「Gate structure」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

To improve sub-threshold characteristics of a transistor having a trench gate structure.例文帳に追加

トレンチゲート構造を有するトランジスタにおいて、サブスレッショルド特性を良好にする。 - 特許庁

INTERDIFFUSION BARRIER STRUCTURE OF DOPANT IN GATE ELECTRODE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

ゲート電極中のドーパンの相互拡散バリア構造及びその製造方法 - 特許庁

To obtain an insulated gate FET of microcrystal semiconductor structure with lattice distortion.例文帳に追加

格子歪を有する微結晶半導体構造の絶縁ゲイトＦＥＴを得る。 - 特許庁

DUAL GATE STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING INTEGRATED CIRCUIT HAVING SAME例文帳に追加

デュアルゲート構造およびデュアルゲート構造を有する集積回路の製造方法 - 特許庁

Moreover, etching is performed to form the offset spacer 7 lower than the gate structure 5.例文帳に追加

また、オフセットスペーサ７も、ゲート構造５よりも低くなるようにエッチングされる。 - 特許庁

FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH GATE SPACER STRUCTURE AND LOW-RESISTANCE CHANNEL COUPLING例文帳に追加

ゲートスペーサー構造と低抵抗チャネル連結部とを備えた電界効果トランジスタ - 特許庁

MOS SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING TRENCH GATE STRUCTURE, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

トレンチゲート構造を有するＭＯＳ型半導体装置およびその製造方法 - 特許庁

MEMORY CELL USING GATE CONTROL DIODE AND ITS USAGE, SEMICONDUCTOR STRUCTURE例文帳に追加

ゲート制御ダイオードを使用するメモリ・セルおよびこれの使用方法、半導体構造 - 特許庁

A single-sided sidewall gate electrode 12b is disposed on a vertical sidewall of the active fin structure opposite to the trench isolation structure in the active fin structure.例文帳に追加

片面サイドウォールゲート電極１２ｂが、アクティブフィン構造における、溝分離構造とは反対側の垂直なサイドウォールに配置される。 - 特許庁

To provide a gate device for restraining interference between a structure except the gate device such as a building frame and a mechanism for lifting-driving a gate body.例文帳に追加

躯体等のゲート装置以外の構造物とゲート本体を昇降駆動する機構とが干渉するのを抑制することが可能なゲート装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a member structure for a gate door which can be sufficiently adjusted for installation of a gate door, and in which installation of the gate door can be easily conducted.例文帳に追加

門扉を取り付けるために充分に調整することができて、門扉の取り付けを簡単に行うことができる門扉用部材構造を提供することにある。 - 特許庁

Furthermore, a structure whereby the left end of a gate 2c is retreated from the gate 2a and local wiring 3b is adopted which connects the active region 1b and a gate 2c disposed in a diagonal direction.例文帳に追加

また、ゲート２ｃの左端部をゲート２ａから後退させ、活性領域１ｂとゲート２ｃとを接続するローカル配線３ｂを斜め方向に配置した構造とする。 - 特許庁

To improve a transistor-driving capability by inhibiting oxidation layer formation on a sidewall of the metal gate electrode in a MOS transistor structure having a high dielectric gate insulating film/metal gate electrode.例文帳に追加

高誘電体ゲート絶縁膜／メタルゲート電極のＭＯＳトランジスタ構造において、メタルゲート電極側壁の酸化層を抑制し、トランジスタ駆動能力を改善する。 - 特許庁

A second gate layer 46 is subjected to pattern formation to the first gate layer and extended to cover a prescribed region of the gate insulation layer 40 and to cover the LDD structure 36.例文帳に追加

第二ゲート層４６は前記第一ゲート層にパターン形成され、延伸して前記ゲート絶縁層４０の所定領域を被覆し、その下の前記LDD 構造３６を被覆する。 - 特許庁

As a result, the gate electrode comprising metal layers with the gate opening completely embedded and without a tapered portion as in the conventional gate electrode structure.例文帳に追加

従来のゲート電極構造に存在したような傘状部がなく、ゲート開口を完全に埋め込んだ金属層からなるゲート電極を形成することができる。 - 特許庁

Since a spacer in the case of the formation of a gate is also formed simultaneously at the stage of the formation of a ridge structure as a dummy gate, the reproducibility and uniformity of the gate length can be ensured.例文帳に追加

