「active impurity」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The active hydrogen reduces at least one impurity selected from the group consisting of oxygen, carbon and nitrogen.例文帳に追加

活性水素は酸素、炭素および窒素からなる群の少なくとも１種の不純物を還元する。 - 特許庁

Information is written by using not channel dope but implantation ion seed into an impurity region of an active region.例文帳に追加

チャネルドープではなく、活性層の不純物領域への注入イオン種によって情報を書き込む。 - 特許庁

The resist pattern is removed, and the active silicon layer 40 is laser-annealed to crystallize, thereby activating the impurity.例文帳に追加

レジストパターンを除去後、アクティブシリコン層４０をレーザーアニールにより結晶化し、不純物の活性化を図る。 - 特許庁

The concentration distribution of p-type impurity remaining active in the p^+ region 12 is almost fixed.例文帳に追加

ただし、Ｐ＋領域１２におけるＰ型不純物のうち活性なものの濃度分布がほぼ一定である。 - 特許庁

In another embodiment, this light-emitting element contains a group III nitride semiconductor active region, having at least one barrier layer doped uniformly with an impurity or doped with the impurity, in a state where the concentration of the impurity changes in stepwise manner in a direction substantially perpendicular to the active region.例文帳に追加

別の実施形態において、発光素子は、不純物で均一にドーピングされるか、又は、活性領域と実質的に直角な方向に段階的に変化する濃度を有する不純物でドーピングされた少なくとも１つの障壁層を有するIII族窒化物半導体活性領域を含む。 - 特許庁

The impurity diffusion regions facing each other across the element isolation region among the impurity regions of the plurality of active regions are electrically connected.例文帳に追加

前記複数の活性領域の前記不純物拡散領域のうち、前記素子分離領域を挟んで向かい合う不純物拡散領域は、電気的に接続される。 - 特許庁

A semiconductor substrate is injected with ions of well impurity ions and channel impurity ions in active region and then heated rapidly.例文帳に追加

この方法は、半導体基板の活性領域にウェル不純物イオンとチャンネル不純物イオンとを注入した後に、急速熱処理工程を適用することを特徴とする。 - 特許庁

A second transistor is formed in the second active region with a second gate pattern and a second impurity region.例文帳に追加

前記第２活性領域に第２ゲートパターン及び第２不純物領域を含む第２トランジスタを形成する。 - 特許庁

A first transistor is formed in the first active region with a first gate pattern and a first impurity region.例文帳に追加

前記第１活性領域に第１ゲートパターン及び第１不純物領域を含む第１トランジスタを形成する。 - 特許庁

The end surface protective film is so formed as to extend inner than the part where an impurity active region spreads.例文帳に追加

端面保護膜は、不純物活性領域が広がる部分以上内側に延在するように形成される。 - 特許庁

Also, of the plurality of layers 11Bi (15Bj), the impurity concentration of the layer near the active layer 13 is higher (second impurity concentration) than the first impurity concentration in the layers 11Ai (15Aj).例文帳に追加

また、複数の低屈折率層１１Ｂｉ（１５Ｂｊ）のうち活性層１３の近傍の層の不純物濃度は、上記高屈折率層１１Ａｉ（１５Ａｊ）における第１の不純物濃度よりも高濃度（第２の不純物濃度）である。 - 特許庁

At that time, the impurity for channel stop injection is not stopped inside the SOI layer 3, which corresponds to the active region AR.例文帳に追加

このとき、活性領域ＡＲに対応するＳＯＩ層３内では、チャネルストップ注入の不純物は停止しない。 - 特許庁

Thus, the hydrogen in the base layer is diffused, and the carbon of the impurity in the base can be made active.例文帳に追加

これにより、ベース層中の水素を放散させ、かつベース中の不純物である炭素を活性化させることができる。 - 特許庁

Thereafter, a collector layer 20 is formed only to the side of the rear surface of an active part 14, by restrictively activating impurity only in the side of rear surface of the active part 14 with the laser annealing.例文帳に追加

その後、レーザーアニールにより、アクティブ部１４の裏面側のみ限定的に不純物を活性化させることで、アクティブ部１４の裏面側のみコレクタ層２０を形成する。 - 特許庁

