「N layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(22ページ目) - Weblio英語例文検索

A lower-part semiconductor multilayer film reflection layer 3, a lower-part clad layer 4, an active layer 5, and an upper-part clad layer 6 are laminated on an n-type substrate 2.例文帳に追加

ｎ型基板２上に、下部半導体多層膜反射層３、下部クラッド層４、活性層５、上部クラッド層６を積層した構造を有する。 - 特許庁

At the cell portion C, a P-type base layer 14 is formed on the epitaxial layer 12, and an N-type source layer 15 is formed at part on the base layer 14.例文帳に追加

セル部Ｃにおいては、エピタキシャル層１２上にＰ型のベース層１４を形成し、ベース層１４上の一部にＮ型のソース層１５を形成する。 - 特許庁

Then, a p-type high-concentration halogen diffusion layer 15 is formed on the surface of the p-type well layer 11 between the n-type channel layer 12 and deep diffusion layer 14.例文帳に追加

そして、ｎ型チャネル層１２とディープ拡散層１４間のｐ型ウェル層１１表面に、ｐ型高濃度ハロ拡散層１５が形成されている。 - 特許庁

When the non-magnetic layer is constituted of a non-magnetic base layer and a non- magnetic intermediate layer consisting essentially of Co and Cr, the non- magnetic base layer contains N.例文帳に追加

非磁性層が非磁性下地層、Ｃｏ及びＣｒを主成分とする非磁性中間層から構成される場合は、該非磁性下地層がＮを含有する。 - 特許庁

The surface-emitting laser element 10 includes a first reflecting layer 12, an n-type spacer layer 13, an active layer 14, and a p-type spacer layer 15 that have been laminated sequentially.例文帳に追加

面発光レーザ素子１０は、順次に積層された第１の反射層１２、ｎ型スペーサ層１３、活性層１４、およびｐ型スペーサ層１５を有する。 - 特許庁

On the active region 2a, an SiGe alloy layer 4 which works as a base layer, and an n-type diffusion layer 5 which works as an emitter layer are formed.例文帳に追加

活性領域２ａの上に、ベース層として機能するＳｉＧｅ合金層４およびエミッタ層として機能するｎ型拡散層５を設ける。 - 特許庁

The cathode side electrode 14 is a laminated body having a first layer 20a facing the intermediate layer 18 through an n-th layer 20n of the uppermost layer.例文帳に追加

このカソード側電極１４は、中間層１８に臨む第１層２０ａから、最上層である第ｎ層２０ｎを有する積層体である。 - 特許庁

A light-emitting diode 40 comprises a substrate 41, a buffer layer 42, an n-type semiconductor layer 43, a conformational active layer 44 and a p-type semiconductor layer 45.例文帳に追加

発光ダイオード４０は、基板４１，バッファ層４２，ｎ型半導体層４３，コンフォーメーション活性層４４及びｐ型半導体層４５を有する。 - 特許庁

A p-type column layer 13 forming a superjunction structure is formed on the n-type epitaxial layer 12, and a p-type base layer 14 is formed on the column layer 13.例文帳に追加

このｎ型エピタキシャル層１２に、スーパージャンクション構造を形成するｐ型カラム層１３が形成され、ｐ型ベース層１４がこの上部に形成される。 - 特許庁

The first P+layer 4 is connected to an anode wiring 8 while the electrode layer 10, the second P+layer 5 and the N+layer 13 are connected to a cathode wiring 12.例文帳に追加

第１のＰ＋層４はアノード配線８と接続し、また、電極層１０，第２のＰ＋層５，及びＮ＋層１３はカソード配線１２と接続する。 - 特許庁

To provide a broad-spectrum Al(1-x-y)InyGa_xN LED, comprising: a substrate, a buffer layer, an N-type cladding layer, at least one quantum dot emitting layer, and a P-type cladding layer.例文帳に追加

基板、バッファー層、Ｎ型クラッド層、少なくとも１つの量子ドット放出層およびＰ型クラッド層を備える広域スペクトルAl_(1-x-y)In_yGa_xN LEDを提供すること。 - 特許庁

For each IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) cell, a well-shaped P base layer 2 is formed, and a collector P+ layer 5 and a cathode N+ layer 4 are formed directly on the rear surface side of the P base layer.例文帳に追加

