「Gate structure」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

To accurately evaluate film thickness and film quality of a gate insulating film with respect to the gate insulating film of a field-effect transistor, when the gate leakage current is large or when the film quality or structure is complicated.例文帳に追加

電界効果トランジスタのゲート絶縁膜に関し、ゲートリーク電流が大きな場合や膜質や構造が複雑な場合において、ゲート絶縁膜の膜厚及び膜質を正確に評価する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a gate insulating film 19b formed from between an FET structure in which a GaN layer 13 and an AlGaN layer 14a are laminated and a gate electrode 20 to between a field oxide film 15 and the gate electrode 20.例文帳に追加

ＧａＮ層１３，ＡｌＧａＮ層１４ａが積層されたＦＥＴ構造と、フィールド酸化膜１５とゲート電極２０との間にかけて、形成されたゲート絶縁膜１９ｂを備える。 - 特許庁

To provide a semiconductor device including an insulated-gate MISFET having a gate structure with its threshold voltage easy to control and with its gate-insulating film high in reliability, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

しきい値電圧の制御が容易で、かつ、ゲート絶縁膜の信頼性が優れたゲート構造を備えた絶縁ゲート型ＭＩＳＦＥＴを含む半導体装置とその製造方法を提供することにある。 - 特許庁

A gate electrode 4 formed on an upper surface of the gate insulating film 3 is a double structure of a lower layer electrode 4a made of Al or the like and an upper layer gate electrode 4b made of Mo or the like.例文帳に追加

ゲート絶縁膜３の上面に形成されたゲート電極４は、Ａｌ等からなる下層ゲート電極４ａとＭｏ等からなる上層ゲート電極４ｂとの２層構造となっている。 - 特許庁

The gate structure is constructed so that at least part of it consists of silicide films 7 and 12, and the gate wiring 5's silicide film 12 has a film thickness thicker than that of the silicide film 7 of the gate electrode 4.例文帳に追加

ゲート構造は少なくとも一部はシリサイド膜７、１２からなり、且つゲート配線５のシリサイド膜１２の膜厚がゲート電極４のシリサイド膜７の膜厚より厚く構成されている。 - 特許庁

A lateral power metal-oxide-semiconductor field effect transistor (MOSFET) is provided, having a gate structure of connecting the insulated gate to the gate electrode through contacts at a plurality of locations.例文帳に追加

絶縁したゲートがコンタクトを介して複数の場所でゲート電極に接続されるようなゲート構造を有する、横方向パワー酸化金属半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）が提供される。 - 特許庁

To provide a technology that improves the performance of a power MISFET and prevents gate insulated film damage caused by static electricity in the power MISFET having a trench gate structure with a dummy gate electrode.例文帳に追加

ダミーゲート電極を備えるトレンチゲート構成のパワーＭＩＳＦＥＴにおいて、ＭＩＳＦＥＴの性能向上を図りながら、ゲート絶縁膜の静電破壊を防止することができる技術を提供する。 - 特許庁

To provide a technology for reducing a shortage between a selective gate electrode and a memory gate electrode in a semiconductor device having a MONOS type non-volatile memory cell of a split gate structure.例文帳に追加

スプリットゲート構造のＭＯＮＯＳ型不揮発性メモリセルを有する半導体装置において、選択ゲート電極とメモリゲート電極との短絡不良を低減することのできる技術を提供する。 - 特許庁

Thereby excessive polishing is enabled when the replacement gate structure is formed, and electrode material except a gate electrode part can be eliminated completely, so that the short circuit between gate electrodes can be prevented.例文帳に追加

これにより、リプレースメントゲート構造形成時の研磨を過剰に行うことができるので、ゲート電極部分以外の電極材料を完全に除去することができ、ゲート電極同士の短絡を防止できる。 - 特許庁

A thin-film transistor is provided with a structure in which a semiconductor layer 13 and a gate insulating film 12 are stacked, the gate insulating film has a columnar constitution, and the columnar constitution is inclined for the layer thickness direction of the gate insulating layer.例文帳に追加

