「breakdown current」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

To increase the breakdown strength of an insulated gate type semiconductor device including a main current region and a detecting region on the same semiconductor substrate.例文帳に追加

主電流領域と検出領域とを同一の半導体基板上に有する絶縁ゲート型半導体装置の高耐圧化を実現する。 - 特許庁

So, compared with a conventional case, the current path of the hole can be expanded, for improved switching speed and breakdown resistance.例文帳に追加

したがって、従来と比較してホールの電流経路を広げることが可能となり、スイッチング速度や破壊耐量を向上させることが可能となる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device for improving breakdown voltage characteristics by reducing the leakage current of a field effect transistor due to a gallium nitride-based semiconductor.例文帳に追加

窒化ガリウム系半導体による電界効果トランジスタのリーク電流を低減し、耐圧特性を改善出来る半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide an electrolyte for an electrolytic capacitor which has a high breakdown voltage, good leak current characteristics at high temperatures and good high-temperature life characteristics.例文帳に追加

耐電圧が高く、高温での漏れ電流特性が良好で、高温寿命特性も良好な電解コンデンサ用電解液を提供する。 - 特許庁

To provide a laminated chip resistor element suitable for heavy-current to realize low resistance and higher capacitor F breakdown voltage.例文帳に追加

低抵抗化を図ることができ、かつコンデンサＦ耐性能や絶縁耐圧が高められ、大電流用途に適したチップ型積層抵抗素子を得る。 - 特許庁

An Nch-DMOS(N-channel double diffusion metal oxide semiconductor) ND1 of common gate configuration is used for a high breakdown voltage resistor to transfer the current signal to a low side.例文帳に追加

その電流信号を、ゲート接地構成のＮｃｈ−ＤＭＯＳトランジスタＮＤ１を高耐圧抵抗として用いてローサイドに伝達する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which is improved in ON resistance while reducing a current collapse and maintaining a breakdown voltage, and operates at high voltage and at a high frequency.例文帳に追加

電流コラプスを減少し耐圧を維持しつつ、オン抵抗を改善した、高電圧、高周波で動作する半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a solid electrolytic capacitor which has a high electrostatic capacitance, a low ESR and a low leakage current, and exhibits a high breakdown voltage.例文帳に追加

静電容量が高く、低ＥＳＲかつ低漏れ電流、高耐電圧を示す固体電解コンデンサの製造方法を提供すること。 - 特許庁

To enable drive with high breakdown voltage with a large current, increasing latchup resistance and decrease on-resistance per unit area in an IGBT.例文帳に追加

ＩＧＢＴにおいて、高耐圧で、大電流での駆動を可能とし、ラッチアップ耐量を高くし、単位面積あたりのオン抵抗を低くすること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device for preventing drop of the breakdown voltage between the emitter and the collector, and suppressing drop and variation of a current gain hFE.例文帳に追加

エミッタとベース間の耐圧の低下が抑制され、電流増幅率ｈＦＥの低下と変動が抑制される半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a current detecting device of simple constitution which has high breakdown strength and can detect a current with low loss and a rectifier of simple constitution which can rectify AC at low loss.例文帳に追加

簡易な構成で耐圧が大きく、低損失で電流を検出することができる電流検出装置、及び簡易な構成で低損失で交流を整流できる整流装置を提供することである。 - 特許庁

The discharge current that is generated between the trigger electrode and the top ends of the main electrodes is little, therefore this will not generate a large continuing discharge, and the follow current leading to breakdown after surge absorption is not maintained.例文帳に追加

トリガ電極と主電極先端との間で形成できる放電電流は僅少であり、これが大きな持続放電を生ずることはなく、サージ吸収後に破壊に至る続流は維持されない。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a manufacturing method thereof wherein leakage current is reduced to decrease the junction breakdown voltage due to the leak current so that an operating power supply can be turned on even if it has a high voltage.例文帳に追加

リーク電流を減少させ、リーク電流による接合降伏電圧を減少させて動作電源が高電圧でも投入が可能な半導体素子とその製造方法を提供する。 - 特許庁

To prevent an increase in the voltage of a comparator input terminal in a current limiting circuit for a boost converter to enable current detection with high accuracy without requiring a semiconductor structure of high breakdown voltage.例文帳に追加

昇圧コンバータの電流制限回路において、コンパレータ入力端子の電圧の上昇を防止して、高耐圧の半導体構造を必要とせず、高精度な電流検出を可能とする。 - 特許庁

To prevent breakdown of an output MOS transistor by providing a current detecting circuit for generating a control signal to a protection circuit through detection of a current flowing into an output MOS transistor with higher accuracy.例文帳に追加

出力ＭＯＳトランジスタに流れる電流を精度よく検知して、保護回路への制御信号を生成する電流検知回路を提供し、出力ＭＯＳトランジスタの破壊を回避することである。 - 特許庁

To uniformize current values of constant current sources of amplifier circuits by every video signal line drive means by making a low breakdown voltage MOS transistor usable in a bias circuit in a liquid crystal display.例文帳に追加

