「ION MILLING」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a structure of a magnetic head which prevents electrostatic destruction between a magneto resistance effect film 5 and a lower-part shield film 3 caused in a process, in which a wafer takes an electrical charge, such as an ion milling and so on in the manufacturing process of a magneto resis tance effective type magnetic head, and also provide its manufacturing method.例文帳に追加

磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造プロセスにおいて、イオンミリング等のウエハ表面に帯電が生じる工程で発生する磁気抵抗効果膜５と下部シールド膜３間の静電破壊を防止する磁気ヘッドの構造及び製造方法を提供する。 - 特許庁

(a) A pattern of a main magnetic pole 14 is formed, then (b) a non-magnetic film 16 formed of a non-magnetic material, which has a slow ion milling rate compared with a magnetic metal material forming the main magnetic pole, is deposited to embed the main magnetic pole, and then (c) polishing is performed until at least the main magnetic pole is exposed.例文帳に追加

（ａ）主磁極１４のパターン形成後、（ｂ）主磁極を構成する磁性金属材料よりもイオンミリングレートの遅い非磁性材料からなる非磁性膜１６を堆積させて主磁極を埋め込み、次いで、（ｃ）少なくとも主磁極が露出するまで研磨を行う。 - 特許庁

Or similarly, the mark 120 is scanned by using an electron beam exposure system and exposure positioning is conducted from the medium which fact surface to perform highly accurate work positioning from the medium-facing surface and to each the magnetic pole by using an ion milling device or the like.例文帳に追加

或いは、電子ビーム露光機で、同様にマーク120をスキャンして、媒体対向面から露光位置決めを行うことによって、媒体対向面から高精度な加工位置決めを露光し、イオンミリング装置等で、磁極のエッチングを行う。 - 特許庁

In the manufacturing method of a semiconductor device, before an Au layer 118 is formed, a photoresist layer 8 which covers the region other than the region of a second metal wiring layer 122 formed afterwards is formed on a second insulating film, and the layer 118 is formed on the layer 8 to perform an ion milling.例文帳に追加

Ａｕ層１１８を形成する前に、第２の絶縁膜の上に、後に形成する第２の金属配線１２２の領域以外の領域を覆うフォトレジスト層８を形成し、その上で、Ａｕ層１１８を形成してイオンミリングを行う。 - 特許庁

Coatings 17a and 17b on excess plane parts are removed by ion milling, and the coating 18 is adjusted in prescribed track width, and then the yoke part of the upper magnetic film is formed so as to be integrated with an upper pole part 20 on the conductive coil and the insulating films by electric plating.例文帳に追加

イオンミリングにより余分な平面部分の被膜１７ａ、ｂを除去し、かつ被膜１８を所定のトラック幅に調整した後、導体コイル及び絶縁層の上に上部磁性膜のヨーク部分を電気めっきにより、上ポール部分２０と一体に形成する。 - 特許庁

A method for manufacturing a piezoelectric element is forming a resist layer 35 on a laminated film 34 in which a lower electrode 31, a piezoelectric film 32, and an upper electrode 33 are laminated on a silicon substrate 30 in this order from the bottom and removing the laminated film 34 that is not covered with the resist layer 35 by ion milling.例文帳に追加

シリコン基板３０上に下から下部電極３１、圧電膜３２及び上部電極３３の順に積層された積層膜３４上にレジスト層３５を形成し、レジスト層３５に覆われていない積層膜３４をイオンミリングで除去する。 - 特許庁

To manufacture a thin film head having a superior recording property with a sufficient yield by allowing the accurate control of a width of write core in the manner of preventing the fluctuation or variance of the width of write core when a static-proof conductive film formed on a wafer is removed by an ion milling.例文帳に追加

ウェハーに形成されている帯電防止用の導電膜をイオンミリングによって除去する際に、ライトコア幅が変動したりばらついたりすることを防止して、精度よくライトコア幅を制御することを可能にし、優れた記録特性を有する薄膜ヘッドを歩留まりよく製造すること。 - 特許庁

To solve the problem that in a magnetoresistive effect thin film magnetic head having a magnetoresistive effect film which is used by making a sensing current flow through the multilayered structure in a perpendicular direction, the head is easy to be affected by ion milling and also when a shield film is static charged by the trouble of a machine etc. its characteristics are easy deteriorate.例文帳に追加

多層構造に垂直方向に検出電流を流して使用する磁気抵抗効果膜を有する磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドでは、イオンミリングによる影響を受けやすく、装置トラブル等によりシールド膜が帯電した際に、特性が劣化しやすい。 - 特許庁

The forming method of the inorganic oriented film where the inorganic oriented film is formed on a base material has a film-depositing step for depositing a film constituted principally of an inorganic material on the base material and a milling step for irradiating the surface of the film with an ion beam from a direction oblique by a prescribed angle θ_b to the vertical direction of the surface.例文帳に追加

本発明の無機配向膜の形成方法は、基材上に、無機配向膜を形成する方法であって、基材上に、主として無機材料で構成された膜を形成する成膜工程と、前記膜の表面に、該表面の垂直方向に対して所定の角度θ_ｂだけ傾斜した方向から、イオンビームを照射するミリング工程とを有することを特徴とする。 - 特許庁

Thereafter, the resist is separated to make the base plating layer 4 exposed, the exposed base plating layer 4 is removed through an ion milling method by which the base plating layer 4 of the same shape as the electrodes 5 is formed, and the electrodes 5 are connected to the ends of the resistor 2 through the intermediary of the base plating layer 4 for the formation of a thin film resistor element.例文帳に追加

しかる後、レジストを剥離して下地めっき層４を露出させ、この露出した下地めっき層４をイオンミリング法で除去することにより、両電極５と同一形状の下地めっき層４を形成し、両電極５がそれぞれ下地めっき層４を介して抵抗体２の両端部に接続された薄膜抵抗素子を得る。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a magnetoresistance effect element, for increasing efficiency of a hard bias by performing ion milling after lift-off after formation of a hard film in the forming process of the magnetoresistance effect element, and processing the hard film tip part near the uppermost layer of the magnetoresistance effect element.例文帳に追加

本発明は、磁気抵抗効果素子の製造方法に関し、より詳細には磁気抵抗効果素子の形成過程においてハード膜成膜後のリフトオフを行った後にイオンミリングを行い、磁気抵抗効果素子の最上層近辺のハード膜先端部分を加工することによりハードバイアスの効率を高めた磁気抵抗効果素子を製造する方法に関するものである。 - 特許庁

A SOG (Spin on Glass) 201 composed of one material selected from silica glass, alkyl siloxane polymer, alkyl silsesqui oxysan polymer (MSQ), hydrogenation silsesqui oxysan polymer (HSQ), hydrogenation alkyl siloxane polymer (HOSP) is provided at protrusions of a magnetic layer 103, the SOG 201 is transformed to a SiO_2 102 by performing an ion milling, thereby being functioned as an etching mask of the magnetic layer 103.例文帳に追加

シリカガラス、アルキルシロキサンポリマー、アルキルシルセスキオキサンポリマー（MSQ）、水素化シルセスキオキサンポリマー（HSQ）、水素化アルキルシロキサンポリマー（HOSP）から選ばれる１つの材料からなるSOG２０１を磁性層１０３の凸部に設け、イオンミリングを行うことにより、ＳＯＧ２０１がＳｉＯ2１０２に変質し、磁性層１０３のエッチングマスクとして機能する。 - 特許庁

The device which performs ion milling, while the substrates 2 are arrayed on the substrate holder 1, has mount parts 3, which are nearly as large as or a slightly smaller than the substrates 2, on the surface of the substrate holder 1, where the substrates 2 are arrayed and the substrates 2 are mounted on the mount parts via conductive rubber sheets 4.例文帳に追加

基板ホルダー１上に複数枚の基板２を配列してイオンミリングを行う装置において、該基板ホルダー１表面の基板２を配列する箇所に、該基板２と同等或いはやや小さめの大きさのマウント部３をそれぞれ形成し、該マウント部に導電性ラバーシート４を介して基板２を載置するようにした。 - 特許庁

