「crystallizing method」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

The method for crystallizing and/or refining an organic compound is characterized in that, when a suspension liquid containing an organic compound suspended in an organic dispersion medium is stirred to crystallize and/or refine the organic compound, the liquid is stirred in a stirring tank equipped with paddle blades while the uppermost parts of the paddle blades are always kept under the liquid surface in the stirring tank.例文帳に追加

有機分散媒体中に有機化合物が懸濁した懸濁液を撹拌し、該有機化合物を晶析及び／又は精製するに当たり、パドル翼を具備した撹拌槽において、パドル翼の最上部を撹拌槽中の懸濁液面以下に常時保持しながら撹拌を行うことを特徴とする有機化合物の晶析及び／又は精製方法。 - 特許庁

The laser crystallization method includes steps of: providing a substrate on which a silicon thin film is formed; positioning the laser mask composed of four blocks having a periodicity pattern including a plurality of transmission regions and one cut-off region on the substrate; and crystallizing the silicon thin film by emitting laser beams via the laser mask.例文帳に追加

レーザー結晶化方法は、シリコン薄膜が形成された基板を提供する段階と、前記基板上に、複数の透過領域及び１つの遮断領域を含む周期性パターンを有する４つのブロックにより構成されるレーザーマスクを位置させる段階と、前記レーザーマスクを介してレーザービームを照射して、前記シリコン薄膜を結晶化する段階とを含む。 - 特許庁

To provide a method for efficiently recovering a catalyst by reacting phenoxybenzaldehyde with hydrogen cyanide in the presence of a specific catalyst to form cyanophenoxybenzyl alcohol, contacting the obtained reaction mixture with a mineral acid to extract the catalyst, neutralizing the obtained extract with an alkali, crystallizing, followed by filtrating the obtained mixture.例文帳に追加

３−フェノキシベンズアルデヒドとシアン化水素とを、反応溶媒中、触媒としての（Ｒ）−３−ベンジル−（Ｒ）−６−（４−イミダゾリルメチル）２，５−ピペラジンジオンの存在下に反応させて（Ｓ）−α−シアノ−３−フェノキシベンジルアルコールを製造する方法において使用された上記触媒を、簡便な操作で該触媒を精製された状態で回収し得る方法を提供する。 - 特許庁

A method for minimizing energy consumption during production of polyethylene terephthalate by crystallizing amorphous pellets at high temperature and then introducing it to the solid state polymerization reactor includes removing the heat of hot pellets from the solid state polymerization reactor and transmitting the removed heat to heat the cool pellets to be fed to the crystallizer.例文帳に追加

非晶質ペレットを高温で結晶化し、次いで固相重合反応器中に導入するポリエチレンテレフタレートの製造の間のエネルギー消費を最少化する方法であって、 固相重合反応器からの熱ペレットの熱を除去し、除去した熱を伝達して、結晶化器への供給である冷ペレットを加熱することを含んでなる方法。 - 特許庁

This method for producing the mercaptotetrazole compound is characterized in that the mercaptotetrazole compound is produced by reacting an azide with an isothiocyanate compound in an aqueous solvent, extruding the objective compound from the reaction mixture with an organic solvent under a neutral to acidic condition, subjecting the resultant organic layer to an extraction operation with water under an alkali condition, and crystallizing the objective material from the obtained aqueous layer.例文帳に追加

アジ化化合物とイソチオシアネート化合物とを水性溶媒中で反応させ、次いで中性乃至酸性条件下、目的物を有機溶媒で抽出し、得られた有機層をアルカリ条件下、水による抽出操作に付し、得られた水層から目的物を晶析させることを特徴とするメルカプトテトラゾール化合物の製造方法。 - 特許庁

Also, the manufacturing method of the spherical particles is characterised by being provided with a first process for obtaining spherical particles having amorphous phase as a main phase by cooling molten particles constituted of Si, Mg and O, and a second process for obtaining the spherical particles by crystallizing them by heating the spherical particles having the amorphous phase as main phase.例文帳に追加

また、ＳｉとＭｇ及びＯとからなる溶融粒子を冷却して非晶質相を主相とする球状粒子を得る第１工程と、該非晶質相を主相とする球状粒子を加熱することにより結晶化させて前記球状粒子を得る第２工程と、を備えたことを特徴とする球状粒子の製造方法である。 - 特許庁

