「RTA」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

rta 744 crosses the blood-brain barrier and blocks an enzyme needed for cancer growth. 例文帳に追加

rta 744は血液脳関門を越えることができ、腫瘍の増殖に必要となる酵素の働きを阻害する。 - PDQ®がん用語辞書 英語版

Under the WTO agreement, FTAs and other agreements are collectively called the Regional Trade Agreement (RTA).例文帳に追加

なお、WTO協定上は、FTAなどの協定を総称してRTA（地域貿易協定）と呼ぶ。 - 経済産業省

Thus, within a framework of WTO, these agreements are collectively named Regional Trade Agreement (RTA).例文帳に追加

なお、WTOの枠組みの中では一般的に、これらの協定を総称して地域貿易協定（RTA）と呼ぶ。 - 経済産業省

topoisomerase ii inhibitor rta 744 crosses the blood-brain barrier and blocks an enzyme needed for cancer growth. 例文帳に追加

トポイソメラーゼii阻害薬rta 744は血液脳関門を越えることができ、がんの増殖に必要となる酵素の働きを阻害する。 - PDQ®がん用語辞書 英語版

returns true if rta points to a valid routing attribute; attrlen is the running length of the attribute buffer. 例文帳に追加

はrtaが有効なルーティング属性へのポインタであれば真を返す。 attrlenは属性バッファの実働時の長さ (running length) である。 - JM

A material wafer 11 is put in a rapid heating/rapid freezing (RTA) device 21 and heat treatment is performed (RTA process).例文帳に追加

素材ウェーハ１１を急速加熱・急速冷却（ＲＴＡ）装置２１に入れ、熱処理を行う（ＲＴＡ工程）。 - 特許庁

At the end of the RTA's implementation period, the parties shall submit to the WTO a short written report on the realization of the liberalization commitments in the RTA as originally notified.例文帳に追加

実施期間終了時に自由化約束の達成度について簡潔な報告書（a short writtenreport）を提出する。 - 経済産業省

Thereafter, dehydrogenation annealing of the a-Si film 13a is performed by RTA.例文帳に追加

その後、ＲＴＡによりａ−Ｓｉ膜13aの脱水素アニールを行う。 - 特許庁

The consideration by Members of a notified RTA shall be normally concluded in a period not exceeding one year after the date of notification.例文帳に追加

地域貿易協定の審査は通報から１年以内に終える。 - 経済産業省

Endeavour to inform the WTO about new negotiations reached at the conclusion of an RTA例文帳に追加

地域貿易協定交渉を開始したことをWTOに通報する努力義務 - 経済産業省

The changes affecting the implementation of an RTA shall take place as soon as possible after the changes occur.例文帳に追加

地域貿易協定の運用変更は、変更後速やかに通報する。 - 経済産業省

A first RTA process is performed after phosphorus ions are implanted into part of a polysilicon film.例文帳に追加

ポリシリコン膜の一部にリンのイオン注入を行なってから第１回目のＲＴＡを行なう。 - 特許庁

After that, the impurities in the silicon substrate 101 are activated by spike RTA.例文帳に追加

その後、スパイクＲＴＡ法によりシリコン基板１０１中の不純物を活性化する。 - 特許庁

Subsequently, an RTA treatment is performed to recover the crystal defect generated by ion implantation.例文帳に追加

その後に、イオン注入によって発生した結晶欠陥の回復のためのＲＴＡ処理を行う。 - 特許庁

The RTA process is preferably executed in a nitriding atmosphere or an oxidizing atmosphere.例文帳に追加

ＲＴＡ処理は窒化雰囲気または酸化性雰囲気中で行うことが望ましい。 - 特許庁

For example, the flow of O_2 gas is controlled within the optimum range upon the RTA treatment.例文帳に追加

例えば、そのＲＴＡ処理時にＯ_２ガス流量を適切な範囲に制御する。 - 特許庁

Then, rapid thermal annealing (RTA) for one minute is performed in the Ar atmosphere of, for example 650°C.例文帳に追加

その後、例えば６５０℃のＡｒ雰囲気中で１分間の急速加熱処理（ＲＴＡ）を行う。 - 特許庁

Since the RTA can be conducted within a short period of time, improvement in the productivity can be expected.例文帳に追加

ＲＴＡは短時間で行うことができるため、本発明により、生産性の向上が期待される。 - 特許庁

When calling is received from TELC in this state, the RTA 10 transmits an incoming call from TELC to TELA.例文帳に追加

この状態でＴＥＬＣからの発呼を受けると、ＲＴＡ１０はＴＥＬＡにＴＥＬＣからの着呼を伝える。 - 特許庁

An insulating film is formed on front and rear surfaces of a wafer for an active layer subjected to RTA processing.例文帳に追加

