「breakdown current」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a semiconductor device in which the magnitude of ON current is assured, while assuring a high breakdown voltage at the junction of a first conductivity-type well region and a second conductivity type softening electric field region without increasing the chip size, and to provide its fabrication method.例文帳に追加

チップサイズを大きくすることなく、第１導電型ウェル領域と第２導電型電界緩和領域との接合での高耐圧を確保しつつ、ＯＮ電流の大きさを確保した半導体装置およびその製法を提供する。 - 特許庁

To manufacture and process semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier adapted to light emission, and provide a method of manufacturing devices having a high breakdown voltage and a high current but low carrier density.例文帳に追加

光照射に適合した、少なくとも１つの電位障壁、又は表面障壁を持つ半導体デバイスの製造または処理に関し、高い絶縁破壊電圧と、大電流で低いキヤリア密度を有するデバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a current-carrying control circuit of a heater which does not cause breakdown of a switching element by output from an AC generator accompanying engine rotation, even when operating an engine in a battery removed state and a regulator troubled state.例文帳に追加

バッテリーを外された状態やレギュレーターが故障した状態等においてエンジンを作動した場合でも、エンジン回転に伴う交流発電機からの出力でスイッチング素子が破壊されないヒーターの通電制御回路を提供すること。 - 特許庁

The diodes ESD 1 and ESD 2 discharge static electricity generated in the current supply line and the data line to the logic power supply wiring to reduce the electrostatic breakdown of a driving TFT 23 and switching TFT 22 included in the unit circuit 20.例文帳に追加

ダイオードＥＳＤ１及びＥＳＤ２は、電流供給線及びデータ線で発生した静電気をロジック電源配線に放出し、単位回路２０に含まれる駆動ＴＦＴ２３及びスイッチング用ＴＦＴ２２が静電破壊されることを低減する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an electrode foil for an aluminum electrolytic capacitor capable of raising the capacitance of an electrode foil in a breakdown voltage region of ≥170 V and reducing the dielectric loss (tan δ) and the leakage current.例文帳に追加

１７０Ｖ以上の耐電圧領域における電極箔の静電容量を高めることができ、かつ誘電体損失（ｔａｎδ）、漏れ電流を低減させることができるアルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法を提供する。 - 特許庁

To prevent a useless through-current between an output terminal and the ground potential in an LSI output circuit so as to avoid a problem of reliability deterioration caused by a breakdown voltage of an NMOS transistor(TR) connected to the output terminal and to also control a trailing speed.例文帳に追加

ＬＳＩの出力回路において、出力端子と接地電位との間の無駄な貫通電流を防止し、出力端子に接続されているNMOSトランジスタの耐圧に起因する信頼性劣化の問題を避け、同時に立下りスピードを制御する。 - 特許庁

To provide a switching power supply circuit in which a switching element and an inductive load can be protected against deterioration and breakdown, by preventing generation of a power supply in-rush current, when control of power supply starting process is switched in a self-bias switching power supply.例文帳に追加

自己バイアス方式のスイッチング電源において、電源起動過程の制御切り換え時に電源突入電流の発生を防止して、スイッチング素子や誘導性負荷の劣化・破壊からの保護が可能なスイッチング電源回路の提供を行う。 - 特許庁

To provide a semiconductor element such as a MOSFET provided with parallel pn layers wherein an n-type region and a p-type region are alternately arranged as a drift layer that prevents concentration of current in a reverse recovery process of a built-in diode so as to enhance the reverse recovery breakdown.例文帳に追加

ドリフト層としてｎ型領域とｐ型領域とを交互に配置した並列ｐｎ層を備えるＭＯＳＦＥＴ等において、内蔵ダイオードの逆回復過程における電流集中を防止し、逆回復耐量を向上させる。 - 特許庁

To provide a current-carrying control circuit of a heater which does not cause breakdown of a switching element by output from an AC generator caused by engine rotation, even when operating an engine in a battery removed state and a regulator troubled state.例文帳に追加

バッテリーを外された状態やレギュレーターが故障した状態等においてエンジンを作動した場合でも、エンジン回転に伴う交流発電機からの出力でスイッチング素子が破壊されないヒーターの通電制御回路を提供すること。 - 特許庁

During charging, an in-vehicle load circuit 20 and controller 18 are separated from the circuitry connected with the battery 2 and the circuits, such as the DC-DC converter 14, connected with the alternating-current power supply 6, and the low-breakdown voltage parts of the load circuit 20 and the controller 18 are thereby protected.例文帳に追加

充電中、車載の負荷回路２０やコントローラ１８を、バッテリ２やＤＣ／ＤＣコンバータ１４などの交流電源６に接続された回路から切り離すことで、負荷回路２０やコントローラ１８の低耐圧部品を保護する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a nitride semiconductor device, which can suppress a current collapse, can increase a breakdown voltage, and can relax electric field concentration by forming a nitride semiconductor layer of a microcrystalline structure in a gradually inclining shape.例文帳に追加

電流コラプスの抑制と高耐圧化が実現できると共に、微結晶構造の窒化物半導体層を緩やかに傾斜した形状に形成し、電界集中を緩和することができる窒化物半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Suppression means 8 for suppressing occurrence of bubbles generated when a current larger than a predetermined amount flows in the conductive liquid 5 due to insulation breakdown is provided in a part in the liquid optical element 10 of an electric circuit for applying a voltage.例文帳に追加

絶縁の破壊で導電性液体５に一定以上の電流が流れることにより生じる気泡の発生を抑止する抑止手段８が、電圧を印加するための電気回路の液体光学素子１０中の部分に設けられている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which is high breakdown voltage MOSFET, formed on an SOI substrate and which will not cause leakage current to flow in the boundary face of a low concentration region and an implanted oxidized film by the potential difference of the low concentration region and a support substrate.例文帳に追加

ＳＯＩ基板に形成した高耐圧ＭＯＳＦＥＴであって、低濃度領域と支持基板との電位差によって、低濃度領域と埋め込み酸化膜の境界面を流れるリーク電流を発生させない半導体装置を提供する。 - 特許庁

To realize a semiconductor integrated circuit in which a voltage lower than the power supply voltage is supplied to a transistor constituting an I/O tolerant circuit, generation of a through current is suppressed in an input tolerant circuit, and the transistor is operated below a breakdown voltage.例文帳に追加

入出力トレラント回路を構成するトランジスタに電源電圧よりも低い電圧を供給し、入力トレラント回路での貫通電流の発生を抑制し、且つこのトランジスタを耐圧以下で動作させる半導体集積回路を実現する。 - 特許庁

To prevent a low voltage Zener diode from deteriorating in ESD strength due to reduction in impurity concentration of the outermost surface (with a depth of about 0 to 1 μm) of a guard ring, a leakage current from increasing due to the formation of an inversion layer, and the Zener diode from deteriorating in product characteristics, such as Zener breakdown voltage.例文帳に追加

ガードリング最表面部（深さ約０〜１μｍ）の不純物濃度低下によるＥＳＤ耐量の低下、および反転層の形成によるリーク電流の増加、ツェナー降伏電圧の低下等製品特性の劣化を防止する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a solid-state electrolytic capacitor which prevents the deterioration of a leakage current characteristic and the outbreak of a short circuit trouble while increasing breakdown strength, in the solid-state electrolytic capacitor using a conductive macromolecule as a solid-state electrolyte.例文帳に追加

導電性高分子を固体電解質として用いた固体電解コンデンサにおいて、漏れ電流特性の劣化およびショート故障の発生を防ぎつつ、高耐圧化することができる、固体電解コンデンサの製造方法を提供する。 - 特許庁

This can reduce the resistance of a current path by a secondary electron gas 8 generated near a contact surface with the AlGaN layer 4 in the GaN layer 3, and resistance between a drain and a source by the reduction of the resistance of the current path between the respective electrodes 5, 6 and the secondary electron gas 8, thereby making compatible the high breakdown strength and the low on-resistance.例文帳に追加

これにより、ＧａＮ層３におけるＡｌＧａＮ層４との接触面付近に発生する２次元電子ガス８による電流経路の低抵抗化と、各電極５、６と２次元電子ガス８との間の電流経路の低抵抗化によりドレイン・ソース間抵抗を低減でき、高耐圧化と低オン抵抗化を両立できる。 - 特許庁

To obtain a Schottky barrier diode with a high breakdown voltage and a large current where a leakage current in an opposite direction is reduced by forming a second conductivity type first surface layer with large depth and mutual interval and a second conductivity type second surface layer with small depth and mutual interval on the main surface of a first conductivity type SiC semiconductor substrate for forming Schottky junction.例文帳に追加

ショットキ接合を形成する第１導電型のＳｉＣ半導体基板の主表面に、深さおよび相互間の間隔の大きい第２導電型の第１表面層と、深さおよび相互間の間隔の小さい第２導電型の第２表面層を形成して、逆方向漏れ電流を低減した高耐圧、大電流のショットキーバリアダイオードを得る。 - 特許庁

A switching element 24 and a fusing element 22 are equipped as connected in series to the switching element 24 and blown-out by a current which flows when the switching element 24 has been brought into conducting condition, and an electrostatic breakdown preventing circuit 30 for preventing the electrostatic breakdown is connected to a control line 28 for impressing a control signal for controlling the switching element 24.例文帳に追加

スイッチング素子２４と、スイッチング素子２４と直列に接続され、スイッチング素子２４が導通状態となることによって流れる電流によって溶断するヒューズ素子２２と、を備え、スイッチング素子２４を制御する制御信号を印加するための制御ライン２８に静電破壊を防止するための静電破壊防止回路３０を接続することによって上記課題を解決することができる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing semiconductor device by which the characteristics, such as breakdown voltage, leakage current, etc., of a semiconductor device can be prevented from being deteriorated by the moisture entering into the device from a passivation film when a high voltage is applied between the source and drain of the device.例文帳に追加

パッシベーション膜から水分が侵入し、ソースとドレインの間に高電圧を印加したときに、水分による半導体デバイスの耐圧低下やリーク電流増加等のデバイス特性の劣化が生じるのを防止する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To simply detect a short-circuited state to protect a semiconductor switch element from breakdown with a reduced possibility of malfunction, even without the presence of a current sensing switch element with respect to a short-circuit protector for semiconductor switch elements, such as IGBT, used with a high voltage.例文帳に追加

高電圧で利用するＩＧＢＴ等の半導体スイッチ素子の短絡保護装置において、電流センス用のスイッチ素子が存在しなくても、簡単かつ誤動作の可能性小さく、短絡状態を検出し、半導体スイッチ素子を未然に破壊から保護する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device which includes a memory cell array comprising ReRAM cells, and which reduces a reverse bias current flowing into a non-selected cell, and whose breakdown voltage against a yield phenomenon is increased so that the device can be used at a high potential.例文帳に追加

非選択セルに流れる逆方向バイアスの電流を低減することができ、かつ降伏現象への耐圧を増加し高電位でも対応可能な、ＲｅＲＡＭセルから構成されたメモリセルアレイを有する半導体メモリ装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To promote alignment on the same chip as for a general integrated circuit manufactured in the manufacturing process for the CMOS in order to have a horizontal structure in addition to a high breakdown voltage, high output current, and fast working speed in a power MOS transistor.例文帳に追加

パワーＭＯＳトランジスタにおいて、高い降伏電圧、高い出力電流および高速の動作速度を備えるのみならず、水平構造を備えるために、ＣＭＯＳの製造工程で製作された一般的な集積回路と同一のチップ上に整合させる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a MPS structure or a JBS structure, capable of maintaining both of low forward drop voltage VF and high reverse breakdown voltage VR, and having short reverse recovery time trr and low reverse leakage current IR.例文帳に追加

ＭＰＳ構造又はＪＢＳ構造を有し、低い順方向降下電圧ＶＦ及び高い逆方向耐圧ＶＲを両立させることが可能で、さらには、逆回復時間ｔｒｒが短く、かつ、逆方向リーク電流ＩＲが低い半導体装置を提供する。 - 特許庁

To supply power to a driving means necessary for driving it while using low voltage as a power source to a control means for making it meet low current consumption and lowering of the breakdown voltage accompanying micro fabrication of semiconductor manufacturing processes.例文帳に追加

制御手段を低消費電流および半導体製造プロセスの微細化に伴う耐圧の低下に対応させるために該制御手段に対しては電源として低い電圧を用いながらも、駆動手段に対してはその駆動に必要な電源を供給する。 - 特許庁

To provide a pressure contact type semiconductor device which can uniformize a pressure contact stress distribution within a surface of a semiconductor element, can prevent a current concentration of the semiconductor element, and can enhance electric reliability by preventing a breakdown of the semiconductor element.例文帳に追加

半導体素子面内の圧接応力分布を均一化することができ、半導体素子の電流集中を防止することができ、半導体素子の破壊を防止することにより、電気的信頼性を向上することができる圧接型半導体装置を提供する。 - 特許庁

In the first switch circuit SW2, a current path is connected between a first voltage terminal to which a first voltage Vcc is applied and the first node Na, and a first transistor Q11 with high breakdown voltage is included for discharging an electric charge of the first node to the first voltage terminal.例文帳に追加

第１のスイッチ回路ＳＷ２は、第１の電圧Ｖｃｃが印加される第１の電圧端子と第１のノードＮａ間に電流通路が接続され、第１のノードの電荷を第１の電圧端子に放電する第１の高耐圧トランジスタＱ１１を含む。 - 特許庁

A high voltage conductor in a dielectric pellicle or ion damage prevention system is coated with a separation layer having a resistance low enough to prevent accumulation of charges on its surface and also high enough to restrict a peak current on dielectric breakdown.例文帳に追加

静電ペリクル又はイオン損傷防止システムでは、高電圧導体が、その表面上に電荷が蓄積するのを防止するのに十分に低い抵抗を有するが、絶縁破壊時にピーク電流を制限するのに十分に高い抵抗を有する分離層が被覆される。 - 特許庁

A voltage VGK between the gate and cathode of the SI thyristor 10 is monitored for preventing the reverse current IR flowing in the SI thyristor 10 and the voltage VGK between the gate, so that the cathode is prevented from exceeding a breakdown point VBR, where the voltage is saturated and becomes flat according to the relationship of nearly first-order monotonous increase.例文帳に追加

ＳＩサイリスタ１０のゲート−カソード間電圧ＶGKをモニタして、ＳＩサイリスタ１０内を流れる逆電流ＩRとゲート−カソード間電圧ＶGKが、略一次の単調増加の関係から飽和して平坦になるブレークダウンポイントＶBRを越えないようにする。 - 特許庁

Electrostatic discharge takes place at the electrode of the electronic component 114A when a charged rod 130 approaches the gap of a housing 120 and the distance between the charged rod 130 and the electronic component 114A becomes close to the distance d1 causing breakdown of discharge withstand current rating of air.例文帳に追加

筐体１２０の隙間に帯電した帯電棒１３０が近付いてきて、帯電棒１３０と電子部品１１４Ａとの距離が空気の放電耐力を破壊するだけの距離ｄ１に近づいた時、電子部品１１４Ａの電極に静電気放電が起こる。 - 特許庁

To provide a liquid crystal panel inspection method for detecting deterioration or breakdown of the semiconductor elements formed in the liquid crystal panel due to heat generation and lack of an ON-state current, and detecting a liquid crystal panel in danger of display failure within a short time.例文帳に追加

液晶パネル内に構成される半導体素子の発熱およびＯＮ電流不足による半導体素子の劣化又は破壊、及び液晶パネルの表示不良の恐れがある液晶パネルを短時間で発見する液晶パネルの検査方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a thin film capacitor in which a higher dielectric constant can be attained while simplifying film deposition conditions and a film deposition material and high reliability can be attained by attaining a high dielectric breakdown voltage and a low leak current.例文帳に追加

成膜条件や成膜材料を簡略化しつつ、より大きな比誘電率が得られ、かつ高い絶縁破壊電圧及び小さいリーク電流を達成し得ることで高い信頼性が得られる薄膜キャパシタの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

When overvoltage is applied, heavy current resulting from the overvoltage flows into the Zener diode 1, to prevent a heavy current from flowing into the electronic device, such as a secondary battery protection IC200, and keep the voltage between terminals of the secondary battery protection IC200 connected in parallel with the Zener diode 1 at constant voltage, equivalent to breakdown voltage of the Zener diode 1.例文帳に追加

過大電圧が印加されると、その過大電圧の印加に起因した大電流をツェナーダイオード１の方に流すようにして、二次電池保護ＩＣ２００のような電子デバイスの方に流れることを抑制すると共に、ツェナーダイオード１に対して並列に接続されている二次電池保護ＩＣ２００の端子間電圧を、そのツェナーダイオード１の降伏電圧程度の一定の電圧に保つ。 - 特許庁

Consequently, the resistance of an output NMOS path reaching low potential power wiring VSS from the output pad 6 via the NMOS 5 is set to a value at which a current flowing in the output NMOS path becomes smaller than the breakdown current of the NMOS 5 when a voltage causing the snapback of a protective NMOS 7 is applied between the output pad 6 and the low potential power wiring VSS.例文帳に追加

これにより、出力パッド６からＮＭＯＳ５を経由して低電位電源配線ＶＳＳに至る出力用ＮＭＯＳ経路の抵抗を、保護用ＮＭＯＳ７がスナップバックするような電圧が出力パッド６と低電位電源配線ＶＳＳとの間に印加されたときに、出力用ＮＭＯＳ経路に流れる電流がＮＭＯＳ５の破壊電流よりも小さくなるような値とする。 - 特許庁

When an adequate number of LEDs (at least one LED) is short-circuited, the deserved current I2 that cannot be neglected flows on the second feedback line J because a potential at the connection point A becomes higher than a regular potential and a cathode-anode voltage applied to the zener diode ZD1 reaches a breakdown voltage.例文帳に追加

適当数（少なくとも１つ）のＬＥＤが短絡した場合には、接続点Ａの電位が、平常時よりも上昇し、ツェナーダイオードＺＤ１に掛かるカソード・アノード間電圧は降伏電圧に達するので、これによって、第２帰還線路Ｊ上には無視できない相応の電流Ｉ２が流れる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a manufacturing method thereof wherein the device is a high breakdown voltage MOSFET formed on an SOI substrate, and a leakage current flowing through the interface between a surface silicon layer and a buried oxide film is made not to be generated by the potential difference between the surface silicon layer and the support substrate.例文帳に追加

ＳＯＩ基板に形成した高耐圧ＭＯＳＦＥＴであって、表面シリコン層と支持基板との電位差によって、表面シリコン層と埋め込み酸化膜の界面を流れるリーク電流を発生させない半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Thickness of a gate insulating film is differentiated between a circuit attaching importance to the operating speed and a circuit attaching importance to the gate insulation breakdown voltage, or an LDD region forming position is differentiated between a circuit attaching importance to the hot carrier countermeasure and a circuit attaching importance to the off current countermeasure.例文帳に追加

動作速度を重視する回路とゲート絶縁耐圧を重視する回路とでゲート絶縁膜の厚さを異ならせたり、ホットキャリア対策を重視する薄膜トランジスタとオフ電流対策を重視する薄膜トランジスタとでＬＤＤ領域の形成位置を異ならせる。 - 特許庁

By making a thickness of the inside craft paper layer 6 at 1/3 to 2/3 of that of the total paper layer constituting the oil-immersed insulation layer 3, the manufacturing time needed of the cable 1 can be shortened without deteriorating direct-current breakdown voltage during the cooling period of the heat cycle test.例文帳に追加

内側クラフト紙層６の厚さを、油浸絶縁層３を構成する全紙層の厚さの１／３〜２／３としたことにより、ヒートサイクル試験の冷却期間中における直流破壊電圧を低下させることなくケーブル１の製造所要時間を短縮することができる。 - 特許庁

An ESD surge current applied to an electrode 81 flows in the layer 41, is introduced to the layer 20 by avalanche breakdown at the pn junctions constituted by the layer 11 and the layer 20, and is recovered to an electrode 83 through the layer 30.例文帳に追加

電極８１へ印加されたＥＳＤサージ電流は、ドレイン層４１へ流れ、ドリフト層１１とＥＳＤサージ回収層２０とが成す上記ＰＮ接合でのアバランシェブレークダウンによってＥＳＤサージ回収層２０へ導かれ、トップコンタクト層３０を介して電極８３へ回収される。 - 特許庁

To provide an engine ignition device for performing the continuous current carrying avoiding control for forcibly stopping the ignition output from a power source in order to prevent the breakdown of an ignition coil to be a cause of the misfire of an engine, and provide a gas heat pump type air conditioner provided with this engine ignition device.例文帳に追加

エンジン失火を生じさせるイグニッションコイルの破壊を防ぐために、電源からの点火出力を強制停止させる連続通電回避制御を行うエンジン点火装置、及びこのエンジン点火装置を備えたガスヒートポンプ式空気調和機を提供すること。 - 特許庁

To solve the problem in a conventional level shift circuit such as that it reaches the breaking point of an element by an overcurrent when high voltage is applied between the gate and source, in condition that the voltage of several hundred V is applied from the source to the drain since the current sink capacity of the high breakdown strength element depends upon the voltage Vgs applied between the gate and source.例文帳に追加

高耐圧素子の電流シンク能力は、ゲート〜ソース間に印加される電圧Ｖgsに依存するため、数１００Ｖの電圧がドレインからソース間に印加されている状態で、ゲート〜ソース間に、高い電圧が印加されると、過大電流により素子破壊に至る。 - 特許庁

In the field effect transistor 100, by such a setting, a high breakdown voltage-quality effected based on a favorably suppressed leakage-current value and a high electric conductivity effected based on a favorably suppressed sheet resistance (on resistance) are consistent with each other reasonably in an unconventional extremely good even balance.例文帳に追加

電界効果トランジスタ１００では、この様な設定により、良好に抑制されたリーク電流値に基づく高い耐圧性と、良好に抑制されたシート抵抗（ｏｎ抵抗）に基づく高い電気伝導性とが、従来にない非常に良い兼ね合いで合理的に両立されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device including a structure to assure blowing of an electric fuse at the time of blowing the fuse, and also to provide a highly reliable semiconductor device in the structure not generating breakdown of an electric fuse element which is not blown with a transient current at the time read operation.例文帳に追加

切断の際に確実に電気ヒューズの切断可能な構成を有する半導体装置を提供し、また、読み出し時における過渡電流によって未切断の電気ヒューズ素子の断線が生じない構成を有する信頼性の高い半導体装置を提供する。 - 特許庁

To manufacture each element by processes simplified while improving each element characteristic in a semiconductor device including a MISFET requiring a relatively large current driving force at a low voltage for a high-speed operation and a MISFET requiring a high breakdown voltage.例文帳に追加

高速動作のために低電圧で相対的に大きな電流駆動力を必要とするＭＩＳＦＥＴと高耐圧を必要とするＭＩＳＦＥＴを有する半導体装置において、各素子を、それぞれの素子特性の向上を図りつつ簡素化した工程で製造する。 - 特許庁

To surely receive GPS signals from satellites and detect current positions without unnecessary consumption of electric power or the occurrence of a substantial voltage drop in cells to bring apparatuses to a breakdown, when using coin cells and other compact cells as power supplies.例文帳に追加

コイン型電池やその他の小型の電池を電源として使用した場合でも、無駄な電力消費を回避して、電池の著しい電圧降下が発生して装置が機能停止になるような事態を招くことなく、衛星からのＧＰＳ信号を確実に受信して現在位置を検出する。 - 特許庁