This method for producing the highly pure optically active 1-aryl-1,3-propanediol acceptable as the medicine intermediate is characterized by de-esterifying an optically active 3-aryl-3-hydroxypropionate to obtain an optically active 3-aryl-3-hydroxypropionic acid, crystallizing the acid to obtain the highly pure acid, and then subjecting the highly pure acid to a reduction reaction, while highly controlling a side reaction.例文帳に追加

３−アリール−３−ヒドロキシプロピオン酸エステルを脱エステル化することにより光学活性３−アリール−３−ヒドロキシプロピオン酸とし、これを晶析により高純度化した後に、副反応を高度に制御した還元反応を行うことによって、医薬品中間体として許容しうる高純度な光学活性１−アリール−１，３−プロパンジオールを得る。 - 特許庁

The method for manufacturing the catalyst support carrier includes: mixing a catalyst support carrier 3a in an aqueous solution of water-soluble alkaline earth metal nitrate 4; crystallizing the alkaline earth metal nitrate 4 on a surface of the catalyst support carrier 3a; and circulating an SOx gas thereto to manufacture the catalyst support carrier 3 having the alkaline earth metal sulfate 5 adhering to its surface.例文帳に追加

水溶性のアルカリ土類金属硝酸塩４の水溶液に触媒担持担体３ａを混合し、アルカリ土類金属硝酸塩４を触媒担持担体３ａ表面に晶出させ、これにＳＯｘガスを流通させてアルカリ土類金属硫酸塩５がその表面に付着した触媒担持担体３を製造する触媒担持担体の製造方法である。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor device includes a process of forming an amorphous silicon layer 13 on a substrate such as a plastic substrate 11, a process of patterning the amorphous silicon layer 13 and forming a prescribed pattern to be a thin film transistor, and a process of crystallizing the patterned amorphous silicon layer 13 thereafter, and the semiconductor device provided with the thin film transistor is manufactured.例文帳に追加

プラスチック基板１１等の基板上にアモルファスシリコン層１３を形成する工程と、アモルファスシリコン層１３をパターニングして、薄膜トランジスタとなる所定のパターンを形成する工程と、その後、パターニングされたアモルファスシリコン層１３を結晶化する工程とを有して、薄膜トランジスタを有する半導体装置を製造する。 - 特許庁

In the method for crystallizing an amorphous semiconductor layer melt by irradiation of at least two successive radiation pulses, the time interval between the strength maximums of the two successive radiation pulses is equal to or lower than 1000 ns.例文帳に追加

非晶質半導体層を結晶化するための方法であって、半導体層の線状第１領域が放射パルスの照射によって融解され、半導体層の線状第１領域の照射が少なくとも２つの連続する放射パルスを含み、２つの連続する放射パルスの強度極大の間の時間間隔が１０００ｎｓ以下である。 - 特許庁

This method for producing the glycine, comprising crystallizing glycine crystals from an aqueous solution containing the glycine, is characterized by using water containing at least one polyvalent cation as a crystallization solvent in a concentration of at least 15μmol/L, when α-type glycine is crystallized, or by using water not containing the polyvalent cation as a crystallization solvent, when γ-type glycine is crystallized.例文帳に追加

グリシンを含有する水溶液からグリシンの結晶を晶析させるグリシンの製造方法において、α型グリシンを晶析させる場合には、晶析用溶媒として、少なくとも１種の多価カチオンを少なくとも１５μｍｏｌ／Ｌ含んでいる水を用い、γ型グリシンを晶析させる場合には、晶析用溶媒として、多価カチオンを含有しない水を用いる。 - 特許庁

A method for manufacturing a ferroelectric thin film comprises the steps of forming a seed layer containing an ultra-fine particle powder which contains a constituting element of the ferroelectric thin film, on the surface of a substrate for constituting a substrate prior to a formation of the ferroelectric thin film, forming the ferroelectric thin film on an upper surface of the seed layer, and crystallizing the thin film with the seed layer as a nucleus.例文帳に追加

強誘電体薄膜の形成に先立ち、下地を構成する基板表面に、前記強誘電体薄膜の構成元素を含む超微粒粉を含むシード層を形成し、このシード層の上層に、強誘電体薄膜を形成し、このシード層を核として結晶化を行うようにしたことを特徴とする。 - 特許庁

