「N layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(20ページ目) - Weblio英語例文検索

Assuming the winding number of the odd-layer coil as n, the winding number of the even-layer coil becomes (n-1), and the winding direction of the odd-layer coil is reverse to that of the even-layer coil.例文帳に追加

この場合に、奇数層目のコイルの巻き数をｎとすると、偶数層目のコイルの巻き数は（ｎ−１）であり、奇数層目のコイルの巻き方向と偶数層目のコイルの巻き方向とが相互に逆である。 - 特許庁

The light-emitting thyristor 20 includes a first N-type semiconductor layer 42, a first P-type semiconductor layer 43, a second N-type semiconductor layer 44 and a second P-type semiconductor layer 45.例文帳に追加

発光サイリスタ２０は、第１のＮ型半導体層４２と、第１のＰ型半導体層４３と、第２のＮ型半導体層４４と、第２のＰ型半導体層４５とを含んで構成される。 - 特許庁

An optical semiconductor element comprises: an n-type semiconductor layer; a p-type semiconductor layer; a functional portion provided between the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

実施形態によれば、ｎ形半導体層と、ｐ形半導体層と、ｎ形半導体層とｐ形半導体層との間に設けられた機能部と、を備えた光半導体素子が提供される。 - 特許庁

The p-n junction is formed by laminating, for example, an n-type layer (clad layer) 3 of a GaN compound semiconductor and a p-type layer (clad layer) 5 of the GaN compound semiconductor.例文帳に追加

たとえばＧａＮ化合物半導体からなるｎ形層（クラッド層）３と、ＧａＮ化合物半導体からなるｐ形層（クラッド層）５とが積層されることによりｐｎ接合が形成されている。 - 特許庁

The photoelectric converting film has a p-type semiconductor layer and an n-type semiconductor layer, and at least one of the p-type semiconductor layer and n-type semiconductor layer contains an acene-based compound having a substituent.例文帳に追加

ｐ型半導体層とｎ型半導体層を有し、該ｐ型半導体層およびｎ型半導体層の少なくともいずれかが置換基を有するアセン系化合物を含む光電変換膜。 - 特許庁

The multilayered barrier layer 45 has a three-layered structure composed of an n-type AlGaAs layer 45a, a non-doped AlGaAs layer 45b of thickness 2.5 to 5 nm, and an n-type AlGaAs layer 54c of thickness 10 nm.例文帳に追加

多層障壁層４５は、ｎ型ＡｌＧａＡｓ層４５ａ、膜厚２.５〜５ｎｍのノンドープＡｌＧａＡｓ層４５ｂ、膜厚１０ｎｍのｎ型ＡｌＧａＡｓ層５４ｃの３層構造となっている。 - 特許庁

The laminated body S is composed of a nitride semiconductor and is provided with a laminated structure for which the n-type layer 2 and a p-type layer 4 hold a light emitting layer 3 therebetween for instance, and the n-type layer is positioned on a substrate side.例文帳に追加

積層体Ｓは、窒化物半導体からなり、例えば、ｎ型層２とｐ型層４とが発光層３を挟んでいる積層構造を有し、ｎ型層は基板側に位置している。 - 特許庁

In the protection element 1, an interval distance W1 between an N-type diffusion layer 10a and a P-type diffusion layer 6 is smaller than an interval distance W2 between an N-type diffusion layer 9 and the P-type diffusion layer 6.例文帳に追加

そして、保護素子１では、Ｎ型の拡散層１０とＰ型の拡散層６との離間距離Ｗ１が、Ｎ型の拡散層９とＰ型の拡散層６との離間距離Ｗ２よりも短くなる。 - 特許庁

A silicon oxide layer 5 and a trapezoidal projection p-type GaN layer 6' are formed on an n-type GaN layer 2, an active layer 3, and a p-type GaN layer 4, and a transparent electrode layer 7 and a reflecting electrode layer 8 are formed on the silicon oxide layer 5 and the trapezoidal projection p-type GaN layer 6'.例文帳に追加

