「breakdown current」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a semiconductor device and its manufacturing method by which on-chip structure can be realized together with other devices, a large current be controlled even in a small area of the device, and an on-state resistance is small enough to establish a high breakdown voltage.例文帳に追加

他の素子とオンチップ化できる構造であり，素子面積が小さいにもかかわらず大電流を制御でき，オン抵抗が小さく高耐圧を可能にする半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a trench gate MOS element by which a physical damage of a trench gate oxide is prevented to improve characteristics of leakage current and dielectric breakdown of an element.例文帳に追加

本発明は、トレンチゲート酸化膜（trench gate oxide）の物理的な損傷を防止して素子の絶縁破壊及び漏洩電流の特性を向上させることができるトレンチゲートＭＯＳ素子の製造方法を提供するためのものである。 - 特許庁

To achieve higher integration, smaller power consumption, and higher speed while preventing dielectric breakdown even if a voltage higher than a supply voltage is applied and even if electrostatic discharge current is introduced.例文帳に追加

電源電圧よりも高い電圧が印加された場合でも、また、静電気による放電電流が流れ込んでも、絶縁破壊などを起こさないようにしながら、高集積化・省消費電力化および高速化を達成する。 - 特許庁

To provide a pump device for a circulation bathtub capable of preventing leakage current from being conducted to the bathtub via a pump, even at the time of electrical leak due to breakdown etc. of a motor of the pump device for the circulation bathtub.例文帳に追加

循環浴槽用ポンプ装置のモータが故障等により漏電した場合であっても、その漏洩電流がポンプを介して浴槽にまで伝導されることを防止できる循環浴槽用ポンプ装置を提供する。 - 特許庁

To provide a power cable perfect for use, such as plasma blasting, wherein a large current is repeatedly applied in a short time, allowing dissolution of a dielectric breakdown or deformation of a conductor caused by repulsion between the conductor and a return conductor.例文帳に追加

プラズマ爆破用など、短時間に大電流を流すことが繰り返し行われる用途に最適な電力ケーブルで、導体とリターン導体との反発による不都合を解消できる電力ケーブルを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which increase in sheet resistance of a gate electrode incident to heat treatment, and increase in junction current level due to junction breakdown can be suppressed; and to provide its fabrication process.例文帳に追加

熱処理に伴うゲート電極のシート抵抗値の上昇と、接合破壊により生じる接合リーク電流値上昇を抑制することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Accordingly, transistors composing a constant electric current control circuit can be changed from a high breakdown voltage structure to a conventional type to greatly reduce the pattern area of transistors and the chip size.例文帳に追加

これにより、定電流制御回路３を構成するトランジスタを高耐圧構造からコンベンショナル型に変更することができるので、トランジスタのパターン面積が飛躍的に小さくなり、チップサイズが縮小化される。 - 特許庁

To provide a solid electrolytic capacitor having low ESR, a low leakage current, and a high breakdown voltage, by improving a separator and reducing equivalent series resistance even without heat treatment, and to provide a manufacturing method of the solid electrolytic capacitor.例文帳に追加

セパレータを改善することにより、熱処理を行わなくても等価直列抵抗を低減可能とすることにより、低ＥＳＲ、低漏れ電流、高耐電圧の固体電解コンデンサ、およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can be made excellent in long-term reliability and in breakdown resistance by reducing current concentration in a switch structure arranged at the outermost part, and also a method of manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

最外部に配置されたスイッチ構造に電流が集中することを緩和し、長期信頼性および破壊耐量に優れた半導体装置および半導体装置の製造方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can reduce the operation resistance of a Zener diode group when a surge is applied and also reduce the current density of an outer circumferential dielectric strength part of a corner part in case of a breakdown.例文帳に追加

サージが印加されたときのツェナーダイオード群の動作抵抗を低減させ、かつ、ブレークダウン時のコーナー部における外周耐圧部の電流密度を低減させることができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which improves the dielectric breakdown properties or interface-state generation of the gate insulating film, stress-induced leakage current properties, and NBT degradation; and to provide a method for manufacturing the semiconductor.例文帳に追加

