「ION MILLING」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

An inorganic insulating film 24 soluble in alkali is disposed in thickness of 5nm to 100nm between a main pole material 25 and a mask 30 for processing the main pole material 25, and then the main pole processing is performed by the ion milling.例文帳に追加

主磁極材２５と主磁極材を加工するためのマスク３０の間に、アルカリに可溶な無機絶縁膜２４を５ｎｍ〜１００ｎｍ配置し、イオンミリングにより主磁極加工する。 - 特許庁

If the isotropic deposition and ion milling of the second material are repeated, a pattern structure having a high density pitch four times that of the pattern structure formed from the second material can be also obtained.例文帳に追加

第２の材料の等方堆積およびイオン・ミリングを反復すれば、第２の材料から形成されたものの４倍の高密度ピッチのパターン構造を得ることも可能である。 - 特許庁

The magnetic body layer 30 is worked by ion milling by using a hard mask 34a and then wet etching is performed to the non-magnetic body layer 29.例文帳に追加

ハードマスク３４ａを使って磁性体層３０をイオンミリングにより加工してから、非磁性体層２９に対してウェットエッチングを行う。 - 特許庁

To provide a magnetic element and manufacturing method thereof where use of etching method with physical sputtering such as ion milling method is suppressed as much as possible.例文帳に追加

イオンミリング法等の物理的スパッタリングによるエッチング法の使用を極力抑えることにより製造する磁気素子と、その製造方法を提供すること。 - 特許庁

The wet etching is performed until the non-magnetic body layer 29 existing in a lower part of the magnetic body layer 30 is partially eroded and then both side parts of the magnetic body layer 30 are worked by ion milling.例文帳に追加

ウェットエッチングは、磁性体層３０の下部にある非磁性体層２９が一部侵食されるまで行い、その後にイオンミリングで磁性体層３０の両側部を加工する。 - 特許庁

Then, the ions 80 are widely applied on a surface of a sample 21 arranged in the downstream of the beam forming units 61, 62, and the surface of the sample 21 undergoes ion milling to be cleaned.例文帳に追加

するとイオン８０は、ビーム成形器６１、６２の下流に配置された試料２１の表面に幅広く照射され、試料２１の表面がイオンミリングされてクリーニングされる。 - 特許庁

The variable pixel milling is also used, combining with a technique to pass impinging ion through dummy layers formed on the surface layers to be removed so that more uniform removal may be performed.例文帳に追加

取り除かれるべき層の表面に形成されたダミー層に入射イオンを通過するような技術と組み合わせて可変ピクセルミリングが使用され、更に均一な物質取り除きを行う。 - 特許庁

Hard magnetic bias layers 338 and 340 are formed on seed layers 342 and 344 subjected to low-voltage ion milling, to cause magnetic anisotropy in the hard magnetic bias layer.例文帳に追加

硬磁性バイアス層３３８，３４０は、硬磁性バイアス層中に磁気異方性を引き起こすように、低電力イオンミル処理されたシード層３４２，３４４の上に形成される。 - 特許庁

During the filming of both the partial films 43a, 43b, washing for removing fine particles stuck to the surface of the lower partial film 43a is performed by ion milling using argon oil.例文帳に追加

そして、両部分膜４３ａ，４３ｂの成膜の合間に、アルゴンイオンを用いたイオンミリングによって、下側の部分膜４３ａ上に付着した微細なパーティクルを除去する洗浄を行う。 - 特許庁

After that, the soft magnetic material only of the flat part is removed by an etching method having the anisotropy such as an ion milling so as to leave the soft magnetic material on the side surface of the dummy pattern.例文帳に追加

その後、イオンミリングなどの異方性をもつエッチング手法により、平坦部の軟磁性材料のみを除去し、ダミーパターン側面の軟磁性材料を残すようにする。 - 特許庁

Then, the frame is removed and, further, the unnecessary part of the substrate film 21 other than a part present blow the track width defining layer 12a is removed by using dry etching such as ion milling.例文帳に追加

次に、フレームを除去し、更に、下地膜２１のうち、トラック幅規定層１２ａの下に存在する部分以外の不要な部分をイオンミリング等のドライエッチングを用いて除去する。 - 特許庁

After a nonmagnetic layer 31 is formed of a noble metal on the free magnetic layer 28, part of the nonmagnetic layer is removed by low- energy ion milling.例文帳に追加

フリー磁性層２８上に、貴金属からなる非磁性層３１を成膜した後、前記非磁性層の一部分を低エネルギーのイオンミリングで除去する。 - 特許庁

The device for preparing a plane TEM sample comprises a glow discharge emission spectral analysis (GDS) device part 102 and an ion milling device part 103, and sets a control program corresponding to a specific element contained in a sample 5 comprising a multilayer film.例文帳に追加

平面ＴＥＭ試料作製装置はグロー放電発光分光分析（ＧＤＳ）装置部１０２とイオンミリング装置部１０３とを備え、多層膜からなる試料５に含まれる特定元素に対応した制御プログラムを設定する。 - 特許庁

A converging ion beam is used for milling successive cross sections or slices of an object feature at an interval previously selected over a measurement distance previously selected.例文帳に追加

事前に選択された測定距離にわたって事前に選択された間隔において、対象フィーチャの断面または「スライス」の連続をミリングするために、集束イオン・ビームが使用される。 - 特許庁

Then, a beam irradiation angle θ when performing the ion milling of the magnetic material layer is determined according to the etching amount (shifting amount S) in the width direction of the hard mask and the side wall inclination α of the hard mask.例文帳に追加

そして、磁性材料層をイオンミリングする際のビーム照射角θを、ハードマスクの幅方向のエッチング量（シフト量Ｓ）と、ハードマスクの側壁傾斜角αとに応じて決定する。 - 特許庁

Especially hereupon, the drop of grain from the chamfered surface 20 is prevented and the chamfered surface which is beautifully evened is formed by forming A, B and C surfaces by means of ion milling after chamfering.例文帳に追加

特に本発明では、上記面取り加工の後に、イオンミリングによるＡＢＳ面の形成を行うことにより、前記加工面からの粒子の脱粒を防止し、きれいに均された加工面を形成することができる。 - 特許庁

To provide a mask for an ion milling sample manufacturing apparatus, capable of manufacturing a sample having a desired cross section of high positional accuracy, and to provide a sample manufacturing device.例文帳に追加

位置精度の高い所望の断面を有する試料を作製できるイオンミーリング試料作製装置用マスクおよび試料作製装置を提供する。 - 特許庁

To provide a milling device which can observe a section of an interface between different materials of a memory chip having the big size of a sample, by using a small and simple ion gun.例文帳に追加

小型で簡易なイオンガンを用いた装置で大きな試料サイズのメモリチップの材質の異なる界面の断面観察を可能とするミリング装置を提供する。 - 特許庁

After that, the region in which a lower part magnetic core is not covered by the upper part magnetic core in the vicinity of a floating plane is eliminated (trimmed) by ion milling or the like with at least making a tip part of the upper part magnetic core as a mask.例文帳に追加

この後、少なくとも上部磁気コア先端部をマスクとして、浮上面近傍で下部磁気コアの上部磁気コアに覆われていない領域をイオン・ミリング等により除去（トリミング）する。 - 特許庁

Next, (d) ion milling is performed to a surface planarized by the polishing in a direction forming a first angle with a stacking direction, so that a step is formed, wherein the main magnetic pole recesses with respect to the surrounding non-magnetic film.例文帳に追加

次に、（ｄ）研磨により平坦化された面に対して、積層方向と第１の角度をなす方向からイオンミリングを行い、主磁極が周囲の非磁性膜より落ち込んだ段差を形成する。 - 特許庁

To provide a magnetoresistance effect element which is formed by suppressing as much as possible, the usage of etching method using physical sputtering such as ion milling method or the like, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

イオンミリング法等の物理的スバッタリングによるエッチング法の使用を極力抑えて形成された磁気抵抗効果素子とその製造方法を提供する。 - 特許庁

Then, by using at least the tip of the upper magnetic core as a mask, the area of a lower magnetic core uncovered with the upper magnetic core in the vicinity of a floating surface is eliminated by ion milling or the like (trimming).例文帳に追加

この後、少なくとも上部磁気コア先端部をマスクとして、浮上面近傍で下部磁気コアの上部磁気コアに覆われていない領域をイオン・ミリング等により除去（トリミング）する。 - 特許庁

Next, (e) ion milling is performed to a surface in which the step was formed in a direction forming a second angle, which is larger than the first angle, with a stacking direction, so that a trailing side of the main magnetic pole is shaped into an arcuate concave shape.例文帳に追加

次に、（ｅ）段差が形成された面に対して、積層方向と、第１の角度よりも大きい第２の角度をなす方向からイオンミリングを行い、主磁極のトレーリング側を円弧状の凹形状に整形する。 - 特許庁

To provide a production method for a Li ion-conductive sulfide glass capable of producing a Li ion-conductive sulfide glass ceramic having a high ionic conductivity within a short time, to provide a production method for the Li ion-conductive sulfide glass ceramic, and to provide a mechanical milling apparatus for the sulfide glass production method desirable as a production method for a Li ion-conductive sulfide glass.例文帳に追加

短時間で高いイオン伝導性を有するＬｉイオン伝導性硫化物ガラスセラミックスを製造できるＬｉイオン伝導性硫化物ガラスの製法、前記Ｌｉイオン伝導性硫化物ガラスセラミックスの製法、及びＬｉイオン伝導性硫化物ガラスの製法に好適な硫化物ガラス製造用のメカニカルミリング処理装置を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing a semiconductor device includes a reactive ion etching step to form grooves in a semiconductor by partly removing the surface of the semiconductor by reactive ion etching, and a small-angle ion milling step to partly remove the bottom of the groove by emitting an ion beam to the bottom of the groove in an inclined direction at a zero degree or higher and 45 degrees or lower with respect to the bottom thereof.例文帳に追加

半導体の表面の一部を反応性イオンエッチングにより除去することによって半導体に溝を形成する反応性イオンエッチング工程と、溝の底面に対して０°より大きく４５°以下の角度に傾斜した方向からイオンビームを照射することによって溝の底面の一部を除去する低角度イオンミリング工程とを含む半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

Plural layers 5a-5c for constituting the GMR element 5 are formed on the shield gap layer 4a, a part of the thickness direction of the plural layers 5a-5c is etched by reactive ion etching, the remaining part is etched by ion milling and the GMR element 5 is formed.例文帳に追加

ＧＭＲ素子５を構成する複数の層５ａ〜５ｃはシールドギャップ膜４ａの上に形成され、反応性イオンエッチングによって複数の層５ａ〜５ｃの厚み方向の一部がエッチングされ、イオンミリングによって残りの部分がエッチングされて、ＧＭＲ素子５が形成される。 - 特許庁

This milling device is provided with a machining chamber 2 for machining a processing object board 8 by irradiating the beam of the ion or the neutral particle, and has device members 7, 8, 50, and 53 facing to the machining chamber 2, and constituting a part irradiated with the beam of the ion or the neutral particle out of aluminum or an aluminum alloy.例文帳に追加

イオン又は中性粒子のビームを照射して被処理基板８の加工を行う加工室２を設けたミリング装置において、加工室２に面してイオン又は中性粒子のビームが照射される部分がアルミニウム又はアルミニウム合金からなる装置部材７、８、５０、５３を有する。 - 特許庁

To provide a sample stand for making a sample, so to speak, with little redeposition, in which sample stand materials are attached on a surface of the sample as ion beams sputter the stand, in making a sample used for TEM observation by an ion milling method.例文帳に追加

本発明は、ＴＥＭ観察に用いる試料をイオンミリング法により作製するに当たり、イオンビームが試料台をスパッタすることにより生じる試料台物質が試料表面に付着するいわゆるリデポジッションの少ない試料を作製する試料台を提供する。 - 特許庁

The surface shape processing method and the surface shape processing device of the multilayer film is characterized by detecting, in the milling of the multilayer film on which a plurality of substances with difference in refractive indexes are periodically laminated by the ion beams, depth of the milling on the basis of a substance with smaller reflection phase change.例文帳に追加

屈折率に差がある複数の物質を周期的に積層した多層膜のイオンビームによるミリングに際し、反射位相変化の小さい方の物質を基準としてミリングの深さを検知することを特徴とする多層膜の表面形状加工方法及び表面形状加工装置によって解決される。 - 特許庁

In manufacturing the lithium ion conductive sulfide glass and glass ceramics, metal lithium, elemental sulfur and elemental phosphorus to constitute the lithium ion conductive sulfide glass and glass ceramics are taken as raw materials, and the glass and the glass ceramics are prepared by means of mechanical milling, thereby lithium ion conductive sulfide glass and glass ceramics are manufactured.例文帳に追加

リチウムイオン伝導性硫化物ガラス及びガラスセラミックスを製造するにあたり、前記リチウムイオン伝導性硫化物ガラス及びガラスセラミックスを構成する金属リチウム、単体硫黄及び単体リンを原料として、メカニカルミリングによりガラス及びガラスセラミックス化させてリチウムイオン伝導性硫化物ガラス及びガラスセラミックスを製造すること。 - 特許庁

An ion milling device comprises; a sampling stage 1 where a sample S is placed; an ion source 2 for generating an ion beam with which the sample S is irradiated; a sample chamber 3 maintaining a storage space of the sampling stage 1 as a predetermined vacuum; and refrigerant supplying means 5 for supplying a gaseous refrigerant to cool the sample S inside the sample chamber 3.例文帳に追加

試料Sが設置される試料台1と、試料Sに照射するイオンビームを発生させるイオン源2と、試料台1の収納空間を所定の真空に保持する試料チャンバ3と、試料Sを冷却するための気体冷媒を試料チャンバ3内に供給する冷媒供給手段5とを備えるイオンミリング装置である。 - 特許庁

The negative ion generator does not also damage the body when employing it as the stone bus by quarrying out natural ore in the shape of a plate and supporting negative ion generating pulverulent composition on the surface or by grinding it, rounding off the angles to give roundness to a milling thing, and supporting the negative ion generating pulverulent composition on the surface.例文帳に追加

天然鉱石をプレート状に切り出し、その表面にマイナスイオン発生粉体組成物を担持したこと、或いは粉砕し、その角取りをして粉砕物に丸みを持たせ、その表面にマイナスイオン発生粉体組成物を担持したことにより、ストーンバスとして使用をする場合にも身体を傷付けないものである。 - 特許庁

To provide pattern forming method wherein a thin film on a lift-off pattern formed of a resist film is removed by ion milling to improve the permeability of the lift-off liquid and apply the lift-off patterning.例文帳に追加

本発明は、リフトオフによるパターン形成方法に関し、より詳細にはレジスト膜で形成したリフトオフパターン上の薄膜をイオンミーリングで除去し、リフトオフ液の浸透性を良くしてリフトオフパターニングを行なうパターン形成方法に関する。 - 特許庁

To form a ferromagnetic tunnel junction without using an ion milling method, to surely connect an upper wiring electrode to the fine ferromagnetic tunnel junction, and to manufacture a ferromagnetic tunnel junction device having a high yield and excellent reproducibility at a lower cost.例文帳に追加

イオンミリング法を用いずに強磁性トンネル接合部を形成することができ、且つ微細な強磁性トンネル接合部に対して上部配線電極の接続を確実に取ることができ、歩留まりと再現性に優れ、製造コストの低減をはかる。 - 特許庁

The surface of the sample is shaven off by ion milling and the scanning image by the scanning electron microscope is observed while the surface of the sample is removed by chemical etching and the scanning image by the scanning electron microscope is again observed to prepare the sample for the scanning electron microscope.例文帳に追加

イオンミリングによって試料の表面を削り取り、走査電子顕微鏡による走査像を観察し、ケミカルエッチングによって試料の表面を除去し、再度、走査電子顕微鏡による走査像を観察することによって、走査顕微鏡用の試料を作製する。 - 特許庁

To provide a surface shape processing method and a surface shape processing device of a multilayer film which corrects a phase of a reflected wave surface with precision of subnanometer and in which shortening of processing time is attained in milling of the multilayer film utilizing ion beams.例文帳に追加

イオンビームを利用した多層膜のミリングにおいて、サブナノメートル精度で反射波面の位相を補正するとともに加工時間の短縮を実現した多層膜の表面形状加工方法及び表面形状加工装置を提供することを課題とする。 - 特許庁

In the method and the apparatus for ion milling, a thin film formed on a sample is irradiated by ions, and then the position of the thin film to be cut out by the collision of ions is confirmed, and then the position of the collision of ions is corrected.例文帳に追加

