「Si oxide interface」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a method of forming a bonding interface between Si having characteristics equal to that attained by hydrophobic bonding by removing an ultra thin interface oxide remaining after hydrophobic wafer bonding between Si.例文帳に追加

Ｓｉ間の親水性ウェハ接合後に残っている極薄の界面酸化物を除去し、疎水性接合で達成されるものに匹敵する特性を有するＳｉ間の接合境界面を形成する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device with MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) whose resistance is low on an interface between a silicide layer and an Si layer, and to provide a method for manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

シリサイド層とＳｉ層との界面における抵抗が低いＭＯＳＦＥＴを備える半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

An intermediate layer 5 sandwiched by an amorphous Si photoelectric converting layer 4 and a microcrystal Si photoelectric converting layer 6 is a double-layer structure of a positive charge holding aluminum oxide layer 5a having a positive fixed charge in the interface of the amorphous Si photoelectric converting layer 4 side and a negative charge holding aluminum oxide layer 5b having a negative fixed charge in the interface of the opposite side microcrystal Si photoelectric converting layer 6 side.例文帳に追加

非晶質Ｓｉ光電変換層４と微結晶Ｓｉ光電変換層６とに挟まれた中間層５は、非晶質Ｓｉ光電変換層４側の界面に正の固定電荷を持った正電荷保持酸化アルミニウム層５ａ、反対側の微結晶Ｓｉ光電変換層６側の界面に負の固定電荷を持った負電荷保持酸化アルミニウム層５ｂとする２層構造とする。 - 特許庁

To provide a gate insulated film which has high specific dielectric const., suppresses gate leakage current to be sufficiently low and forming of a silicon oxide film on a Si substrate interface, and is made of a polycrystalline metal oxide film having a small thickness over the whole of the gate insulated film as converted to a Si oxide film.例文帳に追加

高い比誘電率を有し、ゲートリーク電流を十分低く抑え、また、シリコン基板界面におけるシリコン酸化膜の形成が抑制されてゲート絶縁膜全体としてのシリコン酸化膜換算膜厚が小さい金属酸化物の多結晶膜からなるゲート絶縁膜及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

An isolating oxide film 32 is provided, which is formed so that the interface with an active region 34 extends at an angle of 45°±10° to a cleavage plane of a Si substrate 30.例文帳に追加

活性領域３４との境界面が、シリコン基板３０の劈開面方向に対して４５°±１０°の方向に延在するように形成された分離酸化膜３２を備える。 - 特許庁

The information recording medium has an oxide dielectric layer containing an oxide D1 (D1 is an oxide having at least one element selected from Zr, Hf, Y, In, Al, Ti, Cr and Si) and an oxide D2 (D2 is an oxide having at least one element selected from Sb, Sn, Te and Bi) as a second interface layer 14 and a first interface layer 16.例文帳に追加

酸化物Ｄ１（但し、Ｄ１はＺｒ、Ｈｆ、Ｙ、Ｉｎ、Ａｌ、Ｔｉ、ＣｒおよびＳｉより選ばれる少なくとも一つの元素を有する酸化物）および酸化物Ｄ２（但し、Ｄ２はＳｂ、Ｓｎ、ＴｅおよびＢｉより選ばれる少なくとも一つの元素を有する酸化物）を含む酸化物誘電体層を第２界面層１４および第１界面層１６として備えることを特徴とする情報記録媒体。 - 特許庁

To avoid forming a natural oxide film on an Si surface, avoid forming an oxide film due to the reaction of Si with a gate insulating film, and eliminate the influence of H and suppress appearance of fixed charges or interface level wherein the gate insulation film uses a film of a material having a higher dielectric constant than that of an Si oxide film.例文帳に追加

半導体装置の製造方法に関し、ゲート絶縁膜にシリコン酸化膜と比較して誘電率が高い物質の膜を用いる場合、シリコン表面に自然酸化膜が生成されないように、また、シリコンとゲート絶縁膜の反応に起因する酸化膜が生成されないように、更にまた、水素の影響を排除すると共に固定電荷や界面準位の発生を抑止することを可能にしようとする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a MOSFET (metal oxide semiconductor field effect transistor) in which the fermi level pinning effect does not cause high threshold voltage at interface poly-silicon (Poly-Si)/metal oxide.例文帳に追加

フェルミレベルのピンニングの効果が、ポリシリコン（Ｐｏｌｙ−Ｓｉ）／金属酸化物の界面で高い閾値電圧を招かないＭＯＳＦＥＴ（金属酸化物半導体電界効果トランジスタ）を含む半導体デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

Interface oxide films 5 and 5a, a gate insulating film 6, a metal gate electrode 7 and a polysilicon gate electrode 8 are successively formed on an Si substrate 1 and are patterned, and a silicon oxide film 10 is formed on a side surface, and furthermore, a side wall 17 is formed.例文帳に追加

Ｓｉ基板１上に、界面酸化膜５，５ａ、ゲート絶縁膜６、金属ゲート電極７およびポリシリコンゲート電極８を順次形成してパターニングし、側面にシリコン酸化膜１０を形成し、さらにサイドウォール１７を形成する。 - 特許庁

