「P シリコン」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

A photovoltaic cell element 1 is formed which is provided with an n-type silicon substrate 2 and through-holes 3 penetrating the silicon substrate 2, and has a p-type diffusion layer 4 provided at least on a top surface of the silicon substrate 2.例文帳に追加

ｎ型シリコン基板２と、シリコン基板２を貫通するスルーホール３を設け、シリコン基板２の少なくとも表面に設けたｐ型の拡散層４を有する光電池セル素子１を形成する。 - 特許庁

The method for producing a silicon single crystal by using the FZ method includes using a P-type silicon crystal formed by a CZ method as a raw material rod, and then forming an N-type silicon single crystal by performing gas-doping with an N-type impurity.例文帳に追加

ＦＺ法によるシリコン単結晶の製造方法であって、ＣＺ法により形成されたＰ型のシリコン結晶を原料棒とし、Ｎ型の不純物をガスドープして、Ｎ型のシリコン単結晶を形成する。 - 特許庁

In an SOI board 4 composed of a p-type silicon board 1, a buried oxide film 2 and a single-crystal silicon layer 3, a source region 10 and a drain region 11 are formed on the single-crystal silicon layer 3.例文帳に追加

ｐ型シリコン基板１、埋め込み酸化膜２、及び単結晶シリコン層３から構成されるＳＯＩ基板４において、単結晶シリコン層３にソース領域１０およびドレイン領域１１を備える。 - 特許庁

This production method comprises forming an ambient-pressure micro-plasma jet P including at least methane, and irradiating the principal surface of the silicon substrate S with the micro-plasma jet to form silicon carbide on the surface layer part of the silicon substrate S.例文帳に追加

少なくともメタンを含む大気圧マイクロプラズマジェットＰを生成し、シリコン基材Ｓの主面上に照射して、シリコン基材Ｓの表層部分に炭化シリコンを形成する。 - 特許庁

First, a silicon oxide film 2 and a silicon nitride film 3, both of which have openings above an inter-element isolation region are successively formed on the surface of a P-type silicon substrate 1.例文帳に追加

まず、Ｐ型シリコン基板１の表面に、素子間分離領域の上方に開口を有するシリコン酸化膜２及びシリコン窒化膜３を形成する。 - 特許庁

After the SiO2 film containing P is removed, the SiO2 film containing no P is formed on the surface of the P-type silicon substrate 14, then the P-type silicon substrate 14 is heated.例文帳に追加

その後、Ｐを含んでいたＳｉＯ_２膜を除去した後、Ｐ型シリコン基板14の表面にＰを含まないＳｉＯ_２膜を形成し、さらに当該Ｐ型シリコン基板14を加熱する。 - 特許庁

A p/i interfacial layer 5 such as amorphous silicon (a-Si) of p-type and low impurity concentration whose band gap is wider than that of a p-layer 6 is held between the μc-Si p-layer 6 and an amorphous silicon germanium (a-SiGe) i-layer 4.例文帳に追加

μc-Siのｐ層６と非晶質シリコンゲルマニウム（a-SiGe）のｉ層４との間に、ｐ層６よりバンドギャップが広く、ｐ型で低不純物濃度の例えば非晶質シリコン（a-Si）のｐ／ｉ界面層５を挟む。 - 特許庁

To provide a manufacturing method capable of evenly forming a silicon layer containing impurities for forming p-n junction on crystalline silicon particles, and easily recovering the crystalline silicon particles with the silicon layer containing the impurities formed on a surface.例文帳に追加

結晶シリコン粒子に対して、ｐｎ接合を形成するための不純物を含むシリコン層を均一に形成することができ、表面に不純物を含むシリコン層が形成された結晶シリコン粒子を容易に回収できる製造装置を提供すること。 - 特許庁

When the chip has a silicon oxide film as the gate insulating film and a high dielectric constant film formed on the silicon oxide film, the thickness of the silicon oxide film of the n-type MIS transistor is thicker than that of the p-type MIS transistor.例文帳に追加

また、ゲート絶縁膜としてシリコン酸化膜及びこのシリコン酸化膜上に形成された高誘電率膜を有する場合は、Ｎ型ＭＩＳトランジスタのシリコン酸化膜が、Ｐ型ＭＩＳトランジスタのシリコン酸化膜よりも厚い。 - 特許庁

A silicon layer 103 is patterned using a preparation method similar to a conventional one utilizing a well-known lithographic technique and etching technique, after forming a p-type silicon layer 132 and a germanium layer 107 in one part of the silicon layer 103, so as to form a silicon core 131.例文帳に追加

