「Gate structure」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

A second capacitor structure comprises a second dielectric layer (26) and a second gate layer (28), and is formed so as to be overlaid on the first gate structure.例文帳に追加

第２のコンデンサ構造は、第２の誘電体層（２６）および第２のゲート層（２８）を備え、前記第１のゲート構造上に重なって形成される。 - 特許庁

To surely prevent a leak between a first treatment chamber and a second treatment chamber via a gate valve by an extremely simple structure in which the gate valve has a two-step seal structure.例文帳に追加

ゲートバルブを２段シール構造とする極めて簡単な構造で、ゲートバルブを介する第１処理室と第２処理室との間のリークを確実に防止する。 - 特許庁

A recess is formed in the barrier layer and a gate structure 140 is formed so that at least one part of the gate structure is arranged on the spacer layer through the recess.例文帳に追加

バリア層内に凹部を形成し、凹部を通して、少なくてもその一部が前記スペーサ層上に配置されるようにゲート構造１４０を形成する。 - 特許庁

Further, at least an n^+ emitter region and a gate structure of a gate electrode, etc., are formed as the top-side element structure on the fourth epitaxial layer.例文帳に追加

ついで、第４エピタキシャル層上に、おもて面素子構造として、少なくともｎ^+エミッタ領域、およびゲート電極などのゲート構造を形成する。 - 特許庁

A PMOS transistor gate structure is formed in an n-type silicon region 20, and an NMOS transistor gate structure is formed in a p-type silicon region 10.例文帳に追加

ｎ型シリコン領域（２０）にＰＭＯＳトランジスタ・ゲート構造が形成され、ｐ型シリコン領域（１０）にＮＭＯＳトランジスタ・ゲート構造が形成される。 - 特許庁

To provide a gate structure of an integrated circuit memory device having charge storing nano crystals in a metal oxide dielectric film and a method of forming the gate structure.例文帳に追加

金属酸化物絶縁膜内に電荷保存ナノクリスタルを有する集積回路メモリ装置のゲート構造物及びその形成方法を提供する。 - 特許庁

GATE DIODE STRUCTURE HAVING HIGH AREA EFFICIENCY AND METHOD OF FORMING THE SAME例文帳に追加

面積効率の高いゲート・ダイオード構造およびこれを形成する方法 - 特許庁

STRUCTURE FOR PREVENTING INFILTRATION OF OUTDOOR AIR FROM SLIDING GATE SECTION OF CONTINUOUSLY CASTING EQUIPMENT例文帳に追加

連続鋳造装置のスライディングゲート部からの外気侵入防止構造 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a flash memory cell having a split-gate structure.例文帳に追加

分離ゲート構造を有するフラッシュメモリセルの製造方法を提供する - 特許庁

In a trench type MOS gate structure, an N-type source layer is formed self-alignedly.例文帳に追加

トレンチ型ＭＯＳゲート構造で、Ｎ型ソース層をセルフアラインで形成する。 - 特許庁

To provide a method for forming a gate structure capable of solving problems of a low yield and a high cost acting as defects of a prior art method for forming a T-type gate structure.例文帳に追加

従来のＴ型ゲート構造の形成方法における欠点である高コスト、低歩留まりを解消可能なゲート構造の形成方法を提供する。 - 特許庁

At this point, an n^--type impurity-introduced region 6 is formed on the right of the gate structure 2 apart from the right side face of the gate structure 2 by a prescribed distance.例文帳に追加

このとき、ｎ−不純物導入領域６は、ゲート構造２右側に、ゲート構造２の右側面から所定の距離だけ離れて形成される。 - 特許庁

The gate insulation film is given a multilayer structure comprising at least SiO_2 and SRN (Si Rich Nitride) film.例文帳に追加

ゲート絶縁膜を少なくともSiO_2とSRN（Si Rich Nitride）膜との積層構造とする。 - 特許庁

Therefore, the contact resistance of the gate structure can be kept at a certain level as desired.例文帳に追加

そのため、ゲート構造の接触抵抗は、望みの水準で保たれる。 - 特許庁

The water gate structure body is equipped with a buoyancy utilization movement drive device 9 moving a gate device 8 of the water structure body 7 in response to the influence of the water level rise.例文帳に追加

水門構造体は、水位上昇の影響を受けて水門構造体７の門装置８を移動させる浮力利用運動駆動装置９を備える。 - 特許庁

To reduce a cell area in a flash memory device of a single gate structure.例文帳に追加

単層ゲート構造のフラッシュメモリ装置において、セル面積を縮小する。 - 特許庁

The field effect transistor structure includes a source region 24, a first body region 23, a drain region 21, a gate electrode structure 40, and a gate insulating layer.例文帳に追加