本発明は、ゲート絶縁膜の絶縁破壊特性や界面準位生成、ストレス誘起リーク電流特性、ＮＢＴ劣化を改善することのできる半導体装置とその製造方法を提供することにある。 - 特許庁

To simultaneously realize a higher breakdown voltage between the gate and the drain, a higher current density in the channel region, and a lower contact resistance of the source/drain electrode, as to a hetero-junction transistor using a nitride based compound semiconductor layer.例文帳に追加

窒化物系化合物半導体層を用いたヘテロ接合トランジスタについて、ゲート・ドレイン間の高耐圧化、チャネル領域での高電流密度化、及びソース／ドレイン電極の低コンタクト抵抗化を同時に実現すること。 - 特許庁

To achieve normally ON type and normally OFF type nitride semiconductor heterostructure field effect transistors (HFET) of current collapse free and a high breakdown voltage, and to achieve the latter especially in the HFET.例文帳に追加

窒化物半導体ヘテロ構造電界効果トランジスタ（ＨＦＥＴ）において、電流コラプスフリーで、かつ高耐圧の、ノーマリーオン型およびノーマリーオフ型のＨＦＥＴを実現することであり、特に後者を実現すること。 - 特許庁

To provide a power supply circuit and an electronic apparatus, which prevent breakdown of a switching element of a current bypass route provided to suppress reduction in an output voltage of a switching power supply when a power source voltage drops.例文帳に追加

電源電圧が低下したときスイッチング電源の出力電圧の低下を抑えるために設けられる電流バイパス経路のスイッチング素子の破壊を防止することができる電源回路および電子機器を提供する。 - 特許庁

Since a current flows through the low resistance conduction passage and does not flow through the high resistance collector region when a transistor is turned on, collector resistance can be decreased and a low V_CE(sat) can be realized while ensuring the breakdown voltage.例文帳に追加

これにより、トランジスタのＯＮ時には、低抵抗の導電路を通過し、高抵抗のコレクタ領域を電流が通過しないので、コレクタ抵抗を低減でき、耐圧を確保しつつ低Ｖ_ＣＥ（ｓａｔ）を実現できる。 - 特許庁

To provide a commutating method capable of preventing the breakdown of a device without using an AC snubber or the like by preventing a commutation failure, thus minimizing surge even if a power supply voltage or a load current is small.例文帳に追加

電源電圧や負荷電流が小さい場合でも転流失敗を防止し、サージを極力小さくして交流スナバ等を用いることなく装置の破損を防止することができる転流方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device in which wiring can be effected with a bonding wire 4 in a mode for enhancing the current breakdown strength or reducing the ON voltage even if the contour of a transistor 200 is made thin and a dent 22 of ejector pin is present.例文帳に追加

トランジスタ２００の外形の厚さを薄くし、かつエジェクタピン跡２２が存在しても、電流破壊耐量を向上させたり、オン電圧を低減させる態様でボンディングワイヤ４による結線を可能とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a high breakdown voltage in which a leak current can be reduced when a reverse voltage is applied while sustaining the on resistance without requiring ion implantation and high temperature heat treatment incident thereto.例文帳に追加

イオン注入並びにそれに伴う高温での熱処理を要することなく、オン抵抗を維持しつつ逆方向電圧印加時の漏れ電流を低減することが可能な高耐圧半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a capacitor which has high permittivity and high dielectric breakdown voltage and is low in leakage current by preferential orientation a high dielectric thin film, having a perovskite structure of to the (111) plane.例文帳に追加

ペロブスカイト構造を有する高誘電体薄膜の配向性が（１１１）面に優先配向していることにより誘電率が大きく、リーク電流の小さな絶縁耐圧に優れたコンデンサの製造方法を提供する。 - 特許庁

To prevent ozone layer destruction and global warming by using ammonia refrigerant in a hermetic compressor and to prevent dielectric breakdown of a fluororesin coating due to starting current to improve reliability.例文帳に追加

密閉形圧縮機において、アンモニア冷媒を用いてオゾン層破壊防止や地球温暖化防止を図りつつ、始動電流による弗素樹脂被覆の絶縁破壊を防止して信頼性の高いものとすること。 - 特許庁

The third switch circuit includes a third transistor Q15 with high breakdown voltage while the current path is connected between a third voltage terminal to which a third voltage lower than the first voltage is applied and the first node.例文帳に追加

第３のスイッチ回路は、第１の電圧よりも低い第３の電圧が印加される第３の電圧端子と第１のノードの間に電流通路が接続される第３の高耐圧トランジスタＱ１５を含む。 - 特許庁

To enhance the breakdown voltage of a semiconductor device having a crystal dielectric film of perovskite structure between the electrodes by reducing leak current in a reverse bias region while sustaining a unit capacity.例文帳に追加

電極間にペロブスカイト構造を有する結晶性誘電体膜を備えた半導体装置において、単位容量を維持しつつ、逆バイアス領域でのリーク電流を低減して耐圧を向上させることを可能とする。 - 特許庁

To avoid breakdown of a power source module by inrush current when the power is turned on without designing the power source module with over specification and without designing the overcurrent protection characteristic, in an overcurrent control circuit.例文帳に追加

過電流制御回路に関し、電源モジュールをオーバースペックで設計することなく、過電流保護特性に工夫することなく、電源投入時の突入電流による電源モジュールの機能停止を回避すること。 - 特許庁

When the enamel layer 463b is broken or the like, a leakage current flows from the heating wire 463a to the conductive tape 463c, and the dielectric breakdown detection circuit detects it to, for example, shut off a power supply.例文帳に追加

したがって、エナメル層４６３ｂに破壊などが生じると、発熱線４６３ａから導電テープ４６３ｃに漏洩電流が流れ、これを絶縁破壊検知回路が検知して、例えば、電源を遮断する。 - 特許庁

In this case, a breakdown voltage to the opposite direction voltage of both diodes 9 and 10 is set to a value lower than a breakdown voltage between both emitters 5 and 6 and higher than the upper limit value of a sense voltage, and thus, the destruction of the second IGBT 2 by the excess voltage is surely prevented while effectively preventing the excess current at the first IGBT 1.例文帳に追加

ここで、両ダイオード９、１０の逆方向電圧に対する降伏電圧は、両エミッタ５、６間の耐圧値より低く、かつセンス電圧の上限値より高い値に設定され、これにより第１ＩＧＢＴ１の過電流を有効に防止しつつ、第２ＩＧＢＴ２の過電圧による破壊が確実に防止されるようになっている。 - 特許庁

When current is passed through the semiconductor device 10 by the power supply 20 in a state where the switching element 24 connects between the power supply 20 and the semiconductor device 10 and the switching part 70 turns on the semiconductor device 10, the control part 50 sets, to a first value, a saturation current that can be passed through the switching element 24 if breakdown by current occurs in the semiconductor device 10.例文帳に追加

スイッチング素子２４が電源２０と半導体素子１０との間を接続し、且つ切替部７０が半導体素子１０をオンさせる状態で、電源２０によって半導体素子１０に電流が流れる時、制御部５０は、半導体素子１０が仮に電流破壊した時のスイッチング素子２４に流れ得る飽和電流を第１の値に設定する。 - 特許庁

An electrostatic breakdown protective circuit 1 includes a first thyristor constituted by a pnp transistor 25 and an npn transistor 21 having a small current amplification factor α_npn, a second thyristor constituted by a pnp transistor 25 and an npn transistor 22 having a large current amplification factor α_npn, and an n-channel MOSFET 14.例文帳に追加

静電破壊保護回路１は、ｐｎｐトランジスタ２５および電流増幅率α_npnの小さいｎｐｎトランジスタ２１で構成される第１のサイリスタ、ｐｎｐトランジスタ２５および電流増幅率α_npnの大きいｎｐｎトランジスタ２２で構成される第２のサイリスタ、およびｎチャネルＭＯＳＦＥＴ１４を有する。 - 特許庁

The electrostatic breakdown protection circuit has: a thyristor for allowing a surge current to flow from an input terminal to the second power terminal; and a bipolar transistor for allowing a surge current to flow from the first power terminal to the input terminal.例文帳に追加

静電破壊保護回路は、第１の電源端子、第２の電源端子及び入出力端子を有する半導体装置の静電破壊保護装置であって、前記入力端子から前記第２の電源端子にサージ電流を流すサイリスタと、前記第１の電源端子から前記入力端子にサージ電流を流すバイポーラトランジスタとを有する。 - 特許庁