ＲＴＡ処理を施した活性層用ウェーハの表裏面に絶縁膜を形成する。 - 特許庁

The WTO Secretariat prepares a factual presentation of the RTA.例文帳に追加

地域貿易協定当事国は必要なデータをWTO事務局に提出し、WTO事務局が事実報告書を作成する。 - 経済産業省

Convey to the WTO information on the RTA, including its official name, scope and date of signature, date of entry into force and any other relevant unrestricted information before the day of entry into force例文帳に追加

署名された地域貿易協定の署名日、発効日を、発効前にWTOに通報する義務 - 経済産業省

Clarification on submission of data by RTA Parties (preferential duties and MFN duties etc.)例文帳に追加

WTOに情報提供すべき内容の明確化（地域貿易協定税率、実行税率等） - 経済産業省

A high-resistance metal silicide layer is formed on source/drain regions by annealing by using RTA and the like at such a temperature that the shrink problem of the substrate does not arise.例文帳に追加

RTA等を用いて基板のシュリンクが問題とならない程度の温度でアニールを行い、ソース・ドレイン領域に高抵抗なメタルシリサイド層を形成する。 - 特許庁

A nickel layer 17 is formed on a group III-V compound semiconductor layer 4, and by heating them using RTA treatment, a source region 5 and a drain region 6 composed of a nickel group III-V alloy (Ni-In_xGa_1-xAs_yP_1-y alloy) are formed.例文帳に追加

III−Ｖ族化合物半導体層４上にニッケル層17を形成し、RTA処理により加熱することで、ニッケルIII−Ｖ族合金（Ni-In_xGa_1-xAs_yP_1-y合金）からなるソース領域５及びドレイン領域６が形成される。 - 特許庁

It is desirable that gas G is made flow in so that furnace atmosphere of the RTA device 21 includes nitrogen when a rapid heating/rapid freezing (RTA) processing is performed.例文帳に追加

この急速加熱・急速冷却（ＲＴＡ）処理時に、ＲＴＡ装置２１の炉内雰囲気を、窒素を含むように、ガスＧを流入させるのが好ましい。 - 特許庁

Thereby, by accumulating in the metallic film 31 the heat radiated by RTA, not only the poly-Si film 13 absorbs the Xe-lamp light of the RTA, but also heat fed to it from the metallic film 31 to make improvable the efficiencies of the activations of the drain and source regions.例文帳に追加

金属膜３１がＲＴＡによる熱を蓄積し、poly−Ｓｉ膜１３には、ＲＴＡのＸｅランプ光の吸収に加え、金属膜３１からも熱供給が行われ、活性化の効率を高めることができる。 - 特許庁

When the dielectric film 13 is formed, RTA is performed first, and it is subjected to thermal treatment by an inert gas at a temperature higher than that during RTA, or is subjected to forming anneal by reducing thermal treatment, so that deterioration of characteristics is prevented.例文帳に追加

誘電体膜１３を形成するに際し、ＲＴＡを行ったのち、ＲＴＡ時以上の温度での不活性ガス熱処理を行うか、または還元熱処理を行いフォーミングアニールによる特性の劣化を防止する。 - 特許庁

The method for manufacturing the laminated wafer includes: subjecting the laminated wafer of which a bond wafer has been peeled off to a first RTA treatment in a hydrogen-containing atmosphere; reducing the thickness of the thin film by the sacrificial oxidation treatment; and subsequently subjecting the laminated wafer to a second RTA treatment in a hydrogen-containing atmosphere at a temperature higher than that in the first RTA treatment.例文帳に追加

前記ボンドウェーハを剥離させた後の貼り合わせウェーハに対し、水素含有雰囲気下で第一のＲＴＡ処理を行った後、犠牲酸化処理を行って前記薄膜を減厚し、その後、水素含有雰囲気下で、前記第一のＲＴＡ処理よりも高い温度で第二のＲＴＡ処理を行う貼り合わせウェーハの製造方法。 - 特許庁

Short-time heat treatment (RTA) is then performed to activate arsenic and phosphorus in the polysilicon film 6.例文帳に追加

その後、ポリシリコン膜６中の砒素及びリンを活性化するための短時間熱処理（ＲＴＡ）を行なう。 - 特許庁

Thereafter, the formation of an upper electrode layer and a second RTA treatment are effected (step S9-S11) and the ferroelectric capacitor is formed (step S12).例文帳に追加

その後、上部電極層の形成や第２のＲＴＡ処理を行い（ステップＳ９〜Ｓ１１）、強誘電体キャパシタを形成する（ステップＳ１２）。 - 特許庁

RTA is performed in an oxygen-containing atmosphere to form the entire capacitive insulating film 55 into a columnar crystal.例文帳に追加

次に、酸素を含む雰囲気中でＲＴＡを行うことにより、容量絶縁膜５５の全体を柱状晶にする。 - 特許庁

RTA is performed in an oxygen-containing atmosphere to form the entire capacitive insulating film 55 into a columnar crystal.例文帳に追加

