「breakdown current」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an electron emission source which improves discharge breakdown-resistant voltage and is excellent on emitted current performance, and its manufacturing method.例文帳に追加

放電破壊耐圧が向上し、放出電流性能に優れた電子放出源及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device excellent in breakdown voltage characteristic and current amplification characteristic, and to provide a method of manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

耐圧特性と電流増幅特性とに優れた半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The insulation materials have a resistance to the accumulated graphite scattered from the electrodes and diminish breakdown by a high voltage/current.例文帳に追加

この部材は、電極から飛び散ったグラファイトの集積に対して抵抗性を有し、高電圧／電流のブレイクダウンを少なくする。 - 特許庁

To overthrow a tradeoff relation that exists between the improvement of a reverse recovery characteristics and the control of leakage current reduction and breakdown.例文帳に追加

逆回復特性の改善とリーク電流の低減とブレークダウンの抑制の間に存在するトレードオフ関係を打破すること。 - 特許庁

To provide a load driving circuit which can prevent breakdown due to heat while increasing a current supplied to a load.例文帳に追加

負荷に供給する電流を増加させつつ、熱による破壊されることを防ぐことが可能な負荷駆動回路を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a low forward voltage drop, a high reverse breakdown voltage and a low reverse leakage current.例文帳に追加

低い順電圧降下を有し且つ高い逆耐圧及び低い逆リーク電流を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor device that can suppress current collapse and operate at high breakdown voltage, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

電流コラプスを抑制するとともに、高耐圧動作が可能な化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a SiC semiconductor device including JBS for preventing breakdown of an element caused by concentrated electric field when surge current is generated.例文帳に追加

サージ発生時に電界集中による素子破壊を防止できるＪＢＳを備えたＳｉＣ半導体装置を提供する。 - 特許庁

A current generator 6 drives the coils r1 to r12 in constant current mode so as to increase the current of the coil r3 by dielectric breakdown, for example and the currents of other coils r1, r2, r4, r5 and r6 uniformly lower.例文帳に追加

直流発生装置６は定電流モードとしてコイルｒ１〜ｒ１２を駆動することで、例えば、絶縁破壊によりコイルｒ３の電流が増加すると、他のコイルｒ１，ｒ２，ｒ４，ｒ５，ｒ６の電流は一様に低下する。 - 特許庁

Then, if the spike voltage tries to occur to reach the breakdown area and a drain break current flows, the gate voltage rises by the amount of voltage dropped in the current limiting resistor 1 to increase the drain current as a result.例文帳に追加

これによりスパイク電圧が生じようとして破壊領域に達しドレーンブレーク電流が流れると電流制限抵抗器１の電圧降下分だけゲート電圧が上昇しその結果ドレーン電流が増加する。 - 特許庁

To efficiently manufacture on the same semiconductor substrate a high breakdown voltage LOCOS offset transistor with a structure having no off leakage current by providing no LDD region and a regular low breakdown voltage transistor with a structure having no off leakage current by providing an LDD region.例文帳に追加

ＬＤＤ領域を設けないでオフリーク電流をなくした構成の高耐圧のＬＯＣＯＳオフセットトランジスタとＬＤＤ領域を設けてオフリーク電流をなくした構成の通常の低耐圧トランジスタを同一半導体基板上に効率的に製造すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit having on a principal surface of an SOI substrate a high breakdown voltage element formed on an island-shaped semiconductor layer surrounded by a dielectric, which prevents decrease in a breakdown voltage of the high breakdown voltage element due to influence on potential from a surrounding region thereby improving an output current density.例文帳に追加

ＳＯＩ基板の主面に、誘電体によって囲まれた島状の半導体層に形成された高耐圧素子を有する半導体集積回路装置において、周辺領域の電位の影響による高耐圧素子の耐圧の低下を防いで、出力電流密度を向上する。 - 特許庁

To obtain a sufficient breakdown voltage, and at the same time reduce a leakage current in a trench semiconductor device where a current path is provided on and at the side wall and bottom section of a trench formed on a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板に形成したトレンチの側壁及び底部に電流経路を配設したトレンチ型半導体装置において、十分な耐圧を得るとともにリーク電流を低減する。 - 特許庁

Due to the use of a diode for serving as a nonlinear element, the operation of the transistor 1 can be abruptly limited against an increase in output current, so that the transistor breakdown due to the excess current can be prevented.例文帳に追加

非線形素子であるダイオードを利用しているため、出力電流の増加に対し急峻にトランジスタ１の動作を制限でき、過電流による破壊を防ぐことができる。 - 特許庁

To accurately measure a resistance content current IR of a leakage current I_g which becomes a cause for dielectric breakdown or electrical leakage fire of an electric device, without being effected by the influence of changes in the voltage or the frequency.例文帳に追加