The method further comprises the steps of providing a gate electrode on the region 82, then implanting an impurity for a channel in the active region to diffuse the impurity in a lateral direction, and connecting the gate electrode to the connector.例文帳に追加

さらに、十字状アクティブ領域８２の上にゲート電極を設けたのち、アクティブ領域にチャネル用不純物を注入して横方向に拡散させ、接続部に接続する。 - 特許庁

To provide a method for industrially and efficiently producing high purity active metal having extremely little of impurity metal content.例文帳に追加

不純物金属含有量の極めて少ない高純度活性金属を工業的に効率よく製造する方法を提供する。 - 特許庁

Impurity regions (pinning regions) in stripes in the direction of the length are formed in an active region which a memory transistor has.例文帳に追加

メモリトランジスタが有する活性領域において、チャネル長方向にストライプ状の不純物領域（ピニング領域）を形成する。 - 特許庁

A capacitor 102 employs an impurity region, formed below the capacitor 102 in an active region 7 as lower electrode.例文帳に追加

キャパシタ１０２は、活性領域７においてキャパシタ１０２の下方に形成された不純物領域を下部電極としている。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser (single-crystal substrate) 101, which suppresses impurity diffusion in an active layer and has high characteristic temperature and a high modulation frequency.例文帳に追加

活性層への不純物拡散を抑制し、かつ、特性温度および変調周波数が高い半導体レーザを提供する。 - 特許庁

To provide a method to make an impurity layer by ion implantation of an impurity into an edge part in side part and of an active region to prevent generation of a parasitic transistor phenomenon or an edge transistor phenomenon along the edge part in the side part of the active region even when the active region is refined to the limit.例文帳に追加

アクティブ領域を極限にまで微細化しても、前記アクティブ領域側部のエッジ部分に不純物をイオン注入して、不純物層を形成でき、前記アクティブ領域側部のエッジ部分に沿っての寄生トランジスタ現象又はエッジトランジスタ現象の発生を防止することができるようにする。 - 特許庁

If an impurity is added to reduce the influence of this interface charge, the impurity absorbs light, the active layer deteriorates for impurity diffusion and consequently the life of the semiconductor light emitting device shortens.例文帳に追加

本発明は前記課題を解決するため、発光特性を維持しつつ、互いに組成の異なる二の半導体層が隣接する界面における界面電荷の影響を低減して電気特性を改善した半導体発光素子を提供することを目的とする。 - 特許庁

This semiconductor element includes an element separating film which is arranged in a prescribed area of a first-conductivity substrate and limits an active region, a second-conductivity impurity diffusing layer formed on the surface of the active region, and a silicide layer covering the impurity diffusing layer.例文帳に追加

この素子は、第１導電型基板の所定の領域に配置され、活性領域を限定する素子分離膜と、活性領域の表面に形成された第２導電型不純物拡散層と第２導電型不純物拡散層を覆うシリサイド層とを含む。 - 特許庁

That is, the power storage device having high power density owing to sufficient dispersion of the active material in an active material layer and having high capacity density owing to less impurity can be provided.例文帳に追加

すなわち、活物質層内において活物質が十分に分散しているためパワー密度が高く、不純物が少ないために容量密度の高い蓄電装置を実現することができる。 - 特許庁

A resist film is patterned by the backside exposure, and an impurity ion is implanted in the active silicon layer 40 to form a source- drain region using the resist pattern as a mask.例文帳に追加

次に、このレジストパターンをマスクとしてアクティブシリコン層４０に不純物イオンを注入し、ソース・ドレイン領域を形成する。 - 特許庁

A source and drain impurity region is formed in the active region on the substrate, and an insulating film side wall 6 is formed at the side of the word line 4.例文帳に追加

基板のアクティブ領域にソース／ドレイン不純物領域を形成し、ワードライン４の側面に絶縁膜側壁６を形成する。 - 特許庁

Only the regions of the active layer 5 that are to be the LDD regions are doped by ion-doping an impurity at a low concentration with a high acceleration voltage.例文帳に追加

