「LP P」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The p+ anode layer 3 allows p-type impurities to be subjected to ion implantation by an implantation depth of Lp with resist 11 having a number of openings with a mask, and is formed so that the p+ anode layer 3 is subjected to thermal diffusion and is mutually overlapped in the horizontal direction.例文帳に追加

ｐ^+ アノード層３は、多数の開口部を持つレジスト１１をマスクにｐ型不純物を注入深さＬp でイオン注入し、その後、熱拡散して互いに横方向で重なるように形成する。 - 特許庁

The P-type electrode Lp is bonded to the conductive land via four bumps 55a, whereas the N-type electrode Ln is bonded to the conductive land via one bump 55b.例文帳に追加

Ｐ型電極Ｌｐは４個のバンプ５５ａを介して、Ｎ型電極Ｌｎは１個のバンプ５５ｂを介して導電ランドに接合されている。 - 特許庁

As a result, the luminous intensity in the hot zone HZ of the low-beam light distribution pattern P can be increased by the diffusion type light distribution sub-patterns LP and RP.例文帳に追加

この結果、すれ違い用の配光パターンＰのホットゾーンＨＺの光量を拡散タイプのサブ配光パターンＬＰ、ＲＰで上げることができる。 - 特許庁

A bonded area Sn between the N-type electrode Ln and the bump 55b is larger than a bonded area Sp between the P-type electrode Lp and one of the bumps 55a.例文帳に追加

Ｎ型電極Ｌｎとバンプ５５ｂとの接合面積Ｓｎは、Ｐ型電極Ｌｐと１個のバンプ５５ａとの接合面積Ｓｐより大きい。 - 特許庁

By performing ion implantation by using a first implantation mask 4 having an opening part with a width Lp, a high-concentration p-type well region 6 is formed.例文帳に追加

幅Ｌｐの開口部を有する第１注入マスク４を利用してイオン注入を行うことで、高濃度ｐ型ウエル領域６を形成する。 - 特許庁

A multilayer printed-wiring board P has a first wiring layer LS1 and a second wiring layer LS2 and a grounding layer LG and a power supply layer LP arranged between both wiring layers.例文帳に追加

多層プリント配線板Ｐは、第１配線層ＬS1および第２配線層ＬS2と、両配線層間に配置されるグランド層ＬGおよび電源層ＬPとを具備する。 - 特許庁

Both ends of adjacent management units Up, Uq (p=2x-1, q=p+1:x=1, 2, 3, ...) and the battery cells Bp1-Bpm, Bq1-Bqm of a block are connected by electric routes Lp1, Lp(m+1), Lq(m+1) as power supply lines.例文帳に追加

隣接する管理ユニットＵｐ，Ｕｑ（ｐ＝２ｘ−１、ｑ＝ｐ＋１：ｘ＝１，２，３，…）及びブロックの電池セルＢｐ１〜Ｂｐｍ、Ｂｑ１〜Ｂｑｍの両端とは、電源ラインとしての電気経路Ｌｐ１、Ｌｐ（ｍ＋１）、Ｌｑ（ｍ＋１）によって接続されている。 - 特許庁

As a result, the light distribution pattern LP for for the dipped beam formed of the low beam and a predetermined light distribution pattern P formed of the off-control light L5 are obtained, and the invalidated off-control light L5 can be effectively used at the irradiation time of the light distribution pattern LP for the dipped beam.例文帳に追加

この結果、ロービームで形成されるすれ違い用の配光パターンＬＰと、ＯＦＦ制御光Ｌ５で形成される所定の配光パターンＰとが得られ、すれ違い用の配光パターンＬＰの照射時において、無効化されているＯＦＦ制御光Ｌ５を有効活用することができる。 - 特許庁

Even if output from a row decoder is low voltage, a transistor size ratio of N/P is kept small by transiting a level of the word driver by changing voltage of a word driver P channel control signal LP connected to a P channel transistor 6001 without changing size of the P channel transistor 6001 and a N channel transistor 6002.例文帳に追加

ロウデコーダからの出力が低電圧であっても、Ｐチャネルトランジスタ６００１やＮチャネルトランジスタ６００２のサイズを変えることなく、Ｐチャネルトランジスタ６００１に接続されたワードドライバＰチャネル制御信号ＬＰの電圧を変更することでワードドライバレベル遷移が可能となることにより、Ｎ／Ｐのトランジスタサイズ比が小さい状態を維持する。 - 特許庁

Whether or not the medium P can be taken in can be determined while the medium P is clamped by the feed rollers 7a, 7b, thus preventing the problem that the taken-in medium that is shorter than the distance Lp between the feed rollers cannot be carried.例文帳に追加

これによりフィードローラ７ａ、７ｂにより媒体Ｐをクランプしている状態で媒体Ｐを吸入できるか否かの判断をすることが可能となり、フィードローラ間距離Ｌｐより短い長さの媒体の吸入後の搬送不可を防止することが可能となる。 - 特許庁

When a switch which preview-displays a printing image is pressed, a layout image LP, a low resolution image S, and a high resolution image P of the image which is instructed for displaying are successively displayed on the screen 18.例文帳に追加

印刷画像をプレビュー表示させるスイッチを押下すると、画面１８には表示を指示された画像のレイアウト画像ＬＰ、低解像度画像Ｓ、高解像度画像Ｐが順次表示される。 - 特許庁

When a switch to display the printing image in preview is depressed, the layout image LP, the low-resolution image S and the high-resolution image P of the images instructed to be displayed are sequentially displayed on the screen 18.例文帳に追加