シリコン層１０３上の一部にｐ型シリコン層１３２およびゲルマニウム層１０７を形成した後で、よく知られたリソグラフィ技術とエッチング技術を利用した従来と同様な作製方法を用いてシリコン層１０３をパターニングし、シリコンコア１３１を形成する。 - 特許庁

In a photovoltaic device where an i-type amorphous silicon thin film 2 is provided between an n-type single crystal silicon substrate 1 and a p-type amorphous silicon based thin film 3, boron atoms are introduced to an interface region of the silicon substrate 1 and the i-type amorphous silicon thin film 2.例文帳に追加

ｎ型単結晶シリコン基板１とｐ型非晶質シリコ系薄膜３との間にｉ型非晶質シリコン薄膜２を介在させた光起電力装置において、シリコン基板１ｉ型非晶系シリコン薄膜２とが形成する界面領域にボロン原子を導入させる。 - 特許庁

An n+ collector region 2, an n- epitaxial layer 3, an element isolating oxide silicon film 4, a silicon oxide film 5, etc., are formed on a p-type silicon substrate 1, and then a silicon nitride film 51 through low-pressure CVD technique to serve as a stress relaxing layer is made.例文帳に追加

Ｐ型シリコン基板１にＮ＋のコレクタ領域２、Ｎ−エピタキシャル層３、素子分離酸化シリコン膜４、酸化シリコン膜５等を形成した後、応力緩和層となる減圧ＣＶＤ技術によるシリコン窒化膜５１を形成する。 - 特許庁

Then an n^--type gate silicon area 110 and an n^+-gate silicon area 111 are formed by injecting ions of n-type impurities into a part where a metal film 108 of the n-type gate silicon layer 105 and p-type gate silicon layer 107 is removed ((f) in Fig.).例文帳に追加

Ｎ型ゲートシリコン層１０５及びＰ型ゲートシリコン層１０７の金属膜１０８が除去された部分に、Ｎ型不純物をイオン注入して、Ｎ^-型ゲートシリコン領域１１０及びＮ^+型ゲートシリコン領域１１１を形成する（図２（ｆ））。 - 特許庁

By oxidizing the surface layer of a polysilicon layer Sn to be an n-type layer formed on a polysilicon substrate Sp to be a p-type layer by using plasma and depositing a silicon nitride film by CVD treatment thereafter, passivation films A1 and A2 are formed on the surface layer of the polysilicon layer Sn.例文帳に追加

ｐ型層となる多結晶シリコン基板Ｓｐ上に形成されたｎ型層となる多結晶シリコン層Ｓｎの表層を、プラズマを用いて酸化処理し、その後ＣＶＤ処理によりシリコン窒化膜を堆積することにより、多結晶シリコン層Ｓｎの表層にパッシベーション膜Ａ１、Ａ２を形成する。 - 特許庁

The nano particles NP of silicon are used as the nano particles NP, a p-type polysilicon film and an n-type polysilicon film are deposited to form a solar battery having a polysilicon pn-junction serving as a photoelectric conversion part, whereby not only quality can be improved but also a manufacturing cost can be reduced.例文帳に追加

ナノ粒子ＮＰとしてシリコンのナノ粒子ＮＰを用い、ｐ型ポリシリコン膜とｎ型ポリシリコン膜とを堆積して、ポリシリコンｐｎ接合部を光電変換部とする太陽電池を製造することにより、品質の向上だけでなく、製造コストの低減を図ることができる。 - 特許庁

A gate insulating film 16 having a successively laminated three-layered structure composed of a first insulating film 16a of silicon oxide, a charge trapping film 16b of silicon nitride and a second insulating film 16c of silicon oxide, is formed on the p-type silicon semiconductor substrate 15.例文帳に追加

このようなｐ型シリコン半導体基板１５上に、シリコン酸化膜からなる第１絶縁膜１６ａ、シリコン窒化膜からなる電荷捕獲膜１６ｂ、およびシリコン酸化膜からなる第２絶縁膜１６ｃが順に積層された３層構造のゲート絶縁膜１６が形成される。 - 特許庁

A first insulating film 66a composed of a silicon oxide film, a charge-capturing film 66b composed of a silicon nitride film, and a second insulating film 66c composed of a silicon oxide film are then sequentially formed on the p-type silicon semiconductor substrate 65 thus forming a gate insulating film 66 of three-layer structure.例文帳に追加

