「Gate structure」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

An expanded contact region for a gate structure is formed by providing a substrate 12, having at least one gate electrode.例文帳に追加

ゲート構造用の拡大されたコンタクト領域(６２)が少なくとも１つのゲート電極(２２)を有する基板(１２)を設けることによって形成される。 - 特許庁

In a complementary MISFET of dual gate electrode structure, the threshold voltages can be stabilized respectively using identical gate electrodes 4P, 4N containing first and second group IV elements.例文帳に追加

ゲート電極４Ｎ、４Ｐ上にはそれぞれ第２領域４ｎ、４ｐの少なくとも一部をシリサイド化したシリサイド電極８Ｇが形成される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a dual-metal structure and capable of suppressing the damage of a gate insulating film in a process of a gate electrode being removed.例文帳に追加

デュアルメタルゲート構造を有する半導体装置において、ゲート電極除去する工程において、ゲート絶縁膜に与える損傷を抑える。 - 特許庁

To solve the problem that the delay of voltage change is generated due to the PN junction between the two kinds of gate electrodes of a double gate structure, and that a high speed operation is interrupted.例文帳に追加

ダブルゲート構造の２種類のゲート電極部間のＰＮ接合によって電圧変化の遅延が生じ、高速動作を阻害する。 - 特許庁

To surely reduce the length of a gate in an MIS structure at a lower cost than that of a gate electrode which is anisotropically dry-etched.例文帳に追加

ＭＩＳ構造に於けるゲート長を、ゲート電極異方性ドライエッチング後のゲート長よりも更に確実に且つ低コストで短くすること。 - 特許庁

A power MISFET having a trench gate structure with a dummy gate electrode 9a and a protection diode are formed on the same semiconductor substrate 1.例文帳に追加

ダミーゲート電極９ａを備えるトレンチゲート構成のパワーＭＩＳＦＥＴと保護ダイオードとを同一の半導体基板１上に形成する。 - 特許庁

To suppress variations of the threshold voltage of a transistor caused by an inter-diffusion of impurities between both gate electrodes in a dual gate electrode structure.例文帳に追加

デュアルゲート電極構造における両ゲ−ト電極間の不純物の相互拡散によるトランジスタのしきい値電圧の変動を抑制する。 - 特許庁

The NVRAM structure may further comprise a gate on the SOI layer 38 or a floating gate in the insulating layer 36, or both.例文帳に追加

このＮＶＲＡＭ構造は、ＳＯＩ層の上のゲートまたは絶縁層内のフローティング・ゲート、あるいはその両方をさらに含むことができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a three-dimensionally structured gate insulating film which can easily deal with miniaturization of a gate structure and be easily manufactured.例文帳に追加

ゲート構造の小型化に対応しやすく、製造が容易な３次元構造のゲート絶縁膜を有する半導体装置の提供を課題とする。 - 特許庁

A gate electrode GA of a MOSQA for a peripheral circuit is configured with the same gate electrode structure as that of a nonvolatile memory cell having a two-layer gate electrode structure, and a contact hole SC for connecting conductive films 4 and 6 constituting the gate electrode GA is arranged at a position at which it overlaps in the plane with an active region LA in a plane of the gate electrode GA.例文帳に追加

２層ゲート電極構造の不揮発性メモリセルと同じゲート電極構造によって周辺回路用のＭＯＳＱＡのゲート電極ＧＡを構成し、そのゲート電極ＧＡを構成する導体膜４，６間を接続するコンタクトホールＳＣを、そのゲート電極ＧＡの平面内において活性領域ＬＡと平面的に重なる位置に配置した。 - 特許庁

The gate electrode GA of MOSQA for a peripheral circuit is constituted by the same gate electrode structure as a nonvolatile memory cell of a two-layer gate electrode structure, and a contact hole SC connecting between conductive films 4 and 6 which constitute the gate electrode GA is arranged in a position where it flatly overlaps an active area LA in the plane of the gate electrode GA.例文帳に追加

