「Gate structure」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

In the method for fabricating a dynamic random access memory having a data storage capacitor structure and a data transfer gate, a dummy gate member 13 wider than the transfer gate 12 is formed together with the transfer gate 12 contiguously to the end of an array of the transfer gate 12 prior to a step for forming the capacitor structure 16 on the transfer gate 12 through an interlayer dielectric.例文帳に追加

データ蓄積用のキャパシタ構造及びデータのトランスファゲートを有するダイナミックランダムアクセスメモリの製造に関し、トランスファゲート１２上方に層間絶縁膜１２を介してキャパシタ構造１６を形成する前の工程において、トランスファゲート１２配列の端部に隣接してトランスファゲート１２より幅広のダミーゲート部材１３をトランスファゲート１２と共に形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which has a gate structure having a side wall formed, without causing deterioration in semiconductor characteristics and reliability, in the gate structure made of a metal electrode/high-k gate insulating film.例文帳に追加

メタル電極／ｈｉｇｈ−ｋゲート絶縁膜からなるゲート構造において、半導体特性や信頼性の劣化をおこさせることなく、サイドウォールを形成したゲート構造を有する半導体装置の提供。 - 特許庁

The oxygen concentration in the contact portion to the sidewall of the first gate structure 150A in the first spacer structure is higher than the oxygen concentration in the contact portion to the sidewall of the second gate structure 150B in the second spacer structure.例文帳に追加

第１のスペーサ構造における第１のゲート構造１５０Ａの側壁との接触部分の含有酸素濃度は、第２のスペーサ構造における第２のゲート構造１５０Ｂの側壁との接触部分の含有酸素濃度よりも高い。 - 特許庁

A TFT 12 has a structure formed by laminating a bottom gate electrode 20, a bottom gate insulating film 17, a semiconductor layer 13, a top gate insulating film 18, a top gate electrode 14, and an interlayer insulating film 19 in this order.例文帳に追加

ＴＦＴ１２は、ボトムゲート電極２０、ボトムゲート絶縁膜１７、半導体層１３、トップゲート絶縁膜１８、トップゲート電極１４及び層間絶縁膜１９がこの順に積層された構造を有する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of preventing the mutual diffusion of impurities in a polysilicon layer and reducing the resistance of an n-type polymetallic gate electrode and a p-type polymetallic gate electrode in the semiconductor device having a gate electrode in a polymetallic gate structure and a dural gate structure.例文帳に追加

ポリメタルゲート構造及びデュアルゲート構造のゲート電極を有する半導体装置において、ポリシリコン層中の不純物の相互拡散を防止すると共に、Ｎ型ポリメタルゲート電極とＰ型ポリメタルゲート電極の抵抗を共に低くすることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The electrode contact structure is used as a structure or a cathode electrode for the gate electrode of a self-scanning type light-emitting element array.例文帳に追加

電極コンタクト構造は、自己走査型発光素子アレイのカソード電極やゲート電極の構造として用いられる。 - 特許庁

To provide a local SONOS-type structure having a two-piece gate and a self-aligned ONO structure.例文帳に追加

２つに分離されたゲートと自己整列されたＯＮＯ構造体とを備える局部的ＳＯＮＯＳ型構造体を提供する。 - 特許庁

To provide novel gate, CMOS structure and MOS structure exhibiting excellent low resistivity and controllability.例文帳に追加

低抵抗性および制御性などに優れた新しいゲートならびにＣＭＯＳ構造およびＭＯＳ構造を提供する。 - 特許庁

The semiconductor structure, such as a CMOS structure, includes the gate electrode having the work function variable in the lateral direction.例文帳に追加

ＣＭＯＳ構造体などの半導体構造体が、横方向に可変の仕事関数を有するゲート電極を含む。 - 特許庁

The articulation mechanisms 18 fix the cargo support structure 20 in place when the cargo support structure is located below the lift gate 12b.例文帳に追加

関節連結機構（１８）は、荷物支持構造がリフトゲート（１２ｂ）の下方にあるとき、荷物支持構造（２０）を固定する。 - 特許庁

To drive a display device of a multiplex pixel structure by only simple control, and further simplify the structure of a gate driver.例文帳に追加

