「N- type」に関連した英語例文の一覧と使い方(25ページ目) - Weblio英語例文検索

An n^+-layer 15 is formed partially on the upper surface of the n-type embedded layer 11 while enclosing the p-type well layer 14 in the n^--layer 12 on the part enclosed by the p-type separation layer 13.例文帳に追加

ｎ^+層１５は、ｐ型分離層１３によって取り囲まれた部分のｎ^-層１２内において、ｐ型ウェル層１４を取り囲んで、ｎ型埋め込み層１１の上面上に部分的に形成されている。 - 特許庁

The light emitting device is provided with a substrate 21, a junction structure comprising an n-type semiconductor layer 22 and a p-type semiconductor layer 23 which are formed on a front surface of the substrate 21, and an n electrode 24 formed on the n-type semiconductor layer 22.例文帳に追加

基板２１と、基板２１の上表面に形成されるｎ型半導体層２２とＰ型半導体層２３の接合体構造と、ｎ型半導体層２２に形成されるｎ電極２４とを備える。 - 特許庁

An N^+-type drain region 38 is formed on the surface layer of an N-type well region 35, and an N^+-type source region 39 adjacent to the sidewall of the groove 34 is formed on the surface layer of the region 37.例文帳に追加

そして、Ｎ型ウェル領域３５の表面層にＮ^＋型ドレイン領域３８が形成され、Ｐ型ベース領域３７の表面層に溝３４の側壁に隣接するＮ^＋型ソース領域３９が形成されている。 - 特許庁

A plurality of first metal layers 34 are formed on the surface of the second N-type semiconductor layer 32 opposite to its other surface that is brought into contact with the first N-type semiconductor layer 30, coming into contact with the N-type semiconductor layer 32 at certain intervals.例文帳に追加

第２の半導体層32における第１の半導体層30と反対側の表面で、第２の半導体層32と接触するように、間隔をあけて複数の第１金属層34が形成されている。 - 特許庁

At the drift region 11, an N-type region 15 is formed, where the N-type region 15 has an N-type impurity concentration higher than that of the SOI layer 5 and lower than that of the drain region.例文帳に追加

ドリフト領域１１には、ＳＯＩ層５のＮ型不純物濃度よりも高く、かつ、ドレイン領域のＮ型不純物濃度よりも低いＮ型不純物濃度を有するＮ型領域１５が形成されている。 - 特許庁

A supply layer 5 is an n-type InAlAs layer with a thickness of 4 nm.例文帳に追加

供給層５は、厚さが４ｎｍのｎ型ＩｎＡｌＡｓ層である。 - 特許庁

This semiconductor device has a p type well region 4 and an n+ drain region 2 isolated and formed in an n type semiconductor layer 1 on an insulating layer 11 and an n+ source region 3 formed in the p type well region 4.例文帳に追加

絶縁層１１上のｎ形半導体層１内には、ｐ形ウェル領域４と、ｎ^^^+形ドレイン領域２とが離間して形成され、ｎ^+形ソース領域３がｐ形ウェル領域４内に形成されている。 - 特許庁

Also, each sub row decoder is provided with an N-channel-type transistor 57.例文帳に追加

また，各サブ・ロウ・デコーダには，Ｎチャネル型トランジスタ５７が備えられている。 - 特許庁

A contact to the n-type diffusion region is formed in the insulation layer.例文帳に追加

絶縁層に、ｎ型拡散領域に到達するコンタクトを形成する。 - 特許庁

NICKEL-ADDED COBALT BORIDE AND N-TYPE THERMOELECTRIC MATERIAL USING SAME例文帳に追加

ニッケル添加コバルトホウ化物およびこれを用いたｎ−型熱電材料 - 特許庁

An Si dope GaN layer (n-type GaN layer) 84 is grown thereon.例文帳に追加

その上に、ＳｉドープＧａＮ層（ｎ型ＧａＮ層）８４を成長した。 - 特許庁

The n and p type pillar regions 2 and 3 in a terminating region 30 have such shapes that the n and p type pillar regions 2 and 3 are alternately laminated to be parallel to the n+ type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

終端領域３０のｎ型ピラー領域２及びｐ型ピラー領域３の形状は、ｎ＋型半導体基板１に平行にｎ型ピラー領域２及びｐ型ピラー領域３が交互に積層された形状である。 - 特許庁

The wide-band gap semiconductor is formed of n-type 3C-SiC or GaN.例文帳に追加

ワイドバンドギャップ半導体は、ｎ型３Ｃ−ＳｉＣ又はＧａＮである。 - 特許庁

A part of the n- type impurity region overlaps the gate electrode.例文帳に追加

ｎ- 型不純物領域の一部は、ゲート電極とオーバーラップされている。 - 特許庁

An active layer 105 is formed over the n-type cladding layer 103.例文帳に追加

活性層１０５はｎ型クラッド層１０３の上方に形成される。 - 特許庁

Additionally, the shape of an N-type electrode 179 is formed so that the direct light from the backlight 4 to an N-type lightly-doped impurity region 137 is shielded by the N-type electrode 179 of the optical sensor element 41.例文帳に追加

また、Ｎ型低濃度不純物領域１３７に対するバックライト４からの直接光が光センサ素子４１のＮ型電極１７９によって遮光されるようにＮ型電極１７９の形状を形成する。 - 特許庁

To attain a capacitor input type full-wave rectifier circuit only with n-channel MOSFETs.例文帳に追加

コンデンサインプット型全波整流回路をｎチャンネルMOSFETのみで実現する。 - 特許庁

The light source is made to have a component type and has N sets of the light emitting diodes.例文帳に追加

光源は、コンポーネント型にして、Ｎ個の発光ダイオードを有する。 - 特許庁

An emitter E of the n-type semiconductor is jointed to the base B.例文帳に追加

ｎ型半導体からなるエミッタＥは、ベースＢに接合されている。 - 特許庁

On a silicon substrate 1 formed with an n^--type epitaxial layer 2 on the front surface, a channel region 14 having a p^--conductivity type and an n^+-region 18 having an n^+-conductivity type are stacked in this order.例文帳に追加

表面に導電型がＮ^−型のエピタキシャル層２が形成されたシリコン基板１上に、導電型がＰ^−型のチャネル領域１４および導電型がＮ^＋型のＮ^＋領域１８が積層された状態とされる。 - 特許庁

On a p-well 12 on an n-type semiconductor substrate 11, a charge transmission path 13, floating diffusion region 14 composed of an n-type impurity region, n-type embedded region 16 and resetting drain region 15 are formed.例文帳に追加

ｎ型半導体基板１１上のｐウェル１２には、電荷転送路１３、ｎ型不純物領域からなるフローティングディフュージョン領域１４、ｎ型埋め込み領域１６及びリセットドレイン領域１５が形成されている。 - 特許庁

An N^--type SiC drift layer 2 and an N^+-type SiC source layer 3 are sequentially formed on a SiC substrate 1 for an N^+-type drain and trenches 4 which penetrate the source layer 3 and reach the drift layer 2 are formed.例文帳に追加

Ｎ^＋型ドレイン用ＳｉＣ基板１の上に、Ｎ^−型ＳｉＣドリフト層２と、Ｎ^＋型ＳｉＣソース層３とが順に形成され、ソース層３を貫通してドリフト層２に達するトレンチ４が形成されている。 - 特許庁

An N^--type SiC drift layer 2 and an N^+-type SiC source layer 3 are sequentially formed on a SiC substrate 1 for an N^+-type drain and trenches 4 which penetrate the source layer 3 and reach the drift layer 2 are formed.例文帳に追加

Ｎ^+型ドレイン用ＳｉＣ基板１の上に、Ｎ^-型ＳｉＣドリフト層２と、Ｎ^+型ＳｉＣソース層３とが順に形成され、ソース層３を貫通してドリフト層２に達するトレンチ４が形成されている。 - 特許庁

METHOD OF MEASURING PEPTIDE (PIIIP) OF N-TERMINAL OF III TYPE PROCOLLAGEN例文帳に追加

ＩＩＩ型プロコラーゲンのＮ末端のペプチド（ＰＩＩＩＰ）の測定方法 - 特許庁

FORMING METHOD OF ELECTRODE ON N-TYPE GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR LAYER例文帳に追加

ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層への電極形成方法 - 特許庁

OHMIC ELECTRODE FOR N-TYPE NITRIDE SEMICONDUCTORS AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ｎ型窒化物半導体用のオーミック電極およびその製造方法 - 特許庁

Initially, a gallium nitride layer including an n-type dopant is formed onto a substrate.例文帳に追加

まず、ｎ型ドーパントを含む窒化ガリウム層を基板上に形成する。 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING SILICON SINGLE CRYSTAL, AND N-TYPE HIGHLY DOPED SEMICONDUCTOR SUBSTRATE例文帳に追加

