「ION MILLING」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

In the focused ion beam system, gases such as iodine or xenon difluoride are used to assist the milling of metals and insulators. 例文帳に追加

集束イオンビーム装置では、ヨウ素または二弗化キセノンなどのガスが金属や絶縁体のミリングを(補助的に)促進するために使われる。 - 科学技術論文動詞集

The n-type gallium nitride substrate 1 is irradiated with argon ions 5 by an acceleration voltage not higher than 1 kV by using an ion milling device.例文帳に追加

イオンミリング装置を用い加速電圧１ＫＶ以下にてアルゴンイオン５をｎ型窒化ガリウム基板１に向けて照射する。 - 特許庁

After that etching for the remaining electrode film 12 is made by Ar ion milling being slightly over etching and the electrode film 12 is eliminated completely.例文帳に追加

この後、残った電極膜１２を、Ａｒイオンミリングでオーバーエッチングぎみにエッチングし、電極膜１２を完全に除去する。 - 特許庁

A size of the milling ion source is made small, and therefore miniaturization of the sputtering device is realized by improving space efficiency.例文帳に追加

ミリング用イオン源のサイズを小さくできるので、スペース効率を向上させてスパッタリング装置を小型化できる。 - 特許庁

A perpendicular magnetic recording single magnetic pole head having such a shape is processable by an ion beam milling method.例文帳に追加

このような形状を有する垂直磁気記録単磁極ヘッドは、イオンビームミリング法によって加工することが可能である。 - 特許庁

Recessed parts having prescribed directivity are formed in the film by irradiating the film with the ion beam in the milling step.例文帳に追加

ミリング工程において、前記膜に前記イオンビームを照射することにより、前記膜上に所定の方向性を有する凹部を形成する。 - 特許庁

To surely remove a re-deposition layer formed on the side face of a resist mask in a main pole processing by using an ion milling.例文帳に追加

イオンミリングを用いて主磁極加工する際、レジストマスク側面に生成する再付着層を確実に除去する。 - 特許庁

Subsequently, ion milling is used in order to remove the exposed part of substrate material of the slider 502 to produce a recessed area 514.例文帳に追加

次いでスライダー５０２の基板材料の露光された部分を取り除くためにイオン・ミリングが用いられ、リセス領域５１４を作り出す。 - 特許庁

To provide a mask for an ion milling sample manufacturing apparatus and the sample manufacturing apparatus which manufacture a sample having a desired cross section.例文帳に追加

所望の断面を有する試料を作製することができるイオンミーリング試料作製装置用マスクおよび試料作製装置を提供する。 - 特許庁

After the resist pattern is removed, the portion of the power feeding metal film formed with no metal plating layer is removed by the ion milling method.例文帳に追加

レジストパタ−ンを除去後、給電用金属膜の金属めっき層が形成されていない部分をイオンミリング法によって除去する。 - 特許庁

The step serves to gradually decrease an ion milling rate from a central portion of the main magnetic pole to a boundary to the non-magnetic film.例文帳に追加

段差は、主磁極の中心部から非磁性膜との境界部に向けてイオンミリングレートを漸次減少させる役割を担う。 - 特許庁

Finally, by using an ion milling device, the observation part 14 is thinned to approximately several hundred nm, thus completing a sample for a transmission electron microscope.例文帳に追加

最後にイオンミリング装置を用い、観察部分１４を数百ｎｍまで薄片化して透過型電子顕微鏡用の試料を完成させる。 - 特許庁

A first material has higher resistance against ion milling than the second material and has lower resistance in plasma etching than the second material.例文帳に追加

第１の材料は第２の材料よりもイオン・ミリングに高い耐性を有し、また第２の材料よりもプラズマ・エッチングに低い耐性を有する。 - 特許庁

A method for preparing a specimen includes operating a mask 50 and a specimen 21 and exposing a different side of the specimen 21 to an ion milling device 40.例文帳に追加

マスク５０および試料２１を操作し、それによって試料２１の異なる側をイオンミリング装置４０に露出することを含む。 - 特許庁

The interdigital electrode portions 13 and 14 are formed by using a mask layer 23 as a mask and by cutting a conductive layer 21 using ion milling method.例文帳に追加

マスク層２３をマスクとして、イオンミリング法を用いて導電層２１を削り、くし歯状電極部１３、１４を形成する。 - 特許庁

To manufacture a magnetic recording medium without losing a substrate surface having a magnetic recording layer by ion milling and without being affected by the air.例文帳に追加

