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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > ION MILLINGの意味・解説 > ION MILLINGに関連した英語例文

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ION MILLINGの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 174



例文

ION MILLING APPARATUS例文帳に追加

イオンミリング装置 - 特許庁

ION MILLING SYSTEM例文帳に追加

イオンミリング装置 - 特許庁

ION MILLING APPARATUS AND METHOD OF ION MILLING PROCESSING例文帳に追加

イオンミリング装置、及びイオンミリング加工方法 - 特許庁

ION MILLING APPARATUS AND ION MILLING PROCESSING METHOD例文帳に追加

イオンミリング装置及びイオンミリング加工方法 - 特許庁

例文

ION MILLING DEVICE AND ION MILLING METHOD例文帳に追加

イオンミリング装置及びイオンミリング方法 - 特許庁


例文

ION MILLING DEVICE AND ION MILLING METHOD例文帳に追加

イオンミリング装置及びその方法 - 特許庁

ION MILLING SYSTEM AND ION MILLING METHOD例文帳に追加

イオンミリング装置およびイオンミリング方法 - 特許庁

ION MILLING DEVICE AND FINAL POINT DETECTION METHOD OF ION MILLING例文帳に追加

イオンミリング装置およびイオンミリングの終点検出方法 - 特許庁

ION BEAM MILLING METHOD AND ION BEAM MILLING MACHINE例文帳に追加

イオンビームミリング方法およびイオンビームミリング装置 - 特許庁

例文

ION MILLING DEVICE, ION MILLING METHOD, ION BEAM IRRADIATION DEVICE AND ION BEAM IRRADIATION METHOD例文帳に追加

イオンミリング装置、イオンミリング方法、イオンビーム照射装置並びにイオンビーム照射方法 - 特許庁

例文

To automatically correct the fluctuation in the ion milling condition associated with adhering to a work to be ion-milled, in an ion milling method and an ion milling apparatus.例文帳に追加

イオンミリング方法及びイオンミリング装置に関し、被ミリング物の付着に伴うイオンミリング条件の変動を自動的に補正する。 - 特許庁

ION MILLING METHOD AND ITS DEVICE例文帳に追加

イオンミリング加工方法およびその装置 - 特許庁

ION MILLING DEVICE AND METHOD例文帳に追加

イオンミリング装置、およびイオンミリング方法 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR ION MILLING例文帳に追加

イオンミリング方法及びイオンミリング装置 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR ION MILLING例文帳に追加

イオンミリング加工方法、及びイオンミリング加工装置 - 特許庁

APPARATUS FOR MANUFACTURING ION MILLING SAMPLE AND SAMPLE MOLDER例文帳に追加

イオンミーリング試料作製装置および試料ホルダ - 特許庁

A substrate temperature is 100°C, when ion milling.例文帳に追加

イオンミリング時における基板温度は約100℃である。 - 特許庁

ION MILLING EVALUATION BOARD AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

イオンミリング評価用基板およびその製造方法 - 特許庁

WAFER HOLDER AND ION MILLING DEVICE EQUIPPED WITH THE SAME例文帳に追加

ウェーハホルダ及びこれを備えたイオンミリング装置 - 特許庁

Specially, the milling can be stopped the moment the nonmagnetic layer 31 is removed by the ion milling.例文帳に追加

特に、非磁性層31をイオンミリングで除去した瞬間にミリングを止めることも可能になる。 - 特許庁

The low-energy ion milling is low in milling rate and can make the margin of a milling stop position narrow.例文帳に追加

低エネルギーのイオンミリングはミリングレートが遅く、ミリング止め位置のマージンを狭くすることが可能になる。 - 特許庁

This specimen was processed by milling using an argon ion beam. 例文帳に追加

この試料は、アルゴンイオンビームを使ったミリングにより加工された。 - 科学技術論文動詞集

MASK FOR ION MILLING SAMPLE MANUFACTURING APPARATUS AND SAMPLE MANUFACTURING APPARATUS例文帳に追加

イオンミーリング試料作製装置用マスクおよび試料作製装置 - 特許庁

Consequently, an ion milling method is appropriately employed for the polishing process.例文帳に追加

そのため、研磨処理のため、イオンミリング法が好適に採用される。 - 特許庁

When the wafer is irradiated with the ion beam, while rotating the wafer in milling, milling processing amount is made uniform on an entire surface of the wafer.例文帳に追加

ミリング加工時にウエハを回転させつつイオンビームをウエハに照射すると、ミリング加工量をウエハ全面で均一化できる。 - 特許庁

To provide an ion milling device and method capable of directly cooling a surface of a sample irradiated with an ion beam at the time of milling by irradiating the sample with the ion beam.例文帳に追加

イオンビームを試料に照射してミリングを行う際、試料におけるイオンビームの照射面を直接冷却することができるイオンミリング装置とイオンミリング方法とを提供する。 - 特許庁

To provide a method for ion milling, which method is suitable for making the position irradiated by an ion beam coincide with a target machining position; and further to provide an apparatus for ion milling.例文帳に追加

本発明の目的は、イオンビームが照射されている個所と、加工目的位置とを一致するのに好適なイオンミリング加工方法、及びイオンミリング加工装置の提供にある。 - 特許庁

To provide a system and a method for ion milling by which a material to be worked can be formed in a desired worked shape by arbitrarily changing the intensity distribution of an ion beam at the time of performing ion milling.例文帳に追加

イオンミリングにおいて、イオンビームの強度分布を任意に変更して、被加工物の所望の加工形状を達成できるようにする。 - 特許庁

Two-dimensional arrays of vertical-cavity-surface-emitting laser diodes (VCSELs) have been fabricated by an ion-milling etching-technique. 例文帳に追加