ｎ型GaN層２、活性層３、ｐ型GaN層４上に酸化シリコン層５及び台形凸部ｐ型GaN層６’を設け、酸化シリコン層５及び台形凸部ｐ型GaN層６’上に透明電極層７及び反射電極層８を設ける。 - 特許庁

In this case, the superjunction layer is formed of basic units each comprising one (n) pillar layer 3 and two (p) pillar layers which are disposed on both sides of the (n) pillar layer 3, and each has an impurity amount a half as large as the impurity amount of the (n) pillar layer 3.例文帳に追加

このとき、１本のｎピラー層３と、このｎピラー層３の両脇に配置され、それぞれの不純物量がこのｎピラー層３の不純物量の半分である２本のｐピラー層とを基本単位として、スーパージャンクション構造を形成する。 - 特許庁

The gallium nitride light emitting element comprises an n-type GaN buffer layer 12, an n-type GaN layer 14, an InGaN light emitting layer 16, a p-type GaN layer 18, an n-type electrode 20, and a p-type electrode 22 sequentially formed on a sapphire substrate 10.例文帳に追加

窒化ガリウム系発光素子は、サファイア基板１０上にｎ型ＧａＮバッファ層１２、ｎ型ＧａＮ層１４、ＩｎＧａＮ発光層１６、ｐ型ＧａＮ層１８、ｎ型電極２０、ｐ型電極２２を順次形成することで構成される。 - 特許庁

In an n channel type horizontal IGBT 10, a metal silicide layer 9a is formed on a P+ diffusion layer 12 which is isolated from an N-epitaxial layer 4 with a p-base 11 therebetween and an N+ diffusion layer 13 for use as an emitter region.例文帳に追加

ｎチャネル型の横型ＩＧＢＴ１０では、Ｎ-エピタキシャル層４とはｐベース１１を介在させて隔てられているＰ+拡散層１２と、エミッタ領域としてのＮ+拡散層１３とには、金属シリサイド層９ａが形成されている。 - 特許庁

In a vertical semiconductor apparatus 1, an N-type epitaxial layer 12, a P-type base layer 13 and an N^+-type source layer 14 are overlaid on an N^+-type silicon substrate 11 to form a trench gate electrode 19 reaching the epitaxial layer 12.例文帳に追加

縦形の半導体装置１において、Ｎ^＋型のシリコン基板１１上に、Ｎ型のエピタキシャル層１２、Ｐ型のベース層１３及びＮ^＋型のソース層１４を形成し、エピタキシャル層１２まで到達するトレンチゲート電極１９を形成する。 - 特許庁

The nitride semiconductor laser device includes: a semiconductor laminated portion including an n-type layer and a p-type layer each constituted of a nitride semiconductor; an n-electrode connected to the n-type layer; and a p-electrode connected to the p-type layer.例文帳に追加

それぞれが窒化物半導体から構成されたｎ型層及びｐ型層を含む半導体積層部と、ｎ型層に接続されたｎ電極と、ｐ型層に接続されたｐ電極と、を有する窒化物半導体レーザ素子に関する。 - 特許庁

The concentration of the n-type channel forming layer 23 is selected a little higher than the concentration of the n-type conductive region 16 of the PD 18.例文帳に追加

チャネル形成層２３は、ＰＤ１８のｎ型導電領域１６よりも若干高濃度とされている。 - 特許庁

A p body region 4 and an n buffer region 7 are provided separately on the surface layer of an n^- drift region 3.例文帳に追加

ｎ^-ドリフト領域３の表面層にｐボディ領域４と、ｎバッファ領域７とが離れて設けられている。 - 特許庁

A second trench 8 is formed to be in contact with the n^+-type source region 7, and reach the n^--type drift layer 3.例文帳に追加

第２トレンチ８は、ｎ^+型ソース領域７に接し、ｎ^-型ドリフト層３に達するように設けられている。 - 特許庁

An n-side electrode 61 is formed on part of the n-type layer 21 of a first lamination 25 (Fig.1(j)).例文帳に追加

第１の積層体２５におけるｎ型層２１上の一部に、ｎ側電極６１を形成する（図１（ｊ））。 - 特許庁

An electrode 20 connected with a high concentration N+-type layer 19 is formed on the back face of the N-type substrate 11.例文帳に追加

Ｎ型基板１１の裏面には高濃度のＮ^+ 型層１９に接続される電極２０が形成されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which isolates an n-well from n^+ buried layer to reduce chip size.例文帳に追加

自動ドーピングによりＮウェルとＮ^+埋め込み層とを隔離してチップサイズを小さくする半導体デバイスを提供する。 - 特許庁

N-type diffusion layers 117a and 117b are formed on the surface of the n-type epitaxial layer 104.例文帳に追加

前記Ｎ型エピタキシャル層１０４の表面部分にＮ型拡散層１１７ａおよび１１７ｂを形成する。 - 特許庁

Interconnection in the logical cells and interconnection between the logical cells are constituted only of upper n interconnect layer (n<m).例文帳に追加

論理セル内の配線および論理セル間の配線を、上位ｎ層の配線層（ｎ＜ｍ）のみを用いて構成する。 - 特許庁

The n-type Al_xGa_yIn_1-x-yN layer 11 is exposed by etching, or the like, to form an N electrode 30.例文帳に追加

この後、ｎ型Ａｌ_xＧａ_yＩｎ_1-x-yＮ層１１をエッチング等により露出させ、ｎ電極３０を形成する。 - 特許庁

On the surface of an exposed n-type layer 12a, an n-electrode 50 is formed by evaporative deposition using a resist mask.例文帳に追加

露出したｎ型層１２ａ表面に、ｎ電極５０をレジストマスクを用いた蒸着によって形成する。 - 特許庁

An n+ emitter area 14, a p base area 16, and an n- channel area 15 are formed in a second epitaxial layer.例文帳に追加

第二エピタキシャル層にｎ^＋エミッタ領域１４、ｐベース領域１６、ｎ^−チャネル領域１５を形成する。 - 特許庁

Near the center of a light-emitting element 50, an N electrode 7 is formed in contact with the N-type semiconductor layer 2.例文帳に追加

発光素子５０の中央付近には、Ｎ型半導体層２に接触してＮ電極７を形成してある。 - 特許庁

An N-type diffusion layer (CCD transfer channel) 4 is selectively formed on the surface of an N-type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

ｎ型半導体基板１の表面に選択的にｎ型拡散層（ＣＣＤ転送チャンネル）４を形成する。 - 特許庁

Four n^+ regions (electrode diffusion regions) 3, 4, 5, 6 are formed in the n-type epitaxial layer 2.例文帳に追加

Ｎ型エピタキシャル層２において４つのＮ^+領域（電極用拡散領域）３，４，５，６が形成されている。 - 特許庁

In the source and drain regions of the semiconductor layer 102, n-type SiC semiconductor regions 103 are formed.例文帳に追加

ｐ型SiC半導体層１０２のソースおよびドレイン領域にn型SiC半導体領域１０３が形成される。 - 特許庁

To obtain low resistance between an n-type electrode and an n-type layer composed of a III nitride-system compound semiconductor.例文帳に追加

ｎ型電極とIII族窒化物系化合物半導体からなるｎ型層と間に更なる低抵抗化を得る。 - 特許庁

Then, n type impurity and p type impurity are selectively injected into the upper face of the n^- type buffer layer.例文帳に追加

次に、ｎ^−型バッファー層の上面にｎ型不純物及びｐ型不純物を選択的に注入する。 - 特許庁

A substrate, an n-type clad layer, an active layer, a p-type clad layer, and a multiple ohmic contact layer are sequentially stacked, and the multiple ohmic contact layer is a nitride-based light-emitting element formed by a first transparent thin-film layer, an Ag layer, and a second transparent thin-film layer.例文帳に追加

基板、ｎ型クラッド層、活性層、ｐ型クラッド層、マルチオーミックコンタクト層が順次に積層されており、マルチオーミックコンタクト層は、第１透明薄膜層／Ａｇ／第２透明薄膜層より形成される窒化物系発光素子である。 - 特許庁

In an upper layer of the N-type region 5a, an N-type doped silicon film 11 having an impurity concentration higher than the N-type region 5a and equivalent to those of the N-type regions 6, 8 is formed in contact with the N-type region 5a.例文帳に追加

Ｎ型領域５ａの上層には、不純物濃度がＮ型領域５ａより高く、Ｎ型領域６，８と同程度のＮ型ドープトポリシリコン膜１１がＮ型領域５ａに接触して形成されている。 - 特許庁

A semiconductor substrate 1 and an n-type semiconductor layer 3 are laminated with a silicon oxide film 2 between, while a p-type semiconductor layer 9 and an n+layer semiconductor layer 11 are formed on the surface of the n-type semiconductor layer 3 with a source electrode 13 and a drain electrode 14 provided, respectively.例文帳に追加

半導体基板１とｎ−型半導体層３とをシリコン酸化膜２を挟んで積層すると共に、当該ｎ−型半導体層３の表面に、ｐ型半導体層９やｎ＋型半導体層１１を形成して、それぞれにソース電極１３、ドレイン電極１４を設ける。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element 1 has an n-type semiconductor layer 3 provided on a substrate 2; an n-type electrode 4 and a light emitting layer 5 on the n-type semiconductor layer 3; and a p type semiconductor layer 6, a contact electrode 7, a reflecting electrode 8, and a p type electrode 9 sequentially laminated to the light emitting layer 5.例文帳に追加

半導体発光素子１は、基板２にｎ型半導体層３が設けられ、ｎ型半導体層３にｎ電極４および発光層５が設けられ、発光層５に、ｐ型半導体層６と、コンタクト電極７と、反射電極８と、ｐ電極９とが順次積層されている。 - 特許庁

A semiconductor substrate 1 and n-type semiconductor layer 3 are laminated with a silicon oxide film 2 in between, while a p-type semiconductor layer 9 and n+-layer semiconductor layer 11 are formed on the surface of n-type semiconductor layer 3, with a source electrode 13 and drain electrode 14 provided, respectively.例文帳に追加

半導体基板１とｎ−型半導体層３とをシリコン酸化膜２を挟んで積層すると共に、当該ｎ−型半導体層３の表面に、ｐ型半導体層９やｎ＋型半導体層１１を形成して、それぞれにソース電極１３、ドレイン電極１４を設ける。 - 特許庁

An n-type InP clad layer 2, a GRIN-SCH-MQW active layer 3, a p-type InP spacer layer 4, a p-type InP clad layer 6 and a p-type InGaAsP contact layer 8 are sequentially laminated on an n-type InP substrate 1, and an n-type electrode 11 is disposed on the lower part of the substrate 1.例文帳に追加

ｎ−ＩｎＰ基板１上に順次ｎ−ＩｎＰクラッド層２、ＧＲＩＮ−ＳＣＨ−ＭＱＷ活性層３、ｐ−ＩｎＰスペーサ層４、ｐ−ＩｎＰクラッド層６、ｐ−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層８を積層し、ｎ−ＩｎＰ基板１の下部にはｎ型電極１１を配置する。 - 特許庁

In a semiconductor device having a PN junction part, a low concentration substrate junction of a p^+ layer and an n^- layer steep in impurity concentration gradient is formed, and a diffusion layer of a p^- layer in a low concentration is formed by making a surface concentration low and diffusing deeply so that it does not make a junction with the n^- layer of the substrate.例文帳に追加

PN接合部を有する半導体装置において、不純物濃度勾配の急峻なｐ^+層とｎ^-層の低濃度基板接合を形成し、低濃度のｐ^-層の拡散層を基板のn-層と接合ができないように表面濃度を薄く、深く拡散させて形成した。 - 特許庁

The semiconductor element is represented by a structure in which a third n-type GaN-type semiconductor layer 3, a first n-type GaN-based semiconductor layer 4, an i-type GaN-based semiconductor layer 5, a p-type GaN-based semiconductor layer 6, and a second n-type GaN-based semiconductor layer 7 are laminated on a substrate 1.例文帳に追加

基板１の上に第３ｎ型ＧａＮ系半導体層３、第１ｎ型ＧａＮ系半導体層４、ｉ型ＧａＮ系半導体層５、ｐ型ＧａＮ系半導体層６、第２ｎ型ＧａＮ系半導体層７が積層された積層構造で表される。 - 特許庁

In a typical example, n-type sidewalls 210 and the n-type silicon embedded layer 204 are combined to form an n-type silicon well, and the p-type silicon well 206 is formed in the n-type silicon well.例文帳に追加

典型例では、ｎ型サイドウォール２１０とｎ型埋め込み層２０４を組み合わせてシリコンのｎ型ウェルが形成され、ｐ型ウェル２０６がｎ型ウェル内に形成される。 - 特許庁

On the n-type layer B-N, the p-type substrate P-sub is present for prescribed thickness, and the p-type well region PWEL and an n-type well region NWEL are provided in equal depth.例文帳に追加

Ｎ型層Ｂ-N上にはＰ型基板Ｐ-subが所定厚さ存在し、Ｐ型のウェル領域ＰＷＥＬ、Ｎ型のウェル領域ＮＷＥＬが同等の深さで設けられる。 - 特許庁

A deep N+ type semiconductor layer 2 is high concentration N type impurities selectively from one surface side of an N- type semiconductor substrate having low concentration N type impurities.例文帳に追加

低濃度のＮ型不純物を有するＮ−型半導体基板の一方の表面側から，高濃度のＮ型不純物が選択拡散され，深いＮ＋型半導体層を形成する。 - 特許庁

This two-layer cosmetic is obtained by formulating an N-long-chain acyl basic amino acid derivative and its acid addition salt, especially an N-cocoyl-L-arginine ethyl ester-DL-pyrrolidonecarboxylate with an oil agent and purified water.例文帳に追加

二層型化粧料に、N-長鎖アシル塩基性アミノ酸誘導体類及びその酸付加塩、特にN-ココイル-L-アルギニンエチルエステル-DL-ピロリドンカルボン酸塩と、油剤と精製水を配合する。 - 特許庁

This reactor for decomposing/detoxifying the chemical substance containing one or more of N,N-dimethylformamide, acrylonitrile and acetonitrile is characterized in that such a positive temperature gradient is kept in a catalytic reaction layer that the temperature at an outlet of a catalyst layer is higher than that at an inlet of the catalyst layer by ≥50°C at the least.例文帳に追加

触媒反応層内に、触媒層出口温度が同入口温度よりも少なくとも50℃以上高い正の温度勾配を設けることを特徴とする、N,N-ジメチルホルムアミド、アクリロニトリル、アセトニトリルの１種以上を含む化学物質の分解無害化反応器。 - 特許庁

According to an embodiment, the semiconductor light emitting device has the semiconductor layer, a p-side electrode and an n-side electrode, an insulating film, a p-side contact part, an n-side contact part, a p-side wiring layer, an n-side wiring layer, a p-side metal pillar, and an n-side metal pillar.例文帳に追加

実施形態によれば、半導体発光装置は、半導体層と、ｐ側電極及びｎ側電極と、絶縁膜と、ｐ側コンタクト部と、ｎ側コンタクト部と、ｐ側配線層と、ｎ側配線層と、ｐ側金属ピラーと、ｎ側金属ピラーとを備えている。 - 特許庁