「THIN FILM RESISTOR」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

A thin-film resistor 22a is provided in the base 14 of the tuning fork type piezoelectric vibrating chip 10.例文帳に追加

このような音叉型圧電振動片１０の基部１４に薄膜抵抗２２ａを設けている。 - 特許庁

To prevent troubles in laser adjustment with respect to a dielectric stack containing a thin-film resistor.例文帳に追加

薄膜抵抗を含む誘電体スタックに対するレーザ調整のトラブル防止。 - 特許庁

The thin resistor film 5 is connected to two separated electrode wirings (3A and 3B).例文帳に追加

互いに離間する２つの電極配線（３Ａ,３Ｂ）に、抵抗体薄膜５を接続させている。 - 特許庁

Furthermore, an equalizer with a different hybrid structure is composed of a thin-film resistor and a mounted capacitor.例文帳に追加

また異なったハイブリッド構造のイコライザは、薄膜抵抗と実装されたコンデンサからなる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for high resistance, in a DIP metal thin-film resistor.例文帳に追加

ＤＩＰ型金属薄膜抵抗器において、高抵抗を得るための作製法を提供する。 - 特許庁

IMPROVEMENT OF LASER TRIMMING CHARACTERISTICS OF THIN FILM RESISTOR USING REFRACTING OR NON-REFLECTING BARRIER LAYER例文帳に追加

バリア屈折層または非反射層を用いた薄膜抵抗のレーザトリム特性の改良 - 特許庁

The heater 4 is a thin NiCr film resistor and disposed above the insulation layer 150.例文帳に追加

ヒータ４はＮｉＣｒ等の薄膜抵抗体であり、絶縁膜１５０の上部に配置されている。 - 特許庁

To provide a forming method of a thin-film resistor having a predetermined resistance value without imposing damage on a substrate.例文帳に追加

基板にダメージを与えないで所要の抵抗値を有する薄膜抵抗の形成方法を提供する。 - 特許庁

At the base 14, a hole 24 is provided to a part opposite to the thin-film resistor 22a.例文帳に追加

そして基部１４には、薄膜抵抗２２ａに対向した部分に孔部２４を設けてある。 - 特許庁

THIN FILM RESISTOR, ITS MANUFACTURING METHOD AND SPUTTERING TARGET FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

薄膜抵抗体、薄膜抵抗体の製造方法および薄膜抵抗体製造用スパッタリングターゲット - 特許庁

In addition, if polysilicon is used in the thin film resistors, fluctuation in the resistance values is suppressed and temperature dependence of the resistance value is eliminated by making a film thickness of the polysilicon thin film resistor thin, and making an impurity introduced into the polysilicon thin film resistor p-type.例文帳に追加

および、薄膜抵抗体にポリシリコンを用いる場合、ポリシリコン薄膜抵抗体の膜厚を薄くし、ポリシリコン薄膜抵抗体に導入した不純物をＰ型にしたことにより抵抗値バラツキを抑え、かつ抵抗値の温度依存性をなくしたことを特徴とする。 - 特許庁

To prevent a TiW film which is formed as the barrier metal between a thin film resistor and an electrode film from coming off on the portion of an insulating film.例文帳に追加

薄膜抵抗体と電極膜とのバリアメタルとしてのＴｉＷ膜が絶縁膜上の部分で剥がれないようにする。 - 特許庁

The self oxidation film is formed at a surface layer part of the Ta-Si-O ternary alloy thin film resistor of the heater 26, whereby the corrosion of the Ta-Si-O system thin film resistor by the ink is effectively prevented.例文帳に追加

またヒータ２６のＴａ−Ｓｉ−Ｏ三元合金薄膜抵抗体には表層部に自己酸化被膜が形成されており、これにより、インクによるＴａ−Ｓｉ−Ｏ系薄膜抵抗体の腐蝕が効果的に防止される。 - 特許庁

A resistive element (1) includes: a metal thin film resistor (4) formed on a semiconductor substrate (2) by interposing an insulating film (3); and a conductive member (5) covering a part of a surface of the metal thin film resistor (4).例文帳に追加

絶縁膜（３）を介して半導体基板（２）の上に形成された金属薄膜抵抗（４）と、金属薄膜抵抗（４）の表面の一部を覆う導電部材（５）とを具備する抵抗素子（１）を構成する。 - 特許庁

The gas sensor is constituted by providing a gas detecting material film on one side of an electric insulating substrate having a resistor thin film formed thereon and the thickness of the resistor thin film is 50 nm-10 μm.例文帳に追加

ガスセンサは、抵抗体薄膜が形成された電気絶縁性基板の一方の面に、ガス検出材料膜を備えるガスセンサであって、抵抗体薄膜の膜厚が、５０ｎｍ〜１０μｍの範囲内にある。 - 特許庁

In the thin composite element 10, a thin film thermistor 12, a thin film resistor 16, and a thin film capacitor 21 are spaced apart from each other and formed on an insulating substrate 11.例文帳に追加

薄型複合素子１０は絶縁基板１１上に薄膜サーミスタ１２と薄膜抵抗１６と薄膜コンデンサ２１とが互いに離間して形成される。 - 特許庁

The fillet-less chip resistor is composed of a tantalum nitride thin film resistor 21 arranged on the top surface of an angular insulating board 12, thin film electrodes 22 of copper arranged on each side of the resistor 21, a protective film 23 which covers the major part of the resistor 21 and is formed of an inorganic material, and plating electrodes 24 formed on the thin film electrodes 22.例文帳に追加

角型絶縁基板１２の上面に配置された窒化タンタル薄膜からなる抵抗体２１と、該抵抗体の両端部に配置された銅からなる薄膜電極２２と、抵抗体の主要部を被覆する無機材料からなる保護膜２３と、薄膜電極上に形成されためっき電極２４とからなる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device with which residual film thickness of an interlayer insulating film on a thin-film resistor can be controlled accurately.例文帳に追加

薄膜抵抗体上の層間絶縁膜残存膜厚を精度良く制御できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A thin-film resistor 20 is formed on a thermal oxide film 11 as the insulating film to be evaluated in a process shown in Fig.(b).例文帳に追加

図２（ｂ）に示す工程において、評価対象とする絶縁膜である熱酸化膜１１上に薄膜抵抗体２０を形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a printed wiring board, by which variation in surface resistance of a resistor thin film formed so as to suppress unwanted noise is suppressed, and adhesion between the resistor thin film and other adjoining layers is made excellent.例文帳に追加

不要なノイズを抑制するために形成された抵抗体薄膜の表面抵抗のバラツキが抑えられ、抵抗体薄膜とこれに隣接する他の層との間の密着性が良好なプリント配線板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a thin film resistor (TFR) structure having a comparatively low resistance associated with the electrical interface layers and also to provide a method of fabricating the thin film resistor (TFR) structure.例文帳に追加

電気的界面層に伴われる抵抗が比較的低い薄膜抵抗体（ＴＦＲ）構造体及びＴＦＲ構造体を製造する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of forming a thin-film resistor in a printed board in which the thin-film resistor, in which size and thickness are controlled with high accuracy, can be formed.例文帳に追加

寸法や厚さが高精度にコントロールされた薄膜抵抗体を形成することができるプリント基板における薄膜抵抗体の形成方法を提供する。 - 特許庁

With the case main body 40 positioned directly below the thin-film resistor 71 provided with a hollowed part 42, the thin-film resistor 71 is prevented from causing a floating capacity as much as possible.例文帳に追加

また、薄膜抵抗７１の直下に位置するケース本体４０にはくり抜き部４２が形成されて、薄膜抵抗７１に浮遊容量が生じることが極力防止されている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device, capable of forming a thin-film resistor having a small TCR (temperature coefficient of resistance) value and formed of a TaN film ensuring a practically necessary film thickness while preventing TaN film damage in forming a wiring of the resistor.例文帳に追加

ＴＣＲ値が小さく、実用上必要な膜厚を確保できるＴａＮ膜からなる薄膜抵抗体を、その配線形成時のＴａＮ膜の損傷を防止して形成できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a resistor of high reliability, in which a thin-film resistor is not oxidized even when the resistor is used in an atmosphere of high temperature and high humidity or of corrosive gas like sulfur component, and moisture, gas, etc., permeate into the inside from a protective film, and a manufacturing method of the resistor.例文帳に追加

高温高湿または硫黄分などの腐食性のガスを含む雰囲気中で用いた際に、湿気やガス等が保護膜より内部に侵入したとしても、薄膜抵抗体を酸化させることがない信頼性の高い抵抗器およびその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a novel structure of a metal resistor which can prevent a bad electrical contact between the metal resistor and an interconnection metal in a thin-film metal resistor, and also to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