電界効果トランジスタ構造は、ソース領域２４、第１のボディ領域２３、ドレイン領域２１、ゲート電極構造４０およびゲート絶縁層とを含む。 - 特許庁

Afterwards, a gate structure is formed on an exposed active area, a sidewall spacer is formed on the sidewall of the gate structure on the silicidation preventive pattern.例文帳に追加

その後、露出された活性領域上にゲート構造物を形成し、シリサイデーション防止パターン上のゲート構造物の側壁に側壁スペーサを形成する。 - 特許庁

The gate electrode of a metal oxide field effect transistor for driving a heating element is formed of a polycide structure or a metal gate structure.例文帳に追加

本発明は、発熱素子を駆動する金属酸化物電界効果型トランジスタのゲート電極をポリサイド構造又はメタルゲート構造により形成する。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING DOUBLE GATE ELECTRODE STRUCTURE, AND MANUFACTURING METHOD FOR THE SAME例文帳に追加

二重ゲート電極構造を含む半導体装置及びその製造方法 - 特許庁

STRUCTURE AND FABRICATION METHOD FOR CAPACITOR INTEGRATIBLE WITH VERTICAL REPLACEMENT GATE TRANSISTOR例文帳に追加

垂直置換ゲートトランジスタと集積可能な容量の構造及び作製法 - 特許庁

A structure as a gate is such that it does not touch the isolation edge directly is formed via a gate insulation film.例文帳に追加

素子分離端にゲート絶縁膜を介して直接ゲートがかからないような構造を形成することを特徴とする。 - 特許庁

To provide an insulated gate transistor of a trench gate structure which has a built-in freewheel diode (FWD) and which can improve a recovery characteristic in diode operation.例文帳に追加

ＦＷＤ内蔵型の絶縁ゲート型トランジスタにおいて、ダイオード動作におけるリカバリー特性を改善する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which has a fin structure capable of suppressing both a gate capacitance and a gate resistance.例文帳に追加

ゲート容量とゲート抵抗の両方を小さく抑えることのできるフィン構造を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

The structure has a spacer that is adjacent to the gate conductor and cannot be deformed, and the gap between the gate conductor and the spacer.例文帳に追加

本発明は、ゲート導体に隣接した変形不可能なスペーサおよびゲート導体とスペーサの間のギャップを有する。 - 特許庁

To provide a lift gate structure for a vehicle that can achieve both of reduction of the weight and improvement of the rigidity of a lift gate.例文帳に追加

リフトゲートの軽量化と剛性向上とを両立することができる車両用リフトゲート構造等を提供する。 - 特許庁

For example, a floating gate 4 is shaped to include a projection 21 in an EEPROM of double-layer gate structure.例文帳に追加

例えば、２層ゲート構造のＥＥＰＲＯＭにおいて、フローティングゲート４の形状を、突出部２１を有する形状とする。 - 特許庁

A MIS structure is constituted by the center part of the columnar semiconductor 14, the gate insulating film 9, and the gate layer 6.例文帳に追加

この柱状半導体１４の中央部、ゲート絶縁膜９、ゲート層６により、ＭＩＳ構造が形成されている。 - 特許庁

A semiconductor structure is provided that includes an asymmetric gate stack located on a surface of high-k gate dielectric.例文帳に追加

高ｋゲート誘電体の表面上に配置された非対称型ゲート・スタックを含む半構造体が提供される。 - 特許庁

The gate oxide film of the gate withdrawal-wiring region is made a thicker structure than that of the cell region.例文帳に追加

これにより、セル領域よりもゲート引き出し配線領域の方がゲート酸化膜が厚い構造とすることができる。 - 特許庁

A gate conductor on SOI semiconductor structure is partitioned into segments, and the body contact is formed under the gate conductor segment.例文帳に追加

ＳＯＩ半導体構造上のゲート導体１０をセグメントに区切り、ゲート導体セグメントの下にボディコンタクトを形成する。 - 特許庁

To provide a traveling guide structure of a sliding gate door and an expandable gate door from which dust can be easily swept out.例文帳に追加

塵、ごみ等の掃き出し作業を容易に行なうことができる、引き戸門扉、伸縮門扉の扉の走行ガイド構造 - 特許庁

To make it possible to drive gate signal lines by a single driving means and a power source device correspondingly to any display means of a Cs-On-Common structure and a Cs-On-Gate structure.例文帳に追加

