「breakdown current」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Thereby a breakdown current flows to a source electrode connected with the outer peripheral side of the P-type active guard region 16 when breakdown is generated, and the breakdown current does not flow to the inner peripheral side.例文帳に追加

これにより、降伏が起きた際には、ｐ型アクティブガード領域１６の外周側に接続されたソース電極に降伏電流が流れ、内周側には流れない。 - 特許庁

This makes it possible to suppress increase in leakage current caused by the avalanche breakdown or the zener breakdown.例文帳に追加

これによりアバランシェ降伏あるいはツェナー降伏によるリーク電流の増大を抑制することができる。 - 特許庁

Therefore, since breakdown occurs in an active region, causing an breakdown current to flow through the active region having a large area, current concentration does not occur, and a breakdown resistance of an element is increased.例文帳に追加

従って、ブレークダウンは活性領域で起こり、ブレークダウン電流は大面積の活性領域内を流れるので、電流集中が生じず、素子の破壊耐量が高くなっている。 - 特許庁

We have seen "Current Account" and its breakdown, and the changes of the GDP as per things mentioned above.例文帳に追加

以上、「経常収支」とその内訳、またGDP の変化をみてきた。 - 経済産業省

METHOD FOR PREDICTING WIRING BREAKDOWN AREA DUE TO CURRENT IN SEMICONDUCTOR APPARATUS例文帳に追加

半導体装置における電流による配線破壊箇所の予測方法 - 特許庁

With the structure, a leak current is reduced, thus improving a breakdown voltage.例文帳に追加

この構造により、リーク電流が低減され、ブレークダウン電圧が向上する。 - 特許庁

Fusion and shatter of electrode materials due to dielectric breakdown current are prevented by forming a dielectric breakdown protection layer on an electrode.例文帳に追加

電極上に絶縁破壊保護層を形成して絶縁破壊電流による電極材料の溶融、飛散を防止する。 - 特許庁

To make a nitride-based Schottky barrier diode high in breakdown voltage and to reduce a leakage current.例文帳に追加

窒化物系ショットキーバリアダイオードを高耐圧化し、且つリーク電流が低減する。 - 特許庁

To provide a fuel injection control device for preventing the breakdown of a current SW.例文帳に追加

電流ＳＷの破損を防止する燃料噴射制御装置を提供する。 - 特許庁

Thereby, the breakdown current is applied to a Zener diode ZD1 of which breakdown voltage is higher than normal voltage and a condenser C1 is charged.例文帳に追加

これによって、降伏電圧が通常の電圧より高いツェナーダイオードＺＤ１に降伏電流が流れ、コンデンサＣ１が充電される。 - 特許庁

This can suppress a current variation and breakdown capacity can be improved.例文帳に追加

このため、電流の偏りを抑制することができ、破壊耐量を向上させることができる。 - 特許庁

The starting current correcting part 35 has a function to detect breakdown of the discharge lamp 5.例文帳に追加

起動電流補正部３５は放電灯５のブレークダウンを検出する機能を有する。 - 特許庁

To provide a capacitor having large capacitance, high breakdown strength and low leakage current.例文帳に追加

静電容量が大きく、耐圧性が高く、漏れ電流が少ないキャパシタを提供すること。 - 特許庁

To prevent electrostatic breakdown by the static electricity of a thin film magnetic head and the magnetic breakdown of a GMR element by the electromagnetic field induced by the instantaneous lager electric current flowing at the time of the electrostatic breakdown.例文帳に追加

薄膜磁気ヘッドの静電気による静電破壊、および静電破壊時に流れる瞬時的な大電流が誘起する電磁界によるＧＭＲ素子の磁気的な破壊を防止する。 - 特許庁

To provide a current detection circuit capable of exactly detecting discharge current by dielectric breakdown of a semiconductor circuit.例文帳に追加