To provide a dynamo-electric machine which can prevent abrasion of bearing, damage, breakdown, etc. of a rotating shaft by reducing a bearing current, without deteriorating the efficiency of the dynamo-electric machine, by merely adding simple and inexpensive parts.例文帳に追加

簡単で安価な部品を追加するだけで、回転電機の効率を劣化させずにベアリング電流を低減させて軸受け部磨耗、回転軸の損傷、破壊等を防止することができる回転電機を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory, and its fabricating method, in which reliability and yield are enhanced by preventing deterioration of breakdown voltage or increase of leak current due to concentration of field to an inter-gate insulation film at the corner part of a floating gate.例文帳に追加

浮遊ゲートコーナー部分のゲート間絶縁膜への電界集中による耐圧劣化やリーク電流増加を軽減して、信頼性及び歩留まりを向上させる半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To reliably prevent one of a pair of smoothing capacitors from failing due to excess of a breakdown voltage when the other malfunctions, in a power supply supporting worldwide input, especially, when alternating-current supply voltage is 200 V.例文帳に追加

ワールドワイド入力対応型の電源装置において、特に交流電源電圧が２００Ｖ系であるときに、一対の平滑コンデンサの一方に異常が生じることによる他方の耐圧オーバによる破損を確実に防止する。 - 特許庁

In a starting period (high-frequency operation period), the step-down chopper circuit is so controlled as to allow the dielectric breakdown of the discharge lamp La and thereafter set the voltage of the capacitor C1 at a value allowing a predetermined high-frequency current to flow.例文帳に追加

また、始動時（高周波動作期間）においては、放電ランプＬａの絶縁破壊が可能となり、その後、所定の高周波電流が流れるようなコンデンサＣ１の電圧となるように、降圧チョッパ回路を制御する。 - 特許庁

The resistance of the resistor 23 is adjusted so that a voltage being a product of the resistance of the resistor 23 and a current supplied through the avalanche diode 21 when the collector- emitter voltage exceeds the breakdown voltage of the avalanche diode 21 exceeds a threshold voltage of the IGBT 2 or more.例文帳に追加

抵抗２３の値は、コレクタ・エミッタ間電圧がアバランシェダイオード２１の耐圧を越える時に流れる電流と抵抗２３との積で与えられる電圧がＩＧＢＴ２のしきい値電圧以上となる様に、調整される。 - 特許庁

To enhance the breakdown voltage of a lateral semiconductor device by making thin a silicon semiconductor layer of an SOI substrate, and to prevent the time up to thermal breakage of the silicon semiconductor layer during supply of a large current from becoming short.例文帳に追加

ＳＯＩ基板のシリコン半導体層を薄膜化することによって横型の半導体装置の耐圧を高め、しかも大電流の通電時にシリコン半導体層が熱破壊されるまでの時間が短くなることを防止する。 - 特許庁

In the circuit simulation of the electrostatic breakdown protective circuit including a MOSFET, a current amplification factor is altered in response to a gate voltage of the MOSFET in the description 1 of device characteristics of a parasitic bipolar transistor of the MOSFET.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴを有する静電破壊保護回路の回路シミュレーションにおいて、ＭＯＳＦＥＴの寄生バイポーラトランジスタの素子特性記述１のうち、ＭＯＳＦＥＴのゲート電圧に応じて電流増幅率を変更する。 - 特許庁

Consequently, the breakdown voltage near the end section 3b of the N type emitter layer 3 becomes higher than that near the central section 3a of the N type emitter layer 3, thus preventing concentration of current in an SI thyristor.例文帳に追加

そのため、前記Ｎ型エミッタ層３の端部３ｂ付近の降伏電圧は、前記Ｎ型エミッタ層３の中央部３ａ付近における降伏電圧と比較して高くなり、ＳＩサイリスタにおける電流集中を防止することができる。 - 特許庁

The first part 181 passes a minute current, dielectric breakdown of an upper part gap layer 18 is prevented by reducing potential difference between the upper shield layer 19 and the MR element 15 and between the pair of electrode layers 17L, 17R.例文帳に追加