単一の駆動手段および電源装置で以て、Cs-On-Common構造およびCs-On-Gate構造の何れの表示手段にも対応して、ゲート信号線の駆動を行うことができる液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

The gate structure has a laminated structure, obtained by laminating in this order a gate insulation film 3 composed of a silicon oxide film, a gate electrode 4 mode of polysilicon, and a Co silicide layer 5 composed of a silicon oxide film.例文帳に追加

ゲート構造は、シリコン酸化膜から成るゲート絶縁膜３と、ポリシリコンから成るゲート電極４と、シリコン酸化膜化から成るＣｏシリサイド層５とがこの順に積層された積層構造を有している。 - 特許庁

A gate 9 of double structure comprises two first gate members 12 and 13 sandwiching a gate region with a specified interval in-between, and two second gate members 14 and 15 sandwiching those two first gate members 12 and 13 from farther outside.例文帳に追加

ゲート領域を所定の間隔をあけて挟む２つの第１ゲート部材１２,１３と、その２つの第１ゲート部材１２,１３をさらに外側から挟む２つの第２ゲート部材１４,１５とを有する二重構造のゲート部９を備える。 - 特許庁

A P-channel type circuit driving TFT80, however, since its first gate electrode 65a is longer than its second gate electrode 65b, shows the electrical characteristics of a self-aligned structure whether it is viewed as a device having a top gate structure or as a device having a bottom gate structure.例文帳に追加

これに対して、Ｐチャネル型の駆動回路用のＴＦＴ８０では、第１のゲート電極６５ａが第２のゲート電極６５ｂよりも長いため、トップゲート構造およびボトムゲート構造のいずれの構造としてみた場合でもセルフアライン構造の電気的特性を示す。 - 特許庁

To reduce an area of a capacitor element without decreasing capacity of the capacitor element, and to prevent an electric short circuit between a gate electrode and a substrate of a circuit component having a single-layer gate structure in a semiconductor memory device including a 2-layer gate structure and the single-layer gate structure.例文帳に追加

キャパシタ素子の容量を低下させることなくキャパシタ素子の面積を縮小させると共に、２層ゲート構造と１層ゲート構造を有する半導体記憶装置における１層ゲート構造を有する回路素子のゲート電極と基板間の電気的短絡を防止する。 - 特許庁

In a MOS transistor cell having a salicide structure, its p-channel gate terminal and n-channel gate terminal are constituted of a linear gate wiring (10) having a constant width, and it has the plurality of gate wirings (10).例文帳に追加

サリサイド構造のＭＯＳトランジスタセルは、Ｐチャネルゲート端子とＮチャネルゲート端子とが一定幅かつ直線状の一のゲート配線で構成され、当該ゲート配線（１０）を複数備えている。 - 特許庁

In the non-volatile semiconductor memory device of split gate structure, memory cells of different gate lengths are integrated because read-out current and read and write endurance are in tradeoff condition due to the gate length of a memory gate.例文帳に追加

スプリットゲート構造の不揮発性半導体記憶装置において、読み出し電流と書き換え耐性はメモリゲートのゲート長によりトレードオフの関係にあるため、ゲート長の異なるメモリセルを集積する。 - 特許庁

FIELD EMISSION DISPLAY COMPRISING GATE ELECTRODE PLATE OF STRUT STRUCTURE, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

支柱構造のゲート極板を含むフィールドエミッションディスプレイおよびその製法 - 特許庁

DUAL GATE HIGH-ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR (HEMT) STRUCTURE SEMICONDUCTOR MODULATION ELEMENT AND METHOD OF MANUFACTURING SAME例文帳に追加

デュアルゲートＨＥＭＴ構造半導体変調素子及びその製造方法 - 特許庁

TYPE T GATE STRUCTURE NITRIDE SYSTEM FIELD EFFECT TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

Ｔ字型ゲート構造ナイトライド系電界効果トランジスタおよびその製造方法 - 特許庁

FIELD EMISSION DISPLAY COMPRISING GATE ELECTRODE PLATE OF STRUT STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

支柱構造のゲート極板を含むフィールドエミッションディスプレイおよびその製法 - 特許庁

A gate structure of a transistor is formed by using a hard mask.例文帳に追加

本発明のトランジスタのゲート構造がハードマスクを用いることにより形成される。 - 特許庁

To provide a gate driver for a thyristor having a simple structure and low power loss.例文帳に追加

簡単な構造と低損失を有するサイリスタ用ゲートドライバが開示される。 - 特許庁