半導体回路の絶縁破壊による放電電流を的確に検出し得る電流検出回路を提供する。 - 特許庁

To prevent breakdown of an LSI when current supply from an AC current generator does not stop during standby after initialization.例文帳に追加

初期化後の待ち受け時に交流電流発生器からの電流供給が止まらない場合のＬＳＩの破壊を防ぐ。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which both high breakdown voltage and high current can be realized at the active element part while avoiding breakdown due to a reverse bias current.例文帳に追加

能動素子部の逆方向バイアス電流による破壊を回避すると共に、前記能動素子部の高耐圧化と大電流化を共に実現できる半導体装置を提供する。 - 特許庁

This makes it possible to implement the active element in which no breakdown is generated by the secondary breakdown even if current is concentrated in the unit element.例文帳に追加

これにより、単位素子に電流が集中した場合であっても二次降伏による破壊が発生しない能動素子を実現できる。 - 特許庁

To improve dielectric breakdown characteristics of a direct-current insulating material used for an insulator for direct-current power cables.例文帳に追加

直流電力ケーブルの絶縁体などに用いられる直流絶縁材料の絶縁破壊特性を向上することにある。 - 特許庁

To increase the current capacity of a trench gate IGBT, while at the same time, increasing the breakdown voltage.例文帳に追加

トレンチゲート型のＩＧＢＴで、耐圧の向上を図りつつ電流能力の向上も図る。 - 特許庁

To manufacture a semiconductor device easily which has a little leakage current and a stable breakdown voltage.例文帳に追加

漏れ電流が小さく且つ安定した耐圧を有する半導体装置を容易に製造する。 - 特許庁

To provide a heterojunction field-effect transistor in which a leakage current is small and a breakdown strength is high.例文帳に追加

リーク電流が少なくて高耐圧のヘテロ接合型電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor circuit that has a high breakdown voltage and can output a large current.例文帳に追加

耐圧が高く、かつ大きな電流を出力することができる半導体回路を提供する。 - 特許庁

To reduce snapback which occurs during reverse current flow in a diode element caused by breakdown.例文帳に追加

ブレークダウンによりダイオード素子に逆方向電流が流れる際に発生するスナップバックを低減する。 - 特許庁

To provide a high breakdown voltage silicon carbide semiconductor device exhibiting excellent current amplification factor h_FE.例文帳に追加

電流増幅率ｈ_ＦＥに優れた高耐圧炭化珪素半導体装置を提供すること。 - 特許庁

To obtain a multi-channel IGBT, which can be further improved its on-state current density and latch-up breakdown strength.例文帳に追加

オン電流密度及びラッチアップ耐量をさらに向上し得るマルチチャネルＩＧＢＴを得る。 - 特許庁

The reverse breakdown voltage of the diode 15 is set to a value not less than the voltage of the direct-current power supply 17.例文帳に追加

ダイオード１５の逆耐圧電圧は直流電源１７の電圧以上となされている。 - 特許庁

To output an output current to circuits of a high-breakdown voltage system and to reduce the circuit area.例文帳に追加

高耐圧系の回路へ出力電流を出力するとともに、回路面積を削減する。 - 特許庁

To evaluate the insulation breakdown voltage of an insulation film, without direct influence of the tunnel current.例文帳に追加

直接トンネル電流の影響を受けることなく、絶縁膜の絶縁耐圧を評価する。 - 特許庁

A charge current flows to a capacitor 27, which is turned on exceeding the breakdown voltage of a Zener diode 20.例文帳に追加

ツェナダイオード２０の降伏電圧以上でオンしているトランジスタ２７に充電電流が流れる。 - 特許庁

To provide a drive circuit for preventing breakdown of an output transistor due to an excessive current when short-circuit breakdown is generated in a load.例文帳に追加

本発明は、負荷の短絡破壊が発生したとき過大電流による出力トランジスタの破壊を防止する駆動回路を提供することを目的とする。 - 特許庁

A voltage/current conversion part 103 is a circuit of a low-breakdown voltage system and generates an output current Iout corresponding to the gate voltage VG.例文帳に追加

電圧電流変換部１０３は、低耐圧系の回路であり、ゲート電圧ＶＧに応じた出力電流Ｉｏｕｔを生成する。 - 特許庁

To shorten analysis time in a method for predicting a wiring breakdown area due to a current of a semiconductor apparatus.例文帳に追加

半導体装置の電流による配線破壊箇所の予測方法において、解析時間を短縮する。 - 特許庁

To provide a super-thin (5 nm or less) silicon oxide film having a high insulation breakdown voltage reduced in leakage current.例文帳に追加

絶縁破壊耐圧の高い、リーク電流の少ない超薄(５nm以下)のシリコン酸化膜を提供する。 - 特許庁

To provide an FET capable of switching operation of a high breakdown voltage and a high current and facilitating manufacture.例文帳に追加

高耐圧および高電流のスイッチング動作が可能で、かつ製造が容易なＦＥＴを提供する。 - 特許庁

Also by limiting excessive rush current, effect of preventing breakdown due to fusion cutting of wire bonding can be obtained.例文帳に追加

また、過大な突入電流を制限することで、ワイヤーボンディングの溶断による破壊を防ぐ効果がある。 - 特許庁

To provide a capacitor using a dielectric thin film of a high dielectric constant and having a small leakage current and a high dielectric breakdown voltage.例文帳に追加

誘電率が大きく、リーク電流の小さな絶縁耐圧に優れたコンデンサを提供する。 - 特許庁

By locating the heater at a desired position inside the sleeve, the current leakage caused by the insulation breakdown of the heater can be prevented.例文帳に追加

スリーブ内の希望する位置にヒータを位置させてヒータの絶縁破壊による電流漏れを防止する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device wherein a breakdown voltage is high, a current amplification factor is high and a switching speed is faster.例文帳に追加

高耐圧で電流増幅率が高く、かつスイッチング速度が速い半導体装置を提供する。 - 特許庁

Thus, most current of the ESD, passes the bipolar BP, and electrostatic breakdown of E3 is prevented.例文帳に追加

これによりＥＳＤによる電流のほとんどをバイポーラＢＰに流し、Ｅ３での静電破壊を防止する。 - 特許庁

To provide a semiconductor element operating in a high-current and high-breakdown voltage state, and a manufacturing method for the same.例文帳に追加

高耐圧及び高電流の動作が可能な半導体素子及びその製造方法を提案する。 - 特許庁

A current amplified from the breakdown current by the amplification action of the amplification transistor T12 is supplied to the base of a clamping transistor T11.例文帳に追加

増幅用トランジスタＴ１２の増幅作用によって、降伏電流を増幅した電流がクランプ用トランジスタＴ１１のベースに供給される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having electrical characteristics such as high breakdown voltage, low reverse saturation current, and high on-current, especially a power diode including a non-linear element and a rectifier.例文帳に追加

高耐圧、低逆方向飽和電流、高いオン電流などの電気特性を有する半導体装置を提供することである。 - 特許庁

To provide a semiconductor device where a high breakdown voltage IGBT which does not generate a leakage current by a parasitic NPN transistor is formed basically through a bipolar high breakdown voltage vertical PNP process.例文帳に追加

バイポーラの高耐圧縦型ＰＮＰプロセスをベースにして、寄生ＰＮＰトランジスタに起因する漏洩電流の発生しない高耐圧ＩＧＢＴを形成する。 - 特許庁

To provide a high breakdown voltage insulated gate field effect type semiconductor device, which has high current driving ability, is easy to manufacture, is made compact, and is improved in electrostatic breakdown voltage.例文帳に追加

高耐圧絶縁ゲート電界効果型半導体装置において、高電流駆動能力を有し、製造しやすく小型にするとともに、静電耐圧の向上を図る。 - 特許庁