「Memory Cell」に関連した英語例文の一覧と使い方(30ページ目) - Weblio英語例文検索

A plurality of memory cell arrays are provided with a memory cell constituted of a variable capacitor and a bit wire while the arrays are operated with mutually different timings.例文帳に追加

複数のメモリセルアレイは、可変容量キャパシタで構成されたメモリセルとビット線とを有しており、互いに異なるタイミングで動作する。 - 特許庁

As these address regions are fixedly decided, the binary mode memory cell and the multi-valued-mode memory cell can be optimized individually.例文帳に追加

これらのアドレス領域が固定的に定められるため、２値モードメモリセルおよび多値モードメモリセルを、それぞれ個々に最適化することができる。 - 特許庁

The sense amplifier is connected to the memory cell array through a bit line, and senses and amplifies data of a selected memory cell connected to the selected word line.例文帳に追加

センスアンプはビットラインを介してメモリセルアレイと接続され、選択されたワードラインに接続されたメモリセルのデータを感知増幅する。 - 特許庁

A BIST circuit 100 detects the defective memory cell by conducting an operation test of a memory cell array 30 when the power source is turned on.例文帳に追加

ＢＩＳＴ回路１００は、電源起動時においててメモリセルアレイ３０に対して動作テストを実行し欠陥メモリセルを検出する。 - 特許庁

To accurately evaluate the characteristics of a cell in a flash memory array.例文帳に追加

フラッシュメモリアレイ中におけるセルの特性を正確に評価する。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING SPLIT-GATE FLASH MEMORY CELL USING SPACER OXIDATION PROCESS例文帳に追加

スペーサー酸化工程を利用する分離ゲートフラッシュメモリセル製造方法 - 特許庁

A data storage device (8) comprises the resistive intersection array (10) of a memory cell (12).例文帳に追加

データ記憶デバイス(8)は、メモリセル(12)の抵抗性交点アレイ(10)を含む。 - 特許庁

PHASE CHANGE MEMORY ELEMENT ADOPTING CELL DIODE, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

セルダイオードを採用する相変移記憶素子及びその製造方法 - 特許庁

In reading out information from a memory cell, only one memory cell in one local block is activated by a word line for reading out.例文帳に追加

メモリセルからの情報の読み出し時に、読み出し用ワード線により、一つのローカルブロック内の一つのメモリセルのみの活性化を行う。 - 特許庁

The BIST circuit 100 generates the redundant code of a faulty memory cell corresponding to the defective memory cell based on the result of the operation test.例文帳に追加

ＢＩＳＴ回路１００は、動作テスト結果に基づいて、欠陥メモリセルに対応する不良メモリセルを冗長コードを生成する。 - 特許庁

MAGNETIC MEMORY CELL AND MAGNETIC STORAGE DEVICE USING SAME, AND MAGNETIC STORAGE METHOD例文帳に追加

磁気メモリセル及びそれを用いた磁気記憶装置、磁気記憶方法 - 特許庁

Therefore the time from applying voltage to a memory cell to the start of sense amplifier can be constant independently of a position of a memory cell.例文帳に追加

これにより、メモリセルの位置に依らず、メモリセルに電圧が印加されてから、センスを開始するまでの時間を一定とすることができる。 - 特許庁

The area can be reduced by using such a memory cell.例文帳に追加

このようなメモリセルによって、面積縮小化を図ることができる。 - 特許庁

FERROELECTRIC MATERIAL MEMORY CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

強誘電体メモリセルおよび強誘電体メモリセルの製造方法 - 特許庁

FLATTENING METHOD OF INSULATION LAYER USED FOR FERRODIELECTRIC MEMORY CELL例文帳に追加

強誘電体メモリセルに用いられる絶縁層の平坦化方法 - 特許庁

A memory cell array 1 is constituted by arranging a memory cell MC of a current pull-in type at an intersection part of a bit line BL and a word line WL.例文帳に追加

メモリセルアレイ１はビット線ＢＬとワード線ＷＬの交差部に電流引き込み型のメモリセルＭＣを配置して構成される。 - 特許庁

The first node of each memory cell and the second node which is the other end of the variable resistance element of this memory cell are connected to the bit lines different from each other.例文帳に追加

各メモリセルの第１ノードと、このメモリセルの抵抗変化素子の他端である第２ノードとは別々のビット線と接続される。 - 特許庁

MEMORY DEVICE, DEFECTIVE CELL RELIEF METHOD, AND INTERNAL VOLTAGE TRIMMING METHOD例文帳に追加

メモリ装置、欠陥セル救済方法及び内部電圧トリミング方法 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR PROTECTION FROM OVER-ERASING NONVOLATILE MEMORY CELL例文帳に追加

不揮発性メモリセルの過剰消去を保護する方法および装置 - 特許庁

To provide a means for performing write on a memory cell with higher accuracy.例文帳に追加

メモリセルへの書込みをより確実に行う手段を提供する。 - 特許庁

To provide a phase change memory cell structure having a small size and an element.例文帳に追加

小さなサイズの相変化メモリセル構造及び素子を提供する。 - 特許庁

METHOD AND CIRCUIT FOR TESTING MEMORY CELL IN MULTIVALUE STORAGE DEVICE例文帳に追加

多値記憶装置内のメモリセルをテストするための方法および回路 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit device, provided with a built-in test circuit, with which a defective memory cell can be replaced by a redundant memory cell.例文帳に追加

