「P シリコン」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

When a silicon oxide film 24 is formed on a silicon oxide film 21 used as a mask for forming p-type base regions 3, and thereafter etched back, the silicon oxide film 24 is left on both side faces of the silicon oxide film 21 at widths equal to the silicon oxide film 21.例文帳に追加

ｐ型ベース領域３の形成用マスクとなるシリコン酸化膜２１の上にシリコン酸化膜２４を成膜したのちエッチバックすると、シリコン酸化膜２１の両側面に同等の幅でシリコン酸化膜２４が残る。 - 特許庁

When creating a silicon oxide film 24 on a silicon oxide film 21 being a mask for forming a type-p base region 3 and etching it back, the films 24 remain with the same width on both of the side surface of the film 21.例文帳に追加

ｐ型ベース領域３の形成用マスクとなるシリコン酸化膜２１の上にシリコン酸化膜２４を成膜したのちエッチバックすると、シリコン酸化膜２１の両側面に同等の幅でシリコン酸化膜２４が残る。 - 特許庁

Next, a cooled inert gas is supplied to the working box 15 to cool the molten silicon M to produce a silicon product P composed of a high-purity polycrystalline silicon 21 and an impurity-containing silicon 25.例文帳に追加

次に、作業ボックス１５内に冷却不活性ガスを供給して、溶融シリコンＭを冷却することによって高純度多結晶シリコン２１と不純物含有シリコン２５とからなるシリコン生成物Ｐを生成する。 - 特許庁

The source 3 within the trench 1 is made of p-type polysilicon.例文帳に追加

トレンチ１内のソース３はｐ型ポリシリコンで形成されている。 - 特許庁

A deep N well 12 of n-type silicon is formed beneath the P well.例文帳に追加

Ｐウェルの下に、ｎ型シリコンの深いＮ型ウェル１２を形成する。 - 特許庁

The (p) or (n) type thermoelectric material 3 is molded using a silicon pattern 51.例文帳に追加

ｐ型またはｎ型の熱電材３はシリコン型５１により成型される。 - 特許庁

An N-type epitaxial layer 52 is arranged on a P-type silicon substrate 51.例文帳に追加

Ｐ型シリコン基板５１上に、Ｎ型エピタキシャル層５２が配置される。 - 特許庁

A polysilicon film 19 is formed on the upper surface of the p^+-layer 18.例文帳に追加

ｐ^+層１８の上面上には、ポリシリコン膜１９が形成されている。 - 特許庁

A P^- layer 80 is formed only on the source 60 side of a silicon substrate 1.例文帳に追加

また、シリコン基板１のソース６０側だけにＰ^-層８０を形成する。 - 特許庁

Then a p-type silicon peeler 15 is formed inside the trench 13.例文帳に追加

次に、トレンチ１３の内部にｐ型シリコンピラー１５を形成する。 - 特許庁

The heat treatment temperature is measured from the layer resistance value of the p-type silicon substrate.例文帳に追加

熱処理温度は、ｐ型シリコン基板の層抵抗値から測定される。 - 特許庁

A p-type well 3 is formed on the upper layer of a silicon substrate 1.例文帳に追加

シリコン基板１上層にｐ型ウェル３を形成する。 - 特許庁

A P-type well layer 52 is arranged on an N-type silicon substrate 51.例文帳に追加

Ｎ型シリコン基板５１上に、Ｐ型ウエル層５２が配置される。 - 特許庁

Then the cathode electrode 24 is formed from a P-type silicon.例文帳に追加

そして、陰極電極２４をＰ型シリコンにより形成する。 - 特許庁

A back electrode 32 is formed on a rear surface of the p-type silicon substrate 10.例文帳に追加

ｐ型シリコン基板１０の裏面に裏面電極３２を形成する。 - 特許庁

A p type polysilicon embedded layer 21 is formed in the insulating film 20.例文帳に追加

絶縁膜２０内にｐ型の多結晶シリコン埋込層２１を形成する。 - 特許庁

A p type polysilicon embedded layer 17 is formed in the insulating film.例文帳に追加

絶縁膜内にｐ型の多結晶シリコン埋込層１７を形成する。 - 特許庁

An interlayer dielectric 23 is formed on the p-type silicon substrate 1.例文帳に追加

Ｐ型シリコン基板１上に層間絶縁膜２３を形成する。 - 特許庁

The photoelectromotive force generated in the p-type silicon substrate 2 can be enhanced.例文帳に追加

ｐ型シリコン基板２内で発生する光起電力を大きくできる。 - 特許庁

The surface side of the p-type silicon layer 3 is formed with an insulating film 12.例文帳に追加