ＩＧＢＴセル毎に、ウエル状のＰベース層２を形成し、その直下の裏面側部分にコレクタＰ＋層５及びカソードＮ＋層４を形成する。 - 特許庁

A step guide layer 6 is interposed between a multilayered film guide layer which is arranged on an N side of a light absorbing layer 7 and the light-absorbing layer 7.例文帳に追加

光吸収層７のｎ側に配置される多層膜ガイド層３とその光吸収層７との間にステップガイド層６が介設されている。 - 特許庁

A BSF layer 12, a photoelectric conversion layer 22, a window layer 18, a contact layer 20 and a surface electrode 24 are formed in order on an N-type semiconductor substrate 10.例文帳に追加

ｎ型半導体基板１０上に順次にＢＳＦ層１２、光電変換層２２、窓層１８、コンタクト層２０及び表面電極２４を設ける。 - 特許庁

A semiconductor layer for a light-emitting element layered with an n-type semiconductor layer 2, an active layer and a p-type semiconductor layer 3 is formed on a substrate 1.例文帳に追加

基板１上に発光素子用のｎ型半導体層２、活性層及びｐ型半導体層３を積層した半導体層を形成してある。 - 特許庁

A ZnO/ZnMgO quantum well layer with a ZnO layer and a ZnMgO layer laminated therein alternately is formed on the surface of the n-type ZnMgO layer (d).例文帳に追加

（ｄ）ｎ型ＺｎＭｇＯ層表面上に、ＺｎＯ層とＺｎＭｇＯ層とが交互に積層されるＺｎＯ／ＺｎＭｇＯ量子井戸層を形成する。 - 特許庁

An n- epitaxial layer 12C is formed with impurity concentration higher than the epitaxial layer 12A and thinner than the epitaxial layer 12A is formed on the epitaxial layer 12B.例文帳に追加

エピタキシャル層１２Ｂ上には、エピタキシャル層１２Ａに比べて、不純物濃度が高くかつ厚さが薄いｎ^−エピタキシャル層１２Ｃが形成されている。 - 特許庁

The first metal oxide layer 111 serves as a p-type semiconductor layer and the second metal oxide layer 114 serves as a n-type semiconductor layer.例文帳に追加

第１の金属酸化物層１１１はｐ型の半導体層として、第２の金属酸化物層１１４はｎ型の半導体層として働く。 - 特許庁

Silicide films 14b, 14c and 14d for a low resistance layer of the outer base layer are formed on the surface of the p^+ diffusion layer 10a and the n^+ diffusion layer 10b.例文帳に追加

このｐ＋拡散層１０ａおよびｎ＋拡散層１０ｂの表面には外部ベース層の低抵抗層用のシリサイド膜１４ｂ，ｃ，ｄが形成される。 - 特許庁

In the semiconductor light receiving element forming a PIN structure having a p-type semiconductor layer, a low resistance n-type semiconductor layer, and a high resistance n-type semiconductor layer; the high resistance n-type semiconductor layer is formed on the surface forming the p-type semiconductor layer so as to be surrounded in the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

Ｐ型半導体層と、低抵抗Ｎ型半導体層と、高抵抗Ｎ型半導体層とを有してなり、ＰＩＮ構造が形成された半導体受光素子において、前記Ｐ型半導体層が形成された表面上に前記高抵抗Ｎ型半導体層が前記Ｐ型半導体層に囲まれるように形成する。 - 特許庁

The second laminated structure comprises a p-type AlGaAs clad layer 62a, an active layer 64a, an n-type AlGaAs first clad layer 66a, a pnp current block layer 68, an n-type AlGaAs second clad layer 70, and an n-type GaAs cap layer 72, with the second ridge and the first laminated structure embedded.例文帳に追加

第２の積層構造は、ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層６２ａ、活性層６４ａ、ｎ型ＡｌＧａＡｓ第１クラッド層６６ａ、ｐｎｐ電流ブロック層６８、ｎ型ＡｌＧａＡｓ第２クラッド層７０、ｎ型ＧａＡｓキャップ層７２で構成され、第２のリッジ及び第１の積層構造を埋め込む。 - 特許庁