イオンミリングによって磁気記録層を有する基板表面が消失することなく、かつ大気の影響を受けずに磁気記録媒体を製造する。 - 特許庁

For milling a lamella to its final thickness of, for example, 30 nm, a focused ion beam 100 is scanned repeatedly along the lamella.例文帳に追加

薄片を最終的な厚さ-たとえば30nm-にまでミリングするため、集束イオンビーム100は前記薄片に沿って繰り返し走査される。 - 特許庁

In this status, frequency adjustment is carried out by a method for removing a metallic film by an ion milling device.例文帳に追加

この状態でイオンミーリング装置で金属膜を除去する方法により周波数調整を行う。 - 特許庁

To reduce processing time of an ion milling process of a magnetoresistance effect film for use in a magnetoresistance effect element, thereby improve resolution of a lead element.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子に使用する磁気抵抗効果膜のイオンミリング工程の加工時間を短縮し、リード素子の分解能を向上させる。 - 特許庁

The spin torque generator having a self-matching structure may be formed using the same ion milling process for demarcating the track width.例文帳に追加

トラック幅を画定する同じイオンミリング工程を用いて、自己整合構造を有するスピントルク発振器を形成してもよい。 - 特許庁

To prevent a second insulating film from being abnormally etched in the vicinities of the edges of a second metal wiring layer at the time of a processing using an ion milling in the manufacturing method of a semiconductor device.例文帳に追加

イオンミリングによる加工時に、金属配線のエッジ近傍で絶縁膜が異常にエッチングされることを防止する。 - 特許庁

The TMR element manufacturing method is provided with: a resist pattern formation process for forming a resist pattern on a generated TMR film; a first ion milling process for performing the ion milling using the resist pattern as a mask; a slimming process for slimming the resist pattern; and a second ion milling process for performing the ion milling of the TMR film again using the slimmed resist pattern as the mask.例文帳に追加

本発明のＴＭＲ素子製造方法は、生成したＴＭＲ膜上にレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、レジストパターンをマスクとしてＴＭＲ膜をイオンミリングする第１イオンミリング工程と、レジストパターンのスリミングを行うスリミング工程と、スリミングされたレジストパターンをマスクとしてＴＭＲ膜を再びイオンミリングする第２イオンミリング工程と、を備えるよう構成する。 - 特許庁

To enhance withstand voltage and to prevent the deterioration of dielectric strength due to ion milling, in gap insulating films formed on both surfaces of a magneto-resistive effect film.例文帳に追加

磁気抵抗効果膜の両面に形成するギャップ絶縁膜の絶縁耐圧を高め、かつイオンミリングによる絶縁耐性の劣化を防止する。 - 特許庁

An argon ion is accelerated with 1 keV or less of low energy using an ion milling device, and the thin sample piece 30 is irradiated with argon ion to remove the damaged layer.例文帳に追加

イオンミリング装置を用いてアルゴンイオンを１ｋｅＶ以下の低エネルギーで加速し、アルゴンイオンを薄片試料（３０）に照射することで、ダメージ層を除去する。 - 特許庁

The patterns 8 for process monitor are formed by ion milling processing with the same stage as the stage for previously forming the film having an ion milling rate higher than that of the MR elements 6 to a film thickness thicker than the film thickness of the MR elements 6 and patterning the MR elements 6.例文帳に追加

加工モニタ用パターン８は、磁気抵抗効果素子６よりもイオンミリングレートが大きな膜を磁気抵抗効果素子６の膜厚よりも厚く形成しておき、磁気抵抗効果素子６をパターン化する工程と同じ工程でイオンミリング処理によってパターン形成する。 - 特許庁

The method for manufacturing the thin film magnetic head forms a first magnetic layer 29 as a part of the upper shield layer on a protection layer 28, and the upper surface of the protection layer 28 under the first magnetic layer 29 is not affected by ion milling when the ion milling is applied on each of tunnel magnetoresistive elements 34 and 35.例文帳に追加

保護層２８の上に、上部シールド層の一部となる第１磁性層２９を形成し、各トンネル型磁気抵抗効果素子３４，３５へのイオンミリング時に、前記第１磁性層２９を設けたことで、その下の保護層２８の上面が前記イオンミリングの影響を受けるのを抑制できる。 - 特許庁