ｐ形シリコン層３の表面側には絶縁膜１２を形成してある。 - 特許庁

An N-type well 2 is formed on the surface of a P-type silicon substrate 1.例文帳に追加

Ｐ型シリコン基板１の表面にＮ型ウェル２を形成する。 - 特許庁

EVALUATION METHOD FOR METAL IMPURITY CONCENTRATION OF P-TYPE SILICON WAFER例文帳に追加

Ｐ型シリコンウェーハの金属不純物濃度評価方法 - 特許庁

The active pixel sensor including an N well 14 of n-type silicon and a P well 22 of p-type silicon formed on a p-type silicon substrate 10 is formed in the N well.例文帳に追加

ｐ型シリコン基板１０に形成されたｎ型シリコンのＮウェル１４、およびｐ型シリコンのＰウェル２２を含む能動画素センサを、Ｎウェルに形成する。 - 特許庁

This photovoltaic device comprises an n-type single crystal silicon substrate 1 and an amorphous silicon film 2 (substantially intrinsic undoped amorphous silicon film 2a and p-type amorphous silicon film 2b) that is formed on the top of the n-type single crystal silicon substrate 1.例文帳に追加

この光起電力装置は、ｎ型単結晶シリコン基板１と、ｎ型単結晶シリコン基板１の上面上に形成された非晶質シリコン膜２（実質的に真性なノンドープ非晶質シリコン膜２ａおよびｐ型非晶質シリコン膜２ｂ）とを備えている。 - 特許庁

Moreover, the opening 7A comprises, on the n^--type silicon layer 8 and the n^+-type silicon layer 8a, a p^+-type poly crystal silicon germanium film 9B led out in the lateral direction on the surface of a nitride film 7, and a poly crystal silicon film 10B on the surface of this silicon germanium film 9B.例文帳に追加

さらに、ｎ^-型シリコン層８およびｎ^+型シリコン層８ａの上に、窒化膜７の表面において横方向に引出されるｐ型の多結晶のシリコンゲルマニュウム膜９Ｂ、およびこのシリコンゲルマニュウム膜９Ｂの表面に多結晶のシリコン膜１０Ｂを有する。 - 特許庁

The p-type polysilicon layer 14A1 and n-type polysilicon layer 14B1 have a joint P joined mutually right above an element isolation layer 12, and at least one of the p-type polysilicon layer 14A1 and n-type polysilicon layer 14B1 has a narrow segment 17 right above the element isolation layer 12.例文帳に追加

ｐ型ポリシリコン層１４Ａ１およびｎ型ポリシリコン層１４Ｂ１は、互いに接合された接続部Ｐを素子分離層１２の直上に有し、ｐ型ポリシリコン層１４Ａ１およびｎ型ポリシリコン層１４Ｂ１の少なくとも一方は、素子分離層１２の直上に狭窄部１７を有する。 - 特許庁

A thermal oxidation silicon film (SiO_2) is formed as a gate insulating film on the front surface of a silicon substrate (P-Si) of conductive p-type silicon wafer used as a gate electrode.例文帳に追加

ゲート電極として用いる導電性Ｐ型シリコンウェフアーのシリコン基板（Ｐ−Ｓｉ）の表面に、ゲート絶縁膜として熱酸化シリコン膜（ＳｉＯ_2）を形成する。 - 特許庁

On a P-type single crystal silicon substrate 50, an N-type epitaxial silicon layer 51 is grown, and a P-type well area 52 is formed in this N-type epitaxial silicon layer 51.例文帳に追加

Ｐ型単結晶シリコン基板５０上にＮ型のエピタキシャル・シリコン層５１を成長させ、このエピタキシャル・シリコン層５１内にＰ型ウエル領域５２を設ける。 - 特許庁

Between a P type base layer 5 consisting of silicon and an N- type base layer 3, a P type carrier blocking layer consisting of a composition of germanium having a band gap narrower than that of silicon, and silicon.例文帳に追加

シリコンからなるＰ型ベース層５とＮ−型ベース層３の間にシリコンよりバンドギャップの狭いゲルマニュームとシリコンの組成物からなるＰ型キャリア阻止層を形成する。 - 特許庁

The semiconductor device has n-type and p-type polysilicons 2, 3 adjacent to each other and has a silicide layer 4 so formed as to be extended from the n-type polysilicon 2 to the p-type polysilicon 3.例文帳に追加

相互に隣接されたｎ型及びｐ型のポリシリコン２，３と、ｎ型ポリシリコン２上からｐ型ポリシリコン３上に亘って延在するように形成されたシリサイド層４を備える。 - 特許庁