ダミーゲートとなる、リッジ構造形成の段階で、ゲート形成時のスペーサーも同時に形成するため、ゲート長の再現性、均一性確保が可能となる。 - 特許庁

The hollow structure 10 forms a gate insulation film 4 existing just under the floating gate electrode 9 as the floating gate electrode 9 is made a mask by etching.例文帳に追加

この中空構造１０はフローティングゲート電極９の真下に存在するゲート絶縁膜４を、フローティングゲート電極９をマスクとしてエッチングにより形成する。 - 特許庁

In a split gate type memory cell utilizing a side wall structure with a silicided gate electrode, an isolated auxiliary pattern 22 is disposed adjacently to a selection gate electrode 12.例文帳に追加

サイドウォール構造を利用し、ゲート電極がシリサイド化されたスプリットゲート型メモリセルにおいて、選択ゲート電極１２に隣接して、孤立した補助パターン２２を配置する。 - 特許庁

To provide a structure capable of leading out trench-side wall gate withstand voltage normally for a semiconductor device in which a gate lead-out electrode is connected to an in-trench buried gate electrode.例文帳に追加

トレンチ内埋め込みゲート電極にゲート引き出し電極が接続する半導体装置において、トレンチ側壁ゲート耐圧が正常に引き出せる構造を提供する。 - 特許庁

To form a civil-engineering structure in a simple structure and reduce construction cost of the civil-engineering structure, by eliminating the need for a gate post guiding a lifting-lowering door body, and to enhance the landscape of a rotary-type gate by eliminating the need for the gate post which impairs the landscape by projecting to an upper section.例文帳に追加

昇降する扉体をガイドする門柱を不要にして土木構造物を簡易な構造しその施工コストを低減でき、また上方に突出して景観を損なう門柱を不要にしてその景観を高めることにある。 - 特許庁

To provide a structure for mounting a turning gate pin in which a work when positioning a gate groove to a desired position of a cavity is easy.例文帳に追加

ゲート溝をキャビティの所望位置に位置決めする際の作業が容易である回動ゲートピンの取り付け構造を提供する。 - 特許庁

To improve the performance of a semiconductor device having an MIS transistor of a metal gate electrode/high dielectric gate insulating film structure.例文帳に追加

金属ゲート電極／高誘電体ゲート絶縁膜構造のＭＩＳトランジスタを有する半導体装置を高性能化する。 - 特許庁

In a semiconductor device including the FET having the trench gate structure, an electric field relaxation section is provided at the end of the trench gate.例文帳に追加

トレンチゲート構造のＦＥＴを有する半導体装置において、前記トレンチゲートの終端部に電界緩和部を設ける。 - 特許庁

The gate width at the portion of a transistor located closest to a gate-input side is made the largest, at the transistor Q1 of a meandering structure.例文帳に追加

メアンダ構造をしているトランジスタＱ１において、ゲート入力側に最も近い部分トランジスタのゲート幅を大きくする。 - 特許庁

To provide the installation structure of a gate column 3 capable of adhering and installing the gate column 3 on the end 6 of a fence or the like.例文帳に追加

塀等の端部６に門柱３を密接して据え付けることのできる門柱３の据え付け構造を提供する。 - 特許庁

By etching the first and second gate electrode material films 8c and 9c, a gate structure of NMOS and PMOS transistors 2a and 2b is formed.例文帳に追加

第１，第２ゲート電極材膜８ｃ，９ｃをエッチングしてＮＭＯＳ，ＰＭＯＳトランジスタ２ａ，２ｂのゲート構造を形成する。 - 特許庁

To etch a metal gate part vertically when a semiconductor element having a high-k film/metal gate structure is dry-etched.例文帳に追加

ｈｉｇｈ−ｋ膜／メタルゲート構造を有する半導体素子のドライエッチングにおいて、メタルゲート部分を垂直にエッチングする。 - 特許庁

To reduce an element size and improve reliability in a memory element having a structure where a memory gate and a control gate are adjacent to each other.例文帳に追加

メモリーゲートとコントロールゲートが隣接する構造のメモリ素子において、素子サイズの縮小および信頼性の向上を図る。 - 特許庁

To obtain a method for forming a double-gate MOSFET structure in which the thickness of an oxide can be properly controlled and the upper and lower gate positions can be matched, and a structure for this.例文帳に追加