単純の制御のみで多重化画素構造の表示装置を駆動し、なおかつ、ゲートドライバの構造を単純化する。 - 特許庁

To reduce gate/drain overlap capacity of a thin-film transistor having a GOLD structure.例文帳に追加

ＧＯＬＤ構造を有する薄膜トランジスタのゲート／ドレイン重なり容量を減少させる。 - 特許庁

SEAL STRUCTURE OF DISCHARGE GATE OF RECEIVER TANK FOR SUCTION FORCE FEED VEHICLE OR SUCTION FORCE FEED DEVICE例文帳に追加

吸引圧送車または吸引圧送装置におけるレシーバタンクの排出ゲートのシール構造 - 特許庁

STRUCTURE AND METHOD FOR FITTING BUFFER MEMBER OF GATE HANDLE FOR CARGO BOX例文帳に追加

荷箱用ゲートハンドルの緩衝部材組み付け構造及び該緩衝部材の組み付け方法 - 特許庁

To provide a manual type elevating gate 2 simple in structure and requiring no electric power.例文帳に追加

構造がシンプルで、かつ電力を必要としない手動式昇降ゲート２の提供。 - 特許庁

To provide a field programmable gate array (FPGA) having hierarchical interconnect structure.例文帳に追加

階層型相互接続構造を有するフィールド・プログラマブル・ゲート・アレイ（ＦＰＧＡ）を提供する。 - 特許庁

A gate electrode 9 is formed on the upper surface of the insulating film 8 of the laminated structure.例文帳に追加

この積層構造の絶縁膜８の上面にゲート電極９が形成される。 - 特許庁

To provide a gate electrode structure configured of a polysilicon-metal lamination that is easily etched.例文帳に追加

エッチングの容易なポリシリコン−メタル積層で構成されるゲート電極構造を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory having a floating gate structure, and to provide a process for fabricating the same.例文帳に追加

浮遊ゲート構造を有する不揮発性メモリおよびその製造プロセスを提供する。 - 特許庁

In addition, the gate insulating layer may be a laminate structure of a gallium oxide film and a hafnium oxide film.例文帳に追加

また、ゲート絶縁層は、酸化ガリウム膜と酸化ハフニウム膜の積層構造としてもよい。 - 特許庁

To provide a method for etching a dual doped gate structure in a plasma etching chamber.例文帳に追加

プラズマエッチングチャンバ内でデュアルドープゲート構造をエッチングするための方法を提供する。 - 特許庁

An upper part conductive layer arranged on the upper part dielectric structure functions as a gate.例文帳に追加

該上部誘電構造体上に配置された上部導電層がゲートとして働く。 - 特許庁

The gate electrode 8a has a three step structure of an eaves part, an upper part and a lower part.例文帳に追加

ゲート電極８ａは、ひさし部、上部及び下部の３段構造を有している。 - 特許庁

The laminate structure includes a gate pattern and an insulation pattern laminated alternately and iteratively.例文帳に追加

積層構造体は交互に反復的に積層されたゲートパターン及び絶縁パターンを含む。 - 特許庁

The CMIS circuit, which includes the dual-gate electrode structure, is formed on a SOI substrate.例文帳に追加

デュアルゲート電極構造を有するＣＭＩＳ回路をＳＯＩ基板１に形成した。 - 特許庁

To provide a hive gate structure in a beehive, not easily opened even by vibration or shock caused when carrying the beehive in a door-closed state, and having a simple structure therefor; and to provide the beehive having the hive gate structure, and a component of a hive gate-opening and closing tool for the beehive.例文帳に追加

扉を閉じた状態で運ぶ際に振動や衝撃を受けても扉が容易に開かず、また、そのための構造が簡単であるようにした、養蜂箱における巣門構造及びそれを備えた養蜂箱、養蜂箱用の巣門開閉具部品を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor element which has a floating gate structure and can reduce a drive voltage.例文帳に追加

