「breakdown current」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an alternating-current motor-generator controller for vehicle that makes it possible to avoid breakdown of a switching element, reduce switching loss, and suppress increase in noise through simple circuitry.例文帳に追加

簡素な回路構成でスイッチング素子の破壊回避とスイッチング損失低減と騒音増大抑止とを実現可能な車両用交流電動発電機制御装置を提供すること。 - 特許庁

In addition, when it comes to ratio of breakdown of the Japanese Current Account contrasted with GDP, as the long term tendency, "Trade" (total of "Goods Trade" and "Service Trade") decreases while "Currents without Trade" increases.例文帳に追加

また、我が国の経常収支の内訳を対GDP 比でみると、長期的傾向として「貿易」（「財貿易」と「サービス貿易」の合計）は減少し、「貿易以外」は増加していることが分かる。 - 経済産業省

In addition, "Current Account" is in deficit in the U.K. and the U.S., and in comparison of the breakdown, we can understand that surplus of "Goods Trade" of Germany and "Service Trade" of the U.K. is huge (Left of Figure 2-3-1-3).例文帳に追加

また、英国と米国では「経常収支」が赤字であり、その内訳を比較すると、ドイツの「財貿易」、英国の「サービス貿易」の黒字が大きいことが分かる（第2-3-1-3 図左）。 - 経済産業省

A tracking phenomenon detecting device constituted of a current detection means for detecting the AC current of a prescribed frequency to be supplied to an electric path, and an operation means for performing a predetermined arithmetical operation corresponding to the occurrence of tracking breakdown and tracking degrading based on an extracted peak value by extracting the peak value for every one cycle from the AC current detected by the current detection means.例文帳に追加

トラッキング現象検出装置を、電路に供給される所定周波数の交流電流を検出する電流検出手段と、電流検出手段で検出した交流電流から１サイクル毎のピーク値を抽出し、抽出したピーク値に基づきトラッキング破壊およびトラッキング劣化の発生に対応した所定の演算を行う演算手段と、を有して構成する。 - 特許庁

It is possible to form a wide current passage from the N-type body layer 11 to the drain layer 18 and enhance a current drive capability and a drain breakdown voltage because as discussed previously, the P-type drift layer 10 is widely spread.例文帳に追加

このように、Ｐ型ドリフト層１０が上記広範囲に拡散されているので、Ｎ型ボディ層１１からドレイン層１８に至る幅広い電流通路が形成され、電流駆動能力を高くすることができると共に、ドレイン耐圧も高くすることができる。 - 特許庁

When a negative ESD pulse is applied to the external connection terminal 3 on the basis of a power supply voltage of the primary power supply terminal 4, the current limiting element Z limits an emitter current of the bipolar transistor TR1 and protects the bipolar transistor TR1 from breakdown.例文帳に追加

電流制限素子Ｚは、第１電源端子４の電源電圧を基準に外部接続端子３に対して負のＥＳＤパルスが印加されたときに、バイポーラトランジスタＴＲ１のエミッタ電流を制限して、そのトランジスタＴＲ１の破壊から保護する。 - 特許庁

To provide an overvoltage protection device and the manufacturing method thereof whereby the breakdown voltage and the tunneling current of an element are so defined as to obtain the high-speed response overvoltage protection device and as to make a most excellent current mounting ability renderable to the overvoltage protection device.例文帳に追加

素子の崩壊電圧とくぐりぬけ電流を定義することによって、レスポンスが速やかな過電圧保護装置を取得し、且つ過電圧保護装置に最も優れた電流載置能力を付与可能な、過電圧保護装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

When an abnormal current flows due to a short circuit in the motor or a harness, or a breakdown of the stepping motor, the resistance value of the Tx1 or Tx2 increases up to almost infinity, so that the current value decreases to approximately zero, which prevents damages to the circuit and the motor, and smoke from them.例文帳に追加

モータやハーネスの短絡、ステッピングモータドライバの故障等により異常電流が流れた時に、Ｔｘ１またはＴｘ２の抵抗値が無限大近くまで上昇し、電流値をほぼ零にすることで、該回路およびモータ等の損傷・発煙等を防止する。 - 特許庁

Since the power source voltage Vdd is impressed to the n-type semiconductor substrate 11 via an electrode 22, a current easily flows to the leak path due to the rectifying action of diode when an external input is applied and thereby breakdown of the second easy breakdown region 17b for the purpose other than the programming can be prevented.例文帳に追加

Ｎ型半導体基板１１には電極２２を介して電源電圧Ｖｄｄが印加されているため、外部入力があった場合ダイオードの整流作用からリークパス部を電流が流れやすくなり、プログラミング目的以外で第２易破壊領域１７ｂが破壊されるのを防ぐことができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which an HVIC chip dealing with a large current and a high breakdown voltage can be housed without making a package large-sized and to provide a semiconductor device which restrains the generation of the warpage of a wafer, and in which a buried oxide film required for a high breakdown voltage characteristic can be made thick.例文帳に追加

パッケージを大型化することなく、大電流化、高耐圧化に対応したＨＶＩＣチップを収めることが可能な半導体装置を実現することにあり、また、ウェハの反りの発生を抑制しつつ、高耐圧特性に必要な埋め込み酸化膜の厚膜化を図ることが可能な半導体装置を実現する。 - 特許庁

To achieve a semiconductor device capable of incorporating an HVIC chip corresponding to an increase in current and breakdown voltage without upsizing a package, and to achieve a semiconductor device capable of increasing thickness of an embedded oxide film necessary for a high breakdown voltage characteristic while suppressing the occurrence of warpage of a wafer.例文帳に追加

パッケージを大型化することなく、大電流化、高耐圧化に対応したＨＶＩＣチップを収めることが可能な半導体装置を実現することにあり、また、ウェハの反りの発生を抑制しつつ、高耐圧特性に必要な埋め込み酸化膜の厚膜化を図ることが可能な半導体装置を実現する。 - 特許庁

Thereby, by use of the single metal member, the surge protection device allows accurate setting of a voltage or a current causing breakdown according to use, and can be reproducibly manufactured.例文帳に追加

これにより、単一の金属部材を用いて、絶縁破壊を起こす電圧または電流を、用途に応じて精密に設定でき、かつ再現性良く作製が可能な対サージ防御装置が実現される。 - 特許庁

To obtain a thermistor which is protected against a through breakdown caused by the concentration of an electric field even if a rush current is repeatedly applied, hardly rises in element resistance, and is superior in reliability.例文帳に追加

突入電流が繰り返し通電された場合であっても、電界集中に起因する貫通破壊が生じ難く、素子抵抗の上昇が生じ難い、信頼性に優れたサーミスタを得る。 - 特許庁

Even if Vds exceeds breakdown minimum voltage when the other side MOS transistor is conducted, as a path of a through current is already cur off, break down is not caused in the high voltage output driver.例文帳に追加

当該他方のＭＯＳトランジスタをオン動作させるときＶｄｓがブレークダウン最小電圧を超えても貫通電流経路が既に断たれているので高電圧出力ドライバにはブレークダウンを生じない。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging element and a solid-state imaging device capable of suppressing breakdown current between a channel stop and a vertical transfer register, which causes a false signal detected by a sensor, and capable of structurally preventing a reverse readout of signal charges.例文帳に追加

センサ部により検出される偽信号の原因となるチャネルストップと垂直転送レジスタとの間の降伏電流を抑制し、構造的に信号電荷の逆読み出しを防止する。 - 特許庁

To provide a field emission electron source capable of increasing an emission current and electron emission efficiency and facilitating improvement of its breakdown voltage, extension of its service life and increase of its area.例文帳に追加

エミッション電流の大電流化および電子放出効率の高効率化を図れるとともに、絶縁耐圧向上、長寿命化および大面積化が容易な電界放射型電子源を提供する。 - 特許庁

To provide a high breakdown voltage diode that prevents leakage current from increasing, reliably stabilizes operation, at the same time, has a high yield in making area larger, and uses silicon carbide.例文帳に追加

リーク電流の増加を招くことがなく、安定した動作を確実に実現することを可能にするとともに、大面積化においても歩留まりが高い、炭化珪素を用いた高耐圧ダイオードを提供すること。 - 特許庁

To provide an eddy-current reduction gear capable of positively determining actual braking and non-braking conditions thereof even if a breakdown occurs in a control system or in the operation part of a magnet.例文帳に追加

制御系や磁石の作動部等に故障が発生しても、装置の実際の制動状態と非制動状態を確実に判断できる渦電流式減速装置を提供することにある。 - 特許庁

To provide a Schottky barrier diode that improves trade-off characteristics between a forward surge breakdown voltage and a forward drop voltage VF and prevents an increase in backward leakage current IR.例文帳に追加

順方向サージ耐圧と順方向降下電圧ＶＦとのトレードオフ特性を改善することが可能で、かつ、逆方向漏れ電流ＩＲが増加してしまうことのないショットキーバリアダイオードを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of preventing the occurrence of switching breakdown due to current concentration by immediately erasing holes residual in a semiconductor substrate at turn-off, while ensuring excellent on-resistance.例文帳に追加

良好なオン抵抗を確保しつつ、ターンオフ時に半導体基板中に残留する正孔を早期に消去して電流集中によるスイッチング破壊の発生を抑制できる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can be prevented from breaking by plasma current in a manufacturing process, and keep a breakdown voltage of diode from rising simultaneously; and to provide a manufacturing method of the semiconductor device.例文帳に追加

製造プロセスにおけるプラズマ電流により破壊されることを防止でき、且つダイオードの耐圧が上昇してしまうことを回避した半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a GaN transistor comprising a gate electrode which is a semiconductor device of vertical structure for large current application with high breakdown voltage, using a nitride semiconductor excellent in electric characteristics.例文帳に追加

電気的特性に優れたナイトライド系半導体を用いて、高耐圧で大電流動作が可能な縦型構造の半導体装置であるゲート電極を備えたＧaＮ系トランジスタを提供する。 - 特許庁

Thus, when a breakdown voltage is applied as a reverse-bias voltage, a depletion layer is stopped in the N cathode buffer layer 4 and is prevented from reaching the N^+ cathode layer 3, thereby suppressing leakage current.例文帳に追加

それによって、逆バイアス電圧として耐圧が印加されたときに、空乏層をＮカソードバッファ層４の途中で止め、空乏層がＮ^+カソード層３に到達するのを防ぎ、漏れ電流を抑制する。 - 特許庁

The thickness, the length, and the width of the thin and long fingers are so optimized that the breakdown voltage exceeds 500 V, the current capacity exceeds 1 ampere, and the forward voltage is <3 V.例文帳に追加

細長形の指の層厚、長さおよび幅は、降伏電圧が５００Ｖを超え、電流容量が１アンペアを超え、かつ順方向電圧が３Ｖ未満である素子を得るように最適化される。 - 特許庁

The control circuit 30 reduces the time during which a current flows back to the MOSFET 141 by turning off the MOSFET 141, to prevent breakdown of the MOSFET 18.例文帳に追加

制御回路３０は、ＭＯＳＦＥＴ１４１をオフにすることによって、電流がＭＯＳＦＥＴ１４１を逆流する時間を短くすることができ、ＭＯＳＦＥＴ１８の破壊を防止することができる - 特許庁

By forming the gate oxide film 108 to get thicker and higher with approach to the side wall 102 of the STI oxide film, the gate breakdown voltage is improved to prevent the occurrence of the leakage current.例文帳に追加

ゲート酸化膜１０８をＳＴＩ酸化膜の側壁１０２に近づくにつれ、膜厚を厚く且つせり上がった形状にすることで、ゲート耐圧を向上し、リーク電流の生じるのを防ぐ。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, which prevents field plates from eroding, suppresses reduction in the breakdown strength with passage of time and reduction in on-current with time, satisfies the required life time for the device and has a high reliability passivation film.例文帳に追加

腐食を防止し、経時的な耐圧低下とオン電流低下を抑制し、前記の要求寿命を満足する、高い信頼性のパッシベーション膜を有する半導体装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a super-junction semiconductor element having a sense element region for detecting the current, which can suppress reduction in the breakdown voltage even if a main element region is electrically isolated from the sense element region.例文帳に追加

