「Memory Cell」に関連した英語例文の一覧と使い方(33ページ目) - Weblio英語例文検索

A transistor with an extremely small leak current is used as a cell transistor of a memory element in a memory unit.例文帳に追加

メモリ装置内のメモリ素子のセルトランジスタとして、リーク電流の極めて小さいトランジスタを用いる。 - 特許庁

In memory cell 60, an off-leak current for pre-charge operation is switched at the time of standby or at the time of memory operation.例文帳に追加

メモリセル６０は、プリチャージ動作のためのオフリーク電流がスタンバイ時とメモリ動作時とで切り換わる。 - 特許庁

To improve read-out speed between different memory cell arrays in a memory system of an overlaid system.例文帳に追加

オーバーレイド方式のメモリシステムにおいて、異なるメモリセルアレイ間での読み出し速度の改善を目的とする。 - 特許庁

To provide a NAND type flash memory capable of suppressing deterioration in element characteristics of a memory cell accompanying microfabrication.例文帳に追加

微細化に伴うメモリセルの素子特性の劣化を抑制できるＮＡＮＤ型フラッシュメモリを提供する。 - 特許庁

To provide a ferroelectric memory device having a memory cell whose rows are connected to different plate lines.例文帳に追加

異なるプレートラインに連結された行のメモリセルを有する強誘電体メモリ装置を提供する。 - 特許庁

To provide a memory which can suppress a disturb phenomenon which deletes data on an unselected memory cell.例文帳に追加

非選択メモリセルのデータが消失するディスターブ現象を抑制することが可能なメモリを提供する。 - 特許庁

The phase memory cell consists of a phase change memory elements 21-23 connected in series and a diode.例文帳に追加

相変化メモリセルは、直列に接続された相変化メモリ素子２１〜２３とダイオードとから構成される。 - 特許庁

To read data reliably by reducing the influence of an adjacent memory cell when reading data from a nonvolatile memory.例文帳に追加

不揮発性メモリの読み出し時に、隣接メモリセルからの影響を低減し、確実な読み出しを行う。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory device is provided with a memory cell array 2, selection parts 3 and 4, and writing parts 5 and 6.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置は、メモリセルアレイ２と、選択部３，４と、書込み部５、６とを具備する。 - 特許庁

ONE TIME PROGRAMMABLE UNIT MEMORY CELL BASED ON VERTICAL FUSE AND DIODE AND ONE TIME PROGRAMMABLE MEMORY COMPRISING IT例文帳に追加

縦形ヒューズおよびダイオードに基づくワンタイムプログラマブル単位メモリセルおよびそれを用いるワンタイムプログラマブルメモリ - 特許庁

The memory device having a dual port function includes a switching unit, a 1st path, a 2nd path, and a memory cell array.例文帳に追加

デューアルポート機能を有するメモリ装置は、スイッチング部、第１経路、第２経路、及びメモリセルアレイを含む。 - 特許庁

MEMORY CELL ARRAY HAVING FERROELECTRIC CAPACITOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND FERROELECTRIC MEMORY DEVICE例文帳に追加

強誘電体キャパシタを有するメモリセルアレイおよびその製造方法ならびに強誘電体メモリ装置 - 特許庁

A semiconductor memory comprises a semiconductor substrate and a plurality of memory cell transistors.例文帳に追加

一つの実施形態によれば、半導体記憶装置は、半導体基板と複数のメモリセルトランジスタを有する。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, METHOD FOR SCREENING ITS FAILURE CELL AND ARRANGEMENT METHOD OF SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE例文帳に追加

半導体メモリ装置及びその不良セルをスクリーニングする方法並びに半導体メモリ装置の配置方法 - 特許庁

The memory cell array includes a plurality of memory cells respectively sharing a plurality of word lines and a plurality of bit lines.例文帳に追加

メモリセルアレイは、複数のワードラインと、複数のビットラインをそれぞれ共有する複数のメモリセルを含む。 - 特許庁

To provide a memory system capable of enhancing reliability thereof by stabilizing a state of a memory cell.例文帳に追加

メモリセルの状態を安定させることで信頼性を向上させることが可能なメモリシステムを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device for MRAMs or PRAMs that enables a higher density of memory cell.例文帳に追加

メモリセルの高密度化を図れるＭＲＡＭやＰＲＡＭ等の半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide techniques to read a memory cell that involve a threshold edge phenomenon of a reset state of phase change memory.例文帳に追加

相変化メモリのリセット状態の閾値エッジ現象を伴うメモリセルを読み出す技術を提供する。 - 特許庁

To promote micronization of a memory cell, related to a method for manufacturing a semiconductor device comprising a non-volatile memory.例文帳に追加

不揮発性メモリを有する半導体装置の製造方法に関し、メモリセルの微細化を促進すること。 - 特許庁

To enlarge the operation margin of a memory cell of a flip-flop type such as a static type random access memory (SRAM).例文帳に追加

スタティック型ランダムアクセスメモリ（ＳＲＡＭ）のようなフリップフロップ型のメモリセルの動作マージンを拡大する。 - 特許庁

Memory cells for test between bit lines 6 and 7 have the same structure as the memory cell 3 for test.例文帳に追加

ビット線６，７間のテスト用のメモリセルは全てテスト用のメモリセル３と同様の構造となっている。 - 特許庁

To provide a boosting circuit of a semiconductor memory whose read-out speed for a memory cell is increased.例文帳に追加

メモリセルの読み出しの高速化を図ることができる半導体記憶装置の昇圧回路を提供する。 - 特許庁

Reading is conducted from the memory cell (300) by detecting a current led in by the cell (300).例文帳に追加