The method for producing an oxide single crystal having a non-stoichiometric melt composition comprises a step of crystallizing an oxide single crystal 17 while impressing a DC electric field of ≥50 (kV/m) or an AC electric field of ≥50 (kV/m) effective value while applying ≥1,000 (Oe) magnetic field to a melt 5 being a raw material of the oxide single crystal 17.例文帳に追加

非一致溶融組成を有する酸化物単結晶の製造方法において、酸化物単結晶１７の原料である融液５に対し、５０（ｋＶ／ｍ）以上の直流の電場、又は、実効値が５０（ｋＶ／ｍ）以上の交流の電場と、１０００（Ｏｅ）以上の磁場を印加しながら酸化物単結晶１７の結晶化を行う工程を有する。 - 特許庁

In the method for fabricating semiconductor device utilizing a crystalline silicon film obtained by crystallizing an amorphous silicon film formed on a substrate using a catalytic element, planarity on the surface of the crystalline silicon film is enhanced while decreasing the number of oxidation defects by thermally oxidizing the silicon film in a mixture gas of an oxidation species and a nonoxidation species.例文帳に追加

基板上に形成されたアモルファスシリコン膜を触媒元素により結晶化させて得られる結晶性シリコン膜を利用する半導体装置の作製方法において、該シリコン膜を酸化種と非酸化種の混合ガス中で熱酸化することによって、結晶性シリコン膜表面の平坦性を向上するとともに酸化欠陥数を低減する。 - 特許庁

The method of peeling a layer to be peeled off comprises the steps of forming an oxide layer containing metal, forming a layer to be peeled off having thin-film transistors and the like on the oxide layer, and crystallizing the oxide layer by heat-treating the oxide layer, thereby giving rise to the formation of crystal strain or crystal defects in the crystallized oxide layer.例文帳に追加

金属を有する酸化物層を形成し、酸化物層上に薄膜トランジスタ等を有する被剥離層を形成し、酸化物層に対して加熱処理を行うことにより、酸化物層を結晶化し、結晶化された酸化物層に、結晶歪み、又は格子欠陥を生じさせることにより、被剥離層を剥がす方法である。 - 特許庁

The method of manufacturing the reproduced all-solid battery includes a crystallization process of forming a reproduced solid electrolyte layer by crystallizing amorphous Li ion conductive sulfur glass by heating a solid electrolyte layer before reproduction which includes the amorphous Li ion conductive sulfur glass.例文帳に追加

上記目的を達成するために、本発明は、アモルファス状のＬｉイオン伝導性硫化物ガラスを含む再生前固体電解質層を加熱することにより、上記アモルファス状のＬｉイオン伝導性硫化物ガラスを結晶化し、再生化固体電解質層を形成する結晶化工程を有することを特徴とする再生化全固体電池の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method for collecting the inositol can collect the inositol by crystallizing the inositol contained in a liquid after being passed through an ion-exchange resin by a simple operation of removing betaine and other materials preventing the collection from waste molasses by the adsorption by the ion exchange resin when collecting the inositol from the waste molasses.例文帳に追加

本発明に係る方法は、廃糖蜜からイノシトールを回収する際、回収の妨げとなるベタインおよびその他の物質をイオン交換樹脂に吸着させることによって廃糖蜜から除去するという簡易な操作によって、イオン交換樹脂を通液させた後の液体に含まれるイノシトールを結晶化させ、回収することができる。 - 特許庁

The refining method comprises dissolving crude terephthalic acid in water at high temperature under pressure, oxidizing an impurity in the crude terephthalic acid with an oxygen-containing gas in the presence of a metal oxide catalyst, subsequently hydrogenating the treated impurity with a hydrogen-containing gas in the presence of a noble metal-based catalyst and crystallizing terephthalic acid by depressing pressure and carrying out solid-liquid separation of the crystal.例文帳に追加

本発明の解決手段は、粗テレフタルを加圧下高温とすることにより水に溶解させた後、金属酸化物触媒の存在下酸素含有ガスで酸化し、引き続いて貴金属系触媒の存在下水素含有ガスで水添し、圧力を降下させることにより晶析した後、固液分離することを特徴とする。 - 特許庁

The method for producing the aminoimidazole carboxamide represented by formula (1) comprises a step for carrying out a decoloration treatment of an organic solvent solution of the aminoimidazole carboxamide represented by formula (1) by using a decolorizer and a step for crystallizing the aminoimidazole carboxamide represented by formula (1) by adding poor solvent to the solution obtained by the decoloration treatment, and carrying out solid-liquid separation of the resultant mixture.例文帳に追加

式（１）で表されるアミノイミダゾールカルボキサミドの有機溶媒溶液を、脱色剤を用いて脱色処理する工程と、脱色処理して得られた溶液に貧溶媒を添加して、式（１）で表されるアミノイミダゾールカルボキサミドを結晶化させ、固液分離する工程とを有する式（１）で表されるアミノイミダゾールカルボキシアミドの製造方法。 - 特許庁

The production method comprises: a step (I) of at least partly crystallizing solid particles containing at least one zeolite from a synthesized mixture to produce a mixture (I) comprising at least the solid and at least one of the auxiliary; and a step (II) of concentrating the solid present in the mixture (I) by ultra-filtration to obtain a concentrated liquid and a permeation liquid.例文帳に追加

合成−混合物から少なくとも１種のゼオライトを含有する固体を少なくとも部分的に結晶化して、少なくとも前記の固体並びに少なくとも１種の助剤を有する混合物（Ｉ）を得る工程（Ｉ）、混合物（Ｉ）中に存在する固体を限外濾過により濃縮して、濃縮液と透過液とを得る工程（ＩＩ）を含む製造方法。 - 特許庁

The method comprises continuously introducing a mixture, obtained by mixing an alkaline extract of wastes containing the aluminum component and a silicic acid-enriched material or an alkali extract of wastes containing the silicic acid component and an aluminum-enriched material in a prescribed silica-alumina ratio, into a superconductive non-liquid type high magnetic force generation device, and crystallizing the mixture by exposing it to high magnetic force.例文帳に追加

アルミニウム成分を含有する廃棄物のアルカリ抽出液と珪酸富化材、もしくは珪酸成分を含有する廃棄物のアルカリ抽出液とアルミニウム富化材とを所定の珪礬比で混合したものを、超伝導非液体型高磁力発生装置内に連続的に導入し、強力磁力に曝して結晶化させる。 - 特許庁

The method includes a heat treatment wherein the electrode film 331a is irradiated with light from the opposite side from the ferroelectric film 32a and the light is selectively absorbed by the electrode film 331a to heat the electrode film 331a after the process of forming the electrode film 331a and the stage of crystallizing the ferroelectric film 32a.例文帳に追加

電極膜３３１ａを形成する処理及び強誘電体膜３２ａを結晶化させる工程よりも後に、電極膜３３１ａにおける強誘電体膜３２ａと反対側から光を照射するとともに、この光を電極膜３３１ａに選択的に吸収させて電極膜３３１ａを加熱する熱処理を含む。 - 特許庁

To provide a novel crystallization method for efficiently producing a bicalutamide crystal suitable for an active pharmaceutical ingredient, a bicalutamide crystal having a particle size distribution and a specific surface area suitable as an active pharmaceutical ingredient, i.e. a bicalutamide crystal whose form is prescribed, by simply crushing the bicalutamide crystal obtained in the crystallization method, and a method for crystallizing bicalutamide, which is economical and excellent in the quality stability, and can be carried out industrially practically.例文帳に追加

医薬原体として適切なビカルタミド結晶を効率的に製造するための新規な晶析方法を提供し、該晶析方法で得られたビカルタミド結晶を簡便に粉砕することにより、医薬原体として適切な粒度分布や比表面積を有するビカルタミド結晶を提供すること、すなわち形態を規定したビカルタミド結晶の提供、ならびに経済的であるとともに品質の安定性に優れ、かつ工業的に実用可能なビカルタミドの晶析方法の提供。 - 特許庁

To provide a new crystallization method for efficiently producing a bicalutamide crystal which is adequate as an active pharmaceutical ingredient and to provide the bicalutamide crystal having adequate particle size distribution and specific surface area as an active pharmaceutical ingredient, namely the bicalutamide crystal in which the shape is specified by simply pulverizing the bicalutamide crystal obtained in the crystallization method and to provide a method for crystallizing bicalutamide, being economical and excellent in stability of quality and industrially practical.例文帳に追加