In a photovoltaic device provided with a substantially intrinsic amorphous silicon layer containing hydrogen between an n-type single crystal silicon substrate and a p-type amorphous silicon layer containing hydrogen, a trap layer is formed between the p-type amorphous silicon layer and the intrinsic amorphous silicon layer, wherein the hydrogen concentration of the trap layer is lower than that of the intrinsic amorphous silicon layer.例文帳に追加

この発明は、ｎ型単結晶シリコン基板と水素を含有するｐ型非晶質シリコン層との間に、水素を含有する実質的に真性な非晶質シリコン層を設けた光起電力装置において、前記ｐ型非晶質シリコン層と前記真性な非晶質シリコン層との間に、前記真性な非晶質シリコン層の水素濃度より水素濃度が低いトラップ層を設ける。 - 特許庁

The p-type silicon nitride film 3 includes a plurality of quantum dots 31 made of p-type Si.例文帳に追加

ｐ型シリコン窒化膜３は、ｐ型Ｓｉからなる複数の量子ドット３１を含む。 - 特許庁

A p-type diffusion layer 201 and a p-type semiconductor layer 202 are provided on a silicon substrate 200.例文帳に追加

シリコン基板２００上に、Ｐ型拡散層２０１とＰ型半導体層２０２を備える。 - 特許庁

In this manufacture, a p- epitaxial layer 3a is formed on the main surface of a p+ silicon substrate 1a.例文帳に追加

ｐ^+ シリコン基板１ａの主表面上にｐ^- エピタキシャル層３ａを形成する。 - 特許庁

After that, damage and silicon doped into a p-type are removed by etching a PE mode.例文帳に追加

その後、ＰＥモードのエッチングにてダメージやp型にドーピングされたシリコンを除去する。 - 特許庁

A resist layer R is formed on a film P to be processed, the film P being formed of a polycrystalline silicon film.例文帳に追加

多結晶シリコン膜からなる被加工膜Ｐ上にレジスト層Ｒを形成する。 - 特許庁

A p-type well 2 and an n-type well 3 are adjacently formed on a silicon substrate 1 by respectively using a p-type well mask 2 and an n-type well mask 3.例文帳に追加

シリコン基板１上に、Ｐウエル２、Ｎウエル３を互いに隣接して形成する。 - 特許庁

USING OF INDIUM FOR FIXING WORK FUNCTION OF P-TYPE DOPED POLYSILICON OR POLYSILICON GERMANIUM例文帳に追加

ｐ型ドープされたポリシリコン又はポリシリコン・ゲルマニウムの仕事関数を定めるためのインジウムの使用 - 特許庁

The P^+ polysilicon resistor has a positive temperature coefficient, and the N^+ polysilicon resistor has a negative temperature coefficient.例文帳に追加

このＰ＋ポリシリコン抵抗体は正の温度係数を有し、Ｎ＋ポリシリコン抵抗体は負の温度係数を有する。 - 特許庁

The trap layer reduces hydrogen diffusion from the intrinsic amorphous silicon layer to the p-type amorphous silicon layer.例文帳に追加

このトラップ層により、真性な非晶質シリコン層からｐ型非晶質シリコン層への水素拡散を抑制する。 - 特許庁

An impurity diffusion silicon layer 4 which includes phosphorous element (P) as impurity is formed along the wall face inside the hole 2 of the porous silicon layer 3.例文帳に追加

多孔質シリコン層３の孔２内の壁面に沿って、不純物となるリン元素（Ｐ）を含む不純物拡散シリコン層４が形成されている。 - 特許庁

A polysilicon gate electrode 3 is formed on a p-type silicon substrate 1 through the intermediary of a gate oxide film 21.例文帳に追加

先ず、ｐ型シリコン基板１の上に、ゲート酸化膜２１を介して、ポリシリコンからなるゲート電極３を形成する。 - 特許庁

A p-type amorphous silicon film 3 and a surface electrode 4 are formed successively on an i-type amorphous silicon film 2.例文帳に追加

ｉ型非晶質シリコン膜２上にｐ型非晶質シリコン膜３および表面電極４が順に形成されている。 - 特許庁

The p-type dopant can be added to a gate electrode material coated on the layer of silicon or SiGe, and can diffuse toward the layer of silicon or SiGe.例文帳に追加

ｐ型ドーパントは、シリコン又はSiGe層に被覆するゲート電極材料に付加され得、シリコン又はSiGe層に向かって拡散し得る。 - 特許庁

A p-type polysilicon layer 7 is disposed on a n-type semiconductor layer 2 which is a single crystal silicon layer.例文帳に追加

単結晶シリコン層であるｎ−型半導体層２の上に、ｐ型の多結晶シリコン層７を設ける。 - 特許庁