「Ge ON」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A Ge solar cell layer may be formed on the other surface of the Si solar cell layer to include a solar cell layer having an InGaP/(In)GaAs/Si/Ge 4-junction structure.例文帳に追加

前記Si太陽電池層の他面にGe太陽電池層を形成し、InGaP/(In)GaAs/Si/Ge４接合構造の太陽電池層を含む構成としてもよい。 - 特許庁

The Ge substrate 31 is oxidized over the insulating film 32, and a Ge oxide film 33 is formed on the boundary surface of the insulating film 32 and the Ge substrate 31.例文帳に追加

絶縁膜３２越しにＧｅ基板３１を酸化させて、絶縁膜３２とＧｅ基板３１との界面にＧｅ酸化膜３３を形成する。 - 特許庁

The highly concentrated Ge layer 8 is formed on an upper surface of the SiGe layer 7, and has a Ge concentration that is higher than the Ge concentration in the SiGe layer 7.例文帳に追加

高濃度Ｇｅ層８は、ＳｉＧｅ層上面に形成され、ＳｉＧｅ層７内におけるＧｅ濃度よりも高いＧｅ濃度を有する。 - 特許庁

Then, the substrate is heated to form an (Ni_1-xPt_x)Ge thin film made of three elements, e.g. Ni, Pt and Ge on the Ge substrate.例文帳に追加

その後、熱処理を加えることによって、Ｇｅ基板上にＮｉ、Ｐｔ、Ｇｅの三元素からなる（Ｎｉ_1-xＰｔ_x）Ｇｅ薄膜が形成された。 - 特許庁

To form a Ge oxide film on a surface of a Ge substrate without generating an in-film deficit.例文帳に追加

膜中欠損を生じさせることなくＧｅ基板の表面にＧｅ酸化膜を形成する。 - 特許庁

To form an excellent Ge oxide film on a boundary surface of a Ge substrate and an insulating film.例文帳に追加

Ｇｅ基板と絶縁膜との界面に、良好なＧｅ酸化膜を形成する。 - 特許庁

On August 11th, ranked Ju Goi-ge and appointed as Samanokami. 例文帳に追加

8月11日、従五位下に叙し、左馬頭に任官。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

He was given the court rank of Jyu Goi-ge on April 28, 1493. 例文帳に追加

1493年（明応2年）4月28日、従五位下に叙す。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

NEW CMOS CIRCUIT OF GaAs/Ge ON SI SUBSTRATE例文帳に追加

Ｓｉ基板上のＧａＡｓ／Ｇｅの新規なＣＭＯＳ回路 - 特許庁

DEPOSITION OF GROUP III-NITRIDES ON GE例文帳に追加

ＩＩＩ族−窒化物のＧｅ上への形成 - 特許庁

To provide a Ge light receiving element having high photosensitivity and low dark current characteristics, and to provide a method for manufacturing the same by establishing a method for forming a Ge of a large area and low defect density on an Si substrate.例文帳に追加

Si基板上に大面積且つ低欠陥密度のGeを形成する手法を確立し、高い受光感度と低暗電流特性を有するGe受光素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a substrate 1, a semiconductor region which is formed on a substrate surface is mainly formed of Ge, a non-metal Ge compound layer 2 formed on the semiconductor region, an insulation film 3 formed on the non-metal Ge compound layer, an electrode 4 formed on the insulation film, and a source-drain region formed on the substrate surface with the electrode between.例文帳に追加

第一の発明の半導体装置は、基板と、基板表面に形成され、Geを主成分とする半導体領域と、半導体領域上に形成された非金属Ge化合物層と、非金属Ge化合物層上に形成された絶縁膜と、絶縁膜上に形成された電極と、前記電極を挟む前記基板表面に形成されたソース・ドレイン領域とを備えることを特徴とする。 - 特許庁

After Ge thin film is deposited by epitaxial growth on an Si substrate, a Ti film is deposited on the Ge thin film.例文帳に追加

Ｓｉ基板上にＧｅ薄膜をエピタキシャル成長させることによって堆積させた後、このＧｅ薄膜上にＴｉ膜を堆積させる。 - 特許庁

Shihon Bokusho Hanazono Tenno Shinkan Nyorai Juryo-bon Ge (Verses praising Buddha's eternal life, hand-inked on paper by Emperor Hanazono) 例文帳に追加

紙本墨書花園天皇宸翰如来寿量品偈 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

On October 18, 1568, he was promoted to Juyon'i-ge and Sangi as an additional post. 例文帳に追加

永禄11年（1568年）10月18日(旧暦)、従四位下に昇叙し、参議に補任。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

On November 24, 1494, he was given the court rank of Sho Goi-ge and was appointed to the post of Samanokami. 例文帳に追加

1494年（明応3年）11月24日、正五位下に叙し、左馬頭に任官。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

On July 12, 1502, his court rank advanced to Jyu Shii-ge, and he was appointed to the post of Sangi. 例文帳に追加