半導体層１３とゲート絶縁層１２とを積層した構造を備え、ゲート絶縁層は柱状組織を有し、柱状組織がゲート絶縁層の層厚方向に対して傾斜している。 - 特許庁

To provide a screw compressor constructed to solve the problem specific to a monogate rotor (single gate rotor) structure which uses a screw rotor and one gate rotor for compressing operation.例文帳に追加

スクリューローターと１枚のゲートローターとにより圧縮を行うモノゲートローター構造特有の問題を解決する構造を有するスクリュー圧縮機を得る。 - 特許庁

By this structure, the fixed electric charge generated when the gate insulation film and a silicon gate electrode 106 are so formed as to be in direct contact with each other can be prevented.例文帳に追加

ゲート絶縁膜とシリコンゲート電極１０６を直接接するように成膜した場合に発生する固定電荷を抑制することが可能になる。 - 特許庁

To provide an insulated-gate semiconductor device having a structure that can achieve an insulated gate bipolar transistor (IGBT) with lower loss by reducing the resistance of a channel portion.例文帳に追加

チャネル部の抵抗を低減することでより低損失なＩＧＢＴを実現することができる構造を備えた絶縁ゲート型半導体装置を提供する。 - 特許庁

In this rotary support part structure of the gate door, the eye hinge 6 is rotatably inserted into the hook 2, and the gate door 9 is rotatably held by the gatepost 4.例文帳に追加

肘つぼ６を肘金２に回動自在に挿通して門扉９を門柱４に回動自在に保持する門扉の回動支持部の構造である。 - 特許庁

Thus, the liquid crystal display device 1 is able to drive gate signal lines 8... by the single gate driver 3 according to the structure of the liquid crystal panel 2.例文帳に追加

これにより、液晶表示装置１は、単一のゲートドライバ３で以て、液晶パネル２の構造に応じたゲート信号線８…の駆動を行うことができる。 - 特許庁

A gate insulating film 103, N-metal 104, and poly-crystalline silicon 106 are laminated in this order to form a first gate structure G1.例文帳に追加

ゲート絶縁膜１０３とＮ−ｍｅｔａｌ１０４と多結晶シリコン１０６とが当該順に積層した第一のゲート構造Ｇ１を形成する。 - 特許庁

The read transistor Ttx and the read selection transistor Tty are formed with a two-layer gate structure, and each gate potential is set to a negative potential.例文帳に追加

そして、読み出しトランジスタＴｔｘと読み出し選択トランジスタＴｔｙを２層ゲート構造で構成し、各ゲート電位を負電位に設定する。 - 特許庁

To widen a process window and obtain the reliability of a gate oxide film while ensuring high channel mobility, when forming a trench gate structure.例文帳に追加

トレンチゲート構造を形成する場合において、高チャネル移動度を得つつ、プロセスウィンドウが広く取れ、かつ、ゲート酸化膜の信頼性が得られるようにする。 - 特許庁

On the alignment mark 45, the first gate electrode 38 is provided and a cover pattern 47 is also provided having the same structure as the first gate electrode 38.例文帳に追加

アライメントマーク４５上には、第１ゲート電極３８が設けられると同時に、第１ゲート電極３８と同じ構造のカバーパターン４７が設けられる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of improving gate withstand voltage decline defect in the semiconductor device provided with a top gate type structure.例文帳に追加

トップゲート型構造を有する半導体装置において、ゲート耐圧低下不良を改善できる半導体装置の製造方法を提供すること - 特許庁

To provide a trench-gate structure, wherein the lowering of the gate oxide film breakdown voltage at the end part of the trench is suppressed and the embedding property of an electrode material into the trench is not deteriorated.例文帳に追加

トレンチ端部でのゲート酸化膜耐圧の低下を抑え、且つ、トレンチへの電極材料の埋め込み性が悪化しないトレンチゲート構造を提供する。 - 特許庁

To provide a heterojunction FET having a recess gate structure that suppresses a gate leakage current and is made of a nitride semiconductor, and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

