「Gate structure」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

MULTIPLE GATE FIELD EFFECT TRANSISTOR STRUCTURE AND METHOD FOR FABRICATING SAME例文帳に追加

複数ゲート電界効果トランジスタ構造およびその製造方法 - 特許庁

CONNECTING STRUCTURE OF COMPOSITE BEAM AND WOODEN COLUMN, AND GATE-SHAPED FRAME例文帳に追加

複合梁と木製柱との接続構造及び門型フレーム - 特許庁

UPPER PART STRUCTURE OF GATE PLATE OF WING VEHICLE HAVING HEAT INSULATION PANEL例文帳に追加

断熱パネルを備えたウイング車の煽り板の上部構造 - 特許庁

The trench-gate structure 16 includes a trench 26 having a side wall.例文帳に追加

トレンチゲート構造１６は、側壁を有するトレンチ２６を含む。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING GATE STRUCTURE, AND MANUFACTURING METHOD FOR THE SAME例文帳に追加

ゲート構造を有する半導体素子及びその製造方法 - 特許庁

DUAL GATE STRUCTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE, AND ITS FORMING METHOD例文帳に追加

半導体装置のデュアルゲート構造物及びその形成方法 - 特許庁

Consequently, if gate voltage is applied to the first wiring, a GOLD structure is obtained, and if gate voltage is not applied to the first wiring, the LDD structure is obtained.例文帳に追加

このため、第１配線にゲート電圧を印加すればＧＯＬＤ構造となり、印加しなければＬＤＤ構造となる。 - 特許庁

STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD OF NOTCH GATE FIELD EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加

ノッチ型ゲート電界効果トランジスタの構造および製造方法 - 特許庁

A second gate structure 148 is arranged on the second active region 104a positioned on the first gate structure 132.例文帳に追加

第１ゲート構造物１３２上に位置する第２アクティブ領域１０４ａ上には第２ゲート構造物１４８が具備される。 - 特許庁

To provide an asymmetric structure more easily with a gate structure based on recess formation.例文帳に追加

より容易にリセス形成によるゲート構造で非対称構造を実現できるようにする。 - 特許庁

The capacitor has a MOS gate structure that a gate insulating film is held as a dielectric material between a gate 11 and the ground 12.例文帳に追加

キャパシタ１は、ゲート部１１とグランド部１２との間に誘電体としてゲート絶縁膜を挟んだＭＯＳゲート構造となっている。 - 特許庁

A gate structure 20 (a gate dielectric layer 14, a gate electrode 16, a first spacer 24, and a hard mask 18) is formed on a substrate 10.例文帳に追加

基板１０上にゲート構造体２０（ゲート誘電層１４、ゲート電極１６、第一のスペーサ２４、ハードマスク１８）を形成する。 - 特許庁

The MOSFET gate structure includes a gate dielectric on a substrate and a gate, where niobium monoxide occupies majority on the gate dielectric.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴゲート構造であって、基板の上のゲート誘電体と、該ゲート誘電体の上で一酸化ニオブが過半数を占めるゲートとを含む、ＭＯＳＦＥＴゲート構造である。 - 特許庁

To make thinner a gate insulator without reducing the breakdown voltage of the gate or to increase the breakdown voltage of the gate without thickening the gate insulator in a FET having a trench gate structure.例文帳に追加

トレンチゲート構造のＦＥＴにて、ゲート耐圧を低下させることなくゲート絶縁膜を薄くする、或はゲート絶縁膜を厚くせずにゲート耐圧を向上させることが可能な技術を提供する。 - 特許庁

In this gate door mounting structure, the gate door 1 is bolt- fastened to a gate post 4 through a hinge 5, and a gate post side bolt hole 13 and a gate door side bolt hole 14 of the hinge 5 are formed in laterally long shape.例文帳に追加

門扉１を門柱４に丁番５を介してボルト止めする門扉の取り付け構造において、丁番５の門柱側ボルト孔１３および門扉側ボルト孔１４を横長に形成する。 - 特許庁

SPLIT GATE TYPE NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE WITH DOUBLE FLOATING GATE STRUCTURE, AND METHOD OF FABRICATING THE SAME例文帳に追加

ダブルフローティングゲート構造を持つスプリットゲート型不揮発性半導体メモリ素子およびその製造方法 - 特許庁

Furthermore, a capacitance Cgd between a gate and a drain is reduced by using a dual gate structure.例文帳に追加

また、デュアルゲート構造を用いることによってゲートとドレインとの間の容量Ｃｇｄを低減する。 - 特許庁

HIVE GATE STRUCTURE IN BEEHIVE, BEE HIVE HAVING THE SAME, AND COMPONENT OF HIVE GATE-OPENING AND CLOSING TOOL FOR BEEHIVE例文帳に追加

養蜂箱における巣門構造及びそれを備えた養蜂箱、養蜂箱用の巣門開閉具部品 - 特許庁

An emitter region 6 and a gate electrode 8 in a trench gate structure are provided on the surface side of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の表面側にエミッタ領域６とトレンチゲート構造のゲート電極８を設ける。 - 特許庁

A second tunnel barrier structure is arranged on the floating gate.例文帳に追加

第２トンネル障壁構造体が該浮遊ゲート上に配置されている。 - 特許庁

LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE WITH GATE-IN-PANEL STRUCTURE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ゲートインパネル構造の液晶表示装置及びその製造方法 - 特許庁

The memory device further comprises a multilayer spacer structure formed on a sidewall of the laminated gate.例文帳に追加

積層ゲートの側壁には多層スペーサ構造が形成される。 - 特許庁

MEMORY DEVICE WITH RECESSED GATE STRUCTURE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

窪み付きゲート構造を有するメモリデバイス及びその製造方法 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH INSULATED-GATE STRUCTURE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