電気機器の絶縁破壊や漏電火災の原因となる漏洩電流I_g中の抵抗分電流I_Rを電圧や周波数の変動の影響を受けずに高精で測定する。 - 特許庁

A gain control part 104 is a circuit of the low-breakdown voltage system and changes a voltage/current conversion coefficient in the voltage/current conversion part 103 in accordance with a control signal Scntl.例文帳に追加

ゲイン制御部１０４は、低耐圧系の回路であり、制御信号Ｓｃｎｔｌに応じて、電圧電流変換部１０３における電圧電流変換係数を変更する。 - 特許庁

To provide a III-V compound semiconductor electronic device reducing a leakage current from a gate electrode and being proper to a high-power device obtaining high breakdown-strength characteristics and large-current output characteristics.例文帳に追加

ゲート電極からのリーク電流を低減して、高耐圧特性と大電流出力特性が得られるハイパワーデバイスに適したIII-Ｖ族化合物半導体系電子デバイスを提供する。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device in which the reliability is enhanced by stabilizing the gate voltage even at the time of high voltage, high current and blocking uneven current, oscillation, and the like, thereby protecting the device against breakdown.例文帳に追加

本発明は、高電圧、高電流時にもゲート電圧を安定させ、電流不均一や発振等を阻止でき、もって、装置を破壊から保護して信頼性の向上を図る。 - 特許庁

At this time, a load current flowing through the LED 22 increases from I0 to exceed I1, and then the load current reaches an open breakdown point A2 shown in Fig.5, and the LED 22 breaks down in an open mode.例文帳に追加

このとき、ＬＥＤ22に流れる負荷電流はＩ0からＩ1を超えて増加するため、図５に示した開放破壊ポイントであるＡ2に至り、ＬＥＤ22は開放モードで破壊する。 - 特許庁

To prevent a breakdown of a power source circuit by providing a current limiting circuit in a power source output end for outputting a power source to a vehicle height detecting means.例文帳に追加

車高検出手段への電源出力端に電流制限回路を設けることで、電源回路の破壊を防止する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of suppressing breakdown of a switching element by a surge current without complicating its structure.例文帳に追加

構造を複雑化させることなく、サージ電流によるスイッチング素子の破壊を抑制することのできる半導体装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a protective circuit capable of significantly improving surge breakdown voltage and surge current tolerance rate, with no effect on normal operation.例文帳に追加

通常動作に影響を与えることなく、サージ耐圧及びサージ電流耐量を飛躍的に向上可能な保護回路を提供する。 - 特許庁

To improve RF characteristics by reducing current collapse, and to obtain a breakdown voltage required for an amplifier for a portable-telephone base station.例文帳に追加

電流コラプスを低減させてＲＦ特性を改善し、携帯電話基地局用アンプに必要とされる耐圧を得ることを可能とする。 - 特許庁

The temperature detection circuit includes a constant current circuit generating constant current, a Zener diode generating breakdown voltage varying depending on the temperature when the constant current is supplied, and a signal output circuit for output of the output signal indicating whether the Zener diode temperature is higher than the Zener diode temperature when the breakdown voltage is turned into a predetermined voltage, based on a magnitude relationship between the breakdown voltage and the predetermined voltage.例文帳に追加

温度検出回路は、定電流を生成する定電流回路と、定電流が供給されると、温度に応じて変化する降伏電圧を生成するツェナーダイオードと、降伏電圧と所定電圧との大小関係に基づいて、ツェナーダイオードの温度が、降伏電圧が所定電圧となる際のツェナーダイオードの温度より高いか否かを示す出力信号を出力する信号出力回路と、を備える。 - 特許庁

To obtain a triple well MOS transistor in which increase of current consumption is prevented while protecting an element against breakdown due to thermal runaway of a parasitic bipolar transistor.例文帳に追加

トリプルウェルＭＯＳトランジスタにおいて、消費電流の増大や、寄生バイポーラトランジスタの熱暴走による素子破壊を防ぐこと。 - 特許庁

To provide a capacitor with a large capacitance, reduced leakage current, and prolonged lifetime of time-dependent dielectric breakdown (TDDB), and to provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加

大容量でリーク電流が少なく、経時的絶縁破壊（ＴＤＤＢ）寿命の長いキャパシタおよびその製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a diode element circuit in which the manufacturing steps are not required to increase, and a small leak current and a high breakdown strength can be realized.例文帳に追加

製造工程の追加の必要がなく、少リーク電流と高耐圧とが実現できるダイオード素子回路を提供することにある。 - 特許庁

To provide a structure of a semiconductor device like a high-breakdown-voltage hybrid transistor which has small parasitic resistance and large current driving capability.例文帳に追加

寄生抵抗が小さく、かつ電流駆動能力が大きい高耐圧ハイブリッドトランジスタのような半導体装置の構造を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor element using a group III nitride semiconductor which realizes high mobility and high breakdown voltage and operates at a large current.例文帳に追加

