンプ。 - 特許庁

The TFT90 has a top gate structure, with a gate electrode 65 provided only at the upper layer side of a channel forming region 91, while the TFT80 has a bottom gate/top gate structure, with gate electrodes 65a, 65b provided at the lower layer side and the upper layer side of the channel forming region 91, respectively.例文帳に追加

これに対して、Ｐチャネル型の駆動回路用のＴＦＴ８０は、チャネル形成領域９１の下層側および上層側の各々にゲート電極６５ａ、６５ｂを備えており、ボトムゲート構造、およびトップゲート構造の双方を有している。 - 特許庁

The present invention provides an advanced gate structure that includes a silicided metal gate, and silicided source and drain regions that abut the silicided metal gate.例文帳に追加

シリサイド化金属ゲートと、シリサイド化金属ゲートに接するシリサイド化ソース領域およびドレイン領域とを備える進歩したゲート構造物を提供する。 - 特許庁

The selection gate electrode has a plurality of selection gate conductive films 71 laminated on the laminate structure, and an inter-selection gate conductive film insulating film 72.例文帳に追加

選択ゲート電極は、積層構造体と積層された複数の選択ゲート導電膜７１と、選択ゲート導電膜間絶縁膜７２と、を有する。 - 特許庁

To make the length of embedded gate structure of a gate minute, and also reduce the so-called overlap capacity between the gate and a lightly- doped region.例文帳に追加

埋め込みゲート構造のゲート長の微細化を図るとともにゲートと低濃度不純物領域とのいわゆるオーバラップ容量の低減を図ることにある。 - 特許庁

To provide a gate device formed in a simple low-cost support structure with a small number of parts by dispensing with a hinge member of a door (gate) body (a hingeless gate).例文帳に追加

扉体（ゲート）のヒンジ部材を不要にして（ヒンジレスゲート）、部品点数が少なく、簡単でコスト安な支持構造としたゲート装置を提供する。 - 特許庁

To provide a gate switch which utilizes an etalon structure, which is polarization independent, and which responses at high speed, and a spatial optical switch and a gate switching system using the gate switch.例文帳に追加

エタロンの構造を用いた、偏波無依存で高速応答可能なゲートスイッチおよびそれを用いた空間光スイッチとゲートスイッチングシステムを提供すること。 - 特許庁

The gate length of a memory transistor and the gate width of the third gate are larger than in a flat structure since they are assured in a direction perpendicular to the silicon substrate.例文帳に追加

メモリトランジスタのゲート長、第３ゲートのゲート幅はシリコン基板に垂直な方向に確保されているので平坦な構造と比べて大きい。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, having a penetrating gate structure and capable of shortening the effective gate length, without having to lengthen the dimension of the lower end of the gate electrode.例文帳に追加

染み込みゲート構造を有し、ゲート電極下端の寸法を長くすることなく、実効ゲート長を短くすることが可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a rear part structure of a vehicle allowing the longitudinal dimension of a gate opening of a tail gate to be set large in relation to a hinge means of the tail gate.例文帳に追加

テールゲートのヒンジ手段に関し、テールゲートのゲート開口部の上下方向の寸法を大きく取ることができる車両の後部構造を提供すること。 - 特許庁

The gate electrode structure 31 is formed on a semiconductor substrate 10 in a region between the gate electrode structures 21, 22 via a gate insulation film 14.例文帳に追加

ゲート電極構造３１は、ゲート電極構造２１，２２間の領域で半導体基板１０上にゲート絶縁膜１４を介して形成されている。 - 特許庁