In the manufacturing method of the magnetic recording medium, the magnetic film is formed on a substrate, a resist is applied on the magnetic film, a stamper is imprinted to the resist to transfer a rugged pattern and the magnetic film is worked by ion-milling to form a magnetic film pattern while the resist residue is left in the recessed part of the patterned resist after the stamper is removed.例文帳に追加

基板上に磁性膜を形成し、前記磁性膜上にレジストを塗布し、前記レジストに対してスタンパをインプリントして凹凸パターンを転写し、前記スタンパを除去した後、パターン化されたレジストの凹部にレジスト残渣を残したままイオンミリングにより前記磁性膜を加工して磁性膜パターンを形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 - 特許庁

The method of coupling metallic wires applied to an MEMS packaging process for joining the upper part of a silicon substrate 22 equipped with an MEMS element 23 and a glass wafer 24 formed with a hole 26 for coupling the metallic wires includes a step of depositing a metallic film 27 in the hole and a step of ion-milling the deposited film 27.例文帳に追加

ＭＥＭＳ素子２３が設けられたシリコン基板２２の上部と、金属配線連結のための穴２６が形成されているガラスウェハ２４とを接合するＭＥＭＳパッケージング工程に適用される金属配線を連結する方法であって、穴に金属薄膜２７を蒸着する段階及び蒸着された金属薄膜２７をイオンミーリングする段階を含む。 - 特許庁

A barrier metal layer 21, a protection layer 20, a free ferromagnetic layer 18b, a nonmagnetic intermediate layer 18a, a tunnel barrier layer 17, a pinned ferromagnetic layer 14b, a nonmagnetic intermediate layer 15, a pinned ferromagnetic layer 14a, an anti-ferromagnetic layer 13, and an alignment control film 12 are patterned by ion milling.例文帳に追加

イオンミリングを行うことにより、バリアメタル層２１、保護層２０、フリー強磁性層１８ｂ、非磁性中間層１９、フリー強磁性層１８ａ、トンネルバリア層１７、ピンド強磁性層１４ｂ、非磁性中間層１５、ピンド強磁性層１４ａ、反強磁性層１３及び配向制御膜１２をパターニングする。 - 特許庁

An active material for a lithium ion secondary battery is manufactured by milling and mixing a lithium compound, and a transition-metal compound containing at least one kind of transition metal selected from Mn, Ni, Co, Fe, V, and Ti without a solvent; pulverizing the obtained powder; and burning the powder by applying a microwave under an oxidizing atmosphere.例文帳に追加

リチウム化合物と、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｖ、Ｔｉから選ばれる少なくとも１種の遷移金属を含む遷移金属化合物とを、無溶媒下に粉砕混合した後、得られた粉体を解砕し、酸化性雰囲気下、マイクロ波を照射して焼成することにより、リチウムイオン二次電池用活物質を製造する。 - 特許庁

Accordingly, as the second insulating film is protected with the layer 8 at the time of a processing using the ion milling, the second insulating film is never abnormally etched in the vicinities of the edges of the second metal wiring layer 122, a short-circuit between a first metal wiring layer 114 and the layer 122 is prevented from being generated, and the yield of the manufacture of the semiconductor device can be raised.例文帳に追加

したがって、イオンミリングによる加工時に、第２の絶縁膜はフォトレジスト層８により保護されているので、第２の金属配線１２２のエッジ近傍で第２の絶縁膜が異常にエッチングされることがなく、第１および第２の金属配線１１４、１２２間の短絡を防止して、製造歩留まりを向上させることができる。 - 特許庁

In the electrode containing the solid electrolyte having lithium ion conductivity and used in the lithium secondary battery, solid electrolyte particles having lithium ion conductivity formed by mechanical milling treatment are mixed with and dispersed in positive active material powder not practically containing particles having a particle size of 30 μm or more, preferably not practically containing particles having a particle size of 2 μm or less.例文帳に追加

リチウム二次電池に用いるリチウムイオン導電性の固体電解質を含有した電極であって、メカニカルミリング処理により合成したリチウムイオン導電性の固体電解質粒子を、粒子径３０μｍ以上の粒子を実質的に含まない正極活物質粉体に混合して分散させたことを特徴としており、さらに好ましくは粒子径２μｍ以下の粒子を実質的に含まないことを特徴としている。 - 特許庁