このようなｐ型シリコン半導体基板６５上に、シリコン酸化膜からなる第１絶縁膜６６ａ、シリコン窒化膜からなる電荷捕獲膜６６ｂ、およびシリコン酸化膜からなる第２絶縁膜６６ｃが順に積層された３層構造のゲート絶縁膜６６が形成される。 - 特許庁

A first insulating film 16a composed of a silicon oxide film, a charge-capturing film 16b composed of a silicon nitride film, and a second insulating film 16c composed of a silicon oxide film are then sequentially formed on the p-type silicon semiconductor substrate 15 thus forming a gate insulating film 16 of three layer structure.例文帳に追加

このようなｐ型シリコン半導体基板１５上に、シリコン酸化膜からなる第１絶縁膜１６ａ、シリコン窒化膜からなる電荷捕獲膜１６ｂ、およびシリコン酸化膜からなる第２絶縁膜１６ｃが順に積層された３層構造のゲート絶縁膜１６が形成される。 - 特許庁

An essentially intrinsic microcrystal silicon thin-film layer 5 and a P-type microcrystal silicon carbide layer 6 are formed on the N-type single-crystal silicon layer 4 and the microcrystal silicon thin-film layer 5, respectively by the plasma CVD method, and a transparent conductive film 7 is formed on the uppermost surface.例文帳に追加

前記Ｎ型単結晶シリコン層(4) の上に実質的に真性の微結晶シリコン薄膜層(5) と、同微結晶シリコン薄膜層(5) の上にＰ型微結晶シリコンカーバイド層(6) とをプラズマＣＶＤ法により成膜し、最表面に透明導電膜(7) を形成する。 - 特許庁

The semiconductor memory is formed on a P-type silicon substrate 1, an ONO film 5 composed of a first silicon oxide film 2, a first silicon nitride film 3, and a second silicon oxide film 4, and on an SOONO substrate including an SOONO layer 6, wherein the ONO film 5 contacts with a back gate BG formed in the P-type silicon substrate 1.例文帳に追加

半導体記憶装置は、Ｐ型シリコン基板１と、第１のシリコン酸化膜２、第１のシリコン窒化膜３、及び第２のシリコン酸化膜４からなるＯＮＯ膜５と、ＳＯＯＮＯ層６とを含むＳＯＯＮＯ基板上に形成されており、ＯＮＯ膜５はＰ型シリコン基板１に形成されたバックゲートＢＧに接している。 - 特許庁

To prevent diffusion of boron frame a p-type polysilicon film and penetration through a gate oxide film and to stabilize the characteristics of a P-channel MOS transistor, when polysilicon film is contained in the gate electrode of the P-channel MOS transistor and the polysilicon film coexists with a silicon nitride film.例文帳に追加

ＰＭＯＳのゲート電極７にｐ型ポリシリコン膜５が含まれ、かつ窒化シリコン膜１３と共存する場合に、該ｐ型ポリシリコン膜５からのホウ素の拡散やゲート酸化膜４の突抜けを防止し、ＰＭＯＳ特性を安定化させる。 - 特許庁

In addition, when the B ions are implanted into an undoped silicon film in a p-channel MISFET formation area so as to convert it into a p-type silicon film 9p, the concentration of B of the p-type silicon film 9p adjacent to the boundary with a gate insulating film 8 is controlled to 2×10^20 atoms/cm^3 or less.例文帳に追加

また、ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴ形成領域のアンドープシリコン膜にＢをイオン注入してｐ型シリコン膜９ｐに変換する際、ゲート絶縁膜８との界面近傍におけるｐ型シリコン膜９ｐのＢ濃度を２×１０^２０atom/cm^３以下に制御する。 - 特許庁

Polysilicon gate electrodes G are formed in trenches 6 formed in P wells 4.例文帳に追加

Ｐウェル４に形成されたトレンチ６内には、ポリシリコンゲート電極Ｇが形成されている。 - 特許庁

A collector region 2 is formed by carrying out ion implantation in the p-type silicon substrate 1.例文帳に追加

Ｐ型シリコン基板１にイオン注入を行うことでコレクタ領域２を形成する。 - 特許庁

Silicon, nickel and the p-type impurities are contained in the 2nd silicide layer 13.例文帳に追加

第２のシリサイド層１３にシリコンとニッケルの他にＰ型不純物を含める。 - 特許庁

An n-type epitaxial layer 8 is formed on a p-type single crystal silicon substrate 6.例文帳に追加