高移動度と高耐圧を両立し、かつ大電流動作が可能なIII族窒化物半導体を用いた半導体素子を提供する。 - 特許庁

To enable the reduction of contact resistance and the reduction of leakage current in a contact hole, and further to enable electrostatic discharge breakdown resistance to be secured.例文帳に追加

コンタクト抵抗の低減及びコンタクトホールにおけるリーク電流の低減を図り、さらに、静電破壊耐圧が確保できるようにする。 - 特許庁

Herein, a low dielectric constant film having a sufficiently practicable leak current and a breakdown voltage and further having a dielectric constant of 2.8 can be manufactured.例文帳に追加

ここではリーク電流、絶縁破壊電圧は十分実用に耐え、比誘電率２．８の低誘電率膜を製造することができた。 - 特許庁

To provide a high-performance field effect transistor having resistance to high breakdown voltage, high electron mobility, and low gate-leakage current at a time.例文帳に追加

高い破壊耐圧、高い電子移動度及び低いゲート漏れ電流を併せ持つ高性能の電界効果トランジスタを提供すること。 - 特許庁

To provide a field effect transistor having less leak current and high breakdown voltage in a reverse direction, and capable of switching at a high speed and low loss.例文帳に追加

リーク電流が少なく、逆方向の耐圧が大きく、高速で低損失のスイッチングが可能な電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁

To realize safe breakdown of short circuiting current due to an element damage or the like, by suppressing the increase of the number of part items in a three-level inverter or the like.例文帳に追加

３レベルインバータ等で、部品点数の増加を抑え、素子破壊などによる短絡電流を安全に遮断できるようにする。 - 特許庁

To provide a bipolar transistor which is capable of suppressing a kirk effect that hampers a high current amplification factor, while keeping a high breakdown voltage.例文帳に追加

高い耐電圧を維持するとともに、高電流増幅率を阻害するkirk効果を抑えることができるバイポーラトランジスタを提供する。 - 特許庁

Further, variation in breakdown voltage in a large current region of the diode element (10) can be made smaller by heavily doping the first semiconductor region (1).例文帳に追加

第１の半導体領域（１）を高不純物濃度にしてダイオード素子の大電流領域の耐圧変化を小さくできる。 - 特許庁

In other words, the concentration of the current flowing directly below the right end of a gate electrode 11 is relaxed to ensure a high breakdown voltage.例文帳に追加

つまり、従来、ゲート電極１１の右端の直下における電流の集中が緩和されるため、耐圧を高めることができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device suppressing breakdown voltage dispersion in electric characteristics, with a high ESD resistance amount and a reduced reverse leakage current.例文帳に追加

電気特性の耐圧のバラツキを抑制し、ＥＳＤ耐量が高く、逆方向漏れ電流の少ない半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide an electrifying voltage control circuit for controlling a discharge current with an inexpensive, small-scaled constitution by giving consideration to the increase of the circuit manufacturing cost due to high cost of electrical components for high breakdown strength use.例文帳に追加

高耐圧使用の電気部品はコストが高いことから、その回路を作製するためのコストが高くなってしまう。 - 特許庁

To provide an improved semiconductor substrate holding device having an anode oxidation film capable of reducing a leakage current and preventing easy generation of dielectric breakdown.例文帳に追加

リーク電流が小さく、絶縁破壊の生じにくい陽極酸化膜を有する改良された半導体基板保持装置を与える。 - 特許庁

To provide a load drive circuit in which an overcurrent protective current value is designed easily and which can prevent an element breakdown due to an overcurrent.例文帳に追加

過電流保護電流値の設計を容易にし、過電流による素子破壊を防ぐことができる負荷駆動回路を提供する。 - 特許庁

To analyze a breakdown of a current detector with high reliability without having an effect upon an operation load of motor control.例文帳に追加

モータ制御の演算負荷に影響を与えることなく、電流検出器の故障を高い信頼性をもって診断できるようにする。 - 特許庁

To provide a semiconductor element for increasing current capacity due to the decrease in the forward voltage and on-resistance regardless of a high breakdown voltage by drastically relaxing the trade-off relationship between the forward voltage/on-resistance and the breakdown voltage.例文帳に追加

順電圧やオン抵抗と耐圧とのトレードオフ関係を大幅に緩和させて、高耐圧でありながら順電圧やオン抵抗の低減による電流容量の増大が可能な半導体素子を提供する。 - 特許庁

To realize a stable operation even in a high voltage and high current drive by suppressing increase of the parasitic resistance and increasing the breakdown voltage.例文帳に追加

寄生抵抗の増加を抑制し、耐圧を向上し、高電圧かつ高電流駆動においても安定な動作が実現できるようにする。 - 特許庁

To prevent image degradation due to dark lines or streaking, as well as prevent breakdown of resistive members while restraining the occurrence of abnormal current due to discharges.例文帳に追加

放電による異常電流の発生を抑えつつ、暗線やストリーキングによる画像劣化を防止しかつ抵抗部材の破壊を防止する。 - 特許庁