酸化物の厚みを適宜に制御でき、上下のゲート位置を合わせることのできるダブルゲートＭＯＳＦＥＴ構造を形成する方法及び構造を提供する。 - 特許庁

For example, the p-type deep layer 10 is formed only in a place separated from a trench gate structure, so as not to come into contact with both the side surface and the bottom face of the trench gate structure.例文帳に追加

例えば、トレンチゲート構造の側面と底面の双方と接しないように、トレンチゲート構造から離間した場所にのみｐ型ディープ層１０を形成する。 - 特許庁

MOLTEN METAL INJECTION-FORMING APPARATUS, GATE STRUCTURE AND MOLTEN METAL INJECTION-FORMING METHOD例文帳に追加

金属溶融射出成形装置、ゲート構造、金属溶融射出成形方法 - 特許庁

Consequently, this can form the semiconductor device having a JFET with a structure capable of further minimizing the contact structure between the buried gate layer 10 and the gate wiring 12.例文帳に追加

したがって、埋込ゲート層１０とゲート配線１２とのコンタクト構造をより微細化できる構造としたＪＦＥＴを有する半導体装置とすることが可能となる。 - 特許庁

To provide a III-V semiconductor gate structure and a manufacturing method of the same.例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族半導体ゲート構造およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

METHOD OF FORMING GATE STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME例文帳に追加

ゲート構造物の形成方法及びそれを用いた半導体装置の製造方法 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device by which an insulating film formed on bottoms of a trench MOS gate structure and a second trench surrounding the trench MOS gate structure is thickened.例文帳に追加

トレンチＭＯＳゲート構造とこの構造を取り囲む第２トレンチの底部に形成する絶縁膜を厚膜化する半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device of trench gate structure and its method for manufacturing.例文帳に追加

トレンチゲート構造の半導体装置及びその製造方法の提供を課題とする。 - 特許庁

On the side face of the gate electrode of the transistor, a side wall structure is arranged.例文帳に追加

トランジスタのゲート電極の側面上にサイドウォール構造体が配置されている。 - 特許庁

To provide a mold for molding a resin capable of cutting a gate in the mold though the structure of the mold has a two-plate structure and capable of dispensing with gate treatment in a rear process.例文帳に追加

金型構造が２枚型構造であるにも拘らず、型内でゲートカットが行え、後工程でのゲート処理を廃止できる樹脂成形用金型を提供する。 - 特許庁

The thin part 130 covers a gate layer exposed in a prior art structure.例文帳に追加

この部分１３０は、従来の構造では露出したゲート層部分を覆っている。 - 特許庁

A first insulating film is formed on the top and the side of the gate structure.例文帳に追加

ゲート構造物の上面及び側面上に第１絶縁膜が形成される。 - 特許庁

A gate structure 4 is constituted of a mesh part 4-1 and a surrounding part 4-2.例文帳に追加

ゲート構造体４は、メッシュ部４−１と周辺部４−２とから構成される。 - 特許庁

An emitter resistor is mounted under the sidewall spacer at the end section of the gate structure.例文帳に追加

エミッタ抵抗器はそのゲート構造の端部の側壁スペーサの下に設けられる。 - 特許庁

The height of a gate electrode of ordinary transistor structure composed of amorphous silicon 121 is made lower than the height of a gate electrode of the replacement structure composed of tantalum oxynitride film 142.例文帳に追加

アモルファスシリコン１２１からなる通常のトランジスタ構造のゲート電極高さを、タンタル窒化膜１４２からなるリプレースメントゲート構造のゲート電極高さよりも低くする。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR STRUCTURE INCLUDING GATE ELECTRODE HAVING WORK FUNCTION VARIABLE IN LATERAL DIRECTION例文帳に追加

横方向に可変の仕事関数を有するゲート電極を含む半導体構造体 - 特許庁

The source region and the drain region are formed on the substrate where the gate structure is formed, and the channel region is formed between the source region and the drain region under the gate structure.例文帳に追加

ソース領域とドレイン領域は、ゲート構造のおける基板に形成され、チャネル領域がゲート構造の下においてソース領域とドレイン領域との間に形成される。 - 特許庁