フローティングゲート構造を有し、駆動電圧を低減可能な半導体素子を提供する。 - 特許庁

An LTO film having such a structure is employed as a gate oxide film 7.例文帳に追加

このような構造とされたＬＴＯ膜をゲート酸化膜７として用いるようにする。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging device inhibiting a smear phenomenon by a transfer gate structure.例文帳に追加

移送ゲート構造によってスミア現象を抑制した固体撮像装置を提供する - 特許庁

To enable a semiconductor device which is equipped with a gate electrode of multilayered structure to be improved in reliability.例文帳に追加

多層構造のゲート電極を有する半導体装置の信頼性を向上させる。 - 特許庁

FLASH MEMORY COMPRISING LOCAL SONOS STRUCTURE UTILIZING NOTCH GATE, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

ノッチゲートを利用したローカルＳＯＮＯＳ構造を有するフラッシュメモリ及びその製造方法 - 特許庁

To simplify structure of a shift lock device for a staggered gate type automatic transmission to reduce cost.例文帳に追加

スタッガートゲート式の自動変速機のシフトロック装置の構造を簡単にしてコスト安にする。 - 特許庁

The control module is connected to the gate-type structure, the wax supply portion and the waxing portion.例文帳に追加

制御モジュールは、門型構造物、ワックス供給部、及びワックス磨き部に接続される。 - 特許庁

To provide a field emission element having a double gate structure, and its manufacturing method.例文帳に追加

二重ゲート構造を有する電界放出素子とその製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor pillar penetrates the laminate structure and the selection gate electrode in the first direction.例文帳に追加

半導体ピラーは、積層構造体及び選択ゲート電極を第１方向に貫通する。 - 特許庁

A gate structure G1 is formed on a semiconductor substrate 2 of a first conductivity type.例文帳に追加

第一の導電型を有する半導体基板２上に、ゲート構造Ｇ１を形成する。 - 特許庁

The gate electrode is preferably polysilicon, silicon germanium or a laminated structure of these.例文帳に追加

また、ゲート電極は、ポリシリコン、シリコンゲルマニウム又はこれらの積層構造であることが好ましい。 - 特許庁

Next, ion implantation is conducted to the semiconductor substrate 1 at the side of the one gate structure G2.例文帳に追加

次に、一のゲート構造Ｇ２脇の半導体基板１に対してイオン注入を行う。 - 特許庁

To reduce the intervals between trenches in a semiconductor device of a trench gate structure.例文帳に追加

トレンチゲート構造の半導体装置において、トレンチ間隔の縮小が図れるようにする。 - 特許庁

Thereafter, ion implantation is conducted to the semiconductor substrate 1 at the side of the other gate structure G1.例文帳に追加

その後、他のゲート構造Ｇ１脇の半導体基板１に対してイオン注入を行う。 - 特許庁

METHOD FOR UTILIZING MULTILAYER/MULTI-INPUT/MULTI-OUTPUT (MLMIMO) MODEL TO METAL GATE STRUCTURE例文帳に追加

金属ゲート構造への多層／多入力／多出力（ＭＬＭＩＭＯ）モデルの使用方法 - 特許庁

To reduce on-resistance of a trench gate type semiconductor device having trench contact structure.例文帳に追加

トレンチコンタクト構造を有するトレンチゲート型半導体装置のオン抵抗を低減する。 - 特許庁

FLIP FLOP HAVING INVERTER FEEDBACK STRUCTURE WITH GATE HAVING PRESET/CLEAR LOGIC INSIDE例文帳に追加

プリセット／クリアの論理が内蔵されているゲート付きインバータ・フィードバック構造を有するフリップフロップ - 特許庁

The gate electrode is set to two layer structure formed of phosphorus dope polysilicon 3 and WSi4.例文帳に追加

ゲート電極は、たとえばリンドープポリシリコン３、ＷＳｉ４からなる２層構造とする。 - 特許庁

He built the Miei-do Hall, the main gate, etc. of Taiseki-ji Temple to establish the structure of the temple on October 16, 1522. 例文帳に追加

1522年（大永2年）9月17日、大石寺御影堂・総門等を建立し結構を整う。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス