「Z (film)」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

As an insulating film used for the TFT, for example, a gate insulating film, a protecting film, an under film, an interlayer insulating film, or the like, a silicon nitride oxide film (SiN_XB_YO_Z) containing boron is formed by a sputtering method.例文帳に追加

ＴＦＴに利用する絶縁膜、例えばゲート絶縁膜、保護膜、下地膜、層間絶縁膜等として、ボロンを含む窒化酸化珪素膜（ＳｉＮ_X Ｂ_Y Ｏ_Z ）をスパッタ法で形成する。 - 特許庁

The insulation film forming process is a process of periodically arranging insulation films 22 on a -Z surface of a ferroelectric crystal substrate 20.例文帳に追加

絶縁膜形成工程は、強誘電体結晶基板20の-Z面に絶縁膜22を周期的に配置させて形成する工程である。 - 特許庁

The positive electrode active material film 40 is composed of a lithium complex oxide of Li_xM_yPO_4-zN_z in an amorphous state.例文帳に追加

正極活物質膜４０は、アモルファス状態のＬｉ_xＭ_yＰＯ_4-zＮ_zリチウム複合酸化物で構成される。 - 特許庁

Favorably, the barrier layer includes an oxynitride film having a composition formula of Si_xN_yO_z, wherein the ratio of x:y:z is 1:1:0.1-0.7.例文帳に追加

好ましくは、バリア層は、組成式Ｓｉ_ｘＮ_ｙＯ_Ｚの酸窒化膜を含有し、ｘ：ｙ：ｚ＝１：１：０．１〜０．７である。 - 特許庁

The capacitance film 142 is constituted of a metal compound film having a composition expressed by MO_xC_yN_z, where x, y, and z satisfy 0<x, 0.1≤y≤1.25, 0.01≤z, and x+y+z=2, and M contains Hf and/or Zr.例文帳に追加

容量膜１４２を、式ＭＯ_ｘＣ_ｙＮ_ｚ（但し、ｘ、ｙ、ｚは、０＜ｘ、０．１≦ｙ≦１．２５、０．０１≦ｚ、ｘ＋ｙ＋ｚ＝２を満たす。Ｍは、少なくともＨｆまたはＺｒを含む。）で表される組成を有する金属化合物膜により構成する。 - 特許庁

The film forming device includes grounding plates, which are arranged at the section where the drum 30 contacts to the substrate Z and/or the section where the substrate Z is stripped from the drum 30, face to the drum 30 at the outside of the drum in the width direction of the substrate Z, have many through-holes, and are conductive and grounded.例文帳に追加

ドラム３０と基板Ｚとの接触位置および／またはドラムから基板の剥離位置に、基板の幅方向の外側にドラムに対面して、多数の貫通孔を有し、かつ、導電性で接地されるアース板を配置する。 - 特許庁

The precursor for film deposition is obtained by dissolving ruthenium tetroxide into fluorine-containing ether expressed by the general formula: C_xH_yF_zO (wherein, x, y, z have the relations of 2x+2=y+z, x=2 to 15, and z>y).例文帳に追加

一般式Ｃ_xＨ_yＦ_zＯ（ただし、ｘ、ｙ、ｚは２ｘ＋２＝ｙ＋ｚ、ｘ＝２〜１５、ｚ＞ｙの関係を有する）にて表されるフッ素含有エーテルに四酸化ルテニウムを溶解した成膜用前駆体。 - 特許庁

The dielectric film 3 contains Pb(Zr_xTi_yM_z)O_3 as a main component, where M is at least one selected from Nb, Ta and V, and a formula x+y+z=1 is satisfied.例文帳に追加

誘電体膜３が、Ｐｂ（Ｚｒ_xＴｉ_yＭ_z）Ｏ_3（ただし、ＭはＮｂ、Ｔａ、Ｖから選択された少なくとも一種であり、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）を主成分としている。 - 特許庁

The preferred film is expressed by a chemical formula Si_vO_wC_xH_yF_z wherein v+w+x+y+z=100%, v=10-35 atom%, w=10-65 atom%, x=1-30 atom%, y=10-50 atom% and z=0.1-15 atom% without substantial binding between fluorine and carbon.例文帳に追加

好ましい膜は化学式Ｓｉ_vＯ_wＣ_xＨ_yＦ_zによって表され、式中、ｖ＋ｗ＋ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００％、ｖが１０〜３５原子％、ｗが１０〜６５原子％、ｙが１０〜５０原子％、ｘが１〜３０原子％、及びｚが０．１〜１５原子％であり、実質的にフッ素が炭素に結合されていない。 - 特許庁

A preferred film is expressed by the formula Si_vO_wC_xH_yF_z (v+ w+x+y+z=100%, v stands for 10-35 atom.%, w for 10-65 atom.%, y for 10-50 atom.%, x for 2-30 atom.%, and z for 0.1-15 atom.%), and fluorine is not bonded to carbon.例文帳に追加

好適な膜は式Ｓｉ_vＯ_wＣ_xＨ_yＦ_z（ｖ＋ｗ＋ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００％、ｖは１０〜３５原子％、ｗは１０〜６５原子％、ｙは１０〜５０原子％、ｘは２〜３０原子％、およびｚは０．１〜１５原子％）で表わされ、実質的にフッ素は炭素に結合されていない。 - 特許庁

A suitable film is expressed by a formula of Si_vO_wC_xH_yF_z (v + w + x + y + z = 100%, v is 10 to 35 atom %, w is 10 to 65 atom %, y is 10 to 50 atom %, x is 2 to 30 atom %, and z is 0.1 to 15 atom %), and fluorine is substantially not bonded to carbon.例文帳に追加

好適な膜は式Ｓｉ_vＯ_wＣ_xＨ_yＦ_z（ｖ＋ｗ＋ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００％、ｖは１０〜３５原子％、ｗは１０〜６５原子％、ｙは１０〜５０原子％、ｘは２〜３０原子％、およびｚは０．１〜１５原子％）で表わされ、実質的にフッ素は炭素に結合されていない。 - 特許庁

Then a fifth film 115 having a first film thickness T1 is formed on the exposed first film in the sparse part R1 and a fifth film 115 having a second film thickness T2 thinner than the film thickness T1 is formed on the remained second film in the dense part R2 by using C_XF_YH_Z gas.例文帳に追加

その後Ｃ_XＦ_YＨ_Zガスを使用して、第５の膜１１５を、疎部Ｒ１内に露出した前記第１の膜上に第１の膜厚Ｔ１で形成し、密部Ｒ２内に残存する前記第２の膜上には膜厚Ｔ１よりも薄い第２の膜厚Ｔ２で形成する。 - 特許庁

MOVABLE COIL TYPE Z-AXIS LINEAR MOTOR, LINEAR MOTOR DRIVING STAGE, AND DEVICE FOR MANUFACTURING FUNCTIONAL FILM例文帳に追加

可動コイル型Ｚ軸リニアモータ、リニアモータ駆動ステージ及び機能性薄膜用製造装置 - 特許庁

The film-thickness-correcting plate 8 and 9 have a shape different from each other, and are installed together in a Z-axis direction.例文帳に追加

膜厚補正板８，９は、その形状が互いに異なっており、Ｚ軸方向に並設されている。 - 特許庁

First heat treatment is performed and a barrier film 5 formed of Mn_xSi_yO_z (x, y and z: number larger than zero) is formed on a boundary of the alloy film 3 and the insulating film 1.例文帳に追加

その後、１回目の熱処理が行われて、合金膜３と絶縁膜１との界面に、Ｍｎ_ｘＳｉ_ｙＯ_ｚ（ｘ，ｙ，ｚ：零よりも大きい数）からなるバリア膜５が形成される。 - 特許庁

In this configuration, the electrode film 35 satisfies the condition of δ/z≥1,000 (z: the thickness of the electrode film 35, δ: the skin depth of the electrode film 35 relative to a high-frequency power supplied from a high-frequency power supply 61a).例文帳に追加

ここで、電極膜３５はδ／ｚ≧１，０００（ｚ；電極膜３５の厚さ、δ：高周波電源６１ａから供給される高周波電力に対する電極膜３５のスキンデプス）の条件を満たしている。 - 特許庁

In some embodiments, a hardmask film includes a high-hardness boron-containing film selected from the group consisting of Si_xB_yC_z, Si_xB_yN_z, Si_xB_yC_zN_w, B_xC_y and B_xN_y.例文帳に追加