医薬原体として適切なビカルタミド結晶を効率的に製造するための新規な晶析方法を提供し、該晶析方法で得られたビカルタミド結晶を簡便に粉砕することにより、医薬原体として適切な粒度分布や比表面積を有するビカルタミド結晶を提供すること、すなわち形態を規定したビカルタミド結晶の提供、ならびに経済的であるとともに品質の安定性に優れ、かつ工業的に実用可能なビカルタミドの晶析方法の提供。 - 特許庁

The method for manufacturing the thin film comprises a step of manufacturing a precursor film containing a metal element by the CVD method, a step of dipping the precursor film in an alkaline water solution in a container, a step of sealing the container, and a hydrothermal process step of crystallizing the precursor film in the sealed container by a hydrothermal process to form a metal oxide thin film on a substrate.例文帳に追加

本発明の薄膜作製方法は、基板上に、ＣＶＤ法により金属元素を含有する前駆体膜を作製する前駆体膜作製ステップと、前駆体膜を、容器内において、アルカリ性水溶液に浸漬する浸漬ステップと、容器を密閉する密閉ステップと、密閉された容器内において、水熱処理により前駆体膜を結晶化して、基板上に金属酸化物の薄膜を作製する水熱処理ステップとを含む。 - 特許庁

This method for producing the powder comprising polyester fiber aggregates is characterized by adding a specific hydroxy aromatic carboxylic acid compound to a solvent having a boiling point of ≥270°C, not or slightly dissolving the obtained polyester to give a dissolved compound or oligomer concentration of 10 to 25 g/100 ml converted into the polyester, and thermally polymerizing and crystallizing the produced polyester.例文帳に追加

特定のヒドロキシ芳香族カルボン酸化合物を、沸点が270℃以上で、得られるポリエステルが不溶性あるいは難溶性であり、且つ前記化合物と反応しない溶媒中に、該溶媒に溶解させる前記化合物もしくはそのオリゴマー濃度が得られるポリエステルに換算して10〜25（ｇ／100ml）となるように添加し、加熱重合結晶化させて、ポリエステル繊維凝集体よりなる粉体を得る。 - 特許庁

The method for powdering an inorganic oxide or inorganic hydroxide contains a thin film forming process where a thin film is formed on a centrifugal disk by spraying an inorganic solution dissolved in an acid, hydroxide or other solvent, a finely pulverizing process where the thin film is scattered by rotating the centrifugal disk at high speed to form minute liquid droplets, and a crystallizing process where thus formed minute liquid droplets are crystallized.例文帳に追加

酸、水酸又はその他の溶媒に溶解した無機物溶液を噴霧して薄膜を遠心盤上に生成させる薄膜生成工程、前記薄膜を遠心盤の高速回転により飛散させて、微細液滴化する細粒化工程、生成された微細液滴を結晶化する結晶化工程を含むことを特徴とする無機酸化物又は無機水酸化物の粉末化法とする。 - 特許庁

The manufacturing apparatus of a polycrystalline semiconductor film for crystallizing an amorphous semiconductor film formed on an insulated substrate by means of a beam anneal method has a local shield which can control the atmosphere of the surface of a substrate, which is subjected to beam irradiation in the periphery of laser beam, when laser beam is directed to an amorphous semiconductor film.例文帳に追加

絶縁基板上に形成された非晶質の半導体膜をビームアニール法によって結晶化する多結晶半導体膜の製造装置において、レーザービームを非晶質半導体膜に照射するときに、ビーム照射される基板の表面の雰囲気を制御できる局所シールドをレーザビーム周囲に備えていることを特徴とする多結晶半導体膜の製造装置。 - 特許庁

The crystalline polymorphous forms of rifaximin (INN) (rifaximin α and rifaximin β) and a poorly crystalline polymorphous form of rifaximin (rifaximin γ) are obtained by the following crystallization method: hot-dissolving raw material rifaximin in ethanol and crystallizing the resultant product by adding water thereto at a constant temperature, followed by finally drying thereof under controlled conditions until a specific water content is reached in the end product.例文帳に追加