2次元アレイ面発光レーザ(VCSEL)ダイオードは、イオン・ミリング・エッチング技術で製造されてきた。 - コンピューター用語辞典

A first metal layer 24 is used as a mask layer in ion milling process with a multilayer film T1.例文帳に追加

第1金属層24を多層膜T1のイオンミリング加工時のマスク層として用いる。 - 特許庁

SUBSTRATE HOLDER, ION BEAM MILLING DEVICE, AND METHOD FOR HOLDING SUBSTRATE IN VACUUM PROCESS DEVICE例文帳に追加

基板ホルダ、イオンビームミリング装置、および真空プロセス装置における基板を保持する方法 - 特許庁

To realize a cooling device having high thermal conductivity and durability in an ion milling apparatus.例文帳に追加

イオンミリング装置において、高い熱伝導性と耐久性とを兼ね揃えた冷却装置を実現する。 - 特許庁

Thereafter, a laminate film is processed by ion milling to satisfy w=100 nm and l=100 nm.例文帳に追加

その後、イオンミリングにより積層膜をw=100nm、l=100nmとなるように加工する。 - 特許庁

Alternatively, the resist residue is removed by a physical method such as an ion milling method or the like.例文帳に追加

また、レジスト残渣の除去を、イオンミリング法などの物理的方法により行う。 - 特許庁

The free magnetic layer 28 is not damaged greatly by the ion milling.例文帳に追加

従って、フリー磁性層28はイオンミリングによって大きなダメージを受けなくなる。 - 特許庁

In the milling method, in addition, ion particles are made incident on the substrate 1 obliquely to the vertical direction of the substrate 1.例文帳に追加

また、ミリング法において、イオン粒子を、基板垂直方向に対して斜めに入射させる。 - 特許庁

The angle of the ion milling is specified to beor less to the normal of the substrate.例文帳に追加

そして、イオンミリングの角度を基板面の法線に対し5゜以下とする。 - 特許庁

Low-voltage ion milling is performed at an angle θ with respect to the normal to the surface of the seed layer.例文帳に追加

低電力イオンミルは、シード層表面の法線に対して角度θで実施される。 - 特許庁

To enhance beam quality for milling of a liquid metal ion beam.例文帳に追加

液体金属イオン・ビームのミリングに対するビーム品質を向上させる。 - 特許庁

The stage of generation of the work to be milled generated by the ion milling when the work is irradiated with the ion beam is measured and evaluated, and at least one of the parameters including the current, the voltage and the high-frequency power of an ion source is fed back based on the result of evaluation, and the ion milling is achieved by automatically calculating the optimum milling time by the obtained milling rate.例文帳に追加

イオンビームをミリング対象物に照射して加工した際にイオンミリングによって発生した被ミリング物の発生状況を計測評価し、評価結果に基づいてイオン源の電流、電圧、高周波数電力を含むパラメータの内の少なくとも一つにフィードバックをかけ、得られたミリングレートにより最適なミリング時間を自動算出してイオンミリングを行う。 - 特許庁

To the regions, frequency characteristics are adjusted by an ion milling method.例文帳に追加

当該領域に対しイオンミリング法により周波数特性調整を行う。 - 特許庁

Acceleration voltage of the ion beam when irradiation with the ion beam is performed in the milling step is in the range of 400 to 1,400 V.例文帳に追加

ミリング工程におけるイオンビームを照射する際のイオンビームの加速電圧は、400〜1400Vである。 - 特許庁

After the sensor stack body is formed by ion milling, the hard mask may be removed by reactive ion etching.例文帳に追加

センサ積重体が、イオンミリングによって形成された後、ハードマスクは、反応性イオンエッチングによって除去されうる。 - 特許庁

To provide an ion milling apparatus capable of uniformly radiating a beam even when conditions of an ion source are changed.例文帳に追加

イオン源の条件を変えた場合でも、均一ビーム照射が可能なイオンミリング装置を提供することにある。 - 特許庁

The obtained die stock for forming is formed into a required shape by a working method such as ion milling and ion sputtering to obtain a die for forming.例文帳に追加

得られた成形用金型素材をイオンミリング、イオンスパッタリングなどの加工方法にて所要形状に成形して成形用金型を得る。 - 特許庁

To provide an inexpensive ion milling device while preventing increase in a distance between an ion gun and a specimen.例文帳に追加

本発明は、イオン銃と試料間の距離が大きくすることなく、安価なイオンミリング装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide an ion milling apparatus where ion beam ends up irradiating other than a testpiece is reduced to a minimal extent and a processing efficiency is improved.例文帳に追加

試料以外に照射されてしまうイオンビームをできるだけ少なくし、加工効率の良いイオンミリング装置を提供する。 - 特許庁

To provide an ion milling device capable of easily manufacturing a sample without performing parallel processing in the case where the mask surface side and loading surface of the sample are non-parallel, and to provide an ion milling method.例文帳に追加

本発明の目的は、試料のマスク面側と搭載面とが非平行の場合に、平行に加工する必要が無く試料作製を容易に行うことができるイオンミリング装置及びその方法を提供することにある。 - 特許庁

The influence of electrification resulting from an ion milling system is avoided by reducing the ion milling processes after formation of the magnetoresistive effect thin film magnetic head as much as possible.例文帳に追加

磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド形成後のイオンミリング工程をできるだけ減らすことにより、イオンミリング装置起因の帯電の影響を回避する。 - 特許庁

例文

To provide an ion milling device and an ion milling method, capable of carrying out shielding position adjustment simply and accurately without taking time, in carrying out adjustment of a shielding position of a sample and a mask.例文帳に追加

試料とマスクとの遮蔽位置の調整を行うに際して、手間取らずに簡便且つ精度の良い遮蔽位置調整が可能なイオンミリング装置及びイオンミリング方法を提供する。 - 特許庁

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