シリコン単結晶の製造方法及びＮ型高ドープ半導体基板 - 特許庁

When an n+ type source region 4 is formed through ion implantation, an n+ type semiconductor substrate 1 is rotated about the normal of the n+-type semiconductor substrate 1 as the rotational axis, and further ion implantation is carried out obliquely.例文帳に追加

ｎ^+ 型ソース領域４の形成をイオン注入によって形成する際に、ｎ^+ 型半導体基板１の法線を軸としてｎ^+ 型半導体基板１を回転させ、さらにイオン注入を斜めにして行う。 - 特許庁

To form an N type region in a semiconductor substrate at a deeper position thereof.例文帳に追加

半導体基板中のより深い位置にＮ型領域を形成する。 - 特許庁

An n-type InP contact layer 20 is provided on the side face of a mesa.例文帳に追加

メサの側面にはｎ−ＩｎＰコンタクト層２０が設けられている。 - 特許庁

FORMING METHOD OF OHMIC ELECTRODE ON N-TYPE 4H-SIC SUBSTRATE例文帳に追加

ｎ型４Ｈ−ＳｉＣ基板上にオーミック電極を形成する方法 - 特許庁

GROWING METHOD OF N-TYPE GROUP III NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR LAYER例文帳に追加

ｎ型ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体層の成長方法 - 特許庁

ACCUMULATOR TYPE FRACTIONAL N-PLL SYNTHESIZER AND METHOD OF CONTROLLING THE SAME例文帳に追加

アキュムレータ型フラクショナルＮ−ＰＬＬシンセサイザおよびその制御方法 - 特許庁

The semiconductor device includes an n+ type semiconductor substrate 1 where an MOSFET region 10 and an SBD region 20 are arranged, and an n type epitaxial layer 2 provided on the n+ type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体装置は、ＭＯＳＦＥＴ領域１０とＳＢＤ領域２０とが配置されているｎ＋型半導体基板１と、ｎ＋型半導体基板１上に設けられたｎ型エピタキシャル層２とを備える。 - 特許庁

An emitter electrode 102 is in contact with the n^+-type emitter region 122.例文帳に追加

エミッタ電極１０２は、ｎ^＋型エミッタ領域１２２に接している。 - 特許庁

n-TYPE NITRIDE SEMICONDUCTOR LAMINATE AND SEMICONDUCTOR DEVICE USING IT例文帳に追加

ｎ型窒化物半導体積層体およびそれを用いる半導体素子 - 特許庁

A back electrode 26 is arranged on the other N-type semiconductor substrate.例文帳に追加

また他方のｎ型半導体基板上に裏面電極２６を設ける。 - 特許庁

N-TYPE GROUP II-VI COMPOUND SEMICONDUCTOR FILM AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ｎ型ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体膜及びその製造方法 - 特許庁

An electrode 20 is formed on the n-type nitride semiconductor layer 26.例文帳に追加

電極２０はｎ型窒化物系半導体層２６上に形成する。 - 特許庁

To reduce a contact resistance of a contact formed on an n-type Ge.例文帳に追加

ｎ型Ｇｅ上に形成されるコンタクトの接触抵抗を低減する。 - 特許庁

To provide a composition for forming an n-type diffusion layer which can form an n-type diffusion layer while suppressing occurrence of striation, and to provide a method for manufacturing an n-type diffusion layer and a method for manufacturing a solar cell.例文帳に追加

ストリエーションの発生を抑制しながら、ｎ型拡散層を形成することが可能なｎ型拡散層形成組成物、ｎ型拡散層の製造方法、及び太陽電池セルの製造方法を提供する。 - 特許庁

The PchLDMOS13 is formed in an N-type well region 25.例文帳に追加

ＰchＬＤＭＯＳ１３はＮ型ウエル領域２５内に形成されている。 - 特許庁

When the N type transistor 22 has a defect, fuses 24 and 25 are blown out and wiring AL1 and GL1 and wiring AL2 and GL2 are connected to each other respectively by laser beam irradiation to replace the N type transistor 22 with the N type transistor 23.例文帳に追加

Ｎ型トランジスタ２２が不良な場合は、レーザ光の照射により、ヒューズ２４，２５をブローするとともに配線ＡＬ１とＧＬ１，ＡＬ２とＧＬ２を接合して、Ｎ型トランジスタ２２をＮ型トランジスタ２３で置換する。 - 特許庁

The method also comprises the steps of thereafter, lightly etching the surface of an N-type GaAs buffer layer 22.例文帳に追加

その後、ｎ型ＧaＡsバッファ層２２の表面を軽くエッチングする。 - 特許庁