不純物を高い加速電圧で低濃度にイオンドーピングして、活性層５のＬＤＤ領域14,15となる部分のみをドーピングする。 - 特許庁

The impurity diffusion prevention layer 8 composed of In_yGa_1-yN is provided in the vicinity of the active layer 5 so that p-type impurities present in the p-type clad layer 10, p-type second guide layer 9, etc., can be accumulated in the impurity diffusion prevention layer 8 and are not diffused in the active layer 5.例文帳に追加

活性層５に近接してＩｎ_yＧａ_1-yＮからなる不純物拡散防止層８を設けるため、ｐ型クラッド層１０やｐ型第２ガイド層９などの内部に存在するｐ型不純物を不純物拡散防止層８に蓄積でき、ｐ型不純物が活性層５に拡散しなくなる。 - 特許庁

Since the impurity diffusion prevention layer 8 composed of In_yGa_1-yN is formed in proximity to the active layer 5; p-type impurities existing in the p-type clad layer 10, the p-type second guide layer 9, etc. is accumulated in the impurity diffusion prevention layer 8, thereby preventing the diffusion of the p-type impurities into the active layer 5.例文帳に追加

活性層５に近接してＩｎ_yＧａ_1-yＮからなる不純物拡散防止層８を設けるため、ｐ型クラッド層１０やｐ型第２ガイド層９などの内部に存在するｐ型不純物を不純物拡散防止層８に蓄積でき、ｐ型不純物が活性層５に拡散しなくなる。 - 特許庁

A part having the largest impurity concentration is located so as to be separated from the end of the opposite side of the active layer 104 which is opposed to the substrate 101 to the 1st upper clad layer side and the impurity concentration contained in the active layer 104 is 2×10^17 cm^-3 to 1×10^18 cm^-3.例文帳に追加

不純物の濃度の最も大きい部位が、量子井戸活性層の半導体基板と対向する側の端から第１上クラッド層側に離れて位置し、かつ量子井戸活性層に含まれる不純物濃度が２×１０^17cm^-3以上１×１０^18cm^-3以下である。 - 特許庁

In each of the DBR mirror layers 11 and 15 of the plurality of layers 11Ai (15Aj), the impurity concentration of a layer near an active layer 13 is lower (first impurity concentration) than that of a layer other than the layer near the active layer 13.例文帳に追加

下部ＤＢＲミラー層１１および上部ＤＢＲミラー層１５それぞれにおいて、複数の高屈折率層１１Ａｉ（１５Ａｊ）のうち活性層１３の近傍の層の不純物濃度は、活性層１３の近傍以外の層のそれよりも低濃度（第１の不純物濃度）である。 - 特許庁

A high impurity concentration region 31 in which the impurity concentration is higher than that of the center of a channel region 24 is provided in a part intersected in a Y direction out of a side 14T of an active region 14.例文帳に追加

活性領域１４の側面１４ＴのうちでＹ方向と交差する部分内に、チャネル領域２４の中央部分よりも不純物濃度が高い高不純物濃度領域３１が設けられている。 - 特許庁

The impurity regions 4, 5 in an active region have a belt-shape cross-section, and are alternately disposed in parallel in the same direction, and the n-type impurity regions 4 adjacent to each other are cross-linked.例文帳に追加

アクティブ領域における不純物領域４，５が横断面での形状として帯状をなし、かつ、交互に同一方向に並設されるとともに、隣同士のＮ型不純物領域４が架橋されている。 - 特許庁

At a part along a light output end surface at least from the etching stop layer 104 corresponding to a lower part of the ridge to the active layer 102, an impurity is diffused and the active layer 102 is subjected to mixed crystallization.例文帳に追加

少なくともリッジの下部にあたるエッチングストップ層１０４から活性層１０２までの光出射端面に沿った部分に、不純物が拡散されて活性層１０２の混晶化が行われている。 - 特許庁

Then, a projecting part 4a is formed on the surface of the semiconductor active layer 4, and a contact impurity area 6 is formed from the upper face of the projecting part 4a to the inside part of the semiconductor active layer 4.例文帳に追加

