「P シリコン」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

In the separation part 30, an N^+ layer 3N, silicon 11, and a P^+ layer 3P are arranged alongside in this order in the X-direction.例文帳に追加

分離部３０には、Ｎ＋層３Ｎ、シリコン１１およびＰ＋層３Ｐが、この順で、Ｘ方向に並んで配置される。 - 特許庁

Then an N-type MOSFET, having this silicon epitaxial growth layer 15 as a channel part, is formed in a P-type well region 13b.例文帳に追加

そして、このシリコンエピタキシャル成長層１５をチャネル部とするＮ型ＭＯＳＦＥＴを、Ｐ−型ウエル領域１３ｂに形成する。 - 特許庁

The solar cell 40 comprising the silicon nanowire has a structure, where, for example a p-type layer and an n-type one are laminated alternately.例文帳に追加

シリコンナノワイヤーからなる太陽電池４０は、例えばｐ型層とｎ型層とが交互に積層された構造を有する。 - 特許庁

In the region except the periphery of the p-type amorphous silicon film, a light receiving surface electrode 2 composed of a transparent conductive film is formed.例文帳に追加

ｐ型非晶質シリコン膜上の周辺部を除く領域に、透明導電膜からなる受光面電極２が形成されている。 - 特許庁

The N^- region 1a surrounded by the P-type isolation region 2 is specified as an element forming region of the N^- type silicon substrate 1.例文帳に追加

そして、Ｐ型分離領域２によって取り囲まれた上記Ｎ^-領域１ａが、Ｎ^-型シリコン基板１の素子形成領域として規定される。 - 特許庁

NONVOLATILE MEMORY CELL WITH P-N JUNCTION FORMED IN POLYSILICON FLOATING GATE, AND ITS MANUFACTURE例文帳に追加

ポリシリコン浮遊ゲートにＰＮ接合を形成した不揮発性メモリ・セル及びそのメモリ・セルを製造する方法 - 特許庁

A silicon nitride film 41 is formed on the thermal oxide film 39 except the formation areas of the N+ poly-PMOS 29 and P+ poly-PMOS 31.例文帳に追加

Ｎ＋ポリＰＭＯＳ２９及びＰ＋ポリＰＭＯＳ３１の形成領域を除いて、熱酸化膜３９上にシリコン窒化膜４１が形成されている。 - 特許庁

A first light receiver 10 and a second light receiver 20 of the ultraviolet sensor 1 are formed on a p-type silicon substrate 30.例文帳に追加

紫外線センサ１は、第１の受光部１０と第２の受光部２０がシリコンのＰ型基板３０上に形成されている。 - 特許庁

The interpolation calculation unit plots points showing the direction of the silicon oxide film interface or the interface (ρ, ϕ) as a point P to plot into the triangular meshes 30.例文帳に追加

補間算出部は、シリコン酸化膜界面の方向を示す点である界面（ρ、φ）を点Ｐとして三角形網目３０にプロットする。 - 特許庁

An i-type a-Si layer 2 and a p-type a-Si layer 3 are deposited on the substrate 1 (an n-type silicon wafer), and a PIN junction is formed (a).例文帳に追加

基板１（ｎ型シリコンウエハ）上に、ｉ型ａ−Ｓｉ層２及びｐ型ａ−Ｓｉ層３を堆積させてｐｉ接ｎ合を作成する（ａ）。 - 特許庁

A depth 30 of the P wells is almost equal to the depth of the hole-electron pair generated in silicon by a green light.例文帳に追加

Ｐウエルの深さ３０はシリコンに緑色光により生成されるホール電子対の深さにほぼ等しい。 - 特許庁

Herein, the thickness of the p-type distorted silicon layer 22 is made to be larger than the critical thickness at which misfit dislocation does not occur.例文帳に追加

このとき、ｐ型歪シリコン層２２の膜厚は、ミスフィット転位の発生しない臨界膜厚より厚くなるように形成されている。 - 特許庁

The high frequency switch circuit device is provided with an FET 101 being a switching element on a p type silicon substrate 100.例文帳に追加

高周波スイッチ回路装置は、ｐ型シリコン基板１００の上にスイッチング素子となるＦＥＴ１０１を備えている。 - 特許庁

A p-conductivity type semiconductor substrate 1 is thermally oxidized to form a silicon oxide film 100 on its surface (Figure (a)).例文帳に追加

Ｐ型の導電型の半導体基板１を熱酸化することで、同半導体基板１の表面にシリコン酸化膜１００を形成する（図２（ａ））。 - 特許庁

A direction toward the second n-type diffusion layer 22 from the first n-type diffusion layer 21 is a crystal orientation <100> of the p-type silicon layer 20.例文帳に追加

第１Ｎ型拡散層２１から第２Ｎ型拡散層２２へ向かう方向は、Ｐ型シリコン層２０の結晶方位＜１００＞である。 - 特許庁

Gold is deposited onto the rear surface of the p-conductive silicon substrate 70 by the EB deposition method, and a second electrode 76 is formed.例文帳に追加

また、ｐ伝導型シリコン基板７０の裏面に金をＥＢ蒸着法により堆積し、第２電極７６を形成した。 - 特許庁

A light-receiving part 43 of p-type single-crystal silicon is formed on the surface layer part 42a of the base substance 42.例文帳に追加

基体４２の表層部４２ａには、ｐ型単結晶シリコンからなる受光部４３が形成されている。 - 特許庁

A low-resistance polysilicon film 6 is formed on the P-type diffusion region 3 through the intermediary of a thin capacitor insulating film 5 of thermal oxide film.例文帳に追加

ｐ形拡散領域３上には熱酸化膜からなる薄い容量絶縁膜５を介して低抵抗のポリシリコン膜６が形成されている。 - 特許庁

Then, impurity diffusion is conducted on the polycrystalline silicon substrate 1, and p-n junction part is formed after etching.例文帳に追加

エッチング後、多結晶シリコン基板１に対して不純物拡散を行ってｐｎ接合部を形成する。 - 特許庁

An n-type source region 105 is formed on the surface part of the p-type silicon substrate 100 away from the n-type drift region 101.例文帳に追加

ｐ型シリコン基板１００の表面部にｎ型ソース領域１０５がｎ型ドリフト領域１０１から離隔して形成されている。 - 特許庁

The WSi_2 layer formed on the polysilicon layer in the P channel region 13B is composed of a plurality of particles separated from each other.例文帳に追加

Ｐチャネル領域１３Ｂの多結晶シリコン層上に形成されたＷＳｉ_2層が、相互に離隔した複数の粒子から構成される。 - 特許庁

N-channel type and p-channel type MOS transistors are formed on a silicon substrate 11 to constitute the CMOS device.例文帳に追加

シリコン基板１１にｎチャネル型とｐチャネル型のＭＯＳトランジスタが形成され、ＣＭＯＳデバイスが構成される。 - 特許庁

Abnormal growth of a polysilicon thin film 5 and the gate oxide film 6 associated with adhesion of the particles P onto the glass substrate 3 can be prevented.例文帳に追加

ガラス基板３上へのパーティクルＰの付着に伴うポリシリコン薄膜５およびゲート酸化膜６の異常な成長を防止できる。 - 特許庁

In order to form a P body 4a, boron ions are implanted into the pattern 3b from its edge by self alignment.例文帳に追加

Ｐボディ４ａを形成するために、ポリシリコンパターン３ｂのエッジからセルフアラインでボロンを注入する。 - 特許庁

Practically, the silicon substrate 10 is optically divided by isolation regions 23 into portions corresponding to the receivers P_m,n.例文帳に追加

シリコン基板１０は、アイソレーション領域２３により、受光部Ｐ_ｍ,ｎに対応する部分毎に光学的に実質的に分離されている。 - 特許庁

Irregular unevenness 11 is formed on the surface of the p^+-type semiconductor region 7 (the first principal surface 1a of the silicon substrate 1).例文帳に追加

ｐ^＋型半導体領域７の表面（シリコン基板１の第１主面１ａ）に不規則な凹凸１１が形成されている。 - 特許庁

To provide polycrystalline germanium or polycrystalline silicon germanium, the p-type one of which is suppressed and which is suitable as a narrow energy gap material.例文帳に追加

ｐ型化が抑制され、狭エネルギーギャップ材料として好適なゲルマニウム多結晶またはシリコンゲルマニウム多結晶を提供すること - 特許庁

A region in the second main surface 10b of the silicon substrate 10 that is opposed to the receivers P_m,n is optically exposed.例文帳に追加

シリコン基板１０の第２主面１０ｂにおける受光部Ｐ_ｍ,ｎに対向する領域は、光学的に露出している。 - 特許庁

To provide means to highly accurately measure iron concentration of a boron doped p-type silicon wafer by using an Fe-B pair dissociation phenomenon.例文帳に追加

ボロンドープｐ型シリコンウェーハの鉄濃度を、Ｆｅ−Ｂペア乖離現象を利用して高精度に測定するための手段を提供すること。 - 特許庁

To provide means for measuring iron concentration contained in boron-doped p-type silicon with high reliability.例文帳に追加

ボロンドープｐ型シリコン中の鉄濃度を、高い信頼性をもって測定するための手段を提供すること。 - 特許庁

On a silicon substrate 2a on the side of the mounted surface, one or more pairs of P+ diffusion layers 5a and N+ diffusion layers 6a are formed.例文帳に追加

この実装面側のシリコン基板２ａに、Ｐ＋拡散層５ａおよびＮ＋拡散層６ａを１組以上形成する。 - 特許庁

In the back gate electrode 21, a connection member 39 of a U-shaped pillar 41 is installed in the p-type silicon layer 17.例文帳に追加

また、バックゲート電極２１において、ｐ型シリコン層１７内にＵ字ピラー４１の接続部材３９を設ける。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a silicon substrate that enables formation of a region where p/n type inversion occurs, in a range of depth deeper than the conventional case.例文帳に追加

ｐ／ｎ型反転の起きる領域を従来よりより深々度範囲に形成可能とするシリコン基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

The focus ring 25 is manufactured by applying at least one-time heating processing to a P-type silicon.例文帳に追加

該フォーカスリング２５は、Ｐ型シリコンに少なくとも１回の加熱処理を施すことによって製造される。 - 特許庁

A plurality of field-effect transitor cells 20 connected to each other in parallel are formed on the main surface of a P-type silicon substrate 1.例文帳に追加

ｐ形シリコン基板１の主表面側に、互いに並列接続される複数の電界効果型トランジスタセル２０が形成されている。 - 特許庁

In the n-type regions, silicon is introduced as an impurity, and in the p-type regions 106, zinc is introduced as an impurity.例文帳に追加

また、ｎ型領域１０５はシリコンが不純物として導入され、ｐ型領域１０６は亜鉛が不純物として導入されている。 - 特許庁

A gap 102 is defined by an LOCOS 101 on a p-type silicon substrate 100.例文帳に追加

１００はｐ型シリコン基板で、該基板１００上にギャップ１０２がＬＯＣＯＳ１０１によって形成されている。 - 特許庁

A MIS region is formed to part of a p-Si layer 2, and a MOSFET is formed by applying an ordinary silicon process to the MIS region.例文帳に追加

ｐ−Ｓｉ層２の一部をＭＩＳ領域とし、そこに通常のシリコンプロセスによりＭＯＳＦＥＴを作製する。 - 特許庁

Content of SiGe microparticles 1135 decreases as the distance to the p silicon substrate 1131 decreases.例文帳に追加

ＳｉＧｅ微粒子１１３５のＧｅ含有率は、ｐ型シリコン基板１３１との距離が小さいものほど小さい。 - 特許庁

From the upper part side of a silicon substrate 2, a p-type impurity such as boron is implanted by using a technology of implantation.例文帳に追加

シリコン基板２の上方側からインプランテーション技術によりボロン等のｐ型の不純物を導入する。 - 特許庁

Further, pocket implantation is carried out only for the source 60 side of a silicon substrate 1 to form a p^- layer 80.例文帳に追加

さらに、シリコン基板１のソース６０側だけにポケットインプラを行って、Ｐ^−層８０を形成する。 - 特許庁

In the silicon layer 4, an NPN transistor (composed of a p-type well region 6, an n+-type region 7, and a deep n+-type region 10) is formed.例文帳に追加

ｎ^- 型シリコン層４にはＮＰＮトランジスタ（ｐウェル領域６、ｎ^+ 型領域７、ディープｎ^+ 領域１０）が形成されている。 - 特許庁

To reduce an area for elements, while an area for P-N junction is enlarged, when a diode structure is formed on a comparatively thin polycrystal line silicon layer.例文帳に追加

比較的薄い多結晶シリコン層上にダイオード構造を形成する場合に、ＰＮ接合の面積を大きくしながら、素子面積を低減する。 - 特許庁

The silicide layer 4 is formed on the top surfaces of the n-type and p-type polysilicons 2, 3 wherefrom their peripheral edges are excluded.例文帳に追加

シリサイド層４は、ｎ型及びｐ型のポリシリコン２，３上面における周縁部を除く部位に形成されている。 - 特許庁

Then, a contact hole 10 reaching a part, where the p-type diffusion layer 5 of the silicon substrate 1 is formed, is formed on the interlayer dielectric 7.例文帳に追加

次に、層間絶縁膜７に、シリコン基板１のｐ型拡散層５が形成された部位に達するコンタクトホール１０を形成する。 - 特許庁