ゲートリーク電流を抑制する、窒化物半導体からなるリセスゲート構造のヘテロ接合ＦＥＴ及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The semiconductor device includes the functional circuit including the double-gate transistor, and a voltage control circuit including reference transistors 20 and 30 having a double-gate structure.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、ダブルゲートトランジスタを含む機能回路と、ダブルゲート構造の基準トランジスタ２０、３０を含む電圧制御回路を備えている。 - 特許庁

In the thin film transistor and its manufacturing method, the thin film transistor includes a structure wherein a gate electrode, a gate insulating film and a channel film are laminated.例文帳に追加

薄膜トランジスタ及びその製造方法において、薄膜トランジスタはゲート電極、ゲート絶縁膜、及びチャンネル膜が積層された構造物を具備する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a multilayered gate structure composed of a gate oxide layer, a doped silicon layer, a silicon germanium layer, a tungsten nitride layer, and a tungsten layer which are laminated in this sequence.例文帳に追加

ゲート酸化物層、ドープシリコン層、シリコンゲルマニウム層、窒化タングステン層、タングステン層から順番に形成された多層ゲート構造が記載されている。 - 特許庁

To provide stopper structure for a gate handle allowing easy fitting of a handle part of a gate lock device, with excellent appearance and easily adjustable in the rotating amount of a handle.例文帳に追加

ゲートロック装置のハンドル部の取付けが容易で、外観が良くハンドルの回動量も容易に調整できるゲートハンドルのストッパー構造を提供すること。 - 特許庁

At least one gate electrode 15 inside a trench-gate structure 16 controls at least one vertical switching channel through at least one body zone.例文帳に追加

トレンチゲート構造１６内の少なくとも１つのゲート電極１５は、少なくとも１つの垂直スイッチングチャネルを少なくとも１つのボディゾーンを介して制御する。 - 特許庁

To improve an yield in a method of manufacturing an insulated gate field effect transistor in an LDD (Lightly Doped Drain) structure having a fine gate electrode.例文帳に追加

微細なゲート電極を有するＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造の絶縁ゲート型電界効果トランジスタを製造する方法において、製造歩留りを向上させる。 - 特許庁

The gate electrode GN is configured of a silicide layer 65, and a gate electrode GP is provided with the laminate structure of metallic layer 64/silicide layer 65.例文帳に追加

ゲート電極ＧＮはシリサイド層６５で構成される一方、ゲート電極ＧＰは金属層６４／シリサイド層６５の積層構造を備えている。 - 特許庁

To realize a polycide gate structure, while eliminating the phenomenon of increase in the film thickness of a gate oxide film or the deterioration of electrical characteristics.例文帳に追加

ポリサイドゲート構造を有しながら、ゲート酸化膜の膜厚増大現象や、電気特性の劣化のない半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the nonvolatile semiconductor memory device having a split gate structure, a memory gate is formed on a protruding type substrate, and its side surface is used as a channel.例文帳に追加

スプリットゲート構造の不揮発性半導体記憶装置において、メモリゲートが凸型基板上に形成され、その側面をチャネルとして用いるようにする。 - 特許庁

To quickly replace a gate device and restart an operation in an early stage even if the gate device breaks down in the middle of the operation by extremely simplifying the attachment/detachment structure of the game device.例文帳に追加

ゲート装置の脱着構造を極めて簡易にして運用途中で故障しても迅速に交換して運用を早期に再開させる。 - 特許庁

To provide a separable hinge used for an attachable/detachable gate board having a simple structure and excellent working efficiency when attaching and detaching the gate board.例文帳に追加

着脱式煽り板に用いられる分離可能なヒンジを、構造が簡潔であり、かつ、煽り板の脱着に際して作業性の優れたものとする。 - 特許庁

Higher dielectric strength can be attained by alleviating concentration of field to the bottom part of trench gate by adequately arranging the trench gate structure having the interval which is narrower at a certain degree.例文帳に追加

