「P シリコン」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

P-TYPE SILICON SINGLE-CRYSTAL WAFER AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ｐ型シリコン単結晶ウェーハ及びその製造方法 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD FOR P-TYPE SILICON CARBIDE LAYER例文帳に追加

ｐ型シリコンカーバイド層の製造方法 - 特許庁

To efficiently produce a P-type doped silicon precursor.例文帳に追加

Ｐ型ドープシリコン前駆体を効率よく生成する。 - 特許庁

P-TYPE SILICON FOR FORMING INGOT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

インゴット成形用ｐ型シリコンとその製造方法 - 特許庁

An SiGe layer 24 is formed in a P-type silicon layer 12.例文帳に追加

Ｐ型シリコン層２１内にＳiＧe層２４を形成する。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING HOLE OR GROOVE ON p-TYPE SILICON SUBSTRATE例文帳に追加

ｐ型シリコン基板への穴溝形成方法 - 特許庁

A P-type impurity is doped on the polysilicon film.例文帳に追加

前記ポリシリコン膜にＰ型不純物をドーピングする。 - 特許庁

The p-type silicon layer 132 is left therein as it is.例文帳に追加

なお、ｐ型シリコン層１３２は、このまま残るようにする。 - 特許庁

P-TYPE SILICON WAFER AND METHOD FOR HEAT-TREATMENT THEREOF例文帳に追加

Ｐ型シリコンウェーハおよびその熱処理方法 - 特許庁

The silicon substrate 40 has a first conductive type (p-type).例文帳に追加

シリコン基板４０は、第１導電型（ｐ型）を有する。 - 特許庁

METHOD FOR REDUCING CONCENTRATION OF P-TYPE SILICON WAFER CARRIER例文帳に追加

ｐ型シリコンウェーハのキャリア濃度低下方法 - 特許庁

Since the polysilicon is p-type polysilicon having high infrared absorptance, the light-receiving sensitivity is heightened.例文帳に追加

ポリシリコンは赤外線吸収率の高いｐ型ポリシリコンであるため、受光感度が高くなる。 - 特許庁

To provide a large silicon oxide layer comprising p-type microscopic crystal silicon oxides.例文帳に追加

均一な大面積ｐ型微小結晶性シリコン酸化物シリコン酸化物層の形成。 - 特許庁

The thermopiles 37 and 38 comprise polysilicon and aluminum, and polysilicon is doped with phosphorus (P).例文帳に追加

サーモパイル３７、３８はポリシリコンとアルミニウムからなり、ボリシリコンには燐（Ｐ）がドープされる。 - 特許庁

An n^+ region of silicon carbide is provided on the buried region of p^+ silicon carbide.例文帳に追加

シリコンカーバイドのｎ^＋領域が、ｐ^＋シリコンカーバイドの埋込み領域上に設けられる。 - 特許庁

The photosensor has a P type amorphous silicon region, and an N type amorphous silicon region.例文帳に追加

フォトセンサは、Ｐ型アモルファスシリコン領域とＮ型アモルファスシリコン領域とを有する。 - 特許庁

A p-type silicon carbide well region is provided on the n^- silicon carbide layer.例文帳に追加

ｐ型シリコンカーバイドウェル領域が、ｎシリコンカーバイド層上に設けられる。 - 特許庁

The work functions of the n-type polysilicon layer 4 and the p-type polysilicon layer 5 are made different from each other.例文帳に追加

Ｎ型ポリシリコン層４及びＰ型ポリシリコン層５の仕事関数は相互に異なっている。 - 特許庁

The light-emitting element includes an n-type silicon oxide film 2 and a p-type silicon nitride film 3.例文帳に追加

発光素子は、ｎ型シリコン酸化膜２と、ｐ型シリコン窒化膜３とを備える。 - 特許庁

METHOD FOR EVALUATING ELECTRICAL CHARACTERISTICS OF BORON-DOPED P-TYPE SILICON AND METHOD FOR MANUFACTURING SILICON WAFER例文帳に追加

ボロンドープｐ型シリコンの電気的特性の評価方法、およびシリコンウェーハの製造方法 - 特許庁

The resistance element 10 has n-type polycrystalline silicon 11 and p-type polycrystalline silicon 12.例文帳に追加

抵抗素子１０は、Ｎ型多結晶シリコン１１と、Ｐ型多結晶シリコン１２とを備える。 - 特許庁

The p+ doped polysilicon region 21a is a region for electrically isolating the polysilicon gate electrode 10 from the n+ doped polysilicon region 22.例文帳に追加

ｐ^+ ドープドポリシリコン２１ａは、ポリシリコンゲート電極１０とｎ^+ ドープドポリシリコン領域２２とを電気的に分離するための領域である。 - 特許庁

An N^- silicon substrate 1 where an N^+ layer 2 is formed through a silicon oxide film 4 is formed on a P silicon substrate 3.例文帳に追加

Ｐシリコン基板３上にシリコン酸化膜４を介してＮ^+層２の形成されたＮ^-シリコン基板１が設けられている。 - 特許庁

A polysilicon layer (amorphous silicon layer) 17 is formed all over on a p-type silicon substrate 11 in a CVD method.例文帳に追加

ＣＶＤ法により、ポリシリコン層（アモルファスシリコン層）１７を、ｐ型シリコン基板１１全面に形成する。 - 特許庁

An n-type amorphous silicon film 6 is formed on the p-type amorphous silicon film 5 and the i-type amorphous silicon film 4.例文帳に追加

次いで、ｐ型非晶質シリコン膜５およびｉ型非晶質シリコン膜４上にｎ型非晶質シリコン膜６を形成する。 - 特許庁

This semiconductor device consists of a P-type silicon substrate 11 and an epitaxial layer 12, which is formed on the silicon substrate 11 and composed of N-type silicon.例文帳に追加

Ｐ型のシリコン基板１１と、このシリコン基板１１上に形成させたＮ型のシリコンからなるエピタキシャル層１２とからなる。 - 特許庁

On the major surface of the n-type single crystal silicon wafer 1, an i-type amorphous silicon film and a p-type amorphous silicon film are formed sequentially.例文帳に追加

ｎ型単結晶シリコンウエハ１の主面上にｉ型非晶質シリコン膜およびｐ型非晶質シリコン膜が順に形成されている。 - 特許庁

An i-type amorphous silicon film 23 and a p-type amorphous silicon film 24 are formed entirely on the rear of the n-type substrate 11.例文帳に追加

ｎ型単結晶シリコン基板１１の裏面の全域にｉ型非晶質シリコン膜２３およびｐ型非晶質シリコン膜２４が形成されている。 - 特許庁

IRON CONCENTRATION ANALYTICAL METHOD IN BORON DOPE P-TYPE SILICON WAFER, ANALYSER FOR THE SAME, SILICON WAFER, AND METHOD FOR MANUFACTURING SILICON WAFER例文帳に追加

ボロンドープｐ型シリコンウェーハの鉄濃度分析方法および分析装置、シリコンウェーハ、ならびにシリコンウェーハの製造方法 - 特許庁

A first p type polycrystal silicon film, a tunnel oxide film and a second p type polycrystalline silicon film are sequentially laminated on a gate region.例文帳に追加

ゲート領域には第一のp型多結晶シリコン膜／トンネル酸化膜／第二のp型多結晶シリコン膜の順に積層されている。 - 特許庁

The p-type silicon nitride film 3 is formed in contact with the n-type silicon oxide film 2, and the n-type silicon oxide film 2 and p-type silicon nitride film 3 form a p-n junction.例文帳に追加

ｐ型シリコン窒化膜３は、ｎ型シリコン酸化膜２に接して形成され、ｎ型シリコン酸化膜２およびｐ型シリコン窒化膜３は、ｐ−ｎ接合を形成する。 - 特許庁

A p^--type silicon support substrate 2 is provided, a p^+-type silicon layer 3 is provided on the support substrate 2, and n^+-type silicon layers 4 and p^+-silicon layers 12 are alternately formed thereon.例文帳に追加

Ｐ^−型シリコンからなる支持基板２を設け、この支持基板２上にＰ^＋型シリコン層３を設け、その上にＮ^＋型シリコン層４及びＰ^＋型シリコン層１２を相互に同層に設ける。 - 特許庁

There are provided a support substrate 2 composed of a P^--type silicon, a P^+-type silicon layer 3 on the support substrate 2, and thereon, an N^+-type silicon layer 4 and a P^+-type silicon layer 12 mutually as one layer.例文帳に追加

Ｐ^−型シリコンからなる支持基板２を設け、この支持基板２上にＰ^＋型シリコン層３を設け、その上にＮ^＋型シリコン層４及びＰ^＋型シリコン層１２を相互に同層に設ける。 - 特許庁

An i-type amorphous silicon film 23 and a p-type amorphous silicon film 24 are formed on the rear face of the n-type monocrystal silicon substrate 11, and a rear electrode 16 is formed on the p-type amorphous silicon film 24.例文帳に追加

ｎ型単結晶シリコン基板１１の裏面上にｉ型非晶質シリコン膜２３およびｐ型非晶質シリコン膜２４が形成され、ｐ型非晶質シリコン膜２４上に裏面電極１６が形成される。 - 特許庁

On a P-type single crystal silicon substrate 50, an N-type epitaxial silicon layer 51A and an N-type epitaxial silicon layer 51B are laminated, and P-type well area 52C is formed in the N-type epitaxial silicon layer 51B.例文帳に追加

Ｐ型の単結晶シリコン基板上５０に、Ｎ型エピタキシャル・シリコン層５１ＡとＮ型エピタキシャル・シリコン層５１Ｂとを積層し、Ｎ型エピタキシャル・シリコン層５１Ｂの中にＰ型ウエル領域５２Ｃを設ける。 - 特許庁

Electrons are implanted from the side of the n-type silicon oxide film 2 and holes are implanted from the side of the p-type silicon nitride film 3 to emit light on the interface between the n-type silicon oxide film 2 and p-type silicon nitride film 3.例文帳に追加

ｎ型シリコン酸化膜２側から電子を注入し、ｐ型シリコン窒化膜３側から正孔を注入することによって、ｎ型シリコン酸化膜２とｐ型シリコン窒化膜３との界面で発光する。 - 特許庁

An i-type amorphous silicon layer 14 and a p-type amorphous silicon layer 15 get into a via hole of an n-type single-crystal silicon substrate 11 while an i-type amorphous silicon layer 12 and an n-type amorphous silicon layer 13 get into a via hole of the n-type single-crystal silicon substrate 11.例文帳に追加

ｉ型非晶質シリコン層１４とｐ型非晶質シリコン層１５とは、ｎ型単結晶シリコン基板１１が有する貫通孔内に入り込み、ｉ型非晶質シリコン層１２とｎ型非晶質シリコン層１３とは、ｎ型単結晶シリコン基板１１が有する貫通孔内に入り込む。 - 特許庁

An N-type silicon-gerumanium mixed crystal layer 5 is formed on an N-type silicon substrate 4, and an N-type silicon layer 6 is formed thereon, and furthermore, a P-type silicon diffused layer 7 is formed in the N-type silicon layer 6.例文帳に追加

Ｎ型シリコン基板４の上にＮ型シリコン−ゲルマニウム混晶層５が形成され、Ｎ型シリコン−ゲルマニウム混晶層５の上にＮ型シリコン層６が形成され、さらに、Ｎ型シリコン層６内にＰ型シリコン拡散層７が形成される。 - 特許庁

The NPN transistor having an epitaxial region in an N-type silicon/P-type silicon germanium/N-type silicon structure and the PNP transistor having an epitaxial region in a P-type silicon/N-type silicon germanium/P-type silicon structure are formed in the silicon wafer after an element separation oxidized film is formed.例文帳に追加

素子分離酸化膜形成後のシリコン基板に、Ｎ型シリコン／Ｐ型シリコンゲルマニウム／Ｎ型シリコンの構造のエピタキシャル領域を有するＮＰＮトランジスタと、Ｐ型シリコン／Ｎ型シリコンゲルマニウム／Ｐ型シリコンの構造のエピタキシャル領域を有するＰＮＰトランジスタを形成する。 - 特許庁

The MEMS device includes a P-N device 116 formed on a silicon pin 108, which is connected to a silicon sub-assembly, and where the P-N device is formed on a silicon substrate that is used to make the silicon pin before it is embedded into a first glass wafer.例文帳に追加

ＭＥＭＳデバイスは、シリコンサブアセンブリに接続されたシリコンピン１０８上に形成されたＰ−Ｎデバイス１１６を含み、このＰ−Ｎデバイスは、シリコンピンが第１ガラスウェーハの中に埋め込まれる前に、シリコンピンを製作するために使用されるシリコン基板の上に形成される。 - 特許庁

A PIN photodiode 100C has the following layers formed on a p-type substrate 110: a p-type silicon layer 112; an n-type silicon layer 114; a field oxide film 118; a silicon oxide film 120c that covers the surface of an active region; and a silicon nitride film 122c that covers the silicon oxide film 120c.例文帳に追加

ＰＩＮフォトダイオード１００Ｃは、Ｐ型の基板１１０上に、Ｐ型のシリコン層１１２、Ｎ型のシリコン層１１４、フィールド酸化膜１１８、活性領域の表面を覆うシリコン酸化膜１２０ｃと、シリコン酸化膜１２０ｃを覆うシリコン窒化膜１２２ｃとを有する。 - 特許庁

A p-type distorted silicon layer 22 is formed on a p-type silicon-germanium layer 24 formed on a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板上に形成されたｐ型シリコン−ゲルマニウム層２４にｐ型歪シリコン層２２が形成されている。 - 特許庁

Therefore, the misfit dislocation occurs in the vicinity of the interface between the p-type distorted silicon layer 22 and the p-type silicon-germanium layer 24.例文帳に追加

したがって、ｐ型歪シリコン層２２とｐ型シリコン−ゲルマニウム層２４との界面近傍には、ミスフィット転位が発生している。 - 特許庁

The substrate 20 is a P-conductivity silicon substrate and an N- conductivity silicon well 22 is formed in the P-type substrate 20.例文帳に追加

基板はＰ導電型のシリコンであり、Ｐ型基板２０内にはＮ型導電型のシリコン・ウェル２２が形成される。 - 特許庁

The thickness of a P-type silicon layer 21a is made as thick as a depletion layer on the side of the P-type silicon layer 21.例文帳に追加

また、Ｐ型シリコン層２１aの厚さをＰ型シリコン層２１側の空乏層の厚さと同等にする。 - 特許庁