電流検出用センス素子領域を備える超接合半導体素子において、主素子領域とセンス素子領域とを電気的に分離しても耐圧の低下を抑えることができること。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor epitaxial wafer that has a higher breakdown voltage and reduces or eliminates a current collapse phenomenon, a method of manufacturing the same, and a field effect transistor element.例文帳に追加

高耐圧化とカレントコラプス現象の低減ないしは解消との両立を可能とした窒化物半導体エピタキシャルウェハおよびその製造方法ならびに電界効果型トランジスタ素子を提供する。 - 特許庁

A layer thickness, a length and a width of the slender finger are optimized so as to obtain an element having a breakdown voltage in excess of 500 V, a current capacity in excess of 1 ampere and a forward voltage of less than 3 V.例文帳に追加

細長形の指の層厚、長さおよび幅は、降伏電圧が５００Ｖを超え、電流容量が１アンペアを超え、かつ順方向電圧が３Ｖ未満である素子を得るように最適化される。 - 特許庁

Also, when negative static electricity is impressed, a breakdown current flows to ZD1, a part between the drain and the source is clamped to a prescribed voltage and thereafter, the MOS transistor Tr0 is turned ON by the operation of D1.例文帳に追加

また、負の静電気が印加された際には、ＺＤ１に降伏電流が流れて、ドレイン−ソース間が所定電圧にクランプされ、その後、Ｄ１の動作によってＭＯＳトランジスタＴｒ０がオンする。 - 特許庁

To provide a signal transmitting apparatus which transmits a signal using the capacitive coupling of a capacitor in which a current flowing between two electrodes of the capacitor when the capacitor is conducted by electrostatic breakdown or the like is reduced.例文帳に追加

キャパシタの容量カップリングを用いて信号を伝送する信号伝送装置において、静電破壊などでキャパシタが導通したときにキャパシタの２つの電極の間に流れる電流を小さくする。 - 特許庁

To detect soft breakdown of the dielectric layer 4 of the semiconductor wafer 6, a DC current is caused to flow between a top surface 18 of the dielectric layer 4 and the semiconductor material 8 of the semiconductor wafer 6.例文帳に追加

半導体ウエハ６の誘電層４のソフトブレークダウンを検出するために、誘電層４の上面１８と半導体ウエハ６の半導体材料８との間に直流電流を流す。 - 特許庁

To reduce an layout area without deteriorating current capacity, in an ESD protective circuit for protecting a semiconductor element from electrostatic breakdown.例文帳に追加

本発明は、半導体素子を静電破壊から保護するためのＥＳＤ保護回路において、電流容量を損なうことなく、レイアウト面積を削減できるようにすることを最も主要な特徴としている。 - 特許庁

Since the positive hole cannot move to the interface of an adjacent p-base layer 56 across the p+ isolation region 68, the current concentrating on a specific point is limited to prevent the element from breakdown.例文帳に追加

正孔はこのｐ^+分離領域６８を越えて隣のｐベース層５６の境界面へ移動することができなくなるため、特定箇所へ集中する電流が制限され、素子の破壊が防止される。 - 特許庁

To provide a vertical bipolar transistor having been subjected to salicide processing through which a base-side depletion layer sufficiently spreads by forming a salicide offset region to prevent problems such as a leakage current and a decrease in junction breakdown voltage.例文帳に追加

サリサイドオフセット領域の形成により、ベース側の空乏層が十分に広がり、リーク電流や接合耐圧低下の問題を防ぐサリサイド処理を行った縦型バイポーラトランジスタを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can suppress a current from flowing through a pn junction location when a forward voltage is applied thereto, can keep a breakdown voltage upon the application of the forward voltage, and also can suppress an inverse saturation current; and also to provide a method for manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

順方向電圧を印加した場合にＰＮ接合箇所において電流が流れるのを抑制することができ、逆方向電圧を印加した場合の耐圧を保持し、さらに、逆方向飽和電流を抑制することのできる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A soft start time ts raising the energizing current I from zero to the rated current In is set up within a range of 0.5 to 10 seconds so as to prevent a breakdown of the wide gap semiconductor element caused by the generation of the stacking fault in the wide gap semiconductor element.例文帳に追加