２層ゲート電極構造の不揮発性メモリセルと同じゲート電極構造によって周辺回路用のＭＯＳＱＡのゲート電極ＧＡを構成し、そのゲート電極ＧＡを構成する導体膜４，６間を接続するコンタクトホールＳＣを、そのゲート電極ＧＡの平面内において活性領域ＬＡと平面的に重なる位置に配置した。 - 特許庁

To provide a semiconductor apparatus with a double-gate structure excellent in electrical characteristics such as noise-resistant performance.例文帳に追加

耐ノイズ性能等の電気的特性に優れたダブルゲート構造の半導体装置を提供する。 - 特許庁

The floating gate is arranged on the first tunnel barrier structure and covers the channel region.例文帳に追加

浮遊ゲートが該第１トンネル障壁構造体上に配置され該チャネル領域を覆っている。 - 特許庁

To simplify the structure of a valve gate type injection molding machine for manufacturing an annular molded product.例文帳に追加

環状成形品を製造するバルブゲート式射出成形装置の構造を簡単にする。 - 特許庁

The surface of the conductive studs 92 and 94 is coplanar with that of the gate structure 30.例文帳に追加

導電性スタッド９２，９４の表面とゲート構造３０の表面は共平面（コプレーナ）をなす。 - 特許庁

To provide a vacuum gate valve of simple structure of parts having high reliability and easy to be maintained.例文帳に追加

高い信頼性と、簡単な保守と、単純な部品設計の真空ゲートバルブを提供する。 - 特許庁

To provide a gate plate structure for a constant-temperature transportation wing vehicle having excellent strength and heat insulating property.例文帳に追加

強度及び断熱性に優れた定温輸送用ウイング車の煽り板構造を提供する。 - 特許庁

An interlayer dielectric 20 is formed on the semiconductor layer 80 while covering the gate structure 4c.例文帳に追加

半導体層８０上には、ゲート構造４ｃを覆って層間絶縁膜２０が形成されている。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory element having a monos gate structure and its manufacturing method.例文帳に追加

モノス（ＭＯＮＯＳ）ゲート構造を有する不揮発性メモリ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The structure comprises training dikes 2 located upstream of a dam body 1 provided with a gate 3.例文帳に追加

ゲート３を備えた堤体１の上流側に設ける導流堤２によって構成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a semiconductor device, by which the gate structure can be made as per design dimensions.例文帳に追加

ゲート構造を設計寸法通りに形成し得る半導体装置の製造方法を得る。 - 特許庁

To realize a semiconductor device having a trench gate structure whose element property is improved.例文帳に追加

素子特性の改善を図ったトレンチゲート構造を有する半導体装置を実現すること。 - 特許庁

At this time, a gate in the trench has a lamination structure of a polycrystalline silicon film 6 and a metal silicide 9.例文帳に追加

このとき、トレンチ内のゲートを多結晶シリコン膜6と金属シリサイド9との積層構造とする。 - 特許庁

To obtain a double-layer gate structure capable of adding signals by controlling signal readings at every row.例文帳に追加

信号読み出しを列毎に制御して信号加算が可能な２層ゲート構造を有する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a gate electrode structure that can control a corner rounding phenomenon.例文帳に追加

コーナーラウンディング現象を抑制できるゲート電極構造を備えた半導体装置を提供する。 - 特許庁

A split gate NAND flash memory structure is formed on a first conductive type semiconductor substrate.例文帳に追加

分割ゲートＮＡＮＤフラッシュメモリ構造が第１伝導型の半導体基板の上に形成される。 - 特許庁

A split gate NAND flash memory structure is formed on a first conductive type semiconductor substrate.例文帳に追加

分割ゲートＮＡＮＤフラッシュメモリ構造が、第１伝導型の半導体基板上に形成される。 - 特許庁

A gate electrode side spacer of the metal oxide transistor, having a lightly-doped drain structure, is formed of polysilicon.例文帳に追加