絶縁ゲート構造体を有する半導体装置とその製造方法 - 特許庁

DOUBLE WORK FUNCTION METAL GATE STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

二重仕事関数金属ゲート構造体及びその製造方法 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH TRENCH-GATE STRUCTURE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

トレンチゲート構造を有する半導体デバイスおよびその製造方法 - 特許庁

GATE STRUCTURE, SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING IT, AND FORMING METHOD THEREFOR例文帳に追加

ゲート構造物、これを有する半導体装置及びその形成方法 - 特許庁

FILM FORMING METHOD, FORMING METHOD OF GATE ELECTRODE STRUCTURE, AND PROCESSING APPARATUS例文帳に追加

成膜方法、ゲート電極構造の形成方法及び処理装置 - 特許庁

LIGHT GUIDE BODY, AND GATE STRUCTURE FOR MEDIUM PROVIDED WITH THE SAME例文帳に追加

導光体及びその導光体を備えた媒体ゲート機構。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a gate structure of a field effect transistor.例文帳に追加

電界効果トランジスタのゲート構造の製造方法を開示する。 - 特許庁

BASE ISOLATING WATER CUTOFF METHOD FOR WATER GATE PIT MOUTH CIRCUMFERENTIAL EDGE AND ITS STRUCTURE例文帳に追加

水門坑口周縁部免震止水工法及びその構造 - 特許庁

This structure includes a source 20, a drain 22, a body 24 and a gate.例文帳に追加

この構造は、ソース２０、ドレイン２２、ボディ２４、およびゲートを含む。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING DUAL-GATE DIELECTRIC STRUCTURE例文帳に追加

デュアルゲート誘電体構造を有する半導体素子の製造方法 - 特許庁

GATE STRUCTURE OF MOLD FOR INJECTION MOLDING OF THERMOPLASTIC ELASTOMER例文帳に追加

熱可塑性エラストマーの射出成形用金型におけるゲート構造 - 特許庁

MOUNTING BRACKET STRUCTURE, MOUNTING BRACKET AND FLEXIBLE MEMBRANE DERRICKING GATE例文帳に追加

取り付け金具構造体、取り付け金具及び可撓性膜起伏ゲート - 特許庁

To provide a semiconductor device having a trench gate structure, device characteristics being prevented from decreasing while the resistance of the trench gate structure is reduced.例文帳に追加

トレンチゲート構造を有する半導体装置において、トレンチゲート構造の抵抗を低減しつつ、デバイス特性の低下を防止すること。 - 特許庁

The local SONOS structure includes a substrate, an ONO structure on the substrate, a first gate film on the ONO structure aligned with it, a gate insulation film on the substrate aside the ONO structure, and a second gate film on the first gate film and on the gate insulation film.例文帳に追加

本発明による局部的ＳＯＮＯＳ型構造体は、基板と、基板上のＯＮＯ構造体と、ＯＮＯ構造体上にてこのＯＮＯ構造体に整列される第１ゲート膜と、基板上にてＯＮＯ構造体の横に配されるゲート絶縁膜と、第１ゲート膜及びゲート絶縁膜上に形成される第２ゲート膜とを含む。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE HAVING ETCH RESISTANT LINER ON TRANSISTOR GATE STRUCTURE AND ITS FORMING METHOD例文帳に追加

トランジスタ・ゲート構造上にエッチ耐性ライナを有する半導体デバイス構造およびその形成方法 - 特許庁

The gate electrode structure 40 and the drain region 21 partially form a capacitor structure.例文帳に追加

ゲート電極構造４０およびドレイン領域２１は、部分的にキャパシタ構造を形成している。 - 特許庁

To provide a method and structure for generating a void fuse structure on a gate conductor stack.例文帳に追加

ゲート導体スタックの上に空洞ヒューズ構造を作成する構造および方法を提供する。 - 特許庁

In addition, a top gate-type TFT that is of the multi-gate structure and a top gate-type TFT that is of a single gate structure can be formed on the same substrate by merely changing the mask without increasing the number of processes.例文帳に追加

また、マスクを変更するだけで、工程数を増やすことなく、同一基板上に上記マルチゲート構造であるトップゲート型ＴＦＴとシングルゲート構造であるトップゲート型ＴＦＴを形成することができる。 - 特許庁

To adjust a threshold value of a complementary transistor having a gate stack structure of a high dielectric constant gate insulating film and a metal gate electrode using a simple procedure.例文帳に追加

簡易な手順で、高誘電率ゲート絶縁膜とメタルゲート電極とのゲートスタック構造を有する相補型トランジスタの閾値を調整する。 - 特許庁

To improve the characteristics of a gate oxide film formed on the inner wall of a trench in a MOS gate power device having a trench MOS gate structure.例文帳に追加

トレンチＭＯＳゲート構造を有するＭＯＳゲートパワーデバイスなどにおいて、トレンチ内壁に形成するゲート酸化膜の特性を向上させる。 - 特許庁

A gate electrode of a TFT 30 thus has a multilayer structure including the first gate electrode 3a1 and the second gate electrode 3a2.例文帳に追加

したがって、ＴＦＴ３０のゲート電極は、第１ゲート電極３ａ１及び第２ゲート電極３ａ２を含む多層構造を有している。 - 特許庁

To suppress damage to a gate insulating film during a step of removing a gate electrode in a semiconductor device having a dual metal gate structure.例文帳に追加

デュアルメタルゲート構造を有する半導体装置において、ゲート電極除去する工程において、ゲート絶縁膜に与える損傷を抑える。 - 特許庁