1502年（文亀2年）7月12日、従四位下に昇叙し、参議に補任。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

On the twenty seventh day of the tenth month of 770, Oi was promoted from Shorokuinojo to Ge-jugoinoge. 例文帳に追加

宝亀元年（770年）10月1日に、正六位上から外従五位下に進んだ。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The metal silicide layer 9 is formed on the highly concentrated Ge layer 8.例文帳に追加

金属シリサイド層９は、高濃度Ｇｅ層８上に形成される。 - 特許庁

To reduce a contact resistance of a contact formed on an n-type Ge.例文帳に追加

ｎ型Ｇｅ上に形成されるコンタクトの接触抵抗を低減する。 - 特許庁

The photoelectric conversion layer 4 includes a first layer containing Ge and a second layer which is formed on the first layer and does not contain Ge.例文帳に追加

そして、光電変換層４は、Ｇｅが含有された第１の層と、第１の層上に形成され、Ｇｅが含有されない第２の層とを含む。 - 特許庁

The channel layer 40 comprises a Ge granular crystal formed on the drift layer 30 and a cap layer covering the Ge granular crystal.例文帳に追加

チャネル層４０は、ドリフト層３０上に形成されたＧｅ粒状結晶と該Ｇｅ粒状結晶を覆うキャップ層とで構成される。 - 特許庁

A Ge thin film is formed on an Si (100) substrate 1 and heat treated to form a solid phase mixed layer 12 including Si and Ge.例文帳に追加

Ｓｉ（１００）基板１上にＧｅ薄膜を形成し、熱処理を施して、ＳｉとＧｅとを含有する固相混合層１２を形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a Ge island, which grows a Ge island on an Si substrate and has excellent manufacturing efficiency.例文帳に追加

本発明は、Ｓｉ基板上にＧｅアイランドを成長させる、製造効率の良いＧｅアイランドの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The semiconductor device has a hole 6a formed on a Ge substrate 2, and an insulating film 6b covering the upper face of the hole and containing Ge.例文帳に追加

Ｇｅ基板２に設けられた空孔６ａと、空孔の上面を覆いＧｅを含む絶縁膜６ｂと、を備えている。 - 特許庁

In an oxidation furnace 13 of a process system 1 which forms the Ge oxide film on the surface of the Ge substrate 2, the Ge oxide film is formed on the surface of the substrate by supplying an ozone gas from an ozone supply device 11 to the Ge substrate 2 under a pressure of ≤1,000 Pa at a substrate temperature of ≤300°C.例文帳に追加

Ｇｅ基板２の表面にＧｅ酸化膜を形成するプロセスシステム１の酸化炉１３において、１０００Ｐａ以下の圧力及び３００℃以下の基板温度のもとでＧｅ基板２にオゾン供給装置１１からオゾンガスを供して当該基板の表面にＧｅ酸化膜を形成する。 - 特許庁

The Ge-doped n-type group III nitride semiconductor layer is composed of a laminated Ge atom high-concentration layer and a Ge atom low-concentration layer on a substrate, where the low-concentration layer is laminated on the high-concentration layer.例文帳に追加

基板上に積層されたＧｅ原子高濃度層およびＧｅ原子低濃度層からなり、該高濃度層上に該低濃度層が積層されていることを特徴とするＧｅドープｎ型ＩＩＩ族窒化物半導体層状物。 - 特許庁

In the first popularity vote on ghosts held by the tourist association of Sakaiminato City (Mizuki's hometown), Tottori Prefecture, Ittan-momen won first place; for details about its character in the comic book, please refer to the article of "Ittan-momen" (Ge Ge Ge no Kitaro). 例文帳に追加

水木の出身地・鳥取県境港市の観光協会による「第1回妖怪人気投票」では1位に選ばれた（『鬼太郎』でのキャラクターについては一反木綿(ゲゲゲの鬼太郎)を参照）。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Hydrogen or halogen is contained on an interface between the Ge substrate 10 and the protection film 30, alternatively a semiconductor layer which is higher in the impurity concentration than the Ge substrate 10 is provided between the Ge substrate 10 and the protection film 30.例文帳に追加

そして、Ｇｅ基板１０と保護膜３０との界面に水素又はハロゲンが含有され、または、Ｇｅ基板１０と保護膜３０との間にＧｅ基板１０よりも不純物濃度が高い半導体層が設けられる。 - 特許庁

A method of manufacturing a Ge island 2 comprise in sequence: a semiconductor layer growing step of growing a Ge semiconductor layer 2 on an Si substrate 1; and a Ge semiconductor layer etching step of etching the Ge semiconductor layer 2 until reaching the Si substrate 1 to form the Ge island 2 spreading in the direction of the Si substrate.例文帳に追加