セル（３００）が引き込む電流を検知することによりメモリセル（３００）からの読出しが行なわれる。 - 特許庁

To improve the speed of write operation in a memory cell such as a 3-transistor cell in which writing acts as destructive operation.例文帳に追加

３トランジスタセルなど書込みが破壊動作となるメモリセルにおける書込み動作の高速化を図る。 - 特許庁

A word line of the dummy cell DMC is activated at the same timing as that of a word line of the regular memory cell MC.例文帳に追加

また、ダミーセルＤＭＣのワード線は、正規メモリセルＭＣのワード線と同じタイミングで活性化する。 - 特許庁

Therefore, the program cell has constitution in which the state change part is added to the structure similar to the memory cell.例文帳に追加

したがって、プログラムセルは、メモリセルと同様の構造にさらに状態変化部を付加した構成である。 - 特許庁

The reference cell is the same as a memory cell of the array and used for generating reference voltage for a reference bit line.例文帳に追加

基準セルはアレイのメモリセルと同一で、基準ビット線用基準電圧の生成に用いられる。 - 特許庁

A reset noise generated as a result of initialization of the sensor cell portion is written to the plurality of memory cell portions at the same time.例文帳に追加

センサセル部を初期化したことによって生じるリセットノイズを、複数のメモリセル部に同時に書き込む。 - 特許庁

Moreover, by employing a special structure in the cell transistor, the size of one memory cell can be achieved 4F^2.例文帳に追加

また、セルトランジスタの構造を特殊なものとすることでメモリセルあたりの面積を４Ｆ^２とできる。 - 特許庁

MEMORY DEVICE HAVING BIT LINE EQUALIZER IN CELL ARRAY, AND METHOD FOR ARRANGING BIT LINE EQUALIZER IN CELL ARRAY例文帳に追加

セルアレイにビットライン均等化部を備えたメモリ装置及びビットライン均等化部をセルアレイに配置する方法 - 特許庁

The write control part causes writing to the dummy cell 16 in synchronization with writing to the memory cell 12.例文帳に追加

書き込み制御部は、メモリセル１２の書き込みタイミングに合わせてダミーセル１６に書き込みを行わせる。 - 特許庁

A reference cell is the same as a memory cell of an array, and used for generating reference voltage for reference bit line.例文帳に追加

基準セルはアレイのメモリセルと同一で、基準ビット線用基準電圧の生成に用いられる。 - 特許庁

A device and a method of a nonvolatile memory cell such as an STRAM cell are disclosed.例文帳に追加

ＳＴＲＡＭセルのような、不揮発性メモリセルについての装置および関連する方法が開示される。 - 特許庁

In a method for designing a low power leakage monitor element, a memory cell being the same as a cell in an actual array is used.例文帳に追加

低電力リーク・モニタ素子を設計する方法は、実アレイ内のセルと同一のメモリ・セルを使用する。 - 特許庁

Ferroelectric cells are arranged in an array type in the plurality of memory cell arrays and the RD cell array.例文帳に追加

上記複数のメモリセルアレイとＲＤセルアレイには強誘電体セルがアレイ状に配置されている。 - 特許庁

EVALUATION ELEMENT FOR NON-VOLATILE MEMORY CELL, SEMICONDUCTOR CHIP CONTAINING THE SAME, WAFER, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE CELL AND CHIP例文帳に追加

不揮発性メモリセル用の評価素子及びこれを含む半導体チップ、ウェハ、及び、これらの製造方法 - 特許庁

To detect a position of a specific cell by counting a memory cell, without using high-accuracy sample stage mechanism.例文帳に追加

高精度の試料ステージ機構を用いることなく、メモリーセルをカウントし、特定のセルの位置を検出する。 - 特許庁

When the fluctuation of the threshold voltage of the memory cell is detected, this information is stored in a cell information storage part.例文帳に追加

メモリセルの閾値電圧の変動が検出されたとき、その情報がセル情報記憶部に記憶される。 - 特許庁

Thereby, access for a memory cell MC in a plurality of cell array blocks can be performed by one sense amplifier SA.例文帳に追加

これにより、１つのセンスアンプＳＡで複数のセルアレイブロック内にあるメモリセルＭＣのアクセスが可能となる。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE, ITS MANUFACTURING METHOD AND CELL SIZE CALCULATING METHOD OF DRAM MEMORY CELL例文帳に追加

半導体集積回路装置およびその製造方法ならびにＤＲＡＭメモリセルのセルサイズ算出方法 - 特許庁

Therefore, the written state of each memory cell 10 is exactly reflected on each reference cell 10a, 10b.例文帳に追加

よって、各基準セル１０ａ，１０ｂには各メモリセル１０の書き込み状態が正確に反映される。 - 特許庁

To provide a highly integrated semiconductor memory of a gain cell type.例文帳に追加

高度に集積化したゲインセル方式の半導体メモリを提供する。 - 特許庁

The device is provided with a memory cell array, a Y-gating circuit and a page buffer 122.例文帳に追加

メモリセルアレイ、Ｙ−ゲーティング回路、およびページバッファ１２２を備える。 - 特許庁

A memory cell array is divided into a plurality of memory cell blocks MBL1 and MBL2 that are to be units, respectively, for performing an erasing operation collectively.例文帳に追加

メモリセルアレイは、それぞれ、一括して消去動作を行なう単位となる複数のメモリセルブロックＭＢＬ１およびＭＢＬ２に分割されている。 - 特許庁

To provide a cell layout of a semiconductor memory device supporting two data ports.例文帳に追加

２つのポートを有する半導体メモリ装置のセルレイアウトを提供する。 - 特許庁