薄膜金属抵抗における、金属抵抗と配線金属との電気的接触不良を回避できる金属抵抗の新たな構造およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a platinum thin-film resistor, whose platinum thin film can be improved in temperature coefficient of resistance by high-temperature annealing, without deteriorating the platinum thin-film in adhesion to a board.例文帳に追加

基板に対する白金薄膜の密着性を低下させることなく、高温アニールによる白金薄膜の抵抗温度係数向上の可能な白金薄膜抵抗体の製造方法を提供する。 - 特許庁

Successively, a CrSi thin film (metallic thin film) 37 for metallic thin film resistor is formed continuously without breaking the vacuum after the Ar sputter etching is completed.例文帳に追加

続けて、Ａｒスパッタエッチング完了後に真空を破らずに連続して金属薄膜抵抗体用のＣｒＳｉ薄膜（金属薄膜）３７を形成する。 - 特許庁

To provide a simple method capable of manufacturing a metal thin film resister having a thin film thickness without decreasing an integration of a semiconductor device in the method for manufacturing a semiconductor device mounting a metal thin film resistor.例文帳に追加

金属薄膜抵抗体を搭載した半導体装置の製造方法において、簡便で、半導体装置の集積度を低下させることなく、かつ膜厚が薄い金属薄膜抵抗体を製造可能な製造方法を提供する。 - 特許庁

The thin film resistor 32 is a thin film in which metallic particles 36 having a mean particle size of 1-10 nm are dispersed and mixed in the insulating thin film 34.例文帳に追加

薄膜抵抗体３２は、絶縁性薄膜３４に、平均粒径が１〜１０nmの金属粒子３６が分散して混入している薄膜であることを特徴としている。 - 特許庁

An electronic circuit component is formed on a semiconductor substrate 11, and a thin film resistor 14 is formed on a USG film 13 on the surface of the component.例文帳に追加

半導体基板１１に電子回路を構成する素子を形成し、その表面上のＵＳＧ膜１３上に薄膜抵抗体１４を形成する。 - 特許庁

In one example, the thin-film circuit is film deposited onto the board, and one electrode plate of a capacitor constitutes a resistor.例文帳に追加

一例においては薄膜回路が基板上に着膜され、コンデンサのひとつの電極板が抵抗体を構成する。 - 特許庁

The heating element is a film heater 69 which is a thin plate-shaped electric resistor 111 covered by an insulated film 113 made of a polyimide resin.例文帳に追加

前記発熱体は、薄板状の電気抵抗体１１１をポリイミド樹脂の絶縁被膜１１３で被覆したフィルムヒータ６９である。 - 特許庁

The thin resistor film 5 is electrically connected to each of the two electrode wirings via a sidewall conductor film 3s.例文帳に追加

抵抗体薄膜５は、２つの電極配線の各々に対して、側壁導電膜３ｓを介して電気的に接続している。 - 特許庁

The metal plate resistor for current detection for use in this method comprises a metal plate resistor 1, a metal thin film layer 3 integrated with one face thereof with material different from the metal plate resistor 1, and connection terminals 5a, 5b connected integrally with the metal plate resistor 1 with a spacing in a plate face direction.例文帳に追加

金属板抵抗体１と、その一方の面に、金属板抵抗体１とは異なる材質で一体に設けた金属薄膜層３と、金属板抵抗体１にその板面方向に間隔をあけて一体に接続した接続端子５ａ，５ｂとを備えた電流検出用金属板抵抗器を用いる。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for manufacturing a thin film for obtaining the consistent resistance and film thickness of less variance in performing film deposition of a resistor, a metal thin film or the like.例文帳に追加

抵抗体、金属薄膜等の成膜において、ばらつきが少なく安定した抵抗値、膜厚を売るための製造方法およびその装置を提供する。 - 特許庁

To provide a laminate suitable for a thin film sensor because of its high sensitivity and its temperature-sensitive resistor that is hard to be peeled off; a thin film sensor (for example, a temperature sensor) consisting of the laminate; and a thin film sensor module (for example, a temperature sensor module) comprising the thin film sensor.例文帳に追加

高感度であり、かつ感温抵抗体が剥がれ難い、薄膜センサとして好適な積層体、該積層体からなる薄膜センサ（たとえば、温度センサ）、および該薄膜センサを有する薄膜センサモジュール（たとえば、温度センサモジュール）を提供すること。 - 特許庁