ワイドギャップ半導体素子内の積層欠陥の発生によるワイドギャップ半導体素子の破壊を防止するように、通電電流Ｉをゼロから定格電流Ｉｎまで上昇させるソフトスタート時間ｔｓを０．５秒から１０秒までの範囲内に設定する。 - 特許庁

To provide a non-contact power feeding apparatus preventing the breakdown of a switching element or the like due to the generation of an overcurrent in an abnormal case such as non-connection of a track (induction path) by limiting AC-current through an AC-current limiting element in case of power supply.例文帳に追加

本発明は、電源投入時は交流電流制限素子を介して交流電流を制限することで、トラック(誘導路)が接続されていないなどの異常時にも過電流が発生してスイッチング素子等が破壊されることがない無接触給電設備を提供することを目的とする。 - 特許庁

This abnormality detection device includes the ignition transformer 1, a switching element 2, a bias circuit 3 composed to charge a first capacitor C1 to a level corresponding to breakdown voltage of a first Zener diode ZD1, and a current detection circuit 4 detecting charge current of the first capacitor C1.例文帳に追加

点火トランス１と、スイッチング素子２と、第１ツェナーダイオードＺＤ１の降伏電圧に対応するレベルまで第１コンデンサＣ１が充電されるよう構成されたバイアス回路３と、第１コンデンサＣ１の放電電流を検出する電流検出回路４と、を有して構成される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which is equipped with a protective diode to protect a semiconductor element such as MOSFET from insulation breakdown, suppress a leakage current which may be caused on the protective diode at the time of low voltage, and can supply a greater amount of current when high voltage is applied, such as in the case of coming of surge.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴのような半導体素子を絶縁破壊から保護する保護ダイオードを備え、当該保護ダイオードにおける低電圧印加時のリーク電流を抑え、サージが入ってきたような高電圧印加時により多くの電流を流すことのできる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To enable to not only ground all electric wires drawn from the outdoor, not to mention being able to confirm that noise current has flowed in equipment, but also discriminate whether or not the noise current which is the cause of the breakdown of the equipment is caused by thunder, static electricity or electromagnetic wave.例文帳に追加

屋外から引き込まれる全ての電線の避雷を行なうことができるばかりでなく、機器にノイズ電流が流れたことを確認できることは無論のこと、機器が破壊された原因であるノイズ電流が雷によるものなのか、静電気あるいは電磁波によるものなのか判別する。 - 特許庁

To solve the problem of a risk of flowing of an excessive current flow to a Zener diode 58, when restricting a voltage applied to the gate of a power switching element S almost to the breakdown voltage of the Zener diode 58 so as to limit a current flowing through the power switching element S to exceed a predetermined value.例文帳に追加

パワースイッチング素子Ｓを流れる電流が規定値以上となることで、この電流を制限すべくパワースイッチング素子Ｓのゲートに印加される電圧をツェナーダイオード５８のブレークダウン電圧程度に規制するに際し、ツェナーダイオード５８に過度の電流が流れるおそれがあること。 - 特許庁

At the same time, the precursor semiconductor layer in the other region is made polycrystalline by second high-speed heat treatment, to obtain a low quality polycrystalline semiconductor film for use in a pixel circuit TFT with such characteristics of a low on-current but with a low leakage current due to high resistance and high breakdown voltage.例文帳に追加

同時に第二の高速熱処理により上記以外の領域の前駆半導体層を多結晶化して、オン電流は低いが、高抵抗のためにリーク電流は低く、耐圧が高い特性を持つ画素回路ＴＦＴ用の低品質多結晶半導体薄膜を得る。 - 特許庁

Immediately after the pulse voltage of dielectric breakdown is generated, a control signal c which turns off a switch S1 is supplied from a control part 15 for only 100 μsec, and a resistivity R1 for current restriction is connected.例文帳に追加

絶縁破壊のパルス電圧が発生した直後に１００μsecの時間だけ、スイッチＳ１をオフする制御信号ｃを制御部１５から供給し、電流制限用の抵抗Ｒ１を接続するようにする。 - 特許庁