ハードマスク膜は、Ｓｉ_ｘＢ_ｙＣ_ｚ、Ｓｉ_ｘＢ_ｙＮ_ｚ、Ｓｉ_ｘＢ_ｙＣ_ｚＮ_ｗ、Ｂ_ｘＣ_ｙ、およびＢ_ｘＮ_ｙから成る群から選択される高硬度のホウ素含有膜を含む。 - 特許庁

In the insulating film forming step, an insulating film 20 (24) formed on a first main surface of the Z-surface of a ferroelectric crystal substrate is formed so that stripe-like openings 22 (26) are arranged periodically.例文帳に追加

絶縁膜形成工程において、強誘電体結晶基板Z面の第1主表面に形成される絶縁膜20(24)は、ストライプ状の開口部22(26)が周期的に並べて形成されている。 - 特許庁

The thin-film-forming apparatus 1 projects the measurement light and receives the reflection light to and from each different direction with respect to the rotation axis of Z to Z', and accordingly can measure the film thickness with high accuracy without being affected by the interference of the lights.例文帳に追加

測定光と反射光が回転軸線Ｚ−Ｚ'の異なる方向から投受光されているので、光の干渉などの影響を受けずに高い精度で膜厚を測定することができる。 - 特許庁

X, y and z are determined so as to satisfy the following expression (1), where the optical film thicknesses of the first high refractive index layer and the second high refractive index layer are respectively represented by x and y, and the geometric film thickness of the metal layer is represented by z.例文帳に追加

第１の高屈折率層および第２の高屈折率層の光学膜厚をそれぞれｘ，ｙとし、金属層の幾何膜厚をｚとしたときに、ｘ，ｙおよびｚが、下記の式（１）を満たすようにｘ，ｙおよびｚを決定する。 - 特許庁

The resin film 60 is attached on a +Z side of a polygon mirror 12a, and the diameter of the resin film 60 is larger than the diameter of a circumscribed circle of the polygon mirror.例文帳に追加

樹脂フィルム６０は、ポリゴンミラー１２ａの＋Ｚ側に取り付けられ、その直径は、該ポリゴンミラーの外接円の直径より大きい。 - 特許庁

The film supporting surface 15 is cut at a part corresponding to the positional information writing area Z of the slit film 5.例文帳に追加

フィルム支持面１５は、スリットフィルム５の位置情報書込み領域Ｚに対応する部位を欠除しておく。 - 特許庁

In the forming process of the wear resisting film C, a screen printing machine 40 is used for the application of a film material Z.例文帳に追加

この耐摩耗性皮膜Ｃの形成工程において皮膜材料Ｚの塗布には、スクリーン印刷装置４０が用いられている。 - 特許庁

The exchanged bond film comprises an antiferromagnetic film having a composition shown by Pt100-zMnz (where, 40<z≤75) and a crystal structure of tetragonal system, and a ferromagnetic film of an FeCo alloy laid on the antiferromagnetic film.例文帳に追加

組成がＰｔ_100-zＭｎ_z（ここで、ｚは、４０＜ｚ≦７５）で表され、かつ結晶構造が正方晶系である反強磁性膜と、前記反強磁性膜と積層形成されたＦｅＣｏ合金からなる強磁性膜とを備えることを特徴とする交換結合膜。 - 特許庁

As an insulating film used for the TFT, for example, a gate insulating film, a protecting film, an under film, an interlayer insulating film, or the like, a silicon nitride oxide film (SiN_XB_YO_Z) containing boron is formed by a sputtering method.例文帳に追加

ＴＦＴに利用する絶縁膜、例えばゲート絶縁膜、保護膜、下地膜、層間絶縁膜等として、ボロンを含む窒化酸化珪素膜（ＳｉＮ_Ｘ Ｂ_Ｙ Ｏ_Ｚ ）をスパッタ法で形成する。 - 特許庁

A porous organosilica glass film represented by the formula Si_vO_wC_xH_yF_z is manufactured in which v+w+x+y+z=100%, v is from 10 to 35 atom%, w is from 10 to 65 atom%, x is from 5 to 30 atom%, y is from 10 to 50 atom% and z is from 0 to 15 atom%.例文帳に追加