To provide equipment and a method of depositing a thin film by chemical vapor deposition which enable obtaining a material having high permittivity (High-k) constituted of a metal oxide thin film on an Si substrate without oxidizing the interface with the Si substrate by small-sized equipment and at a low cost.例文帳に追加

Ｓｉ基板上に金属酸化薄膜からなる誘電率の高い材料（High-k）をＳｉ基板との界面を酸化することなく小型で、かつ、コスト安に得ることができる化学気相成長法による薄膜堆積装置および堆積方法を提供すること。 - 特許庁

To improve the characteristic of a leakage current of stored electrode junction by forming a gate on the upper part of an Si epitaxial layer having a level difference to increase the effective length of a gate channel, and by forming an oxide film only on the interface between an Si epitaxial layer of a lower part of a bit line contact and a semiconductor substrate.例文帳に追加

段差のあるＳｉエピタキシャル層の上部にゲートを形成してゲートチャンネルの有効長さを増加させ、ビットラインコンタクトの下部のＳｉエピタキシャル層と半導体基板の界面にのみ酸化膜を形成することにより、格納電極接合の漏洩電流の特性を改善する。 - 特許庁

In the semiconductor device having the junction interface where a first conductive type SiGe and a second conductive type Si or SiGe come in contact with each other, the surface concentration of a germanium oxide (GeO^2, GeO) in a portion where the junction interface is exposed outside is suppressed to 1.0×10^15 molecule/cm^2 or less.例文帳に追加

第１導電型のＳｉＧｅと第２導電型のＳｉ又はＳｉＧｅとが相互接触する接合界面を有する半導体装置において、前記接合界面が表面に露出する部分のゲルマニウム酸化物（ＧｅＯ２，ＧｅＯ）の表面濃度を１．０ｘ１０^１５ｍｏｌｅｃｕｌｅ／ｃｍ^２以下に抑える。 - 特許庁

The silicon nitride(SiN) regions 40 filling the role of the barriers for obstructing the thermal diffusion of substrate impurities of a MOSFET in STI region formed by ion implantation of nitrogen(N) are held by Si substrate 31 near the interface between STI structured buried-in oxide films 34 and the Si substrate 31.例文帳に追加

ＳＴＩ構造の埋め込み酸化膜３４とＳｉ基板３１との界面近傍のＳｉ基板３１中に、窒素（Ｎ）のイオン注入によって形成され、ＭＯＳＦＥＴの基板不純物がＳＴＩ領域中へ熱拡散するのを阻止するためのバリアとして働く窒化シリコン（ＳｉＮ）領域４０を介在させたことを特徴としている。 - 特許庁

However, in this case, Si of high concentration is deposited on the P-clad layer and a P-clad layer interface directly below the oxide film, these layers are turned into N-type, positive holes which flowed into a P-block layer are injected effectively into the active layer, and a semiconductor laser having superior oscillation characteristic can be realized.例文帳に追加

ただし、この場合ｐクラッド層と酸化膜直下のｐクラッド層界面には高濃度のＳｉが析出し、ｎ転しｐブロック層に流れ込んでいた正孔が有効に活性層に注入され、良好な発振特性を有する半導体レーザを実現できる。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a photoelectric transducer, with which deterioration in the film quality of a P layer can be suppressed, by inhibiting the drawing out of hydrogen by P-type impurities in an a-Si film, ensuring excellent interface characteristics with a light-transmitting metallic oxide layer.例文帳に追加

透光性金属酸化物層と良好な界面特性を確保しながら、ａ−Ｓｉ膜中におけるｐ型不純物による水素の引き抜きを抑制してｐ層の膜質低下を抑えることができる光電変換素子の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The semiconductor structure forming method comprises a step of providing an Si substrate 10 having a surface, a step of forming an interface involving an adjacent seed layer 18 on the surface of the Si substrate 10, a step of forming a buffer layer 20 utilizing molecules of O, and a step of forming one or more high permittivity oxide layers 22 on the buffer layer 20 utilizing active O.例文帳に追加

半導体構造を作成する方法は：表面１２を有するシリコン基板１０を設ける段階；シリコン基板１０の表面１２上に隣接するシード層１８を含むインタフェースを形成する段階；分子酸素を利用してバッファ層２０を形成する段階；および活性酸素を利用してバッファ層２０上に１つ以上の高誘電率酸化物層２２を形成する段階；を備える。 - 特許庁

To compensate an oxygen defect in a Ta2O5 film and to minimize the formation of an oxide film at the interface between the Ta2O5 film and an Si substrate during a heat treatment process for crystallizing the Ta2O5 film, and to minimize the diffusion of impurity elements in a channel doped region in a semiconductor device having the Ta2O5 film as a gate insulating film.例文帳に追加

Ｔａ_2 Ｏ_5 膜をゲート絶縁膜として有する半導体装置において、前記Ｔａ_2 Ｏ_5 膜中の酸素欠損を補償し、またこれを結晶化させる熱処理工程の際に前記Ｔａ_2 Ｏ_5 膜とＳｉ基板との界面において生じる酸化膜の形成を最小化し、またチャネルドープ領域中の不純物元素の拡散を最小化する。 - 特許庁