「crystallizing method」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

The crystallizing method of the polyester polymer comprises introducing a molten polyester polymer such as a polyethylene terephthalate into the liquid medium having a temperature of, for example, 100-190C°, higher than a Tg of the polyester polymer, and staying the molten polyester polymer in the liquid medium for a sufficient time to crystallize it under either a pressure equal to a vapor pressure of the liquid medium or higher than that.例文帳に追加

ポリエステルポリマーのＴｇより高い、例えば１００〜１９０℃の液体媒体温度の液体媒体中にポリエチレンテレフタレートのような溶融ポリエステルポリマーを導入し、溶融ポリエステルポリマーを、液体媒体の蒸気圧に等しいか又はそれ以上の圧力下で結晶化させるのに充分な時間、液体媒体中に滞留させることによる、ポリエステルポリマーの結晶化方法。 - 特許庁

This method for easily producing the saccharide crystals or the saccharide powder containing the saccharide crystals comprises raising the temperature of MASKIT obtained by crystallizing a saccharide solution to largely lower the viscosity of the MASKIT substantially without lowering the crystallization rate, sending the MASKIT with a pump, stirring the MASKIT, and subjecting the MASKIT to a centrifugal treatment or a spray- drying treatment.例文帳に追加

糖質溶液を助晶して得られるマスキットを昇温させることにより、晶出率を実質的に低下させないで粘度を大幅に低減させ、このマスキットをポンプ送液、撹拌し、遠心分離または噴霧乾燥などの処理をすることで、糖質結晶又はこれを含有する糖質粉末の製造を容易に行う方法を提供することにより、上記の課題を解決する。 - 特許庁

The method of manufacturing the crystalline semiconductor film includes (a) a step of forming an amorphous semiconductor film 104 on a substrate 101, (b) a step of giving a catalyst element 106 for expediting to crystallize the amorphous semiconductor film 104, and (c) a step of crystallizing the amorphous semiconductor film 104 by heating in an atmosphere containing Ar gas to obtain a crystalline semiconductor film 104b.例文帳に追加

本発明の結晶質半導体膜の製造方法は、（ａ）基板１０１の上に非晶質半導体膜１０４を形成する工程と、（ｂ）非晶質半導体膜１０４に結晶化を促進する触媒元素１０６を付与する工程と、（ｃ）Ａｒガスを含む雰囲気下で加熱することによって非晶質半導体膜１０４を結晶化し、結晶質半導体膜１０４ｂを得る工程とを包含する。 - 特許庁

To provide a method for producing bisphenol A, comprising reacting acetone with phenol in the presence of a sulfonate type cation exchange resin partially modified with mercaptoamine to produce the bisphenol A, crystallizing the bisphenol A, decomposing the mother liquor of the crystallization process to produce phenol and isopropenylphenol, and then rebinding the recovered phenol to the recovered isopropenylphenol to produce bisphenol A, by which the selectivity of the isopropenylphenol into the bisphenol A is improved.例文帳に追加

アセトンとフェノールとを、メルカプトアミンで部分的に変性されたスルホン酸型陽イオン交換樹脂の存在下に反応させるビスフェノールＡの製造方法において、ビスフェノールＡを晶析させた後の母液をアルカリ分解してフェノールとイソプロペニルフェノールを生成させ、次いでこれを再結合させてビスフェノールＡを生成させるに際し、イソプロペニルフェノールのビスフェノールＡへの選択率を向上させる。 - 特許庁

The method of manufacturing the crystalline semiconductor film includes (a) a step of forming an amorphous semiconductor film 104 on a substrate 101, (b) a step of giving a catalyst element 106 for expediting to crystallize the amorphous semiconductor film 104, and (c) a step of crystallizing the amorphous semiconductor film 104 by heating in an atmosphere containing steam to obtain a crystalline semiconductor film 104b.例文帳に追加

本発明の結晶質半導体膜の製造方法は、（ａ）基板１０１の上に非晶質半導体膜１０４を形成する工程と、（ｂ）非晶質半導体膜１０４に結晶化を促進する触媒元素１０６を付与する工程と、（ｃ）水蒸気を含む雰囲気下で加熱することによって非晶質半導体膜１０４を結晶化し、結晶質半導体膜１０４ｂを得る工程とを包含する。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor device includes a step for forming a first film formed of a material having a higher conductance than that of silicon oxide on a substrate, a step for crystallizing the first film by heating, a step for reducing the thickness of the crystallized first film, and a step for forming a second film on the thinned first film is provided.例文帳に追加