ＬＤＤ構造を有するＭＯＳトランジスタのゲート電極部サイドスペーサをポリシリコンで形成した。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a gate electrode structure wherein a side surface of each electron passing hole is flat.例文帳に追加

電子通過孔の側面が平坦なゲート電極構造体の製造方法を提供する。 - 特許庁

To make a gate leading-out part of a display device of a chip on glass(COG) structure low resistance.例文帳に追加

チップオングラス（ＣＯＧ）構造の表示装置において、そのゲート引き出し部を低抵抗化する。 - 特許庁

To provide a compacter structure of a gate valve and to facilitate simple opening and closing action of a valve element.例文帳に追加

仕切弁の構造のコンパクト化を図るとともに、弁体の開閉動作を単純化する。 - 特許庁

A first gate insulation film is formed on an area where the element isolation structure is not formed.例文帳に追加

素子分離構造体の形成されていない領域上に第１のゲート絶縁膜を形成する。 - 特許庁

To realize a circuit of ultra-fine structure in the high packing density by constituting a basic gate in a smaller area.例文帳に追加

少ない面積で基本ゲートを構成し、高集積密度で微細構造の回路を実現する。 - 特許庁

To obtain a structure capable of reducing reflux loss without requiring a trench gate of a different depth.例文帳に追加

異なる深さのトレンチゲートを必要としなくても、還流損失を低減できる構造とする。 - 特許庁

Also, a gate electrode 19 has a polycide structure in which a silicide film is formed on a polysilicon film.例文帳に追加

また、ゲート電極１９はポリシリコン膜上にシリサイド膜を形成したポリサイド構造を有する。 - 特許庁

Along with the main gate of the Gunze main factory, the building of the memorial hall has been designated by the Architectural Institute of Japan as an historical structure to be preserved. 例文帳に追加

グンゼ本工場正門とともに日本建築学会から保存指定を受けた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

To provide a semiconductor structure including a thin gate dielectric in which nitrogen is selectively enriched.例文帳に追加

窒素が選択的に富化された薄いゲート誘電体を含む半導体構造を提供すること。 - 特許庁

The waxing module arranged in the gate-type structure includes a wax supply portion and a waxing portion.例文帳に追加

門型構造物に配設されたワックスがけモジュールは、ワックス供給部とワックス磨き部を含む。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING GATE STRUCTURE FOR SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE HAVING IMPROVED BREAKDOWN VOLTAGE AND LEAKAGE RATE例文帳に追加

破壊電圧及び漏れ率が改善された、半導体メモリー装置用ゲート構造の製造方法 - 特許庁

MEMORY-CELL STRUCTURE OF NON-VOLATILE FLASH MEMORY WITH SLIT TYPE GATE ELECTRODE AND ITS OPERATING METHOD例文帳に追加

スリット式ゲート電極を有する不揮発性フラッシュメモリの記憶セル構造及びその操作方法 - 特許庁

A gate electrode 8 is formed on the exposed high resistance layer 4 to form a recess structure.例文帳に追加

露出する高抵抗層４の上には、ゲート電極８が形成され、リセス構造になっている。 - 特許庁

To provide an interdiffusion barrier structure of a dopant in a gate electrode and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

ゲート電極中のドーパンの相互拡散バリア構造及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

PRODUCTION OF OVERLAID IN-MOLD MOLDED PRODUCT AND INJECTION MOLD HAVING SUBMARINE GATE STRUCTURE例文帳に追加

オーバーレイドインモールド成形品の製造方法およびサブマリンゲート構造を有する射出成形用金型 - 特許庁

A drain trench 6 and a gate trench 7 are formed in the nitride semiconductor laminate structure 2.例文帳に追加

窒化物半導体積層構造部２には、ドレイントレンチ６およびゲートトレンチ７が形成されている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a semiconductor device gate structure having an internal spacer.例文帳に追加

半導体デバイス用の、内部スペーサを有するゲート構造を作製する方法を提供すること。 - 特許庁