本発明は、Ｓｉ基板１上にＧｅ半導体層２を成長させるＧｅ半導体層成長工程と、Ｇｅ半導体層２をＳｉ基板１に達するまでエッチングし、Ｓｉ基板１方向に対して裾広がりとなるＧｅアイランド２を形成するＧｅ半導体層エッチング工程と、を順に備えることを特徴とするＧｅアイランド２の製造方法である。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING Ge ON III/V-ON-INSULATOR STRUCTURE例文帳に追加

Ｇｅ・オン・ＩＩＩ／Ｖ族・オン・インシュレータ構造を形成するための方法 - 特許庁

Next, a Ge layer 20 is formed on the periodical structure arranged on the upper side surface of the substrate.例文帳に追加

次に、基板の上側表面上に設けられた周期構造上にＧｅ層２０を形成する。 - 特許庁

Tan-luan: "Muryojukyo ubadaisha ganshoge-chu" (Commentary of a discourse on the Pure Land); "San Amida Butsu Ge" (hymns praising Amida Buddha) 例文帳に追加

曇鸞（どんらんだいし）…『無量寿経優婆提舎願生偈註』（浄土論註）、『讃阿弥陀陀佛偈』 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

A gate electrode layer GE is located on at least the buried insulating film BI.例文帳に追加

ゲート電極層ＧＥは少なくとも埋め込み絶縁膜ＢＩ上に位置している。 - 特許庁

The gate electrode GE is formed on the p-type gack gate region BG.例文帳に追加

ゲート電極ＧＥは、ｐ型バックゲート領域ＢＧ上に形成されている。 - 特許庁

A crystal piece containing at least Ge is set on the bottom of a crucible 11 for cast growth.例文帳に追加

キャスト成長用坩堝１１の底部に、少なくともＧｅを含む結晶片を配置する。 - 特許庁

An epitaxial layer, including a plurality of p-n junctions, is formed on the surface of a Ge substrate.例文帳に追加

Ｇｅ基板の表面に、複数のｐｎ接合を含むエピタキシャル層が形成される。 - 特許庁

On the film, if necessary, a Ge atom is substituted for a part of the Si atom.例文帳に追加

この膜では、必要ならＳｉ原子の一部をＧｅ原子で置換することもできる。 - 特許庁

In the plated member, a plating film of an alloy comprising Ge as an essential component is formed on the surface.例文帳に追加

表面に、Ｇｅを必須成分として含有する合金のめっき皮膜が成膜されているめっき部材。 - 特許庁

A tensile strain Si channel layer 13 is formed on the surface of the Si-Ge layer 12.例文帳に追加

Ｓｉ−Ｇｅ層１２の表面には引っ張り歪みＳｉチャネル層１３が形成されている。 - 特許庁

A Ge film is epitaxially grown on the main surface of an Si substrate 10 by a CVD method.例文帳に追加

Ｓｉ基板１０の主面上にＧｅの膜をＣＶＤ法でエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

When H atoms are attached to Ge atoms on the outermost surface, the phenomenon occurs, in which the Ge atoms are interchanged with Si atoms present in the underlying layer, so that a higher proportion of Ge atoms are interchanged with Si atoms than in the conventional production methods, which does not involve the exposure to the atomic hydrogen.例文帳に追加

最表面のＧｅ原子にＨ原子が付着すると、そのＧｅ原子と、その下層に存在するＳｉ原子とが入れ替わる現象がおこるので、原子状水素を暴露しない従来の製造方法よりも、より多くの割合のＧｅ原子がＳｉ原子と入れ替わることになる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device wherein upon manufacturing Ge dots in multistage a Ge dot is formed at a position of an inverse pyramid recess on an Si substrate which is artificially position-controlled without causing the Ge dot to be split.例文帳に追加

本発明では、多段にＧｅドットを製造する場合に、Ｇｅドットが分裂せずに人為的に位置制御されたＳｉ基板上の逆ピラミッド凹部の位置に多段にＧｅドットが形成される半導体装置の製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

In other words, if a dependency on PHP 4.1.0 exists, and addDependency('php', '4.3.0', 'ge', 'php') is called, the existing dependency on PHP 4.1.0 will be overwritten with the new one on PHP 4.3.0Parameter string 例文帳に追加

言い換えると、すでに PHP 4.1.0 に対する依存性が設定されている場合にaddDependency('php', '4.3.0', 'ge', 'php')がコールされると、既存の PHP 4.1.0 に対する依存性が PHP 4.3.0 による新しい依存性に置き換えられるということです。 パラメータ string - PEAR

On August 6th, more than 60 members of the Heike clan were expelled from government posts, and on the 11th, Monk-Emperor Go-Shirakawa appointed Yoshinaka as Samanokami and Echigo Kokushu with a rank of Ju Goi-ge, and Yukiie as Bingo Kokushu with a rank of Ju Goi-ge. 例文帳に追加

8月6日には平家一門の60余名が官職から追放され、11日に後白河法皇より義仲は従五位下左馬頭・越後国守、行家は従五位下備後国守に任ぜられる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス