「P シリコン」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

Subsidiary polysilicon gates 16 are formed on a p-type silicon semiconductor substrate 10, so as to cross over control gates 15 and extend on element isolation regions 13.例文帳に追加

ｐ型シリコンからなる半導体基板１０上には、素子分離領域１３上に延びるように且つコントロールゲート１５と交差してこれを跨ぐように形成されたポリシリコンからなる補助ゲート１６が形成されている。 - 特許庁

The layer of silicon or SiGe can be formed in the thickness of about 5 to 120nm, and is doped by a dopant such as, for instance, indium (In) in order to prevent the p-type dopant from passing through the layer of silicon or SiGe.例文帳に追加

シリコン又はSiGeの層は、約5から120ナノメートルの厚みに形成され得、ｐ型ドーパントがシリコン又はSiGe層を通り抜けることを阻止するように、例えば、インジウム(In)などのドーパントでドープされる。 - 特許庁

A barrier metal layer 7 and a surface electrode layer 8 are formed on the p-type silicon region 5 and the n-type silicon region 3 exposed to the surface thus forming an SBD structure.例文帳に追加

表面に露出するｐ型シリコン領域５及びｎ型シリコン領域３Ａ上にバリアメタル層７、表面電極層８が形成してＳＢＤ構造を形成する。 - 特許庁

A base body 2 comprises a substrate 11 of p-type single- crystalline silicon wafer and an epitaxial layer 12 of n-type single-crystalline silicon formed on a surface of the substrate 11.例文帳に追加

基体２は、ｐ型単結晶シリコンウエハからなる基板１１と、その基板１１の表面に形成されたｎ型単結晶シリコンからなるエピタキシャル層１２とから構成されている。 - 特許庁

Phosphorous ions 6 and boron ions 8 are respectively implanted into the n-type MOS region B and p-type MOS region A of a polysilicon film 5 formed on a silicon substrate via a separation oxide film 2 and a gate oxide film 3.例文帳に追加

シリコン基板１上に分離酸化膜２，ゲート酸化膜３を介して形成したポリシリコン膜４のｎＭＯＳ領域Ｂに燐６を、ｐＭＯＳ領域Ａにボロン８をイオン注入する。 - 特許庁

The semiconductor device includes: a gate electrode 14A which has a p-type polysilicon layer 14A1 and silicide layer 14A2; and a gate electrode 14B which has an n-type polysilicon layer 14B1 and silicide layer 14 B2.例文帳に追加

ｐ型ポリシリコン層１４Ａ１およびシリサイド層１４Ａ２を有するゲート電極１４Ａと、ｎ型ポリシリコン層１４Ｂ１およびシリサイド層１４Ｂ２を有するゲート電極１４Ａとを備える。 - 特許庁

In an n^+-silicon substrate 1 having the main surface 1a and rear surface 1b, a trench 2 is extended in thickness direction from the main surface 1a and a p-type silicon layer 3 made of epitaxial films is formed in the trench 2.例文帳に追加

主表面１ａと裏面１ｂとを有するＮ^＋シリコン基板１においてトレンチ２が主表面１ａから厚み方向に延設され、トレンチ２内にエピタキシャル膜からなるＰ型シリコン層３が形成されている。 - 特許庁

The low dark current generation is achieved by quenching the interface states by placing a p+ implant near the silicon-silicon dioxide (Si-SiO_2) interface.例文帳に追加

低い暗電流の生成は、シリコン−二酸化シリコン（Ｓｉ−ＳｉＯ_２）インターフェスの近くにｐ^＋インプラントを実行して、インターフェス状態を消去することによって達成される。 - 特許庁

An MISFET is formed using a p-type silicon layer 13 formed on a silicon substrate 11 while being isolated by an insulating film 12 as a floating channel body.例文帳に追加

シリコン基板１１上に絶縁膜１２により分離された状態で形成されたｐ型シリコン層１３をフローティングのチャネルボディとしてＭＩＳＦＥＴが形成される。 - 特許庁

On a p silicon substrate 1011, a microparticle diffusion region 1012, an SiO_2 film 1015 functioning as an insulating film, and an n polysilicon electrode 1016 functioning as an upper electrode are provided sequentially from below.例文帳に追加

ｐ型シリコン基板１０１１上には、微粒子分散領域１０１２、絶縁膜として機能するＳｉＯ_２膜１０１５、及び上部電極として機能するｎ型多結晶シリコン電極１０１６が下から順に設けられている。 - 特許庁

A buried oxide film 2 is so formed on a silicon substrate 1 and a P-type silicon layer 3 is further so formed thereon as to constitute an SOI substrate.例文帳に追加

シリコン基板１上に埋込酸化膜２が形成され、更にその上にＰ型シリコン層３が形成されてＳＯＩ基板１０が構成されている。 - 特許庁

The silicon purification method is characterized by that in eliminating P by evaporating it from molten silicon in a purification apparatus, at least either of an SiO gas or an Si gas is used as the main component of the atmosphere in the apparatus.例文帳に追加

精製装置内で溶融シリコンからＰを蒸発させて除去する方法において、精製装置内の雰囲気をＳｉＯまたはＳｉの一方または両方のガスを主成分とすることを特徴とするシリコンの精製方法である。 - 特許庁

After forming a TEOS oxide film 7 on a polycrystalline silicon film 6 for a dual gate, P-type (N-type), impurities 10 (9) are injected into the polycrystalline silicon film 6, using a resist 8 as a mask.例文帳に追加

デュアルゲート用多結晶シリコン膜６上にＴＥＯＳ酸化膜７を形成した後、レジスト８をマスクとして多結晶シリコン膜６にＰ型（Ｎ型）不純物１０（９）を注入する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device that can suppress shape defects when a p-type silicon layer and an n-type silicon layer of a dual-gate structure are patterned.例文帳に追加

デュアルゲート構造のＰ型シリコン層とＮ型シリコン層とをパターニングする際に、形状不良の発生を抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A PMOS transistor gate structure is formed in an n-type silicon region 20, and an NMOS transistor gate structure is formed in a p-type silicon region 10.例文帳に追加

ｎ型シリコン領域（２０）にＰＭＯＳトランジスタ・ゲート構造が形成され、ｐ型シリコン領域（１０）にＮＭＯＳトランジスタ・ゲート構造が形成される。 - 特許庁

To provide a crystal defect evaluating method of a silicon single crystal substrate for quickly evaluating a crystal defect of the p-type low resistance silicon single crystal substrate at a low cost with higher accuracy, by reducting roughness at the front surface of the substrate.例文帳に追加

Ｐ型低抵抗のシリコン単結晶基板の結晶欠陥を、低コストで基板表面の面あれを小さくして高精度で迅速に評価することができるシリコン単結晶基板の結晶欠陥評価方法を提供する。 - 特許庁

In this case, the film thickness of the silicon germanium film 14_p of the p-channel-MOSFET forming region is made smaller than the film thickness of the silicon germanium film 14_n of the n-channel-MOSFET forming region.例文帳に追加

ｐチャネルＭＯＳＦＥＴ形成領域のシリコンゲルマニウム膜１４_ｐの膜厚が、ｎチャネルＭＯＳＦＥＴ形成領域のシリコンゲルマニウム膜１４_ｎの膜厚より薄い半導体装置を提供する。 - 特許庁

A gate insulating film 102 is formed on an Si substrate 101, and an n-type gate silicon layer 105 and a p-type gate silicon layer 107 are formed thereupon in different areas.例文帳に追加

Ｓｉ基板１０１上にゲート絶縁膜１０２を形成し、その上に、領域を分けて、Ｎ型ゲートシリコン層１０５とＰ型ゲートシリコン層１０７とを形成する。 - 特許庁

To form silicon oxide films with different thicknesses on a p-type diffusion region and an n-type diffusion region formed on the same silicon layer without need of a complicated process.例文帳に追加

複雑なプロセスを必要とせずに、同一のシリコン層に形成されたｐ型拡散領域およびｎ型拡散領域に、それぞれ異なる膜厚でシリコン酸化膜を形成する。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device of a structure, where boron in a polysilicon film is diffused into the side of a barrier film and the polysilicon film is surely prevented from being depleted in a P-type polymetal gate, and the manufacturing method of the semiconductor device.例文帳に追加

ｐ型ポリメタルゲートにおいて、ポリシリコン中のホウ素がバリア膜側に拡散し、ポリシリコンが空乏化するのを確実に防止した、半導体装置とその製造方法の提供が望まれている。 - 特許庁

When viewed from the upper face side of the N^- type silicon substrate 1, the P-type isolation region 2 is formed to surround N^- region 1a, which is a part of the N^- type silicon substrate 1.例文帳に追加

また、Ｎ^-型シリコン基板１の上面側から眺めた場合、Ｐ型分離領域２は、Ｎ^-型シリコン基板１の一部分であるＮ^-領域１ａを取り囲んで形成されている。 - 特許庁

On the base 10, a first electrode 111, a p-type polysilicon layer 112, an i-type intermediate layer 113, an n-type amorphous silicon layer 114, and a second electrode 12 are laminated in order.例文帳に追加

基材１０上に、第１電極１１１、ｐ型ポリシリコン層１１２、ｉ型中間層１１３、ｎ型アモルファスシリコン層１１４、第２電極１２を順に積層する。 - 特許庁

On a P-type silicon substrate 2 are laminated a box layer 3 consisting of silicon oxide, an N^+ type lateral direction conductive layer 4 and an N^- type surface layer 5.例文帳に追加

Ｐ型シリコン基板２上には、酸化シリコンからなるボックス層３、Ｎ^＋型横方向導電層４およびＮ^−型表面層５が積層されている。 - 特許庁

The p+ type layer D1 is composed of a silicon-germanium mixture (Si_1-xGe_x (0<x≤1)), and the n- type layer D2 and n+ type layer D3 are constructed with silicon (Si).例文帳に追加

ｐ＋型層Ｄ１はシリコン−ゲルマニウム混合物（Ｓｉ_１−ｘＧｅ_ｘ（０＜ｘ≦１））で構成され、ｎ−型層Ｄ２、ｎ＋型層Ｄ３はシリコン（Ｓｉ）で構成されている。 - 特許庁

A buried conductive layer 23 is buried in a silicon oxide layer 11 under a base lead-out layer 21 while surrounded by a base layer 15, an emitter layer 17 and a p^+ type single crystal silicon layer 19.例文帳に追加

埋込導電層２３がベース引出層２１下のシリコン酸化層１１に、ベース層１５、エミッタ層１７及びｐ^＋型単結晶シリコン層１９を囲んで埋め込まれている。 - 特許庁

A gate insulating film 31 and a polycrystalline silicon film 41 are formed on a P-type well region 13, and thereafter the films 31 and 41 on a core part are selectively removed.例文帳に追加

ｐ型ウェル領域１３上にゲート絶縁膜３１と多結晶シリコン膜４１を成膜後、コア部のゲート絶縁膜３１と多結晶シリコン膜４１とを選択的に除去する。 - 特許庁

For instance, a groove part 12 comprising a shallow first groove 12a and a deep second groove 12b is formed on the surface part of a p type silicon substrate, and a plurality of silicon columns 13 are provided.例文帳に追加

たとえば、ｐ型シリコン基板１１の表面部に、浅い第１の溝１２ａと深い第２の溝１２ｂとからなる溝部１２を形成し、複数のシリコン柱１３を設ける。 - 特許庁

The heater 36 and the polysilicon thin wires 41 of the thermopiles 37, 38 are doped with P (phosphorus) by an ion implantation operation or the like, and the doping amount of the heater 36 is set to be larger than that of the polysilicon thin wires 41.例文帳に追加

ここで、ヒータ３６とサーモパイル３７、３８のポリシリコン細線４１には、Ｐ（燐）がイオン注入等によってドーピングされており、ヒータ３６のドーピング量がポリシリコン細線４１よりも大きくなっている。 - 特許庁

The narrow segment 17 has a width direction cross section smaller than a width direction cross section of a non-opposite region of the element isolation layer 12 in the p-type polysilicon layer 14A1 and n-type polysilicon layer 14B1.例文帳に追加

狭窄部１７は、ｐ型ポリシリコン層１４Ａ１およびｎ型ポリシリコン層１４Ｂ１のうち素子分離層１２との非対向領域の幅方向断面積よりも小さな幅方向断面積を有する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which can suppress the occurrence of side etching during formation of an n-type polysilicon gate while preventing boron from punching through a substrate due to the diffusion of boron in a p-type polysilicon gate.例文帳に追加

ｐ型ポリシリコンゲート中のボロンの拡散による基板側への突き抜けを防止しつつ、ｎ型ポリシリコンゲートの形成時におけるサイドエッチの発生を抑制しうる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A p-type polycrystalline silicon layer 3 of this thin-film polycrystalline silicon solar battery 10 is composed of a first layer 32 and a second layer 34, successively arranged on a positive electrode 2.例文帳に追加

薄膜多結晶シリコン太陽電池１０のｐ型多結晶シリコン層３は、正極２上に順次配置される第一の層３２と、第二の層３４とからなる。 - 特許庁

After a first silicon film 16 is deposited with boron which is a doped p-type impurity, a non-doped second silicon film 17 is deposited, forming a two-layer gate electrode.例文帳に追加

ｐ型不純物であるホウ素を添加して第１のシリコン膜１６を堆積した後、ノンドープの第２のシリコン膜１７を堆積し、２層のゲート電極を形成する。 - 特許庁

After n-type diffused layers 5a and 5b are formed on the surface of a p-type semiconductor substrate 1, polysilicon layers 10a and 10b are sequentially formed on the n-type diffused layers 5a and 5b, providing a gettering site layer.例文帳に追加

ｐ型半導体基板１の表面にｎ型拡散層５ａ及び５ｂを形成した後、ｎ型拡散層５ａ及び５ｂの上にポリシリコン層１０ａとポリシリコン層１０ｂとを順次形成して、ゲッタリングサイト層とする。 - 特許庁

This p-channel power MOSFET includes an n-type polysilicon linear field plate electrode and an n-type polysilicon linear gate electrode in each trench thereof.例文帳に追加

本願の一つの発明は、Ｎ型ポリシリコン線状フィールドプレート電極およびＮ型ポリシリコン線状ゲート電極を各トレンチ部に有するＰチャネル型パワーＭＯＳＦＥＴである。 - 特許庁

To provide a crystal silicon-based solar cell which is excellent in photoelectric conversion efficiency, in a heterojunction solar cell using a thin p-type single crystal or polycrystalline silicon substrate.例文帳に追加

薄いｐ型単結晶あるいは多結晶シリコン基板を用いたヘテロ接合太陽電池において、光電変換効率に優れた結晶シリコン太陽電池を提供する。 - 特許庁

The low dark current generation is achieved by quenching interface states by placing a p^+ implant near the silicon-silicon dioxide (Si-SiO_2) interface.例文帳に追加

低い暗電流の生成は、シリコン−二酸化シリコン（Ｓｉ−ＳｉＯ_２）インターフェスの近くにｐ^＋インプラントを実行して、インターフェス状態を消去することによって達成される。 - 特許庁