基体上に酸化シリコンよりも高い誘電率を有する材料からなる第１の膜を形成する工程と、加熱して前記第１の膜を結晶化させる工程と、前記結晶化させた前記第１の膜の厚みを減らす工程と、前記厚みを減らした前記第１の膜の上に第２の膜を形成する工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。 - 特許庁

The method contains a step in which a synthetic gel together with a zeolite precursor composition is applied in a porous system of a fine particle matrix material having predetermined porous structure and grain size and on a surface of the material a step in which the precursor composition is subjected to a crystallizing condition; and a step in which porous single crystals of zeolite are isolated by removing the matrix material.例文帳に追加

この方法は、 − 合成ゲルを、ゼオライト前駆体組成物と一緒に予め決められた多孔質構造および粒度を有する微粒子マトリックス材料の多孔質系の中におよび該材料の表面に適用し； − 前駆体組成物を結晶化条件に付し；および − 上記マトリックス材料を除くことによってゼオライトの多孔質単結晶を単離する各段階を包含している。 - 特許庁

The method for producing the high-purity aldehyde compound comprises converting a material contained as an impurity and slightly soluble in water into an aldehyde compound by treating the aldehyde compound with an acid, converting a carboxylic acid or a derivative thereof contained as an impurity into a water-soluble material by treating the product with an alkali, and crystallizing the objective aldehyde compound from an organic layer obtained by removing an aqueous layer.例文帳に追加

アルデヒド化合物を酸で処理し不純物として含まれる水に難溶性の物質をアルデヒド化合物に変換し、次いでアルカリで処理して不純物として含まれるカルボン酸もしくはその誘導体を水溶性物質に変換し、次いで水層を除去して得られる有機層より目的のアルデヒド化合物を結晶化させることなどを特徴とする高純度アルデヒド化合物の製造方法。 - 特許庁

This manufacturing method of the semiconductor closure body 7 composed of components same as the semiconductor, and closing a discharge opening formed on a bottom portion of a crucible for melting the semiconductor, comprises a first process for melting a semiconductor material 8 by the crucible or the like in advance and supplying the melt to a prescribed mold 1, and a second process for crystallizing the melt of the semiconductor.例文帳に追加

半導体を溶融する坩堝の底部に形成された排出口を閉栓する前記半導体と同成分からなる半導体栓体の製造方法であって、予め坩堝などにより半導体原料８を溶融させ、その融液を所定の型１へと供給する第一工程と、前記半導体の融液を結晶化させる第二工程と、を備えた半導体栓体７の製造方法。 - 特許庁

The manufacturing method comprises: an amorphous laminate formation step for forming an amorphous film of indium-based complex oxide containing indium and tetravalent metal on a long length of transparent film base material by sputtering; and a crystallization step for continuously transporting the long length of transparent film base material with the amorphous film formed thereon into a heating furnace, and crystallizing the amorphous film.例文帳に追加

本発明の製造方法は、インジウムと４価金属とを含有するインジウム系複合酸化物の非晶質膜が、スパッタ法により前記長尺状透明フィルム基材上に形成される非晶質積層体形成工程、および前記非晶質膜が形成された長尺状透明フィルム基材が、加熱炉内に連続的に搬送され、前記非晶質膜が結晶化される結晶化工程、を有する。 - 特許庁

A method for manufacturing the capacitor of the semiconductor element comprises a step of vapor depositing a Ta metal film 28 on a semiconductor substrate 20, a step of crystallizing the Ta metal film 28, a step of forming a lower electrode 30 by patterning a prescribed part of the film 28, a step of forming the TaON film on the electrode 30, a step of forming an upper electrode 34 on the TaON film 32.例文帳に追加

半導体基板20上にＴａ金属膜を蒸着するステップと、Ｔａ金属膜28を結晶化するステップと、Ｔａ金属膜28の所定部分をパターニングして、下部電極30を形成するステップと、下部電極30上にＴａＯＮ膜を形成するステップと、ＴａＯＮ膜32上に上部電極34を形成するステップとを含む半導体素子のキャパシタの製造方法及びこれにより製造される半導体素子のキャパシタ。 - 特許庁