ある程度間隔の狭いトレンチゲート構造を適切に配置することで、トレンチゲート底部への電界集中を緩和し高い耐圧を得る。 - 特許庁

A stack of a high-k gate dielectric 30 and a metal gate structure including a lower metal layer 40, a capture metal layer 50, and an upper metal layer 60 is provided.例文帳に追加

高ｋゲート誘電体３０と、下部金属層４０、捕捉金属層５０、および上部金属層６０を含む金属ゲート構造とのスタックを提供する。 - 特許庁

Each of the NMOS transistors 20, 40 has a stack structure obtained by sequentially stacking a gate insulating film 5 and a metal gate electrode 6 over the silicon substrate 1.例文帳に追加

ＮＭＯＳトランジスタ２０、４０は、ゲート絶縁膜５とメタルゲート電極６との順でシリコン基板１上に積層された積層構造を有する。 - 特許庁

In the semiconductor device 500a, a gate structure formed by successively stacking a gate oxide film 31 and a polysilicon layer 30 is arranged over a substrate 10.例文帳に追加

半導体装置５００ａにおいては、基板１０上に、ゲート酸化膜３１およびポリシリコン層３０を順次積層させたゲート構造が配置されている。 - 特許庁

The standard cell structure is constituted by using the gate electrodes 1 in the basic shape and gate electrodes 2, 1A, 1B, 1C, 2A, 2B, and 2C obtained by inverting symmetrically about a line and rotating them.例文帳に追加

この基本形状のゲート電極１と、それをミラー反転または回転させたゲート電極２，１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，２Ａ，２Ｂ，２Ｃを用いてスタンダードセル構造を構築する。 - 特許庁

The source and the drain are arranged as self-aligned with a gate electrode arranged through a gate insulation layer, and have a coplanar structure.例文帳に追加

ソース部位とドレイン部位が、ゲート絶縁層を介して配されるゲート電極と自己整合して配され、且つ、コプレーナ構造からなる構成をとることができる。 - 特許庁

A conductive gate structure is provided on a semiconductor substrate 1 and a first dielectric gate cap material layer and a second dielectric material layer 5 are provided thereon.例文帳に追加

半導体基板上に導電性のゲート構造を設け、その上に第１の誘電性ゲートキャップ材料の層および第２の誘電性材料の層を設ける。 - 特許庁

To immediately use a gate even if a person reaches a facility requiring an authentication such as the gate while securing sufficient security by a simple structure.例文帳に追加

簡単な構成で十分なセキュリティを確保しながら、ゲート等の認証を必要とする設備に達しても直ちにゲート等が利用できるようにする。 - 特許庁

A structure has a characteristic wherein the organic compound semiconductor film is obliquely in contact with a gate electrode formed on a substrate and a gate insulating film.例文帳に追加

基板上に形成したゲート電極及びゲート絶縁膜に対して、有機化合物半導体膜が斜めに接触している構造を特徴としている。 - 特許庁

A gate electrode 204 is formed of polysilicon, metal or of the stacked structure of them and sandwiches a gate oxide film 203 with the semiconductor substrate 201.例文帳に追加

ゲート電極２０４はポリシリコン、金属あるいはそれらの積層構造からなり、半導体基板２０１との間にゲート酸化膜２０３を挟んでいる。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device which is composed of split gate type memory cells having a double floating gate structure, and also to provide a method of fabricating the same.例文帳に追加

ダブルフローティングゲート構造を持つスプリットゲート型メモリセルで構成される不揮発性半導体メモリ素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A gate electrode of laminated structure composed of a first gate layer deposited at the same time with the first electrode layer and second gate layer deposited at the same time with the third electrode layer is formed in a region of a gate insulating film.例文帳に追加

ゲート絶縁膜の上の一部の領域に形成され、第１の電極層と同時に堆積された第１のゲート層、及び第３の電極層と同時に堆積された第２のゲート層との積層構造を有するゲート電極が形成されている。 - 特許庁