続いて、酸素を含む雰囲気中でＲＴＡを行うことにより、容量絶縁膜５５の全体を柱状晶にする。 - 特許庁

The rapid thermal annealing (RTA) process is applied to the light irradiation process of the step (D) for reducing heating time.例文帳に追加

急速熱アニール（ＲＴＡ）プロセスが、加熱時間を短縮するためにステップ（Ｄ）の光照射プロセスに適用される。 - 特許庁

The rapid heating/rapid freezing (RTA) processing may be performed for 1 to 60 seconds in a range of 1,150 to 1,350°C, for example.例文帳に追加

こうした急速加熱・急速冷却（ＲＴＡ）処理は、例えば、１１５０〜１３５０℃の範囲で、１〜６０秒行えばよい。 - 特許庁

Then, the first RTA treatment is conducted to turn nearly all the impurities included in the heavily doped layer 6a for extension into an active state.例文帳に追加

その後、第１のＲＴＡ処理を行なって、高濃度エクステンション拡散層６ａに含まれる不純物をほぼ全て活性な状態とする。 - 特許庁

An estimated time of arrival (ETA) at a target point is calculated, and its difference from a required time of arrival (RTA) at the target is found.例文帳に追加

目標ポイントへの推定到達時刻（ＥＴＡ）を算出し、目標に到達すべき時刻（ＲＴＡ）との差を求める。 - 特許庁

An ISDN terminal RTA 10 connected to a line with an additional service contract is called from TELA without the additional service contract.例文帳に追加

付加サービスを契約していないＴＥＬＡから、付加サービス契約をしている回線に接続されているＩＳＤＮ端末ＲＴＡ１０を発呼する。 - 特許庁

The RTA 10 calls TELA by using a free B channel and a state between TELA and TELB is made to be a speech state.例文帳に追加

ＲＴＡ１０は空いているＢチャネルを使用してＴＥＬＢを発呼し、ＴＥＬＡ，ＴＥＬＢ間を通話状態にする。 - 特許庁

We agreed to enhance communication among regional RTAs/FTAs, as well as increase the capacity of APEC economies to engage in substantive negotiations.例文帳に追加

我々は，域内のRTA/FTA間の意思疎通を促進し，APECエコノミーが実質的な交渉に関与するための能力を向上させることに合意した。 - 経済産業省

This APEC Model Chapter is intended to build best practices for RTA/FTAs in the area of transparency standards.例文帳に追加

本ＡＰＥＣモデル章は，透明性基準の分野におけるＲＴＡ/ＦＴＡのためのベスト・プラクティスを構築することを目指している。 - 経済産業省

These provisions are indicative examples to provide members with useful references in negotiating RTA/FTA chapters.例文帳に追加

これらの規定は，メンバーにＲＴＡ/ＦＴＡを交渉する際の有用な参照を提供するための示唆的例示である。 - 経済産業省

The method comprises a step (a) of providing a gate electrode structure formed on a semiconductor substrate, a step (b) of conducting a short- time annealing (RTA) using a mixed gas of a nitrogen gas and a hydrogen gas on the gate electrode structure, and a step (c) of conducting a short-time thermal oxidation on the gate electrode structure.例文帳に追加

本発明方法は、（ａ）半導体基板上に形成されるゲート電極構造を提供する段階と、（ｂ）該ゲート電極構造に対し窒素ガス及び水素ガスを含む混合ガスを用いる短時間アニ—ル（RTA）を施す段階と、（ｃ）該ゲート電極構造に対し短時間熱酸化を施す段階とからなる。 - 特許庁

By the manufacturing method for the semiconductor device, which form a semiconductor element on a substrate by an RTA method using a lamp, the substrate 1 is subjected to preheating processes 307, 308, and 309 wherein the temperature falls in steps after the heat treatment of the substrate 1 by the RTA method.例文帳に追加

ランプを用いたＲＴＡ法にて基板上に半導体素子を形成する半導体装置の製造方法において、前記ＲＴＡ法による前記基板１の加熱処理後に、段階的に下降する予備加熱３０７、３０８、３０９を前記基板１に施す。 - 特許庁

After first RTA treatment is performed independently in a nitrogen gas or in a mixed gas atmosphere of the nitrogen gas and an inert gas at a temperature ranging from 1,150 to 1,300°C over 1 second, a second RTA treatment is performed in an oxidative gas atmosphere or in an nonoxidative gas atmosphere at a temperature ranging from 700 to 1,100°C for 5 seconds or longer.例文帳に追加

窒素ガス単独あるいは窒素ガスと不活性ガスとの混合ガス雰囲気で１１５０〜１３００℃で１秒以上の第１のＲＴＡ処理を行った後、酸化性ガス雰囲気あるいは非酸化性ガス雰囲気で７００〜１１００℃で５秒以上の第２のＲＴＡ処理を行う。 - 特許庁