The method for producing isomaltulose crystal from sucrose comprises a process for carrying out enzymatic conversion reaction from sucrose to isomaltulose under conditions of transferase α-glucosyltransferase being active and simultaneously crystallizing isomaltulose made in a supersaturated state by enzymatic reaction in a same reactor and a process for separating and recovering crystallized isomaltulose crystal from a reaction mother liquor.例文帳に追加

ショ糖からイソマルチュロース結晶を製造する方法において、 転移酵素α−グルコシルトランスフェラーゼが活性である条件下で、ショ糖からイソマルチュロースへの酵素的変換反応を行なうと同時に、酵素反応によって過飽和状態となったイソマルチュロースを同一反応槽内で晶析させる工程、および 晶析したイソマルチュロース結晶を反応母液から分離回収する工程、を含むことを特徴とするイソマルチュロース結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method for producing an organic pigment dispersion includes (1) a process for precipitating particles of an organic pigment by continuously mixing an organic pigment solution, obtained by dissolving at least the pigment in a good solvent of the pigment, and a poor solvent of the organic pigment in a flow type reactor having a representative diameter larger than 1 mm, and (2) a process for crystallizing the formed organic pigment particles.例文帳に追加

有機顔料分散物の製造方法であって、該製造方法が（１）該顔料の良溶媒に少なくとも顔料を溶解した有機顔料溶液と、該有機顔料の貧溶媒とを代表径が１ｍｍより大きいフロー式リアクター内で連続的に混合し、前記有機顔料の粒子を析出させる工程、及び、（２）生成した有機顔料粒子を結晶化させる工程、を含む、有機顔料分散物の製造方法。 - 特許庁

Alternatively, a method for manufacturing a power storage device includes steps of: forming an amorphous silicon film on the current collector; adding a catalyst element for accelerating crystallization of amorphous silicon on the surface of the amorphous silicon film; forming the crystalline silicon film by crystallizing the amorphous silicon film by heating the amorphous silicon film where the catalyst element is added; and using the crystalline silicon film as a negative electrode active material layer.例文帳に追加

あるいは、集電体上に、非晶質珪素膜を形成し、前記非晶質珪素膜の表面に、前記非晶質珪素の結晶化を促進する触媒元素を添加し、前記触媒元素が添加された非晶質珪素膜を加熱することにより、前記非晶質珪素膜を結晶化して結晶性珪素膜を形成し、前記結晶性珪素膜を負極活物質層として用いる蓄電装置の作製方法に関する。 - 特許庁

This ballast repairing method for repairing ballast utilizing mud pumping formed by mixing fine-grained ballast and moisture, includes a process for providing a space adjoining the lower face of at least one sleeper, under the at least one sleeper on the ballast containing the mud pumping, and arranging a water-absorbing crystallizing material which absorbs moisture included in the mud pumping to produce crystal mineral, in the space.例文帳に追加

本発明は、細粒化されたバラストと水分とが混合することによって生成される噴泥を利用して道床を補修するための方法であり、噴泥を含む道床上における少なくとも１つのまくらぎの下に、該少なくとも１つのまくらぎの下面に隣接する空間を設け、その空間に、噴泥に含まれる水分を吸収し結晶鉱物を生成する水吸収結晶化材料を配置する工程を含むことを特徴とする。 - 特許庁

The laser crystallization method includes the steps of: forming the amorphous silicon semiconductor film on a substrate; forming a light absorptive agent film by applying a light absorption agent on the surface of the amorphous semiconductor film; and crystallizing the crystal silicon semiconductor film by irradiating a linear laser beam from a semiconductor light-emitting element to the light absorptive agent film and heating the amorphous semiconductor film with the scanning of the linear laser beam.例文帳に追加

レーザー結晶化法を基板上に非晶質シリコン半導体膜を形成する工程と、非晶質半導体膜の表面に光吸収剤を塗布して光吸収剤膜を形成する工程と、光吸収剤膜に半導体発光素子からの線状のレーザー光を照射すると共に、当該線状レーザー光の走査により非晶質シリコン半導体膜を加熱してこれを結晶シリコン半導体膜とする結晶化工程とから構成する。 - 特許庁