液晶表示装置において、バイアス回路内に低耐圧ＭＯＳトランジスタを使用できるようにして、アンプ回路の定電流源の電流値を各映像信号線駆動手段毎に均一にする。 - 特許庁

To essentially prevent flow of an avalanche breakdown current between the gate and drain without deteriorating performance of an element, in a current controlled power element having U-shaped insulating electrodes.例文帳に追加

Ｕ字型の絶縁電極を有する電流制御型パワー素子において、従来の素子の性能を保持しながら、本質的にゲート／ドレイン間にアバランシェ降伏電流が流れない半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a bipolar transistor for high power and a method of manufacturing the same whereby both of a current amplification factor and breakdown voltage can be improved and the maximum current permitting switching can be increased.例文帳に追加

電流増幅率と耐圧の両者を高めることができると共に、スイッチ可能な最大電流を増加させることができる大電力用バイポーラトランジスタ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an element capable of readily manufacturing a super-junction semiconductor element with high mass productivity, which can improve a trade-off relationship between an on-resistance and a breakdown voltage, and increase a current capacity by means of reduction in the on-resistance while having a high breakdown voltage.例文帳に追加

オン抵抗と耐圧とのトレードオフ関係を改善し、高耐圧でありながらオン抵抗の低減による電流容量の増大が可能な超接合半導体素子の簡易で量産性良く製造し得る素子を提供する。 - 特許庁

To provide a method for greatly contributing to the reliability of a device, in which the TDDB (Time Dependent Dielectric Breakdown) of a PMOS is improved, and a gate leak current is effectively suppressed, by including a substance which can include charges infinitely in a conventional PMD.例文帳に追加

従来のPMDにチャージを無限に含むことができる物質を包含させることで、PMOSのTDDB(Time Dependent Dielectric Breakdown)向上またはゲート漏えい電流を效果的に抑制することができて、素子の信頼性に大きく寄与する方法を提供する。 - 特許庁

In a semiconductor device including transistors and diodes formed on the same substrate and connected in parallel with each other, resistance in breakdown operation of the diodes is set smaller than resistance in breakdown operation of the transistors, and a secondary breakdown current of the diodes is set larger than that of the transistors.例文帳に追加

同一基板上に形成され、並列接続されたトランジスタおよびダイオードを備えた半導体装置において、前記トランジスタの降伏動作時の抵抗より前記ダイオードの降伏動作時の抵抗を小さく、かつ、前記トランジスタの二次降伏電流より前記ダイオードの二次降伏電流を大きくする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device provided with a high breakdown voltage transistor that can stably be driven by suppressing the deterioration of the current driving capability, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

電流駆動能力の低下を抑え、安定した駆動を行える高耐圧トランジスタを備えた半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To increase the on-state breakdown voltage, to improve the I-V characteristics, and to suppress generation of leak current through the protection layer of a compound semiconductor device.例文帳に追加

化合物半導体装置に関し、オン耐圧を高め、また、Ｉ−Ｖ特性を改善するとともに、保護層を介したリーク電流の発生を抑制する。 - 特許庁

When a plurality of thin film transistors are connected in parallel, a thin film transistor having a high breakdown voltage and capable of handling a high current can be attained.例文帳に追加

このように薄膜トランジスタを複数並列に接続することにより、耐圧が高く大電流を扱うことのできる薄膜トランジスタを得ることができる。 - 特許庁

To provide an image display device preventing breakdown of a sealing material in current-carrying heating and capable of efficiently and reliably sealing, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

通電加熱時の封着材の断線を防止し、効率の良いかつ信頼性の高い封着が可能な画像表示装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a memory device that suppresses a current during spin injection and improves a breakdown voltage while securing a large magnetoresistive ratio.例文帳に追加

大きな磁気抵抗変化率を確保しつつ、スピン注入時の電流を抑制し、かつ、絶縁破壊電圧を向上させることが可能な記憶素子を提供する。 - 特許庁

To enhance on-breakdown voltage, improve the I-V characteristics, and suppress a leakage current via a protective layer relating to a compound semiconductor laminated structure.例文帳に追加

化合物半導体積層構造に関し、オン耐圧を高め、また、Ｉ−Ｖ特性を改善するとともに、保護層を介したリーク電流の発生を抑制する。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor device in which, after a procss of forming a protection film composed of silicon nitride, a drain-off breakdown strength or leakage current does not increase.例文帳に追加

窒化硅素からなる保護膜を形成する工程後において、ドレインオフ耐圧やリーク電流の増加がない窒化物半導体装置を提供する。 - 特許庁

In a field-effect transistor 100 having this constitution, leakage current of the buffer is reduced and further the breakdown voltage between a source and a drain at off operation is improved.例文帳に追加

この構成の電界効果トランジスタ１００では、バッファリーク電流を低下でき、オフ動作時におけるソースドレイン間の耐圧を向上させることができた。 - 特許庁

To prevent breakdown of a switching element by impeding input of overcurrent under the transitional condition, such as input of a current, in order to prevent saturation of an inductance element.例文帳に追加