第１部分１８１が微小電流を通過させ、上部シールド層１９と、ＭＲ素子１５および一対の電極層１７Ｌ，１７Ｒとの間の電位差を低減することにより上部ギャップ層１８の静電破壊を防止する。 - 特許庁

A semiconductor chi whose area becomes large so as to deal with the large current, the high breakdown voltage can be divided into the first and second SOI-HVIC chips so as to be overlapped and arranged, and the package which houses the chips is not made large-sized.例文帳に追加

大電流化、高耐圧化に対応して大面積となる半導体チップを、第１および第２のＳＯＩ−ＨＶＩＣチップに分割して重ねて配置することができ、チップを収めるパッケージの大型化を招くことがない。 - 特許庁

Thus, since a valence band energy difference ΔEv between the emitter layer 14 and the base layer 13, and a valence band energy difference ΔEv between the collector layer 12 and the base layer 13 are increased, both the breakdown voltage and the current gain are increased.例文帳に追加

これにより、エミッタ層１４とベース層１３との間のバレンスバンドのエネルギー差ΔＥ_V 、及びコレクタ層１２とベース層１３との間のバレンスバンドのエネルギー差ΔＥ_V が大きくなるため、耐圧及び電流利得が共に増大する。 - 特許庁

When not carrying out the transfer operation, the opposite electric charge injection from the transfer roll 6a to the electrified body layer 2b of the image carrier 2 does not occur, and an electric current exceeding the breakdown strength of the integrated circuit driver 7 of the writing electrode 3b does not flow.例文帳に追加

転写動作を行わないときに、転写ローラ６ａから像担持体２の帯電体層２ｂへの逆電荷注入は起こらず、書込電極３ｂのＩＣドライバ７の耐圧を超えた電流が流れることはない。 - 特許庁

The moment the AC waveform voltage V_2 is applied to the circuit 61 with the switch 71 closed, the dielectric breakdown generates in the conductive resin 40 by an inrush current flowing in the circuit 61 based on a potential difference of the bias voltage V_B.例文帳に追加

スイッチ７１を閉じて回路６１に交流波形電圧Ｖ_２を印加した瞬間に、バイアス電圧Ｖ_Ｂの電位差に応じて回路６１に流れる突入電流によって、導電性樹脂４０に絶縁破壊が生じる。 - 特許庁

To provide an efficient method in the case of improving the leakage current characteristic and the breakdown voltage characteristic of a solid electrolytic capacitor by interposing a heat treatment processing in the midway of anodic oxidation processes, in a manufacturing method of the solid electrolytic capacitor.例文帳に追加

固体電解コンデンサの製造方法であって、陽極酸化処理の途中で熱処理工程を介在させることによって、漏れ電流特性、破壊電圧特性の改善を行う場合の効率的な方法を提供する。 - 特許庁

To provide a motor driving semiconductor device for restricting an increase of temperature without depending on outer control before its internal temperature attains a temperature where thermal breakdown is caused, namely a temperature where a motor drive current should be shut down.例文帳に追加

内部温度が、熱破壊が起こる前の温度、つまりモータ駆動電流をシャットダウンしなければならない温度に達する前に、外部制御に頼らずに温度上昇を抑えることができるモータ駆動用半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a high withstanding voltage transistor wherein the current caused by impact ion is reduced by suppressing generation of hot carrier, punch through is also reduced, and a stable threshold value is provided, resulting in providing a sufficient breakdown voltage with low on-resistance.例文帳に追加

ホットキャリアの生成を可及的に抑制してインパクトイオンによる電流を減少させ、パンチスルーが少なく安定した閾値を得ることができ、オン抵抗の低い十分な耐圧を得ることを可能とする高耐圧トランジスタを実現する。 - 特許庁

To provide a new high-permittivity insulating thin film, which is suitable for the gate insulating film of a MOS device, suitable in permittivity, having high breakdown voltage, and capable of effectively preventing leakage current.例文帳に追加

ＭＯＳデバイスのゲート絶縁膜として好適に用いることのできる、高誘電率であり、かつ高印加電圧耐性であってリーク電流を効果的に防止することのできる、新規な高誘電体絶縁薄膜を提供する。 - 特許庁