式Ｓｉ_ｖＯ_ｗＣ_ｘＨ_ｙＦ_ｚ（ここで、ｖ＋ｗ＋ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００％、ｖは１０〜３５原子％、ｗは１０〜６５原子％、ｘは５〜３０原子％、ｙは１０〜５０原子％、及びｚは０〜１５原子％）で表わされる多孔質有機シリカガラス膜を製造する。 - 特許庁

The protection film 13 covering the semiconductor substrate 10 from one side of a thickness direction Z of the semiconductor substrate 10 is formed on one surface in the thickness direction Z of the semiconductor wafer 1.例文帳に追加

半導体ウエハ１の厚み方向Ｚの一表面部には、半導体基板１０の厚み方向Ｚの一方から半導体基板１０を覆う保護膜１３が形成される。 - 特許庁

A wavelength converting element includes MgO:LiNbO_3 (PPMgLN) having a periodic polarization inversion structure, and the PPMgLN has a +Z surface and a -Z surface covered with a Cr thin film 50c.例文帳に追加

波長変換素子は、周期的な分極反転構造を有するＭｇＯ：ＬｉＮｂＯ_３（ＰＰＭｇＬＮ）を含み、該ＰＰＭｇＬＮは、＋Ｚ面及び−Ｚ面がＣｒ薄膜５０ｃで覆われている。 - 特許庁

Plasma etching for an organic and inorganic hybrid film 104, which is indicated as SiCxHyO2 (x>0, y≥0 and z>0) is made using an etching gas.例文帳に追加

ＳｉＣ_xＨ_yＯ_z （ｘ＞０、ｙ≧０、ｚ＞０）で表される有機無機ハイブリッド膜１０４を、フッ素、炭素及び窒素を含むエッチングガスを用いてプラズマエッチングする。 - 特許庁

A separator for a high-temperature preservation characteristics storage device has a diffusion coefficient D(Z) in a film thickness direction determined by a magnetic gradient NMR method where the coefficient satisfies the relation: D(Z)≥αT+β, where α=-2.5×10^-12,例文帳に追加

磁場勾配ＮＭＲ法によって測定された膜厚み方向の拡散係数Ｄ（Ｚ）が、Ｄ（Ｚ）≧αＴ＋βを満たす高温保存特性蓄電デバイス用セパレータ。 - 特許庁

When a bend occurs in the first area (Ar(1)), a film in a peripheral zone (Z) around the cut line (9) is subjected to tension, and occurrence of any bend at the cut line (9) can be suppressed.例文帳に追加

第１領域(Ar(1))に屈曲が生じると、カットライン(9)の周囲の周辺ゾーン(Z)のフィルムに張りが出るためカットライン(9)で屈曲が生じるのを抑制することができる。 - 特許庁

The semiconductor layer employs a group III-V semiconductor compound represented in a general form Al_xGa_yIn_zN (0≤x<1, 0<y<1, 0<z<1, x+y+z=1) as its main constituent and its film formation takes place through laser assist metal-organic vapor phase growth.例文帳に追加

本発明の半導体層は、一般式Ａｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_ｚＮ（式中、０≦ｘ＜１，０＜ｙ＜１，０＜ｚ＜１，ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で表されるIII−Ｖ族半導体化合物を主成分とし、レーザアシスト有機金属気相成長法により成膜されたものである。 - 特許庁

To provide a method for efficiently producing a retardation film having the relationship of n_x>n_z>n_y, while easily regulating in-plane and thickness-direction retardation values.例文帳に追加

ｎ_x＞ｎ_z＞ｎ_yの関係を有する位相差フィルムの、面内と厚み方向の位相差値の調節が容易で、効率のよい製造方法を提供すること。 - 特許庁

Each of the reinforcing lines 17 and 18 is formed in a curve that bends on opposite sides with its center line between them, crosses the vertical center line Z-Z of the corresponding side-wall film 11, and extends at least to the middle of it.例文帳に追加

補強線１７，１８は、各中心線を挟んで相異なる側に湾曲する曲線状に形成されており、各側壁フィルム１１の縦方向中心線Ｚ−Ｚと交差して少なくともその中央部分まで延長している。 - 特許庁

The moisture permeable layer is desirably composed of a film of which the infrared reflectivity is 20% or more, and the coefficient of moisture absorption due to JIS Z 0208 is 40 g/m2 24H or more.例文帳に追加