印刷画像をプレビュー表示させるスイッチを押下すると、画面１８には表示を指示された画像のレイアウト画像ＬＰ、低解像度画像Ｓ、高解像度画像Ｐが順次表示される。 - 特許庁

To provide a bidirectional ring (BLSR) switching control method on the condition where ring switching and LP-S can not coexist but ring switching and SF-P can coexist.例文帳に追加

双方向リング（ＢＬＳＲ）切替制御方法であって、リング切替とＬＰ−Ｓは共存できないが、リング切替とＳＦ−Ｐは共存できる、という条件下でのリング切替方法に関する。 - 特許庁

The shortest distance Lnch from a pn junction interface between the n^- region 1 and the p^+ region 2 to the joint between the wiring layer 11 and the n^- region 1 is shorter than the diffusion length Lp of a hole in the n^- region 1.例文帳に追加

ｎ^-領域１とｐ^+領域２とのｐｎ接合界面と配線層１１およびｎ^-領域１の接合部との最短距離Ｌｎｃｈが、ｎ^-領域１における正孔の拡散長Ｌｐよりも短い。 - 特許庁

A first subset of the plurality of sense amplifiers have their first latch node (e.g. latch P-channel "LP") electrically coupled and a second differing number subset of the plurality of sense amplifiers have their second latch node (e.g. latch N-channel "LN") electrically coupled.例文帳に追加

複数のセンスアンプの第１のサブセットはその第１のラッチノード（たとえばラッチＰチャネル"ＬＰ"）が電気的に結合されており、複数のセンスアンプの第２の異なる数のサブセットはその第２のラッチノード（たとえばラッチＮチャネル"ＬＮ"）が電気的に結合される。 - 特許庁

Thereby, generation of missing portion of light between the low beam light distribution pattern P and the sub-light distribution pattern LP, RP can be prevented, and visibility of the side direction of the vehicle can be certainly improved, thereby it can contribute to traffic safety.例文帳に追加

この結果、すれ違い用の配光パターンＰとサブ配光パターンＬＰ、ＲＰとの間に光の抜け部分が発生するのを防止することができ、車両の側方の視認性を確実に向上させることができ、交通安全に貢献することができる。 - 特許庁

In a first sub-set of the plurality of sense amplifiers, their first latch nodes (e.g. latch P channel 'LP') are coupled electrically, in a second differing number sub-set of the plurality of sense amplifiers, their second latch nodes (e.g. latch N channel 'LN') are coupled electrically.例文帳に追加

複数のセンスアンプの第１のサブセットはその第１のラッチノード（たとえばラッチＰチャネル“ＬＰ”）が電気的に結合されており、複数のセンスアンプの第２の異なる数のサブセットはその第２のラッチノード（たとえばラッチＮチャネル“ＬＮ”）が電気的に結合される。 - 特許庁

In the device, distance LB from a primary transfer position TBK to secondary transfer position TS where the distance to the secondary transfer position TS along surface movement direction A of the intermediate transfer body 1 is the shortest is set to be longer than the length LP of the recording medium P in the carrying direction.例文帳に追加

中間転写体１の表面移動方向Ａに沿う二次転写位置ＴＳまでの距離が最も短い一次転写位置ＴＢＫから二次転写位置ＴＳまでの距離ＬＢを、記録媒体Ｐの搬送方向長さＬＰよりも長く設定する。 - 特許庁

A gate length Ln and a gate width Wn of an n-channel MOS transistor Q1 and a gate length Lp and a gate width Wp of a p-channel MOS transistor Q2 are set, so that the n-channel MOS transistor Q1 and the p-channel MOS transistor Q2 have mutually approximately equal coupling capacitances and mutually approximately equal impedances.例文帳に追加

ｎチャネルＭＯＳトランジスタＱ_1 およびｐチャネルＭＯＳトランジスタＱ_2 のカップリング容量が互いにほぼ等しくなり、かつ、ｎチャネルＭＯＳトランジスタＱ_1 およびｐチャネルＭＯＳトランジスタＱ_2 のインピーダンスが互いにほぼ等しくなるように、ｎチャネルＭＯＳトランジスタＱ_1 のゲート長Ｌ_n およびゲート幅Ｗ_n ならびにｐチャネルＭＯＳトランジスタＱ_2 のゲート長Ｌ_p およびゲート幅Ｗ_p を設定する。 - 特許庁

It is possible to change flux distribution patterns LP, RP of an auxiliary lamp unit 7 without changing light distribution patterns of main lamp units 5, 6, 22 (for example, flux distribution pattern P for low beam) as it is a device to rotate the auxiliary lamp unit 7 which is different from the main lamp units 5, 6, 22.例文帳に追加

主用ランプユニット５、６、２２と別個の補助用ランプユニット７を回転させるものであるから、主用ランプユニット５、６、２２の配光パターン（たとえば、すれ違い用配光パターンＰ）を変化させずに補助用ランプユニット７の配光パターンＬＰ、ＲＰを変化させることができる。 - 特許庁

A presentation device 1 is configured to carry out image processing from a lower region to an upper region while scanning a picked-up image laterally, when a presenter detects a pointer P appearing in a screen S by the image processing from picked-up images picked up by a camera 30 by operating the laser pointer LP.例文帳に追加

プレゼンテーション装置１は、発表者がレーザポインタＬＰなどを操作してスクリーンＳに現れるポインタＰをカメラ３０で撮像した撮像画像から画像処理により検出する際に、撮像画像を左右方向に走査しつつ下部領域から上部領域に向かって画像処理を行う構成である。 - 特許庁