An n-InP buffer layer 2, a GRIN-SCH-MQW active layer 3 and a p-InP spacer layer 4 are formed sequentially on an n-InP substrate 1 wherein the upper region of the n-InP buffer layer 2, the GRIN-SCH-MQW active layer 3 and the p-InP spacer layer 4 have a mesa stripe structure.例文帳に追加

ｎ−ＩｎＰ基板１上に順次ｎ−ＩｎＰバッファ層２、ＧＲＩＮ−ＳＣＨ−ＭＱＷ活性層３、ｐ−ＩｎＰスペーサ層４が積層され、ｎ−ＩｎＰバッファ層２の上部領域、ＧＲＩＮ−ＳＣＨ−ＭＱＷ活性層３およびｐ−ＩｎＰスペーサ層４はメサストライプ状の構造となっている。 - 特許庁

This GaN semiconductor laser element 10 comprises a laminated structure of an n-type GaN layer 14, an n-type AlGaN clad layer 16, an active layer 20, an Mg-doped p-type GaN optical waveguide layer 22, a p-type AlGaN clad layer 24, and a p-type GaN contact layer 26 on an n-type GN substrate 12.例文帳に追加

本ＧａＮ系半導体レーザ素子１０は、ｎ型ＧａＮ基板１２上に、ｎ型ＧａＮ層１４、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層１６、活性層２０、Ｍｇドープｐ型ＧａＮ光導波層２２、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層２４、及びｐ型ＧａＮコンタクト層２６の積層構造を備えている。 - 特許庁

A p-type GaAs layer 12, an n-type GaAs layer 14, a p-type GaAs layer 16, and an n-type GaAs layer 18, are sequentially laminated on a p-type GaAs substrate 10; a cathode electrode 22 is formed on the n-type GaAs layer 18; and a gate electrode 23 is formed on the p-type GaAs layer 16.例文帳に追加

ｐ形ＧａＡｓ基板１０の上に、ｐ形ＧａＡｓ層１２，ｎ形ＧａＡｓ層１４，ｐ形ＧａＡｓ層１６，ｎ形ＧａＡｓ層１８が順次積層され、ｎ形ＧａＡｓ層１８上にカソード電極２２が、ｐ形ＧａＡｓ層１６上にゲート電極２３が形成されている。 - 特許庁

On a sapphire substrate 1, a GaN buffer layer 2, an n-type GaN contact layer 3, an MWQ active layer 4, and a p-type GaN contact layer 5 are stacked in order, and a partial region is mesa-etched from the p-type GaN contact layer 5 halfway to the n-type GaN contact layer 3 to form an (n) electrode 7.例文帳に追加

サファイア基板１上に、ＧａＮバッファ層２、ｎ型ＧａＮコンタクト層３、ＭＱＷ活性層４、ｐ型ＧａＮコンタクト層５が順次積層されており、ｐ型ＧａＮコンタクト層５からｎ型ＧａＮコンタクト層３の途中まで一部領域がメサエッチングされて、ｎ電極７が形成されている。 - 特許庁

In an oxide semiconductor light emitting element which is formed by laminating at least an n-type clad layer constituted of a ZnO semiconductor, an active layer, a p-type clad layer and a p-type contact layer one by one on a substrate, an In-doped n-type ZnO semiconductor layer is formed between the substrate and the n-type clad layer.例文帳に追加

基板上に少なくとも、ＺｎＯ系半導体で構成されたｎ型クラッド層、活性層、ｐ型クラッド層、ｐ型コンタクト層が順次積層されて成る酸化物半導体発光素子において、前記基板と前記ｎ型クラッド層の間にＩｎをドープしたｎ型ＺｎＯ系半導体層を形成する。 - 特許庁

An emitter layer 4 comprising an N-type doped region is formed on the main surface of the body layer 3.例文帳に追加

ボディ層３の主表面には、Ｎ型不純物領域からなるエミッタ層４が設けられている。 - 特許庁

Refractive indicis of the n-type clad layer 21 and the p-type clad layer 23 are smaller than that of GaN.例文帳に追加

ｎ型クラッド層２１及びｐ型クラッド層２３の屈折率はＧａＮの屈折率よりも小さい。 - 特許庁

An SiC layer 2 is formed with a CVD process on an Si(111) substrate layer 1 doped to an n-type.例文帳に追加