To provide an ion milling device and an ion milling method where, when the regulation of the shielding positions between a sample and a mask is performed with high precision, it can be easily performed without taking time in the regulation, and further, whether the sample and the mask are tightly stuck or not can be confirmed.例文帳に追加

試料とマスクとの遮蔽位置調整を精度良く行うに際して、調整に手間取らずに簡便に行うことのできる、又、試料とマスクが密着していることを確認できるイオンミリング装置、およびイオンミリング方法を提供する。 - 特許庁

To provide an ion milling method and its device wherein a uniform and stable ion beam current is dram out of a large diameter ion source electrode and whereby working precision is improved even if a thermal deformation is generated in the large diameter ion source electrode.例文帳に追加

大口径のイオン源電極に熱変形が生じても大口径のイオン源電極から均一で安定なイオンビーム電流の引き出しを可能にして加工精度の向上をはかったイオンミリング加工方法およびその装置を提供することにある。 - 特許庁

This ion milling device is provided with an ion beam source radiating ion beams to the specimen, an acceleration electrode accelerating ions of the ion beam source and functioning as a secondary electron suppressor, and an ion beam current measurement apparatus measuring electric current of the ion beams, and the acceleration electrode is installed between the specimen and the ion beam source.例文帳に追加

本発明は、試料にイオンビームを照射するイオンビーム源と、前記イオンビーム源のイオンを加速させるとともに二次電子サプレッサとして機能する加速電極と、前記イオンビームの電流を測定するイオンビーム電流測定器とを備え、前記試料と前記イオンビーム源との間に前記加速電極を設けたことを特徴とする。 - 特許庁

In the ion milling device for fixing the sample having a plane to a sample holder unit in a vacuum chamber and irradiating the sample with an ion beam to make the sample undergo milling processing, the sample holder unit has a fixing structure capable of fixing the sample along the inclination on the back side of the sample with respect to the plane of the sample coming into contact with the mask which shields the ion beam.例文帳に追加

本発明は、平面を有する試料を真空チャンバ内で試料ホルダユニットに固定してイオンビーム照射しミリング加工するイオンミリング装置において、前記試料ホルダユニットは、前記試料を前記イオンビームから遮蔽するマスクに接する前記平面に対してその裏面側の傾斜に沿って固定できる固定構造を有することを特徴とする。 - 特許庁

PRODUCTION METHOD FOR LITHIUM ION-CONDUCTIVE SULFIDE GLASS, PRODUCTION METHOD FOR LITHIUM ION-CONDUCTIVE SULFIDE GLASS CERAMIC, AND MECHANICAL MILLING APPARATUS FOR SULFIDE GLASS PRODUCTION例文帳に追加

リチウムイオン伝導性硫化物ガラスの製造方法、リチウムイオン伝導性硫化物ガラスセラミックスの製造方法及び硫化物ガラス製造用のメカニカルミリング処理装置 - 特許庁

In the ion milling system, lead-out electrodes composed of accelerating and decelerating electrodes and a correction electrode 10 are disposed between an ion gun and the material to be worked.例文帳に追加

イオンミリング装置のイオンガンと被加工物の間に、加速電極と減速電極からなる引き出し電極と、補正電極１０が配置されている。 - 特許庁

As the energy irradiation, any of sputtering treatment using an inactive material, a sputtering treatment using a chemically active ion, ion milling, and plasma etching can be employed.例文帳に追加

エネルギー照射としては、不活性材料を使用したスパッタリング処理、化学的に活性を有するイオンを使用したスパッタリング処理、イオンミリング、及びプラズマエッチングのうちのいずれかを利用できる。 - 特許庁

Then the sectional area of the magnetic pole part layer 11a obtained by the reactive ion etching is slightly etched by ion milling to remove deposited materials.例文帳に追加

次に、反応性イオンエッチングによって得られた磁極部分層１１ａの断面をイオンミリングによってわずかにエッチングして、付着物を除去する。 - 特許庁

A Li ion-conductive sulfide glass production method which is a method for producing a Li ion-conductive sulfide glass containing Li, P, and S and comprises vitrifying a raw material by mechanical milling at 60-160°C is provided.例文帳に追加

ＬｉとＰとＳとを含むＬｉイオン伝導性硫化物ガラスの製造方法であって、原料を６０℃〜１６０℃でメカニカルミリング処理してガラス化させるＬｉイオン伝導性硫化物ガラスの製造方法である。 - 特許庁