The resistor modular substrate 10 comprises a plurality of independent DC resistor chips 11 formed of a thin film resistor 13 wherein the DC resistor chips 11 are formed within the pattern pitch of a bus wiring 20 on a wiring circuit board for mounting the DC resistor chips 11 and flip-chip electrode terminals 14 are provided at the opposite ends of the DC resistor chips 11.例文帳に追加

薄膜の抵抗体１３で形成され互いに独立した複数個の直流抵抗チップ１１からなる抵抗モジュール基板１０であって、直流抵抗チップ１１は実装する配線回路基板のバス配線２０パターンピッチの範囲内で形成され、直流抵抗チップ１１の両端には、フリップチップ電極端子１４を有している。 - 特許庁

In a method for manufacturing a thin-film resistor 13a, the refractive index or absorption coefficient of a thin metallic film 13 formed on a wafer 10 is detected, and the temperature characteristic of the resistance value of the resistor 13a constituted of the film 13 is detected based on the refractive index or absorption coefficient.例文帳に追加

ウェハ１０上に形成された金属薄膜１３の屈折率又は吸収係数を検出し、該屈折率又は吸収係数に基づいて金属薄膜１３で構成される薄膜抵抗体１３ａの抵抗値温度特性を検出する。 - 特許庁

To use as a heating element, a Ta-Si-O ternary alloy thin film resistor which has a self oxidation film good in the energy transmission efficiency to ink and resistant to corrosion, and to prevent a life reduction of a Ta-Si-O system thin film resistor because of cavitation.例文帳に追加

発熱体としてインクへのエネルギ伝達効率が良く腐食に強い自己酸化被膜を有するＴａ−Ｓｉ−Ｏ三元合金薄膜抵抗体を用いると共に、キャビテーションによるＴａ−Ｓｉ−Ｏ系薄膜抵抗体の寿命低下を防止する。 - 特許庁

Of an TEOS/SOG/TEOS film 3 underlying the thin film resistor 4, a step 3c is formed between the surface of a region 3a underlying the resistor 4 and the surface of the surrounding region 3b of the region 3a.例文帳に追加

薄膜抵抗４の下のＴＥＯＳ／ＳＯＧ／ＴＥＯＳ膜３のうち、薄膜抵抗４の下側に位置する領域３ａの表面と、その周りの領域３ｂの表面との間に段差３ｃを形成する。 - 特許庁

A plurality of resistor units are provided near a side edge of an electroconductive thin film, the respective resistor units are made to have appropriate intervals to form signal conduction channels, the resistor units and the signal conduction channels are disposed such that they intertwine with each other, and a silver line is connected to the surface of the electroconductive thin film side edge outside the signal conduction channels and the resistor units.例文帳に追加

導電薄膜の辺縁付近に複数の抵抗ユニットを設け、各抵抗ユニット間に適宜間隔を具備させて信号伝導チャネルを形成し、これら抵抗ユニットと信号伝導チャネルを相互に交錯するように配置し、並びに銀線路をこれら抵抗ユニットと信号伝導チャネルの外側の導電薄膜辺縁表面に接続する。 - 特許庁

The residual film thickness 33 of the interlayer insulating film on the thin-film resistor 5 is identical with the residual film thickness 35 of the interlayer insulating film in the opening 21 for film-thickness monitoring.例文帳に追加

薄膜抵抗体５上の層間絶縁膜残存膜厚３３と膜厚モニタ用開口部１９の層間絶縁膜残存膜厚３５は同じである。 - 特許庁

To improve the trouble without decreasing a durability that is caused by swelling a part of a protecting film 8 from a thick film heating resistor 7 in a thermal printing head in which the heating resistor 7, thin film electrode patterns 4 and 6 for energization to the heating resistor and the protecting film 8 for covering these heating resistor and electrode patterns are formed to a surface of a head substrate 1.例文帳に追加

ヘッド基板１の表面に、厚膜の発熱抵抗体７と、この発熱抵抗体に対する通電用の薄膜の電極パターン４，６と、これら発熱抵抗体及び電極パターンを覆う保護膜８とを形成して成るサーマルプリントヘッドにおいて、前記保護膜８のうち前記発熱抵抗体７の部分から盛り上がることに起因する不具合を、耐久性の低下を招来することなく、改善する。 - 特許庁

The resistor metal thin film 20 is in contact only with part of the electrode metals 12 to provide a significant resistance value between the electrode metals.例文帳に追加

抵抗金属薄膜２０は、電極金属１２の一部とのみ接触して、この電極金属間に有意抵抗値を提供する。 - 特許庁