透湿層としては、赤外線反射率が２０％以上で、JIS Z 0208 による透湿度で４０ｇ／ｍ^２ ・２４Ｈ以上の被膜であることが望ましい。 - 特許庁

The main component of the dielectric film 3 is Pb(Zr_xTi_yM_z )O_3 (M is at least one kind selected from Nb, Ta and V, and x+y+z=1).例文帳に追加

誘電体膜３が、Ｐｂ（Ｚｒ_ｘＴｉ_ｙＭ_ｚ）Ｏ_３（ただし、ＭはＮｂ、Ｔａ、Ｖから選択された少なくとも一種であり、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）を主成分としている。 - 特許庁

That is, the anticorrosion film patterns 31 to 33 are deviatedly formed by a width d in the -X axis direction so that the end positions of the anticorrosion film patterns 31 to 33 formed to the principal surface 21 at the +Z axis side are dissident from the end positions of anticorrosion film patterns 34 to 36 formed to the principal surface 22 of the -Z axis.例文帳に追加

つまり＋Ｚ軸側主表面２１の耐食膜パターン３１、３２、３３の端部位置が、−Ｚ軸側主表面２２の耐食膜パターン３４、３５、３６の端部位置と一致しないように、−Ｘ軸方向へ幅ｄだけずらして形成してある。 - 特許庁

To provide a coating film for optical compensation which has a characteristic of [(n_x+n_y)/2-n_z]×d<0 without the need for a complicated film forming process, and also to provide an optical element which has the characteristic without the labor and time for sticking a film or the like.例文帳に追加

煩雑なフィルム化工程を必要とせずに〔（ｎ_x＋ｎ_y）／２−ｎ_z〕×ｄ＜０の特性をもつ光学補償用塗工膜を提供し、フィルム貼り付け等の手間を必要とせずにその特性を有する光学素子を提供することである。 - 特許庁

A Z-axis sensor is constituted of four GMR elements 4i-4l formed on bevels of a plurality of grooves formed by etching a part of the thick film.例文帳に追加

Ｚ軸センサは、厚膜の一部をエッチングして形成した複数の溝の斜面に形成した４個のＧＭＲ素子４ｉ〜４ｌで構成する。 - 特許庁

A Z-axis sensor is constituted of GMR elements 4i-4l formed on bevels of a plurality of grooves formed by etching a part of the thick film.例文帳に追加

Ｚ軸センサは、厚膜の一部をエッチングして形成した複数の並列した溝の斜面に形成したＧＭＲ素子４ｉ〜４ｌで構成する。 - 特許庁

Internal electrodes 21-24 are in an X-Y plane in which a film surface is orthogonal to the thickness direction Z of a dielectric base 1.例文帳に追加

内部電極２１〜２４は、膜面が誘電体基体１の厚さ方向Ｚと直交するＸＹ平面にある。 - 特許庁

Consequently, as shown by the dotted arrows in a semiconductor thick film 7, the electric flux lines are distorted and the sensitive areas can be calculated as (a+b)×(y+z) from the beginning.例文帳に追加

したがって、半導体厚膜７中に点線矢印で示すように電気力線が歪み、有感面積は最初から（ａ＋ｂ）×（ｙ＋ｚ）となる。 - 特許庁

LINEAR MOTOR DRIVING STAGE, MANUFACTURING APPARATUS FOR FUNCTIONAL THIN FILM USING IT AND Z-AXIS LINEAR MOTOR例文帳に追加

リニアモータ駆動ステージ及びそれを用いた機能性薄膜用製造装置、並びにＺ軸リニアモータ - 特許庁

In the laminate film, a second resin layer (Z) is piled up on at least one surface of a first resin layer (X).例文帳に追加

第１の樹脂層（Ｘ）の少なくとも片面に第２の樹脂層（Ｚ）が積層された積層フィルムである。 - 特許庁

The fibrous filler projecting from the sidewall 30a and contained in the conductor portion 41 has a length X longer than the film thickness Z of the conductor portion 41.例文帳に追加

側壁３０ａから突出し導体部４１に内包される繊維状の充填剤の長さＸが、導体部４１の膜厚Ｚより大きい。 - 特許庁