原料リファキシミンをエタノールに熱溶解し、一定の温度での水添加による生成物の結晶化をさせ、最後に最終生成物中の正確な水分含量になるまでコントロールされた条件で乾燥されることで実施される結晶化方法で得られる、リファキシミン（ＩＮＮ）の結晶性多形体（リファキシミンαおよびリファキシミンβ）、および貧結晶性多形体（リファキシミンγ）。 - 特許庁

The purification method of Si, by forming a compound (solid phase) of an alkali metal and Si, and crystallizing Si out of a melt of the compound, at least includes a step of removing impurity through unidirectional solidification of the compound, and includes steps of Si crystallization and alkali metal reutilization by making use of vapor pressure difference of Na depending on the temperature of the alkali metal/Si melt.例文帳に追加

アルカリ金属とＳｉとの化合物（固相）の生成後にこの化合物の融液から晶出させることによるＳｉの精製方法であって、少なくとも、前記化合物の一方向凝固による不純物除去を含むことと、アルカリ金属Ｓｉ融液の温度によるＮａ蒸気圧差を利用したＳｉの晶出およびアルカリ金属の再利用の工程を含むことを特徴とする。 - 特許庁

The method of raising the energy band gap of an aluminum oxide layer includes a first step of forming an amorphous aluminum oxide layer on a bottom film, a second step of introducing hydrogen (H) or hydroxyl group (OH) into the amorphous aluminum oxide layer, and a third step of crystallizing the amorphous aluminum oxide layer with the introduced hydrogen or hydroxyl group.例文帳に追加

下部膜上に非晶質アルミニウム酸化物層を形成する第１ステップと、非晶質アルミニウム酸化物層内に水素（Ｈ）または水酸基（ＯＨ）を導入する第２ステップと、水素または水酸基が導入された非晶質アルミニウム酸化物層を結晶化させる第３ステップと、を含むことを特徴とするアルミニウム酸化物層のエネルギーバンドギャップを高める方法である。 - 特許庁

In the method of producing the patterned crystallized glass article 10, amorphous glass bodies in which the difference of linear expansion coefficient at a temperature of 30 to 380°C between crystalline glass small bodies and the crystalline glass made by crystallizing the crystalline glass bodies is 10×10^-7/K or less are filled into a refractory container, are heated, are fused to one another and deposit crystals to form the patterned crystallized glass article.例文帳に追加

模様入り結晶化ガラス物品１０の製造方法は、結晶性ガラス小体と、結晶性ガラス体が結晶化した後の結晶化ガラスとの３０〜３８０℃における線膨張係数差が１０×１０^−７／Ｋ以下である非晶質ガラス体を、耐火性容器に充填して加熱し、互いに融着させつつ結晶析出させ、模様入り結晶化ガラス物品を成形する。 - 特許庁

The method for manufacturing a thin film transistor comprises a step for providing a substrate 100, depositing an amorphous silicon layer 114 on the substrate 100, adjusting the threshold voltage of the thin film transistor 101 by bringing a plasma in contact with the amorphous silicon layer 114, and converting the amorphous silicon layer 114 into a polycrystalline silicon layer 114 through a crystallizing process.例文帳に追加

基板１００を提供することと、前記基板１００の上に非晶質シリコン層１１４を堆積することと、プラズマを前記非晶質シリコン層１１４と接触させることによって、前記薄膜トランジスタ１０１の閾値電圧を調整することと、結晶工程を行い、前記非晶質シリコン層１１４を多結晶シリコン層１１４に変換することを含む。 - 特許庁

The method for producing a ceramic film comprises a step for preparing an article being treated 100 where a substrate is coated with a material containing a composite oxide, and a step for holding the article being treated 100 in a chamber 200 and heat treating it under a specified pressure in treating gas pressurized to 2 atm or above and containing at least an oxidative gas thus crystallizing the material.例文帳に追加

セラミックスの製造方法は、複合酸化物を含む原材料体が基体に塗布された被処理体１００を準備すること、被処理体１００をチャンバ２００内に保持し、２気圧以上に加圧され、かつ少なくとも酸化性ガスを含む処理ガス中において所定圧力で熱処理することにより、原材料体を結晶化させること、を含む。 - 特許庁

The method of manufacturing the substrate for the semiconductor device comprises a process of forming a material film 204b having conductivity on the substrate 200; a process of forming an amorphous silicon film 1 on the substrate; and a process of forming the polysilicon film on the substrate by heating and crystallizing the amorphous silicon film by subjecting a material film to high frequency induction heating.例文帳に追加

半導体装置用基板の製造方法は、基板２００上に導電性を有する材料膜２０４ｂを形成する工程と、基板上にアモルファスシリコン膜１を形成する工程と、材料膜を高周波誘導加熱することによって、アモルファスシリコン膜を加熱して、アモルファスシリコン膜を結晶化して、基板上にポリシリコン膜を形成する工程と、を含む。 - 特許庁

The method of manufacturing the organic light emitting display comprises step for: manufacturing a polycrystalline silicon substrate by crystallizing an amorphous silicon substrate; obtaining a Raman spectrum graph by irradiating the polycrystalline silicon substrate with a laser beam; examining a degree of the crystallinity of the polycrystalline silicon substrate from a peak area of the Raman spectrum graph; and manufacturing a thin film transistor by using the polycrystalline silicon substrate.例文帳に追加

有機発光表示装置の製造方法は、非晶質シリコン基板を結晶化して多結晶シリコン基板を製造する段階と、多結晶シリコン基板にレーザーを照射してラマンスペクトルグラフを得る段階と、ラマンスペクトルグラフのピーク面積から多結晶シリコン基板の結晶化度を算出する段階と、多結晶シリコン基板を使用して薄膜トランジスタを製造する段階と、を含む。 - 特許庁

To provide a nonmagnetic spheroidal vanadium carbide-containing high manganese cast iron material having excellent mechanical properties such as wear resistance and toughness, and requiring no water toughening heat treatment which has been required for obtaining nonmagnetic high manganese steel (high manganese cast steel) by crystallizing out spheroidal vanadium carbides into an austenitic matrix, and to provide a production method therefor.例文帳に追加

オーステナイト基地中に球状のバナジウム炭化物を晶出させることにより、耐摩耗性や靭性などの機械的特性に優れるとともに、非磁性であり、しかも、非磁性の高マンガン鋼（高マンガン鋳鋼）を得る際に必要とされた水靭熱処理を必要としない球状バナジウム炭化物含有高マンガン鋳鉄材料及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

The manufacturing method of the photoelectromotive element includes the stages of: forming a precursor film 102a on a substrate 101; forming a second semiconductor thin film 103 on the precursor film 102a; and forming a first semiconductor thin film 102b by supplying thermal energy using the second semiconductor thin film 103 as a cap layer and then crystallizing the precursor film 102a.例文帳に追加

基板１０１の上に前駆体膜１０２ａを形成する工程と、前駆体膜１０２ａの上に第２の半導体薄膜１０３を形成する工程と、第２の半導体薄膜１０３をキャップ層として熱エネルギーを付与することにより、前駆体膜１０２ａを結晶化して第１の半導体薄膜１０２ｂを形成する工程と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁

This method for producing the bisphenol A is characterized by using a filter cloth woven from yarns having a uniform yarn diameter and having an air permeability of 50 to 100 ml/cm^2 in a horizontal belt filter for the solid-liquid separation of the slurry obtained by crystallizing the bisphenol A-phenol adduct from the phenol solution of the bisphenol A obtained by reacting phenol with acetone in the presence of an acid catalyst.例文帳に追加

酸触媒の存在下にフェノールとアセトンとを反応させて得られるビスフェノールＡのフェノール溶液からビスフェノールＡとフェノールとの付加物を晶析させ、生成したスラリーを固液分離するのに使用する水平ベルトフィルターにおいて、均一糸径の糸で織られ、通気度が５０〜１００ｍｌ／ｃｍ^2・秒であるろ布を用いるビスフェノールＡの製造方法である。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device comprises the steps of forming a first semiconductor region, made of an amorphous semiconductor on a surface of an insulator, scanning a continuous oscillation laser beam from one end of the first region to the other end, once melting the first region, crystallizing the first region, and thereafter etching the first region, to form an active layer of a TFT to form a second semiconductor region.例文帳に追加

絶縁表面上に、非晶質半導体で成る第１半導体領域を形成し、第１半導体領域の一端から他端に向けて連続発振レーザービームを走査して、第１半導体領域を一旦溶融させて結晶化し、その後、ＴＦＴの活性層を形成するために第１半導体領域をエッチングして第２半導体領域を形成するものである。 - 特許庁