ｎ型にドーピングしたＳｉ(111)基板層１上に、ＣＶＤ法によりＳｉＣ層２を形成する。 - 特許庁

With respect to a semiconductor device including the clamp diode, a P^--type diffusion layer 5 is formed in the surface of an N^--type semiconductor layer 2.例文帳に追加

Ｎ−型の半導体層２の表面には、Ｐ−型の拡散層５が形成されている。 - 特許庁

An n^- type semiconductor layer 14 is laminated to the p-type silicon substrate 10 via the dielectric layer 12.例文帳に追加

ｐ型シリコン基板１０に誘電体層１２を介してｎ^−型半導体層１４を貼り合せる。 - 特許庁

The sum of the width of the N source layer 7 and that of the P+ body layer 8 is smaller than the interval between the trench gates 40.例文帳に追加

Ｎソース層７の幅とＰ^＋ボディ層８の幅の和は、トレンチゲート４０の間隔よりも小さい。 - 特許庁

An n-type gallium-nitride-based semiconductor layer 15 is formed on a board 13, and serves as, for example, a clad layer.例文帳に追加

ｎ型窒化ガリウム系半導体層１５は基板１３上に設けられ、例えばクラッド層である。 - 特許庁

Then a p-type GaN layer 5 and n-type GaN layer 6 are epitaxially grown on the ZnO film 4.例文帳に追加

ついで、ＺｎＯ膜４の上にｐ型ＧａＮ層５とｎ型ＧａＮ層６をエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

The base body 2 is formed of an n-type single crystal silicon layer which is used as a first conductivity type semiconductor layer.例文帳に追加

基体２は、第１導電型半導体としてのｎ型単結晶シリコンによって形成されている。 - 特許庁

The P type diffusion layer 5 and the N type diffusion layer 8 are overlapped at their partial regions.例文帳に追加

そして、Ｐ型の拡散層５とＮ型の拡散層８とが、その一部の領域を重畳させている。 - 特許庁

A p+ type anode layer 21 is so formed as to adjoin an n+ drain layer 16 of an LDMOS 10.例文帳に追加

ＬＤＭＯＳ１０のｎ^＋ドレイン層１６に隣接してｐ^＋型のアノード層２１が形成されている。 - 特許庁

To provide a photovoltaic element capable of improving doping efficiency in a (p) layer and/or an (n) layer.例文帳に追加

ｐ層および／またはｎ層におけるドーピング効率を向上可能な光起電力素子を提供する。 - 特許庁

The mask layer 102 is removed, and an n^+ diffusion layer 108 is formed on the surface of the silicon substrate 101.例文帳に追加

エッチングマスク層１０２を除去し、シリコン基板１０１の表面にＮ＋拡散層１０８を形成する。 - 特許庁

An interlayer film layer 24 is made via a barrier film 22 on a first n-1 wiring layer 10.例文帳に追加

第Ｎ−１層の配線層１０の上にバリア膜２２を介して層間膜層２４を形成する。 - 特許庁

Each of the memory cells is composed of a switching layer 13 formed on a surface of an N+ type Si layer 11.例文帳に追加

各メモリセルは、Ｎ＋型Ｓｉ層１１の表面に形成されたスイッチング層１３で構成されている。 - 特許庁

The diode (50) is formed by pn-junction of the p^+-diffusion layer and the n-type high concentration layer.例文帳に追加

ｐ^＋拡散層とＮ型高濃度層との間のｐｎ接合によってダイオード（５０）を構成する。 - 特許庁

The light-emitting part is provided between the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

前記発光部は、前記ｎ形半導体層と前記ｐ形半導体層との間に設けられる。 - 特許庁

The design flexibility is enhanced by processing not the p-type layer but the n-type layer.例文帳に追加

ｐ型層ではなくｎ型層を加工することによって、より大きな設計柔軟性がもたらされる。 - 特許庁

The n-graphene layer 102 has a single-layer structure of graphene or a laminate structure of a plurality of graphene single layers.例文帳に追加

ｎ−グラフェン層１０２は、グラフェンの単層構造、又は複数のグラフェン単層の積層構造である。 - 特許庁