This method for producing the bisphenol-phenol compound adduct comprises (a) reacting a carbonyl compound with a theoretically excessive amount of a phenol compound in the presence of an acidic cation exchange resin as a catalyst to form the product mixture comprising the bisphenol, the unreacted phenol compound, the unreacted carbonyl compound and water and (b) crystallizing the bisphenol-phenol compound adduct from the product mixture in a crystallization apparatus.例文帳に追加

a)触媒としての酸性の陽イオン交換樹脂の存在下においてカルボニル化合物を理論過剰量のフェノール化合物と反応させて、ビスフェノール、未反応フェノール化合物、未反応カルボニル化合物及び水を含む生成物混合物を形成すること、及び b)結晶化装置において前記生成物混合物からビスフェノールとフェノール化合物の付加物を結晶化することを含むビスフェノールとフェノール化合物の付加物の製造方法。 - 特許庁

To provide a method for crystallizing an aliphatic polyester in which easy and continuous crystallization can be achieved without causing problems such as fusion of the resin particles by bringing the aliphatic polyester into contact with an aqueous alkaline solution when it is crystallized, and subsequent solid phase polymerization makes it possible to efficiently produce a high-molecular weight aliphatic polyester with less discoloration, which has not been achievable by prior art techniques.例文帳に追加

脂肪族ポリエステルを結晶化する際、アルカリ性水溶液と接触させることにより、該樹脂の粒子同士の融着等の問題を生ずることなく容易に、連続的に結晶化することができ、さらに、その後、固相重合を行なうことにより、従来技術ではなし得なかった、より着色の少ない高分子量の脂肪族ポリエステルを効率よく製造することができる、脂肪族ポリエステルを結晶化する方法を提供する。 - 特許庁

In a measuring method of an X-ray diffraction pattern of the translin crystal, the translin crystal obtained using sodium formate as a precipitant is frozen in crystallizing solution containing polyalcohol, and X-ray diffraction data is collected in a frozen state.例文帳に追加

トランスリン結晶のＸ線回折像の測定方法、該結晶のＸ線回折像より得られる３次元構造座標、該構造座標を含むデータベース若しくは記録媒体、該構造座標を用いるトランスリンの機能を調節する能力を有する化合物の同定方法、該３次元構造座標を用いるトランスリンに潜在的に結合しうる化合物からなる化合物群の調製方法、及び、該３次元構造座標を用いるトランスリンの変異体の作製方法。 - 特許庁

The method for producing the metal oxide film includes a process for depositing the precursor substance for forming the metal oxide film on the substrate 10 and forming a precursor film subjected to the treatment for accelerating the crystallization of the precursor substance or containing a seed, and a process for forming the metal oxide film 12 by crystallizing the precursor film by subjecting it to plasma treatment.例文帳に追加

また、本発明は、金属酸化物膜を形成させるための前駆体物質を基材１０に付着させ、前記前駆体物質の結晶化を促進する処理が施された、またはシードを含む前駆体膜を形成する工程と、基材１０に付着した前駆体膜を、プラズマ処理することにより、前駆体膜を結晶化させ金属酸化物膜１２とする工程とを含む金属酸化物膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing a ferroelectric memory element includes the stages of: forming a first electrode 31a on a substrate; forming a ferroelectric film 32a on the first electrode 31a; forming a second electrode 33a on the ferroelectric film 32a; crystallizing the ferroelectric film 32a; and patterning the first electrode 31a, ferroelectric film 32a and second electrode 33a.例文帳に追加

本発明の強誘電体メモリ素子の製造方法は、基板の上方に第１電極３１ａを形成する工程と、第１電極３１ａ上に強誘電体膜３２ａを形成する工程と、強誘電体膜３２ａ上に第２電極３３ａを形成する工程と、強誘電体膜３２ａを結晶化させる工程と、第１電極３１ａと強誘電体膜３２ａと第２電極３３ａとをパターニングする工程と、を含む。 - 特許庁

The method of forming the columnar structure of single crystal on a semiconductor substrate includes steps of: forming an insulating film on the semiconductor substrate; forming a groove on the insulating film to expose at least a portion of the semiconductor substrate at the bottom of the groove; forming an embedding film including at least germanium in the groove; melting the embedding film by heat treatment; and crystallizing the embedding film having been melted by using the semiconductor substrate as a seed.例文帳に追加

半導体基板上に単結晶の柱状構造を形成する方法であって、前記半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜に溝を形成し、前記溝の底部に少なくとも前記半導体基板の一部を露出させる工程と、前記溝内部に少なくともゲルマニウムを含む埋め込み膜を形成する工程と、熱処理により前記埋め込み膜を溶融させる工程と、溶融した前記埋め込み膜を、前記半導体基板をシードとして単結晶化する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 特許庁