A method for forming polycrystalline thin film includes a semiconductor thin film forming process, for forming a semiconductor this film on a substrate 14 and a polycrystalline thin film forming process for forming a polycrystalline thin film, by melting the semiconductor thin film through irradiating the thin film with an energy beam 38 in a region, where a gas is blown on and crystallizing the thin film in the course of solidification.例文帳に追加

基板１４上に半導体薄膜を形成する半導体薄膜形成工程と、半導体薄膜に加熱されたガスを吹きかけながら、ガスが吹きかけられている領域の半導体薄膜にエネルギービーム３８を照射して半導体薄膜を溶解し、固化する過程で半導体薄膜を結晶化して多結晶薄膜を形成する多結晶薄膜形成工程とを有している。 - 特許庁

The molded product of the lactic acid resin composition is productively obtained by using, in the manufacturing method comprising crystallizing a lactic acid resin composition (D) constituted of a lactic acid resin (A), a crystal nucleating agent (B) and a crystallization auxiliary agent (C) on or after molding, a polymer comprised of a block copolymer of a polyethylene glycol unit with a polypropylene glycol unit particularly as the crystallization auxiliary agent (C).例文帳に追加

乳酸系樹脂（Ａ）、結晶核剤（Ｂ）、結晶化助剤（Ｃ）を構成成分とする乳酸系樹脂組成物（Ｄ）を成形時あるいは成形後に結晶化させる製造方法において、特に結晶化助剤（Ｃ）にポリエチレングリコールユニットとポリプロピレングリコールユニットとのブロック共重合体からなるポリマーを用いる事で、生産性良く該乳酸系樹脂組成物の成形体が得られる。 - 特許庁

A method for manufacturing a thin-film transistor at least includes a process for irradiating a semiconductor layer (103) on a substrate (101) with light (104) for crystallizing the semiconductor layer (103); and a process for performing a composite treatment of oxygen plasma treatment (107), hydrogen plasma treatment (108), and high-pressure vapor heat treatment (109) to the crystallized semiconductor layer (103).例文帳に追加

薄膜トランジスタの製造方法であって、基板（１０１）上の半導体層（１０３）に光照射（１０４）をおこない当該半導体層（１０３）の結晶化をおこなう工程と、結晶化後の半導体層（１０３）に酸素プラズマ処理（１０７）、水素プラズマ処理（１０８）および高圧水蒸気熱処理（１０９）の複合処理をおこなう工程を少なくとも有することを特徴とする。 - 特許庁

This method for crystallizing the aliphatic polyester is characterized in that the aliphatic polyester prepolymer containing an organic sulfonic acid-based compound as a catalyst, having 2,000 to 100,000 weight-average molecular weight and containing ≥50% aliphatic hydroxycarboxylic acid unit is brought into contact with a liquid containing an acidic compound and not dissolving the aliphatic polyester prepolymer and crystallized.例文帳に追加

触媒として有機スルホン酸系化合物を含む、重量平均分子量が２，０００〜１００，０００である脂肪族ヒドロキシカルボン酸ユニット５０％以上含有する脂肪族ポリエステルプレポリマーを、酸性化合物を添加した、脂肪族ポリエステルプレポリマーを溶解しない液体と接触させる事により結晶化させる事を特徴とする、脂肪族ポリエステルの液中結晶化方法。 - 特許庁

By a device and a method for crystallization, the phase shifter 1 is used for crystallizing an amorphous semiconductor film 11 so that the diameters of crystallized grains may become uniform by fixing the distance between the phase shifter 1 and the substrate 2 to be treated by disposing spacers 3 respectively at a plurality of places where no crystallized silicon 7 is produced between the shifter 1 and the substrate 2.例文帳に追加

本発明は、位相シフタ１と被処理基板２との間で、結晶化シリコン７が生成されない複数の箇所にそれぞれスペーサ３を配置して、位相シフタ１と被処理基板２との間の距離を一定にすることにより、非晶質な半導体膜１１を結晶化された粒径が揃うように結晶化処理を行う位相シフタを用いた結晶化装置及び結晶化方法である。 - 特許庁