不良メモリセルを冗長メモリセルで置換することが可能なビルトインテスト回路を備えた半導体集積回路装置を提供する。 - 特許庁

To make it easy to precisely inspect and analyze a defect made in a memory cell by reducing parasitic resistance from an external terminal to the memory cell.例文帳に追加

外部端子からメモリセルまでの寄生抵抗を低減し、メモリセルに生じた欠陥を高精度に検査、解析することを容易化する。 - 特許庁

Data read from a memory cell array 21 is held in a page register 22.例文帳に追加

メモリセルアレイ２１から読み出したデータは、ページレジスタ２２に保持される。 - 特許庁

The leak current of a MOS transistor in a memory cell is reduced by controlling the potential of a source line ssl of a driving MOS transistor within a SRAM memory cell MC.例文帳に追加

SRAMメモリセルMC内の駆動MOSトランジスタのソース線sslの電位を制御することでメモリセル内のMOSトランジスタのリーク電流を低減する。 - 特許庁

A magnetic collection spacer is formed on a side wall of a magnetoresistance memory cell.例文帳に追加

磁気抵抗記憶セルの側壁に磁気集束スペーサを形成する。 - 特許庁

To provide a memory cell structure including a planar semiconductor substrate.例文帳に追加

プレーナの半導体基板を含むメモリ・セル構造を提供すること。 - 特許庁

A normal sense amplifier (410) reads a normal memory cell with an accessed address, and a redundant sense amplifier (420), on the other hand, reads a redundant memory cell.例文帳に追加

正規センスアンプ（４１０）はアクセスされたアドレスで正規メモリセルを読み出し、一方、冗長センスアンプ（４２０）は冗長メモリセルを読み出す。 - 特許庁

To perform an efficient screening about a defective cell of a flash memory.例文帳に追加

フラッシュメモリの不良セルについて効率的なスクリーニングを行なう。 - 特許庁

For example, a memory cell array 11 is divided into plural sub-arrays 12.例文帳に追加

たとえば、メモリセルアレイ１１を複数個のサブアレイ１２に分割する。 - 特許庁

PROGRAMMING METHOD OF REFERENCE CELL AND NONVOLATILE MEMORY UNIT USING THEREOF例文帳に追加

リファレンスセルのプログラム方法及びこれを用いた不揮発性メモリ装置 - 特許庁

A nonvolatile storage device includes a memory cell array and a control circuit.例文帳に追加

不揮発性記憶装置はメモリセルアレイと制御回路とを備える。 - 特許庁

To reduce area of a semiconductor memory device having a cell plate line.例文帳に追加

セルプレート線を有する半導体メモリ装置の面積を小さくする。 - 特許庁

NON-VOLATILE MEMORY DEVICE HAVING CELL DIODE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME例文帳に追加

セルダイオードを備えた不揮発性メモリ素子及びその製造方法 - 特許庁

An erasure circuit erases data of the memory cell array in a block unit.例文帳に追加

消去回路は、メモリセルアレイのデータをブロック単位に消去する。 - 特許庁

To improve noise resistance in writing data to a memory cell and reading the data from the memory cell in a storage device.例文帳に追加

記憶装置において、メモリセルへのデータの書き込みとメモリセルからのデータの読み出しを行う際に、ノイズ耐性を向上できるようにする。 - 特許庁

NON-VOLATILE MEMORY CELL HAVING FLOATING GATE AND ITS FORMING METHOD例文帳に追加

フローティングゲートを有する不揮発性記憶セル及びその形成方法 - 特許庁

The relationships a<ar1, b=br1, and c<cr1 exist between the main body memory cell part 2 and the redundancy memory cell part 1.例文帳に追加

そして、本体メモリセル部２とリダンダンシメモリセル部１との間には、ａ＜ａｒ１、ｂ＝ｂｒ１及びｃ＜ｃｒ１で表される関係がある。 - 特許庁

An interlayer film 15 is formed in such a manner that it covers the memory cell capacitor C on the first hydrogen barrier film 8 and the memory cell capacitor C.例文帳に追加

第１の水素バリア膜８およびメモリセルキャパシタＣの上には、メモリセルキャパシタＣを覆うように層間膜１５が形成されている。 - 特許庁

More concretely, a ring oscillator is formed on the memory cell array, including the test cells arranged at least at the four corners of the memory cell array.例文帳に追加

具体的には、メモリセルアレイ上で、少なくともメモリセルアレイの４隅に配置されたテスト用のセルを含むリングオシレータを形成する。 - 特許庁

LEVEL SHIFTER FOR BOOSTING WORDLINE VOLTAGE AND MEMORY CELL PERFORMANCE例文帳に追加

ワードライン電圧及びメモリ・セル性能を増強するためのレベル・シフタ - 特許庁

To prevent the occurrence of a current spike flowing across the storage element of a memory cell having an OTS selector during the selection of the memory cell.例文帳に追加

メモリセルを選択する際に、ＯＴＳセレクタを有するメモリセルの記憶素子を流れる電流スパイクが発生するのを回避させる。 - 特許庁

The memory cell 11 includes a resistance change element 13, and a reference memory cell 22 provided in the reading circuit 20 includes a resistance change element 23.例文帳に追加

メモリセル１１は抵抗変化素子１３を含み、読み出し回路２０に備えられた参照メモリセル２２は抵抗変化素子２３を含む。 - 特許庁

Thus, reading and writing of the two-bit memory cell becomes possible.例文帳に追加

これにより、２ビット容量のメモリセルＭＣの読み書きが可能になる。 - 特許庁