Ｐ型の単結晶シリコン基板６上にＮ型のエピタキシャル層８が形成されている。 - 特許庁

A silicon oxide film 4 is formed on the surface of a p-type gallium nitride layer 2.例文帳に追加

ｐ型の窒化ガリウム層２の表面に酸化シリコン膜４を形成する。 - 特許庁

P-type impurity ions are then implanted via the silicon oxide film using a resist mask.例文帳に追加

そして、レジストマスクを用いてシリコン酸化膜を介してｐ型不純物をイオン注入する。 - 特許庁

An N type epitaxial layer 3 is formed on a P type silicon substrate 1.例文帳に追加

Ｐ−型シリコン基板１上にＮ−型エピタキシャル層３が形成されている。 - 特許庁

An n-type epitaxial layer 2 is formed on a p-type silicon substrate 1.例文帳に追加

Ｐ型シリコン基板１の上にはＮ型エピタキシャル層２が形成されている。 - 特許庁

A semiconductor layer 3 is formed on a P^+-type silicon substrate 2 forming a drain region.例文帳に追加

ドレイン領域をなすＰ^+型のシリコン基板２の上には、半導体層３が形成されている。 - 特許庁

METHOD OF FORMING SILICON NITRIDE OXIDE FILM AND MANUFACTURE FOR P-TYPE SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

シリコン窒化酸化膜の形成方法及びｐ形半導体素子の製造方法 - 特許庁

On a P-type silicon substrate 1, an N--epitaxial layer 4 as a collector region is formed.例文帳に追加

ｐ型シリコン基板１上にコレクタ領域としてのｎ^-エピタキシャル層４が形成されている。 - 特許庁

The silicon nanowire has a structure of alternately layering p-type layers and n-type layers.例文帳に追加

シリコンナノワイヤーはｐ型層とｎ型層とが交互に積層された構造を有する。 - 特許庁

A p-type impurity doping region 11a is formed to an n-type silicon (Si) board 11.例文帳に追加

ｎ型シリコン（Ｓｉ）基板１１に、ｐ型不純物ドープ領域１１ａが形成されている。 - 特許庁

A resistor 2 formed of a p-type diffusion layer is formed on an n-type silicon substrate 1.例文帳に追加

ｎ型のシリコン基板１上に、ｐ型拡散層から成る抵抗体２が形成されている。 - 特許庁

A gate oxide film 36 and a p^+-type gate electrode 35 are formed on an n-type silicon substrate 1.例文帳に追加

Ｎ型シリコン基板１上にゲート酸化膜３６およびＰ+型ゲート電極３５を形成する。 - 特許庁

A gate oxide film 36 and a P^+-gate electrode 35 are formed on a N-type silicon substrate 1.例文帳に追加

Ｎ型シリコン基板１上にゲート酸化膜３６およびＰ^＋型ゲート電極３５を形成する。 - 特許庁

Irregularities 22a, 22b are formed on the surface 1a of a p-type silicon crystal substrate 1.例文帳に追加

ｐ型シリコン結晶基板１の表面１ａに、凹凸２２ａ，２２ｂを形成する。 - 特許庁

An N layer 101 and a P layer 102 are formed in a semiconductor substrate such as silicon.例文帳に追加

シリコン等の半導体基板内にＮ層１０１と、Ｐ層１０２とを形成する。 - 特許庁

The reverse-surface electrode 7 is formed on the entire surface of the p-type amorphous silicon film 5.例文帳に追加

裏面電極７はｐ型非晶質シリコン膜５の全面に形成されている。 - 特許庁

A transparent electrode 32 and a p-type amorphous silicon layer 33 are formed in a transparent substrate 31.例文帳に追加

透明基板３１に透明電極３２及びｐ型アモルファスシリコン層３３を形成する。 - 特許庁

A plurality of P-type silicon wafers are heated within a furnace where an inert gas flows.例文帳に追加

不活性ガスが流下する炉内で、複数のＰ型シリコンウェハが加熱される。 - 特許庁

A p-type polysilicon layer 8 is formed to fill the contact hole 6.例文帳に追加

ベース用コンタクトホール６内を埋めるように、ｐ型ポリシリコン層８が形成されている。 - 特許庁

A cathode resistance lowering region 8 is formed on the surface of a p-type silicon substrate 1.例文帳に追加

Ｐ型シリコン基板１の表面にはカソード低抵抗化領域８が形成されている。 - 特許庁