本発明では、半導体活性層４の表面に凸部４ａを設け、凸部４ａの上面から半導体活性層４内部に向けてコンタクト不純物領域６が形成されている。 - 特許庁

Then, the channel formation area 14 of the silicon active layer 3 is made smaller in thickness than the impurity diffused layers 12 and 13.例文帳に追加

その後、シリコン活性層３のチャネル形成領域１４の厚さを、不純物拡散層１２、１３の厚さよりも薄くなるように加工する。 - 特許庁

To provide a method for reducing the content of remaining palladium contained as an impurity in a compound useful as an active phamaceutical ingredient.例文帳に追加

医薬品原薬として有用な化合物において、不純物として含まれる残留パラジウムの量を低減するする方法を提供する。 - 特許庁

The active oxygen or melted oxide oxidizes at least one impurity selected from aluminum, calcium, chromium, iron, niobium, silicon, titanium and zirconium.例文帳に追加

活性酸素あるいは溶融酸化物は、アルミニウム、カルシウム、クロム、鉄、ニオブ、ケイ素、チタンおよびジルコニウムからなる群のうち少なくとも１種の不純物を酸化する。 - 特許庁

To provide a highly reliable semiconductor wafer and a highly reliable light-emitting device which suppress deterioration in the output of light emission based on the diffusion of an impurity to an active layer.例文帳に追加

活性層への不純物の拡散に基づく発光出力の低下を抑えた信頼性の高い半導体ウエハ及び発光装置を提供する。 - 特許庁

A drain for manufacturing an active material is adopted, where lithium has been dissolved as solution having a relatively high lithium ion concentration and a relatively small amount of impurity content.例文帳に追加

リチウムイオン濃度が比較的高くかつ不純物含有量が比較的少ない溶液としてリチウムが溶解した活物質製造排水を採用する。 - 特許庁

An additional impurity is implanted into a portion of the shared contact plug 18a where the side wall insulation film is removed, to form an active layer 16.例文帳に追加

シェアードコンタクトプラグ１８ａの形成箇所のうち側壁絶縁膜が除去された部分に追加の不純物注入を行い活性層１６を形成する。 - 特許庁

Only the regions of the active layer 5 that are to be the source region 12 and the drain region 13 are doped by ion-doping an impurity at a high concentration with a low acceleration voltage.例文帳に追加

不純物を低い加速電圧で高濃度にイオンドーピングして、活性層５のソース領域12およびドレイン領域13となる部分のみをドーピングする。 - 特許庁

An element isolation region is formed on a semiconductor substrate 10, on which a high concentration impurity diffusion semiconductor layer 1 and a semiconductor active layer 2 are laminated.例文帳に追加

高濃度不純物拡散半導体層１、半導体活性層２が積層された半導体基板１０に素子分離領域が形成されている。 - 特許庁

Consequently, aluminum is prevented from intruding a high-impurity doped active region 102 of a silicon substrate 101 from a part where the titanium nitride film becomes thin.例文帳に追加

これによって、チタン窒化膜が薄くなった部分からアルミニウムがシリコン基板１０１の高不純物ドープ活性領域１０２へ侵入するのを防止する。 - 特許庁

The semiconductor device has a substrate region, an active region on the substrate region, a gate pattern on the active region, and first and second impurity regions formed along both edges of the active region.例文帳に追加

基板領域と、基板領域上に位置するアクティブ領域と、アクティブ領域上に位置するゲートパターンと、アクティブ領域の両側エッジに沿ってそれぞれ形成される第１不純物ドーピング領域及び第２不純物ドーピング領域を具備する半導体装置である。 - 特許庁

A second conductive impurity area 7 and a first conductive impurity area 6 are separately formed in a first conductive semiconductor active layer 4 formed through an embedded dielectric layer 3 on one main face side of a substrate 2, and element electrodes 10 and 9 are respectively formed on the second conductive impurity area 7 and the contact impurity area 6.例文帳に追加

基板２の一主面側に埋込誘電体層３を介して形成された第１導電型の半導体活性層４に、第２導電型の不純物領域７と、第１導電型のコンタクト不純物領域６とが互いに離れて形成され、第２導電型の不純物領域７およびコンタクト不純物領域６上に、それぞれ素子電極１０，９を有する。 - 特許庁