上記目的を達成するために、本発明によれば、試料上に形成された薄膜にイオンを衝突させ、このイオンの衝突によって薄膜が削り取られる位置を確認して、イオンの衝突位置を補正するイオンミリング加工方法、及び装置を提案する。 - 特許庁

In the method to produce magnetic head, there are formed a first soft magnetic layer, conductor wire/coil, a second soft magnetic film and dielectric film with each prescript shapes in order, by sputtering and ion- milling processing, on an insulated substrate.例文帳に追加

本発明の磁気ヘッド製造方法では、絶縁体基板の上に、スパッタリングとイオンミリング処理により、それぞれ所定の形状の、第１の軟磁性層、導体線、導体コイル、第２の軟磁性膜及び誘電体膜を順次形成する。 - 特許庁

To maximize deposition of a conductive material 48 to a sidewall of the photoresist pad 46, the conductive material 48 is deposited at a shallow angle, then ion milling is performed at a high angle to remove the conductive material from the region while leaving a material of the sidewall.例文帳に追加

導電材料４８をフォトレジストパッド４６の側壁への蒸着を最大限にするために、導電材料４８を浅い角度で蒸着し、次に高角度でイオンミルを行って、側壁材料を残しながらこの領域から導電材料を除去する。 - 特許庁

Damage due to ion milling is not applied on both the side end parts S of the free magnetic layer 26, magnetization of the free magnetic layer 26 can be controlled properly by the ferromagnetic coupling, and a magnetic detecting element which can cope with narrow tracks can be manufactured.例文帳に追加

本発明では、前記フリー磁性層２６の両側端部Ｓにイオンミリングによるダメージが与えられず、上記の強磁性的な結合により前記フリー磁性層２６の磁化制御を適切に行うことができ、狭トラック化に適切に対応可能な磁気検出素子を製造することができる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a high-quality TMR element by performing two times of ion milling to remove a conductive material adhered to a barrier layer of a TMR element, in more detail, regarding a TMR element manufacturing method.例文帳に追加

本発明は、ＴＭＲ素子の製造方法に関し、より詳細にはＴＭＲ素子の形成過程において２回のイオンミリングを行いＴＭＲ素子のバリア層に付着した導電物質を除去して品質の高いＴＭＲ素子を製造する方法に関するものである。 - 特許庁

To provide a cross section preparation method and a preparation system capable of acquiring accurately a desired cross section in sample internal structure unobservable by an optical microscope in order to prepare a cross-sectional sample of a SiP type semiconductor package by an ion milling method.例文帳に追加

イオンミリング法によるＳｉＰ型半導体パッケージでの断面試料を作成するために光学顕微鏡では観察できない試料内部構造中の所望の断面を正確に得ることができる断面作成方法及び作成システムを提供する。 - 特許庁

This method for making a sample comprises thinning a sample piece 2 that becomes the transmission electron microscopic sample, forming a pattern by a photo resist 3 followed by etching, and polishing a formed etched part 4 by an ion milling device to form an observation part 5.例文帳に追加

透過型電子顕微鏡観察用の試料となる試料片２を薄片化した後、フォトレジスト３でパターンを形成して、エッチングを行い、形成されたエッチング部４にイオンミリング装置による研磨を行って観察部５を形成する試料作製方法である。 - 特許庁

As for ion milling, the adjustment operation is successively carried out to the works 5 arranged like a matrix, and the frequency adjustment progress circumstances are monitored through an inspection probe P for each work by a frequency counter C for adjustment.例文帳に追加

イオンミーリングはマトリクス状に配されたワーク５に対し順次調整動作を行うが、ワーク毎に前述の検査プローブＰを介して周波数カウンタＣにより周波数調整進行状況をモニタリングし、調整を行う。 - 特許庁

To provide the fine metal wiring of satisfactory characteristics while securing substrate insulation by sufficiently removing the unwanted portion of a power feeding metal film while preventing damage onto a substrate when removing the power feeding metal film by an ion milling method suitable for forming the fine metal wiring.例文帳に追加

微細な金属配線の形成に適したイオンミリング法での給電用金属膜除去において、基板へのダメ−ジを防止しつつ、給電用金属膜の不要部分の除去を十分に行うことで、基板絶縁性を確保した上、良好な特性の微細な金属配線を得る。 - 特許庁