「HF-based」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a new, efficient and highly cost-effective method of introducing fluorine into Hf-based dielectric gate stacks of planar or multi-gate devices (MuGFET), resulting in a significant improvement in negative bias temperature instability (NBTI), and positive bias temperature instability (PBTI).例文帳に追加

プレーナ装置またはマルチゲート装置（ＭｕＧＦＥＴ）のＨｆベースの誘電体ゲートスタックに、フッ素を導入し、負バイアス温度安定性および正バイアス温度安定性（ＮＢＴＩおよびＰＢＴＩ）を大幅に改良する、新規で、効果的で、費用対効果の高い方法を提供する。 - 特許庁

The high strength Ni based metal glass alloy has a composition expressed by the formula of Ni_100-a-b-cTa_aTi_b(Zr, Hf)_c, comprises an amorphous phase in ≥80% by a volume percentage, and has a compressive strength of ≥2,800 MPa.例文帳に追加

式 ： Ｎｉ_１００−ａ−ｂ−ｃＴａ_ａＴｉ_ｂ(Ｚｒ,Ｈｆ)_ｃ［式中、ａ,ｂ,ｃは原子％で、５原子％≦ａ≦３５原子％、５原子％≦ｂ＜３５原子％、かつ１５原子％≦ａ＋ｂ＜４０原子％、０原子％＜ｃ≦２０原子％であり、かつ３０原子％≦ａ＋ｂ＋ｃ≦５５原子％、を満足する。 - 特許庁

Opening and closing of an automatic valve 11 of a gaseous hydrogen discharge pipe 7, an automatic valve 15 of a fluorine gas discharge pipe 8 and an automatic valve 21 of a HF supply pipe 20 are controlled based on the detected results of the pressure meters 25, 26, the first liquid level detecting device 50A and the second liquid level detecting device 50B.例文帳に追加

圧力計２５，２６の検出結果および第１の液面検知装置５０Ａおよび第２の液面検知装置５０Ｂの検出結果に基づいて水素ガス排出管７の自動弁１１、フッ素ガス排出管８の自動弁１５およびＨＦ供給管２０の自動弁２１の開閉が制御される。 - 特許庁

The total sum value of impurities of yttrium(Y), hafnium(Hf), zirconium(Zr) and thorium(Th) is suppressed to 30 ppb or less, that is contained in diffusion prevention layer material 2 composed of Ta or Ta based alloy layer which prevents for low melting metals contained in compound series superconductive wire to diffuse into a stabilizer material 3.例文帳に追加

化合物系超電導線に含まれる低融点金属が熱処理などにより安定化材３に拡散することを防止するＴａまたはＴａ基合金からなる拡散防止層用材２中に含まれる不純物、イットリウム（Ｙ）、ハフニウム（Ｈｆ）、ジルコニウム（Ｚｒ）およびトリウム（Ｔｈ）の合計値を３０ｐｐｂ以下に抑える。 - 特許庁

The transmission side performs decision based on the reception results of the response signal, and when determining that it is necessary to change the frequency band, disconnects the line of a UHF band (processing 204), and establishes the line connection in the HF band (processing 205), and transmits the instruction signal of the line quality confirmation to the reception side (processing 206).例文帳に追加

送信側は、応答信号の受信結果に基づく判定を行い、周波数帯を変更する必要があると判定された場合にＵＨＦ帯の回線を切断し（処理２０４）、ＨＦ帯で回線接続を確立し（処理２０５）、回線品質確認の指示信号を受信側へ送信する（処理２０６）。 - 特許庁

The noncontact type communication device includes: an energy interface configured to activate the noncontact type communication device or a noncontact type communication partner based on a first carrier signal; and a noncontact type high speed data interface configured to enable data communication between the noncontact type communication device and the noncontact type communication partner based on a second carrier signal having a frequency greater than a high frequency (HF).例文帳に追加

非接触型通信装置は、第１のキャリア信号に基づいて、非接触型通信装置または非接触型通信パートナーをアクティブにするように構成されたエネルギーインターフェースと、高周波（ＨＦ）よりも高い周波数を有する第２のキャリア信号に基づいて、非接触型通信装置と非接触型通信パートナーとの間のデータ通信を可能にするように構成された非接触型高速データインターフェースとを備える。 - 特許庁

In the calculation of a steering angle ratio R according to vehicle speed, the weight distribution D in the vehicle and the whole weight W of the vehicle are calculated from the front wheel side vehicle height HF and the rear wheel side vehicle height HR (step S5), a steering angle ratio compensation coefficients α and β are calculated based on the weight distribution D and the whole weight W (step S6).例文帳に追加

車速に応じて算出する舵角比Ｒを、前輪側車高Ｈ_F及び後輪側車高Ｈ_Rから車両における重量配分Ｄ及び車両の全重量Ｗを算出して（ステップＳ５）、この重量配分Ｄ及び全重量Ｗに基づいて舵角比補正係数α及びβを算出する（ステップＳ６）。 - 特許庁

The thin film transistor includes a substrate, a gate electrode on the substrate, a gate insulating film on the gate electrode and the exposed substrate, an oxide semiconductor layer which is in an opposite position to the gate electrode on the gate insulating film and composed of an oxide semiconductor based on HfInZnO having an Hf concentration of 9 to 15 atom%, and a source and a drain which extend on the gate insulating film from both sides of the oxide semiconductor layer.例文帳に追加

基板、基板上のゲート電極、ゲート電極及び露出された基板上のゲート絶縁膜、ゲート絶縁膜上で、ゲート電極と対向する位置にありつつ、Ｈｆの濃度が９〜１５ａｔｏｍ％の範囲にあるＨｆＩｎＺｎＯ系からなる酸化物半導体層、及び酸化物半導体層の両側から、ゲート絶縁膜上に延びるソース及びドレインを含む薄膜トランジスタである。 - 特許庁

A semiconductor memory device includes an insulating film of high dielectric constant has first and second impurity regions formed on a semiconductor substrate, an insulating film, formed in contact with the first and the second impurity regions on the semiconductor substrate from among at least one among Hf silicate, Zr silicate, Y silicate or lanthanum-based metal silicate, and a gate electrode layer formed on the insulating film.例文帳に追加

半導体基板にそれぞれ形成された第１及び第２不純物領域と、半導体基板上に第１及び第２不純物領域とそれぞれ接して形成され、Ｈｆシリケート、Ｚｒシリケート、Ｙシリケートまたはランタン系金属シリケートのうち少なくとも何れか一つの物質を含む絶縁膜と、絶縁膜上に形成されたゲート電極層と、を含む高誘電率の絶縁膜を含む半導体メモリ素子。 - 特許庁