To provide an ion milling system that can obtain an ion beam having a desired facial distribution and energy distribution and can form a desired etched shape on a material to be worked.例文帳に追加

所望のイオンビーム面分布、エネルギー分布をもつイオンビームを得ることができ、被加工物に所望のエッチング形状を形成することが可能となる。 - 特許庁

The ion milling apparatus is characterized in that a braided metal wire filled with an ion solution is installed inside of a resin tube for heat transmission means which connects a sample and a sample stand inside of a vacuum section and a cooling source outside of the vacuum section.例文帳に追加

真空外の冷却源と真空内の試料および試料台とを接続する熱伝達手段として、樹脂チューブの内部に、イオン液体を充填した金属製の編み線が設置されることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method for performing milling and imaging in a focused ion beam (FIB) system employing an inductively coupled plasma ion source.例文帳に追加

誘導結合プラズマ・イオン源を使用した集束イオン・ビーム（ＦＩＢ）システムにおいてミリングおよび画像化を実行する方法を提供すること。 - 特許庁

In the ion milling, in order to set an angle between a normal to the upper surface of the substrate film 51 and an ion irradiating direction equal to/higher than 45°, the substrate film 51 and the side face of the high-saturation magnetic flux density layer 53 are irradiated with ions.例文帳に追加

イオンミリングでは、下地膜５１の上面に対する法線とイオンの照射方向とのなす角度が４５°以上となるように、下地膜５１および高飽和磁束密度層５３の側面にイオンを照射する。 - 特許庁

This etching step includes a step (step S7) of setting an incident angle of an ion beam made incident on the surface of the magnetic recording medium side of the laminated part to ≥40° to ≤88°, and carrying out ion beam etching or dry etching by ion milling.例文帳に追加

このエッチング段階は、前記積層部の前記磁気記録媒体側の面に入射させるイオンビームの入射角度を、４０゜以上８８゜以下に設定して、イオンビームエッチング又はイオンミリングによるドライエッチングを行う段階（ステップＳ７）を含む。 - 特許庁

When fabricating the protected pole structure 88, by forming a non-magnetic protective layer 82 to wrap around the P3 pole sidewall after ion milling or pole ion milling but before to forming the encapsulating material layer 74, the pole structure 80 is protected from chemical attack during the CMP process.例文帳に追加

この被保護磁極構造８８の作製に際し、イオンミリングを施した後または磁極のイオンミリングの後であるが、封止材料層７４を形成する前に、非磁性保護層８２を形成してＰ３磁極の側壁を包み込むことによって、ＣＭＰプロセスの間の化学的作用から磁極構造８０を保護する。 - 特許庁

The ion milling apparatus is provided with an ion beam source for emitting ion beams and a testpiece holder for fixing the testpiece, and a mask is provided for shielding a part of the testpiece, and a non-axially symmetric lens is arranged between the ion beam source and the mask, and the ion beam is deformed to meet a desired range for processing the testpiece.例文帳に追加

イオンビームを照射するイオンビーム源と、試料を固定する試料ホルダを備えたイオンミリング装置において、試料の一部を遮蔽するマスクを備え、イオンビーム源とマスクとの間に非軸対称レンズを配置し、試料の加工の希望範囲に合わせてイオンビームを変形させるようにした構成のイオンミリング装置を提供する。 - 特許庁

Thereafter, the metal burr is prevented from remaining at the upper end of the single layer metal film or the multilayer metal film by selectively removing the single layer metal film or the multilayer metal film by ion milling while taking the resist film as a mask.例文帳に追加

この後に、前記レジスト膜をマスクとしたイオンミリングで単層金属膜あるいは多層金属膜を選択除去することにより、金属バリが単層金属膜あるいは多層金属膜上端に残存しないようにした。 - 特許庁

An alumina layer is patterned to form a mask precursor, and then this mask precursor is subjected to etching by ion milling to form a first mask 22a.例文帳に追加

アルミナ層をパターニングしてマスク前駆体を形成したのち、このマスク前駆体に対してイオンミリングによるエッチング処理を施して第１のマスク２２ａの形成する。 - 特許庁

A metal film is formed on the obtained aluminum nitride substrate whose surface is oxidized, and a part of the metal film is removed by ion milling, laser processing, or the like, and a wiring pattern is formed.例文帳に追加

得られた表面酸化された窒化アルミニウム基板上に金属膜を形成し、この金属膜の一部をイオンミリングやレーザー加工等により除去して配線パターンを形成する。 - 特許庁