電流投入時等の過渡状態における過大電流の流入を阻止して、インダクタンス素子の飽和を防止し、スイッチング素子の破壊を防止する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, such as a constant-voltage diode, that has a stable output voltage, regardless of the amount of current at breakdown, and will not cause noise to be generated.例文帳に追加

ブレークダウン時において、電流量にかかわらず出力電圧が安定し、ノイズを発生しない定電圧ダイオード等の半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a flash memory element which can improve current inductive capability, without causing drop in the junction breakdown voltage (JBV).例文帳に追加

ジャンクジョンブレークダウン電圧（ＪＢＶ）の低下なしで電流誘導能力を向上させることが可能なフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

Especially, a solid electrolytic capacitor which includes a polymer having an alkyl group with C3-5 as a solid electrolyte has a small leakage current and a high breakdown voltage.例文帳に追加

特に、炭素数３〜５のアルキル基を有したものの重合体を固体電解質とする固体電解コンデンサは、漏れ電流が小さく、高耐電圧を示す。 - 特許庁

To reduce a surge current generated in a transitional period in which a semiconductor device is turned off without sacrificing an on-voltage or breakdown voltage.例文帳に追加

オン電圧や耐圧を犠牲にしないで、半導体装置がターンオフした過渡的な期間において発生するサージ電圧を低減することを目的としている。 - 特許庁

To provide a one-side conductive thyristor (a semiconductor device) which heightens the sensitivity of an ignition operation without affecting holding current characteristics and breakdown voltage.例文帳に追加

保持電流特性とブレークダウン電圧に影響を与えずに、点弧動作感度の高感度化を実現する片導通サイリスタ（半導体装置）を提供する。 - 特許庁

A problem of the motor power supply voltage increase by the reverse regenerative current and that causes the dielectric breakdown of the motor drive circuit can be avoided surely.例文帳に追加

よって、逆流回生電流によってモータ電源電圧が上昇して、モータ駆動回路の耐圧破壊を引き起こすという弊害を確実に防止できる。 - 特許庁

To eliminate the bad condition of a height in an interelement isolation region due to flattening by CMP, and to prevent leakage current by improving the gate breakdown voltage of a gate oxide film.例文帳に追加

ＣＭＰによる平坦化での素子間分離領域の高さの不具合を解消し、且つ、ゲート酸化膜のゲート耐圧の向上、リーク電流の防止をする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device for preventing overetching when a CVD oxide film is to be opened and for stabilizing breakdown voltage and current amplification factor.例文帳に追加

ＣＶＤ酸化膜を開口する時のオーバーエッチングを防止し、耐圧や電流増幅率の安定化が図れる半導体装置の製造方法の提供。 - 特許庁

High breakdown voltage MOS transistors HMp1 and HMp2 of a level shift circuit 10 make transition to a current flow state by conducting MOS transistors M1 and M2.例文帳に追加

レベルシフト回路１０の高耐圧ＭＯＳトランジスタＨＭｐ１、ＨＭｐ２は、ＭＯＳトランジスタＭ１及びＭ２の導通により電流を流す状態に移行する。 - 特許庁

To provide a GaN-based field-effect transistor having a low resistance and a high breakdown voltage with reduced effect of current collapse phenomenon, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

低抵抗・高耐圧で電流コラプス現象の影響の小さいＧａＮ系電界効果トランジスタおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Consequently, the leakage current caused by the intrusion of the metal is reduced to improve the breakdown voltage of the field effect transistor.例文帳に追加

よって、このメタル侵入が発生するために生じるリーク電流を低減することが可能であり、電界効果型トランジスタにおける破壊電圧を向上できる。 - 特許庁

To provide a diode without increasing the forward voltage or reverse current and lowering of the reverse breakdown voltage, which has few reverse recovery charges and exhibits a soft recovery characteristics.例文帳に追加

順電圧と逆電流の増大並びに逆耐圧の低下を招くことなく、逆回復電荷が少なくソフトリカバリー特性を示すダイオードを提供する。 - 特許庁

To provide a structure of a high-breakdown-voltage MOS transistor capable of having high current capability without increasing the area for a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置において、面積の増大を招くことなく高い電流能力を得ることができる高耐圧ＭＯＳトランジスタの構造を提供する。 - 特許庁

To protect a motor drive circuit of a direct PWM drive type brushless motor from breakdown due to a reverse regenerative current generated in the motor.例文帳に追加

ダイレクトＰＷＭ駆動方式によるブラシレスモータで発生する逆流回生電流に起因するモータ駆動回路の耐圧破壊を防止すること。 - 特許庁

To provide an MOS transistor having a high source-drain breakdown voltage BVds and high current driving capability even at a low on-resistance.例文帳に追加

高いソース・ドレイン耐圧ＢＶｄｓを有するとともに、低いオン抵抗であって電流駆動能力の高いＭＯＳトランジスタを提供することを目的とする。 - 特許庁