The quantitative analysis limit is determined based on a quantitative value provided by obtaining iron concentration in the silicon by the analysis method during Fe-B pair separation in the boron-doped p-type silicon.例文帳に追加

上記定量分析限界を、ボロンドープｐ型シリコン中のＦｅ−Ｂペア乖離中に、上記分析方法により該シリコン中の鉄濃度を求めることによって得られた定量値に基づき決定する。 - 特許庁

Next, by performing heating processing in a condition such as at 900°C for about 10 minutes in an oxygen atmosphere, thermal oxidation films 107 and 107a are formed on the silicon core 131 and the p-type silicon core 132a, respectively.例文帳に追加

次に、酸素雰囲気で、９００℃・１０分程度の条件で加熱処理することで、熱酸化膜１０７，１０７ａを、シリコンコア１３１およびｐ型シリコンコア１３２ａに形成する。 - 特許庁

At least part of the n+ type layer D3 is comprised of a silicon-carbide mixture (Si_1-xC_x(0<x<1)) and the p+ type layer D1 is comprised of silicon (Si).例文帳に追加

ｎ＋型層Ｄ３の少なくとも一部がシリコン−カーバイド混合物（Ｓｉ_１−ｘＣ_ｘ（０＜ｘ＜１））で構成され、ｐ＋型層Ｄ１がシリコン（Ｓｉ）で構成されている。 - 特許庁

To fabricate a high performance silicon carbide power device enabling preferable diffusion from a deep p-type implant region to a surface of a silicon carbide surrounding a shallow n-type implant region.例文帳に追加

深いｐ型注入領域から浅いｎ型注入領域を囲む炭化シリコンの表面への好ましい拡散が可能な高性能炭化シリコン・パワーデバイスを製造する。 - 特許庁

The back gate electrode 21 and the gate electrode 22 are formed by conductive films 18 of a three-layer structure where an n-type silicon layer 15, a metal silicide layer 16 and a p-type silicon layer 17 are laminated in order from lower layer side.例文帳に追加

バックゲート電極２１及びゲート電極２２は、下層側から順に、ｎ型シリコン層１５、金属シリサイド層１６、ｐ型シリコン層１７が積層された３層構造の導電膜１８により形成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a silicon wafer which allows effective acquisition of an IG effect even in a defect-free silicon wafer in which defect-free regions [P] are distributed in the entire area.例文帳に追加

無欠陥領域［Ｐ］が全域に分布する無欠陥のシリコンウェーハであっても、ＩＧ効果が有効に得られるシリコンウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

In the method, p-type silicon single crystal 2 is grown from an initial silicon melt solution having a boron concentration of not higher than 4E14 atoms/cm^3 and a ratio of a phosphorus concentration to a boron concentration of not lower than 0.42 and not higher than 0.50 by the Czochralski method.例文帳に追加

ボロンの濃度が４Ｅ１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ^3以下で、ボロンの濃度に対するリンの濃度の比が０．４２以上０．５０以下である初期シリコン融液からチョクラルスキー法によりｐ型シリコン単結晶２を成長させる。 - 特許庁

A collector buried layer 2 is formed on the entire surface of a p-type silicon wafer 1, and an n-type epitaxial silicon layer 3 is formed thereon.例文帳に追加

選択酸化領域の形成後、表面の清浄化を行い、ウエハ表面全体を多結晶シリコン膜で覆い、エミッタ直上の多結晶シリコン膜を最後まで除去せずに素子を形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a silicon single crystal to manufacture a p-type silicon single crystal by the Czochralski method and from which a wafer having high specific resistance, favorable in the uniformity of the specific resistance within a surface and small in the fluctuation of the specific resistance can be obtained.例文帳に追加

比抵抗が高く、比抵抗の面内均一性が良く、比抵抗のバラツキが小さいウエハを取得可能なｐ型シリコン単結晶をチョクラルスキー法により製造するシリコン単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